【課題】基板に形成されたレジストを除去する際のレジストの残渣の発生を抑える一方で、基板を洗浄する際の洗浄能力の低下を図る。
【解決手段】被噴射体噴射装置は、回転軸４１を有し、回転軸４１の回転によって基板を回転させるスピンナー４０と、基板に相対する位置であってスピンナー４０の回転軸４１からずれて配置され、被噴射体を噴射するノズル２４及びノズル２５と、を備え、スピンナー４０の回転軸４１の方向に見て、ノズル２４の噴射口２４Ａがスピンナー４０の回転軸４１が回転する向きと向き合っており、ノズル２５の噴射口２５Ａが第一ノズル２４の噴射口２４Ａの向きとは逆向きである。 （もっと読む）

【課題】円形の基板の周縁部の上面及び下面に各々吐出された洗浄液が飛散して基板に再付着することを防ぐことができる技術を提供すること。
【解決手段】円形の基板を鉛直軸回りに回転させる基板保持部と、基板の中心側から外側に向かう方向に第１の液流を形成するように基板の上面の周縁部に向けて洗浄液を吐出するための第１の洗浄液吐出口と、基板の中心側から外側に向かう方向に第２の液流を形成するように基板の下面の周縁部に向けて洗浄液を吐出するための第２の洗浄液吐出口と、を備え、前記基板の上面の周縁部における前記第１の液流の到達点と、前記基板の下面の周縁部における前記第２の液流の到達点と、が基板の回転方向に離れるように液処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】基板表面の洗浄均一性を向上できる流体供給部材、液処理装置、および液処理方法を提供する。
【解決手段】開示される流体供給部材は、第１の点から第２の点まで第１の方向に延在する本体部と、前記本体部に設けられ、前記第１の方向に交差する第２の方向に開口し、前記第１の方向に配列される複数の流体吐出部とを備える。前記複数の流体吐出部のうち、前記第１の点側の前記流体吐出部の開口角度は、前記第２の点側の前記流体吐出部の開口角度よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】エッチングエンドのタイミングを確実に判別し、エッチングに必要な薬液の使用量を低減する。
【解決手段】エッチング室の入口から導入された処理基板を傾斜した状態で搬送する送りローラと、エッチング室内において送りローラによって搬送される処理基板に向けてエッチングに必要な薬液を吐出する吐出ノズルと、エッチング室内の入口側に設けられ傾斜した状態で搬送される処理基板の傾斜上方に位置する一端部に対向する第１センサ、エッチング室内の入口側に設けられ傾斜した状態で搬送される処理基板の傾斜下方に位置する他端部に対向する第２センサ、エッチング室内の出口側に設けられ処理基板の一端部と他端部との間の中央部に対向する第３センサを含むセンサ群と、センサ群に含まれる第１乃至第３センサの各々からの出力信号に基づいてエッチングエンドを判別する演算装置と、を備えたエッチング装置。 （もっと読む）

【課題】基板の処理対象面を下向きにして基板を処理する際に、基板下面に付着した純水をＩＰＡに効率よく置換すること。
【解決手段】基板処理方法は、処理対象面が下面となるように基板Ｗを保持して回転させる工程と、基板の下面にＤＩＷ（純水）を供給して基板にリンス処理を施す工程と、その後、基板の下面にＩＰＡ（イソプロピルアルコール）とＮ_２ガスとを含むミストを供給してＤＩＷをＩＰＡで置換する工程と、を備える。ミストの供給は、基板の中心部に対向する位置と基板の周縁部に対向する位置の間に配列された複数の吐出口６２を有する、基板の下方に設けられたノズル６０により行われる。 （もっと読む）

【課題】処理室内に複数のノズル支持アームを進出させることができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、処理室２０と、基板保持部２１に保持された基板Ｗに対して流体を供給するためのノズル８２ａと、ノズル８２ａを支持するノズル支持アーム８２と、処理室２０に隣接して設けられ、当該処理室２０から退避したノズル支持アーム８２が待機するためのアーム待機部８０と、を備えている。液処理装置１０において、ノズル支持アーム８２ｐ〜８２ｕは複数設けられており、ノズル支持アーム８２ｐ、８２ｒ、８２ｔはノズル支持アーム８２ｑ、８２ｓ、８２ｕと高さレベルが異なるようになっている。 （もっと読む）

【課題】凍結洗浄技術を用いて基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去する基板処理技術を、簡易な設備で、しかも低ランニングコストで提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面に常温よりも高い凝固点を有する凝固対象液を供給して液膜を形成し、その液膜を凝固させて基板表面に凝固対象液の凝固体を形成した後、その凝固体を融解除去している。したがって、従来技術において凝固のために必須となっていた極低温ガスを使用する必要がなくなる。このため、ランニングコストを抑制することができる。また、供給ラインの断熱が不要となるため、装置や周辺設備の大規模化を防止することができ、プットプリントの低減を図ることができるとともに、装置や周辺設備のコストも抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】洗浄品質の高い枚葉式ウェーハ洗浄装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１１内においてウェーハ１を支持する回転テーブル１２と、ウェーハ１の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル１３と、回転テーブル１２の外周部に設けられたスピンカップ１４と、回転テーブル１２の外周部に設けられた排気口１５と、スピンカップ１４を昇降制御するスピンカップ昇降機構１６と、チャンバー１１の側面側に設けられた排気口１７と、排気口１７を開閉するシャッター１８とを備え、シャッター１８は、スピンカップ１４に連動して昇降し、スピンカップ１４が上昇して排気口１５を開放しているときには排気口１７を閉止し、スピンカップ１４が降下して排気口１５を閉止しているときには排気口１７を開放する。これにより、チャンバー１１の内圧をほぼ一定に保持することができる。 （もっと読む）

【課題】処理室内に基板を搬入したり処理室から基板を搬出したりする場合においてカップ外周筒が下方位置にあるときに、洗浄部における貯留部分に貯留された洗浄液が蒸発してこの洗浄液の雰囲気が処理室内に入り込むことを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】洗浄液を貯留するための貯留部分５２ａを有し、カップ外周筒５０が下方位置にあるときにこのカップ外周筒５０が貯留部分５２ａに貯留された洗浄液に浸されるような洗浄部５２が液処理装置１０に設けられている。カップ外周筒５０の上端には、このカップ外周筒５０が下方位置にあるときに貯留部分５２ａに貯留された洗浄液を覆う蓋５０ｃが設けられている。 （もっと読む）

【課題】処理室内の雰囲気の置換性を向上させることができ、基板の液処理を行う際に飛散した薬液等の雰囲気が処理室内に残存しないようにすることができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置１０において、処理室２０に隣接してアーム待機部８０が設けられており、このアーム待機部８０において処理室２０から退避したアーム８２が待機するようになっている。また、処理室２０内においてカップ４０の周囲に昇降可能な円筒状のカップ外周筒５０が配設されており、このカップ外周筒５０が上方位置にあるときにカップ外周筒５０内の領域が外部から隔離されるようになっている。カップ外周筒５０には、アーム８２が通過可能な開口５０ｍが設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板の乾燥後にリフトピンに処理液が残ることを防止することができ、かつ、基板の下面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板（Ｗ）の周縁を保持する保持プレート（３０）と、基板を下方から支持するリフトピン（２２）を有するリフトピンプレート（２０）と、保持プレートを回転させる回転駆動部（３９）と、保持プレートおよびリフトピンプレートの貫通穴を通る処理流体供給管（４０）と、基板の下面に処理流体を吐出するノズル（６０）と、処理流体供給管、ノズルおよびリフトピンプレートを連動させて昇降させる昇降機構（４４，４６，５０，５２）を備える。ノズルは、基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間に配列されている複数の吐出口（６１）を有する。 （もっと読む）

【課題】基板から飛散した処理液の回収率を向上させることができる基板液処理装置の提供。
【解決手段】基板液処理装置は、基板保持台１２に保持されて回転する基板Ｗから飛散した処理液を下方へ案内する第１案内カップ３１および第２案内カップ４１と、基板保持台１２と、第１案内カップ３１および第２案内カップ４１との間の位置関係を調整する位置調整機構と、第１案内カップ３１および第２案内カップ４１により案内された処理液を回収する第１処理液回収用タンク６１および第２処理液回収用タンク６２と、を備えている。第１処理液回収用タンク６１と第２処理液回収用タンク６２との間には、排気部材７１が設けられている。第２案内カップ４１の下端部４１ｂに、第１案内カップ３１からの処理液を第１処理液回収用タンク６１に案内すると共に、第２案内カップ４１からの処理液を第２処理液回収用タンク６２に案内する案内部材８１が設けている。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨のプロセス後、シリコンからなる半導体ウェハから研磨された表面および裏面の研磨プロセスの残渣を取除く。
【解決手段】シリコンからなる半導体ウェハを半導体ウェハの化学機械研磨のプロセス直後に洗浄するための方法であって、ａ）半導体ウェハを研磨板から第１の洗浄モジュールに搬送し、搬送中、半導体ウェハの両側面に、少なくとも１回、１０００Ｐａ以下の圧力で水を吹付ける工程と、ｂ）回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、ｃ）半導体ウェハの側面に、７００００Ｐａ以下の圧力でフッ化水素および界面活性剤を含有する水溶液を吹付ける工程と、ｄ）半導体ウェハの側面に、２００００Ｐａ以下の圧力で水を吹付ける工程と、ｅ）半導体ウェハをアルカリ性洗浄水溶液に浸漬する工程と、ｆ）回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、ｇ）半導体ウェハに水を吹付ける工程と、ｈ）半導体ウェハを乾燥する工程とを、示す順に含む方法。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチング装置のリンス用純水の使用量を削減し、処理能力を高める。
【解決手段】半導体基板２を化学薬液処理にてエッチングし水洗するウェットエッチング装置１において、前記半導体基板に化学薬液処理を行う薬液槽４と、前記半導体基板に付着した前記薬液を希釈・除去する粗水洗槽５と、該粗水洗槽処理後に、前記半導体基板に残留・付着した前記薬液を純水に置換させるＱＤＲ（クイックダンプリンス）槽６と、を備えたウェットエッチング装置とする。 （もっと読む）

【課題】広範囲にわたる基板の処理を行うことができるとともに、設置面積を削減することができる基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板を収容する基板処理室内で気体と液体とを混合した２流体を基板に向けて吐出して基板の処理を行う基板処理装置において、前記基板処理室内に、ノズルの内部で２流体を混合して外部に吐出する内部混合手段と、ノズルの外部に２流体をそれぞれ吐出して外部で混合する外部混合手段とを設け、前記基板の表面側に前記外部混合手段を配置するとともに、前記基板の裏面側に前記内部混合手段を配置することにした。 （もっと読む）

【課題】 基板面内や基板間の処理のバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理基板１が収容される槽ＴＫと、処理槽ＴＫ内に液体、気体、又は液体と気体との両方を送り出す送出機構ＴＢ、Ａと、処理基板１に対して、液体、気体、又は気体と液体との両方が槽ＴＫ内へ送り出される位置と対向する位置から槽ＴＫ内の液体、気体、又は気体と液体との両方を排出する排出手段１０、２０、３０、４０と、を備えた基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】高圧流体を使用した被処理基板の処理を行う際に、この処理が行われる処理容器に設けられた配管を介した他の機器への高圧流体の流れ込みを防止することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】処理容器３１では、超臨界状態または亜臨界状態である高圧流体により、被処理基板Ｗに対して処理を行い、この処理容器３１には流体の流れ方向に第１の配管部材７１及び第２の配管部材７２に分割され、流体が通流する配管４０６、４０８、４１１が接続されている。接離機構７０は、第１の配管部材７１と第２の配管部材７２とを互いに接続する位置と、離間させる位置との間で、これら第１、第２の配管部材７１、７２の少なくとも一方側を移動させ、開閉弁７４１、７４２は第１、第２の配管部材７１、７２に各々設けられ、これら配管部材７１、７２を離間させるときに閉じられる。 （もっと読む）

【課題】エッチング後のウェーハにおいて、残留エッチング液による再反応を、コストを増大することなくかつ簡便に抑制できるウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウェーハＷを浸漬可能なリンス槽３１に満たされた洗浄液Ｌの液面Ｌ１より上方に上方ノズル３４を設け、ウェーハＷを立てた状態で洗浄液Ｌに浸漬し、上方ノズル３４からリンス槽３１の底部に向かって噴射液Ｆを噴射して、空気を巻き込みながら噴射液Ｆをリンス槽３１内に導入することでウェーハＷを洗浄する。 （もっと読む）

【課題】洗浄における異物の除去効率の向上した洗浄装置を得ること。
【解決手段】上部に達した異物を含んだ洗浄液Ｗの一部は、洗浄槽１０の内壁１４に沿って下方に向かう。下方に向かった洗浄液Ｗは、第１の出口１６から排出される。ここで、導入口１２と内壁１４との間に導入口１２を取り囲むように設けられた中間壁１５が存在するため、内壁１４に沿って下方に向かった洗浄液Ｗは、中間壁１５に邪魔されて導入口１２に向かいにくくなる。したがって、洗浄によって剥離された異物が、導入口１２から噴出した洗浄液Ｗの流れによって再びウェーハー基板Ｓに向かいにくくなり、効率よく第１の出口１６から排出され、洗浄槽１０に滞留する異物の濃度を低くでき、異物がウェーハー基板Ｓに再付着する可能性の低い、洗浄における異物の除去効率の向上した洗浄装置１００を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】処理液体を用いて基板表面に形成された膜を除去する除去装置で、ウエハ処理が中断され、ウエハ処理能力が低下し、かつ基板処理システムの動作コストが増大するのを解決する。
【解決手段】処理室４６、基板保持手段、処理液を供給するノズル６０、第１速度又は該第１速度以上の速度である第２速度で回転させる回転機構、処理液体格納容器７６を有し、処理液体を回収及び循環し、再度前記ノズル６０から供給する処理液体循環回収機構７３、処理液体を廃棄する処理液体廃棄機構、処理液体が前記基板保持手段が前記第１速度で回転するときには前記処理液体循環回収機構に、前記第２速度で回転して前記ノズル６０から前記処理液体が供給されるときには前記処理液体廃棄機構に導かれるように接続を変更する制御装置を有する。前記処理液体格納容器７６は、底部に廃液ライン１０７、壁面に前記処理液体格納容器内を洗浄するスプレーノズル１０９を有する。 （もっと読む）