【課題】基板処理メニスカスによって残される入口マークおよび／または出口マークを低減させるためのキャリア
【解決手段】上側および下側のプロキシミティヘッドによって形成されるメニスカスによって処理されている基板を支えるためのキャリアについて説明される。キャリアは、基板を受ける大きさの開口と、該開口内において基板を支えるための複数の支持ピンとを有するフレームを含む。開口は、基板と開口との間にギャップが存在するように基板よりわずかに大きくしてある。基板上の入口マークおよび／または出口マークの大きさと頻度とを低減させるための手段が提供され、該手段は、メニスカスからの液体をギャップから立ち退かせることを補助および促進する。入口マークおよび出口マークの大きさと頻度とを低減させるための方法も、提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置は、処理液が供給されて保存される処理槽と、前記処理液を前記処理槽に供給する処理液供給手段とを含む処理部と、流体が供給されて噴射される乾燥槽と、前記流体を前記乾燥槽に供給する流体供給手段とを含む乾燥部とで構成され、前記流体供給手段は、前記流体が前記乾燥槽に提供される前にフィルタリングするフィルタと、前記フィルタを加熱する第１ヒーターとを備える。本発明によれば、乾燥用流体が凝固された状態で乾燥槽に提供されることによって引き起こされるパーティクルの発生が抑制されるから、安定的かつ不良のない基板処理が可能になって、生産量又は歩留まりが向上するという効果がある。 （もっと読む）

本発明は、ワークピースを乾燥させる装置に関する。本発明による装置は、チャンバを有し、チャンバは、第１部分に洗浄流体を収容し、第２部分に乾燥領域を収容する。装置は、更に、洗浄流体中に配置されている間の複数のワークピースを支持するウェット移送アーム(204)と、ウェット移送アーム(204)を上昇させるときに複数のワークピースをウェット移送アーム(204)から受取るドライ移送アーム(202)を有する。ドライ移送アーム(202)及びウェット移送アーム(204)は、共通の駆動機構に連結され、共通の駆動機構は、第１モータ(220)及び第２モータ(222)を有する。第１モータ(220)は、ウェット移送アーム(204)及びドライ移送アーム(202)の両方を駆動し、第２モータ(222)は、ウェット移送アーム(204)とドライ移送アーム(202)の間の分離距離を制御する。
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【課題】基板上に複数の薬液や気体を供給して基板を洗浄乾燥する基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理装置は、基板が置かれるチャックを有する基板支持部材、上部が開放され、前記チャック周辺を包むように形状された下部チャンバー１２０、基板に対する乾燥工程が外部と隔離された状態で進行されるように前記下部チャンバーの上部を開放又は閉鎖する上部チャンバー１３０、及び前記上部チャンバーに設置され、前記上部チャンバーが前記下部チャンバーの上部を閉鎖した状態で基板に流体を直接噴射する直接噴射ノズル部材１８０を含む。このような構成の基板処理装置は、基板全体の乾燥効率増大、及び外部汚染遮断、又、酸化膜防止などの効果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】フットプリントを小さくすることができ、排気と排液との分離機構を特別に設ける必要がなく、排気カップの全周に亘って均一に排気することが可能な液処理装置を提供すること。
【解決手段】回転カップ４をウエハＷと一体的に回転させるように構成するとともに回転カップ４の外側を囲繞するように環状の排液カップ５１を設け、さらにこの排液カップ５１を収容するように同心状に排気カップ５２を設け、排気カップ５２に取り入れられた気体成分の気流がほぼ全周から排気口７０に向けて流れるように気流を調整する気流調整機構９９ａ，９７を設けて、ウエハＷに処理液を供給しながら液処理を行う液処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】排液カップから速やかに処理液を排出することができる液処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷを水平に保持し、ウエハＷとともに回転可能な基板保持部２と、基板保持部２に保持されたウエハＷを囲繞するように環状をなし、ウエハＷとともに回転可能な環状をなす回転カップ４と、回転カップ４および基板保持部２を一体的に回転させる回転機構３と、ウエハＷの表面に処理液を供給する表面処理液供給ノズル５と、回転カップ４に対応した環状をなし、回転カップ４から排出された処理液を受け止め、処理液を排液する排液口６０を有する排液カップ５１と、排液カップ５１の内部に挿入され、回転カップ４の回転にともなって回転することにより排液カップ５１内に旋回流を形成し、その旋回流に随伴させて排液カップ５１内の処理液を排液口６０に導く旋回流形成部材３２ａとを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板上に複数の薬液や気体を供給して、基板を洗浄乾燥する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００において、基板が在置されるチャックを持つ基板支持機構１１０と、上部が開放されて、チャック周辺を囲むように配置された下部チャンバー１２０と、基板に対する乾燥工程が外部と隔離された状態で進行されるように下部チャンバー１２０の上部を開閉する上部チャンバー１３０と、上部チャンバー１３０のエッジに設置され、乾燥流体が基板に間接憤射されるように上部チャンバーの中心へ向かって、乾燥流体を憤射する間接憤射ノズル１４０と、を含むことを特徴とする基板処理装置１００。このような構成の基板洗浄装置は、基板の乾燥効率の増大及び外部汚染の遮断そして酸化膜の防止などの効果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ディスク状対象物の少なくとも下面の処理を行うための装置において、ディスク状対象物の汚染が回避できるような装置を提供する。
【解決手段】本発明の装置は、上面（２ｏ）を有しかつディスク状対象物（１）を位置決めするための少なくとも２つの部材（１９）が上面から垂直に突出している回転可能保持器（２）と、ディスク状対象物（１）の下面（１ｕ）に処理媒体を供給するために固定的に設けられかつ保持器（２）を貫通するように配置された少なくとも１つの配管（２４，２６）と、保持器（２）の下面（２ｕ）の少なくとも一部から離隔して固定配置され環状間隙（１６）を形成しているカバー（４）と、を備え、前記少なくとも１つの配管（２４，２６）は、隙間のない状態でカバー（４）を貫通していることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は基板を洗浄するための方法、装置及びシステムを提供し、本装置は制御装置と、制御装置に連結されたノズルを含む。制御装置は、ノズルを方向付けして均一な流体噴射流パターンを基板上に分注するように適合されている。制御装置は、ノズルの少なくとも１つの操作パラメータを調節することで、この均一な流体噴射流パターンを作り出し、所定の割合の液滴を所定のサイズ範囲内におさめるように適合されている。多数のその他の態様が開示される。
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【課題】ウェーハの後面処理およびウェーハとの物理的接触の困難な問題を解決できる新規な処理機および処理方法を提供することにある。
【解決手段】半導体ワークを保持しかつ回転させるヘッドを備えた遠心ワーク処理機。ヘッドはガスシステムを備えたロータを有している。ガスは、ロータの入口からスプレーされ、回転ガス流を発生する。回転ガス流は、ワークの第一面の縁部をロータの接触面に対して保持する圧力状態を形成する。ロータおよびワークは一緒に回転する。外周部に隣接するガイドピンが、ワークとロータとを整合させる補助をする。傾斜面が、消費されかつワークから飛散した処理液体を偏向させる補助をする。ヘッドは、ボウルとの多くの異なる係合位置に移動できる。ワークが回転されて処理されるとき、ボウル内のスプレーノズルがワークの第二面上に処理液体をスプレーする。 （もっと読む）

静電チャック（ESC）の洗浄方法であって、ESCのセラミック表面を誘電性流体に浸す工程と、ESCのセラミック表面を導電性表面から離して、誘電性流体がESCのセラミック表面と導電性表面との間に満たされる工程と、誘電性流体を超音波攪拌すると同時にESCに電圧を印加する工程と、を含む。 （もっと読む）

シリコンウェーハーの表面処理する装置は、シリコンウェーハーを移送するための移送ローラと少なくとも１つの給送装置を有しており、その給送装置は移送ローラによって定められる移送平面内でシリコンウェーハーの表面を液状の処理媒体によって湿潤するために設けられており、給送装置は、移送平面内に配置された、シリコンウェーハーの下を向いた表面上に処理媒体を塗布するように形成されている。給送装置の周囲からガス状、および／または、霧状に分配された処理媒体を吸い出すために複数の吸引パイプが設けられており、吸引パイプが移送平面の垂直方向下方に配置されている。
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半導体ウエハ容器を洗浄し乾かすための装置は、汚れた容器を受け入れて、デッキアセンブリにそれを供給する、固定具を備えたロードポートを含んでいる。キャリアーは、さらにハンドリングのために容器を受け入れる。第１先端部を備えたロボットは、容器のドアを外し、キャリアーの一部にそれを置く。ロボットは、キャリアーに係合し、処理室内への挿入のためキャリアー及び容器を持ち上げる第２先端部を含んでいる。処理室は、少なくとも一つのレセプタクルを備えたローターを含んでいる。スピニングローターは、高圧及び低圧領域の両方を作成する。処理液は、容器とキャリアーに供給される。すすぎ工程後、ローターが回転している間、容器及びキャリアーが乾かされる。その後、ロボットは、処理室から容器及びキャリアーの両方を取り除き、容器にドアを再び組み立てる。
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酸化に対して高安定性を有する初期状態水素終端化シリコンウェーハ表面を製造するための方法が提供される。プロセスの工程２０に従って、シリコンウェーハは陰イオン界面活性剤を伴う高純度加熱希フッ化水素酸で処理される。その後の工程３０において、水は室温で超純粋でｉｎ ｓｉｔｕですすがれて、次にその後の乾燥工程４０で乾燥される。代替的には、シリコンウェーハは工程２２で希フッ化水素酸で処理され、工程３２で水素ガス化水ですすがれて、工程４２で乾燥される。当該方法により製造されるシリコンウェーハは、３日より長い間、通常のクリーンルーム環境中で安定であり、そして８日より長い間、有意の酸化物再成長を伴わずに継続することが実証されている。 （もっと読む）

第１の表面の平面Ｗ１、第２の表面の平面Ｗ２及び縁の表面を有するウェーハ状物品の決められた縁の領域をウエット処理するための方法及び装置である。装置は、ウェーハ状物品を保持するための支持具、ウェーハ状物品の支持具に面していない前記第１の表面Ｗ１の平面上に液体を分配するための液体分配手段、及びウェーハ状物品の縁の表面のまわりの前記液体の少なくも一部を、支持具に面しているウェーハ状物品の第２の表面の平面Ｗ２に向けて案内しこれにより少なくも縁の部分を濡らすために支持具に連結された液体案内部材を備える。
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