【課題】被処理物の表面に存在する有機物等の汚染物を高い効率で除去することができると共に、被処理物の表面の濡れ性を向上させることができ、被処理物の表面に高い密着性を有する薄膜を形成することができるドライ洗浄方法およびドライ洗浄装置を提供する。
【解決手段】被処理物１に大気圧プラズマを作用させることにより洗浄処理する第１洗浄工程と、この第１洗浄工程によって洗浄処理された被処理物１にエキシマランプから放射されたエキシマ光を照射することにより洗浄処理する第２洗浄工程とを有し、搬送される被処理物１に対して被処理物１の搬送方向の上流位置に大気圧プラズマ装置２０を配置し、被処理物１の搬送方向の下流位置にエキシマ光照射装置３０を配置する。 （もっと読む）

【解決手段】枚葉式ウエハ湿式処理のための装置におけるスピンチャックは、ウエハのエッジ周りでウエハのチャック対向面から流れるガスを方向付けてウエハの非チャック対向面から離れるようにガスを排出する一連の環状ノズルを、支持されたウエハと共に形成する構造を周囲に有しており、それによって、非チャック対向面に供給された処理流体がウエハのエッジ領域に触れることを防止する。拡大ヘッドを備えた保持ピンがウエハエッジと係合し、高流量のガスが利用された場合にウエハが上方にずれることを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された半導体デバイス等へのダメージを抑制し、基板の表面から、異物を除去することができる、基板の洗浄方法及び基板の洗浄装置を提供する。
【解決手段】被処理基板上に、第１の洗浄液による第１の洗浄液層と、第１の洗浄液層上に形成され第１の洗浄液よりも比重の小さい第２の洗浄液による第２の洗浄液層とを形成し、第２の洗浄液層に超音波を印加して被処理基板を洗浄する。 （もっと読む）

【解決手段】処理対象とされるウエハ表面の層に、気液分散系、すなわち硫酸中にオゾンの発泡体が含まれたものが適用されるように、気体オゾンと加熱硫酸とを組み合わせることによって、枚葉式フロントエンドウェット処理ステーションにおける、イオン注入されたフォトレジストの除去が改善された。 （もっと読む）

【課題】排液系に異常が発生し、カップ内に排液がオーバーフローした場合でも、排液が排気系に流れ込むことを防止できる基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板を水平に保持する基板保持部２と、基板保持部２を回転させる回転部３と、基板に処理液を供給する処理液供給機構８５と、基板保持部２の外周側に設けられ、回転する基板から振り切られた処理液を収容する環状の液収容部５６と、液収容部５６よりも回転中心側に設けられた環状の空間部９９ａ、９９ｂとを備えたカップ５１と、液収容部５６と排液系とを接続する第１の排液流路６１、１１２ｂと、空間部９９ｂと排気系とを接続する排気流路７１と、第１の排液流路１１２ｂの途中に設けられた接続口１１５を介して、空間部９９ａと第１の排液流路１１２ｂとを接続する第２の排液流路１６１と、第２の排液流路１６１上に設けられた液面センサ１６２とを有する。 （もっと読む）

【課題】被処理体の全域を均一に超音波洗浄することができる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明による超音波洗浄装置１は、洗浄液を貯留する洗浄槽１０と、洗浄槽１０内に挿入可能に設けられ、被処理体Ｗを保持して洗浄液に浸漬させる被処理体保持装置２０と、洗浄槽１０の底部に設けられた振動子４０と、振動子４０に超音波振動を生じさせる超音波発振装置４２とを備えている。洗浄槽１０内には、被処理体Ｗを保持する側部保持部材５０が設けられている。また、被処理体保持装置２０は、駆動装置２６によって側方に移動するようになっている。制御装置４４は、被処理体Ｗを側部保持部材５０に保持させた後、被処理体保持装置２０を側方へ移動させるように駆動装置２６を制御すると共に、振動子４０に超音波振動を生じさせて振動子４０からの超音波振動を被処理体Ｗに伝播させるようになっている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板内部に含まれる金属不純物を低コストかつ容易に除去可能な半導体基板の洗浄方法および洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面に洗浄液を供給し、該洗浄液を半導体基板との間に挟むように疎水性部材を配置し、該洗浄液を前記半導体基板に広く接触させ、前記半導体基板の内部に含まれる金属不純物を前記洗浄液中へ溶解させ、その後前記疎水性部材を取り外す。また、前記半導体基板を加熱することが好ましい。 （もっと読む）

【解決手段】 洗浄装置を提供する。洗浄装置は、ベースから延びる側壁によって形成されたタンクを含む。対向する側壁の上部分に形成された複数の流体出口は、上部分の長さと上部分の深さにわたって延びる配列として配置される。複数の流体出口は、水平流体流れをタンクの内部に提供するように構成される。水平流体流れは、一番上の流れがタンクの内側中間領域まで進み、各々の引き続く下方の流れが、その引き続く下方の流れが出る側壁により近く進むように配置され、水平整列流体流れの各々の方向は、タンクの底に向かう垂直整列流体流れに層流的に変えられる。支持体群が、タンクの下部分に配置される。再循環ポンプが、タンクのベースより下に配置される。基板洗浄方法も提供する。 （もっと読む）

この出願は、基板の少なくとも部分的な領域を処理するための複数の方法及び装置を開示する。前記方法においては、少なくとも１つの液体が基板の少なくとも１つの部分的な領域に提供され、それぞれの方法に従って所望の効果を達成するために、電磁放射がこの液体に導入される。１つの方法において、液体を提供する前にＵＶ放射によって液体のラジカルが発生され、ラジカルの発生は、少なくともラジカルの一部が基板に到達するように、液体を基板の提供する直前に行われる。基板の表面の少なくとも部分的な領域及び前記基板の表面に近い層からイオンが除去される１つの方法においては、前記基板の少なくとも部分的な領域に液体膜を形成するために、周囲温度よりも高く加熱された液体が基板に提供され、放射の少なくとも一部が基板表面に到達するように、電磁放射が前記液体膜に導入される。少なくとも部分的に疎水性の基板表面を有する基板の表面特性を、前記疎水性表面の少なくとも一部が親水性表面特性を得るように変化させる別の方法において、液体が、表面特性を変化させようとする基板の表面の少なくとも部分的な領域に提供され、所定の波長範囲のＵＶ放射が、前記液体を通って、表面特性を変化させようとする前記基板の表面の少なくとも部分的な領域まで案内される。この方法は、共通の装置において、あらゆる所望の順序で順次に及び／又は並行して行われてよい。
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【課題】基板厚が異なる基板に対しても同一条件でのエッチングを行い、均一に基板の表面処理を行うことができる基板表面処理装置、太陽電池セルの製造装置を得ること。
【解決手段】基板１１ａを保持する基板保持手段３５と、基板１１ａの基板厚に応じて基板保持手段３５の高さを調整する高さ調整手段３７と、基板１１ａを搬送する搬送手段と、上方に突出した壁部３１ｄに囲われた複数の突出口を基板１１ａの搬送方向において離間して有する液溜まり部が上面に設けられ、基板１１ａの表面処理に用いる処理液４０を突出口の内壁面での表面張力により突出口から突出した状態で保持する処理槽３１と、を備え、突出口から突出した処理液４０と処理面とが接触するとともに、液溜まり部の壁部３１ｄの最上部と処理面との距離が規定の距離となる高さ位置で基板１１ａを処理槽３１上において水平方向に搬送することにより処理面の表面処理を行う。 （もっと読む）

【課題】電子密度分布を均一に制御し、プラズマ処理を被処理体に施すことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容された筒状の処理室１２内に処理ガスを供給してプラズマを生成し、生成したプラズマにて被処理体Ｗにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に、前記処理室１２内の略中央部に光を照射する第１光照射手段と、前記処理室１２内の周壁側の領域に光を照射する第２光照射手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の上端部に付着した水が被処理基板表面を流れることを防止することにより、製品歩留まりの低下を防止することが可能な洗浄・乾燥処理方法、洗浄・乾燥処理装置、および記録媒体を提供する。
【解決手段】まず、洗浄槽５２内に収容された洗浄液ＤＩＷに被処理基板Ｗを接触させて洗浄処理する。次に被処理基板Ｗを洗浄槽５２内から乾燥室１０内に移動し、乾燥室１０内の被処理基板Ｗの上端部Ｔを加熱装置１３によって乾燥する。その後、乾燥室１０内の被処理基板Ｗに向けて乾燥ガスＧ１を供給することにより、乾燥ガスＧ１を被処理基板Ｗに接触させ、被処理基板Ｗ表面の洗浄液ＤＩＷを除去する。 （もっと読む）

【課題】 物品の表面に付着した脂・汚れ等を超音波を用いて強力に洗浄し且つ強く殺菌させることができる超音波洗浄方法を提供する。更に連続的に洗浄殺菌できる設備の費用とそのランニングコストを廉価にできるようにする。
【解決手段】 酸素と窒素を高濃度に溶存させた洗浄水Ｗを貯えた洗浄槽２の水面下に発振面が対向するように上下一対の超音波振動子４を配置し、同超音波振動子の発振面間の狭間領域７に酸素と窒素を高濃度に溶存させた洗浄水の一部を邪魔板８で水量・流速を抑えて略５０ｃｍ／分の流速で流入させる。洗浄槽２の側面を開口し、同開口を介して被洗浄物Ａを通過させる搬送コンベヤ３を配置し、同開口から洗浄水を排出させ、同開口の内側に洗浄槽２へ供給する洗浄水を噴出して水カーテンＷａを形成して開口からの大量の排水を抑え、又開口から落下した洗浄水を下方で受水槽１で受けてポンプで洗浄槽２へ圧送して洗浄水を循環的に使用する。 （もっと読む）

【課題】スピンカップ内周面の温度調節を容易に行うことができるウエハ洗浄乾燥装置のスピンカップを提供することを目的とする。
【解決手段】ウエハを載せるチャックテーブルの周囲に配置され、ウエハ洗浄液の飛散や流出を防止するように設けられるウエハ洗浄乾燥装置のスピンカップであって、
前記スピンカップは、内側カップと外側カップからなる２重構造で構成され、
前記内側カップと外側カップとの間には隙間が形成されて、該隙間に流体が流通可能なように構成した。 （もっと読む）

【課題】スループットが高く、かつ被処理基板の回転にともなうパーティクルの発生および熱ストレスによるポリマーの剥がれの発生を抑制しつつ被処理基板の周縁部に環状に付着したポリマーを除去すること。
【解決手段】被処理基板Ｗの周縁部に環状に付着したポリマー２を除去するポリマー除去装置であって、周縁部に環状にポリマーが付着した被処理基板Ｗを収容する処理容器１１と、被処理基板Ｗを載置する載置台１２と、被処理基板Ｗに環状に付着したポリマー２にリング状レーザー光を一括照射するレーザー照射部２０と、被処理基板Ｗに環状に付着した前記ポリマーにオゾンガスを供給するオゾンガス供給機構１５，１９と、オゾンガスを排気する排気機構２３，２４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】直径の大きい基板のためのチャンバ内で、処理ガスを均一に散布するガス分配器を備えた処理チャンバを得る。
【解決手段】半導体基板を処理する処理チャンバ（２５）は、基板（５０）を支持する支持装置を含む。処理ガスをチャンバ（２５）に導入するガス分配器（９０）は、基板（５０）平面に対して所定の傾斜角度で処理ガスをチャンバ（２５）に噴射するガスノズルを有する。隋的に、ガス流制御装置（１００）は、処理ガスの流れを１つ又はそれ以上のガスノズル（１４０）を通して制御してパルス化する。排気装置はチャンバ（２５）からの処理ガスを排出するのに用いられる。 （もっと読む）

キャリア上の基板をクリーニングする装置であって、キャリアは、その内部において、互いに平行に延び、開口によってキャリアの下側で外に接続する複数の縦方向の通路を有し、装置は、互いに平行に延び、パイプホルダに配置されて液体供給源に対して液体を導くように接続された複数の細長いパイプを有している。センタリングプレートが、パイプの周囲に設けられ、パイプホルダから離れたパイプの端部領域にある取付け位置と、取付け位置及びパイプホルダ間の作用位置との間でパイプの長手方向にパイプに対して移動可能である。センタリングプレートがキャリアに支持され、パイプが縦方向の通路に対して正確に配列される。
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本発明の目的は、乾燥時間が短く、染みなどが発生せず、ＩＰＡを使用しないことにより、火事の危険性を低減し、有機汚染が発生しないようにする真空乾燥機およびこれを用いた乾燥方法を提供することである。本発明は、蓋部分にディスペンサノズルが形成され、下部にガスが排出される排出口が形成されている真空チャンバと、前記真空チャンバ内に位置し、複数のウエハまたはディスクが配列されるようにするスタンドと、真空チャンバ内において前記スタンドと前記排出口との間に位置し、複数のホールが形成されているパンチングプレートとを備える乾燥機と、これを利用した乾燥方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム照射部の窓を保護するとともに良好な表面処理結果を得ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置１は、処理溶液８１により処理対象物９０の表面を処理するものであって、電子ビーム照射部１０，溶液供給部２０，ガス吹出部３０，ガス吸引部４０，ガス量調整部５０および回転部６０を備える。電子ビーム照射部１０は、窓１４を通過した電子ビームを処理対象物９０表面上の処理溶液８１に照射して、その処理溶液８１を活性化させる。ガス吹出部３０は、電子ビーム照射部１０の窓１４に対し略平行に不活性ガス８２を吹き出す。ガス吸引部４０は、ガス吹出部３０から吹き出された不活性ガス８２を吸引する。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＡ等の使用量を可能な限り減少させ、しかも液滴やミストの発生を最小限に抑えることによって、乾燥後の基板表面にウォーターマークが発生することを抑制できるようにする。
【解決手段】少なくとも一部に疎水性を有する基板Ｗの表面を乾燥させる基板処理方法であって、基板Ｗの表面と近接した位置に近接板１６を該基板Ｗの表面に対向させて平行に配置して、基板Ｗの表面と近接板１６との間に該基板Ｗの表面及び該近接板１６にそれぞれ接する連続した被覆液膜２８を形成し、基板Ｗと近接板１６とを互いに平行に一方向に相対移動させて被覆液膜２８の基板Ｗの表面に対する位置を変更させることで、基板Ｗの表面の近接板１６で覆われなくなった領域に位置していた被覆液膜２８を基板Ｗの表面から除去する。 （もっと読む）