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Fターム[5F157CF66]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 構成要素細部 (6,182) | 洗浄槽の形状、構成 (295)

Fターム[5F157CF66]に分類される特許

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【課題】電子ビーム照射部の窓を保護するとともに良好な表面処理結果を得ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置1は、処理溶液81により処理対象物90の表面を処理するものであって、電子ビーム照射部10,溶液供給部20,ガス吹出部30,ガス吸引部40,ガス量調整部50および回転部60を備える。電子ビーム照射部10は、窓14を通過した電子ビームを処理対象物90表面上の処理溶液81に照射して、その処理溶液81を活性化させる。ガス吹出部30は、電子ビーム照射部10の窓14に対し略平行に不活性ガス82を吹き出す。ガス吸引部40は、ガス吹出部30から吹き出された不活性ガス82を吸引する。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハに対してレジスト膜を形成し、露光後のウエハに対して現像を行う、塗布、現像装置において、例えばレジスト膜形成前のウエハに対して疎水化流体により疎水化処理を行うことによりウエハの裏面の周縁部が疎水化状態になる。このウエハの裏面を洗浄液とブラシとを用いて洗浄するとブラシが削れてウエハの裏面が汚染され、露光に不具合が生じる。そこでウエハの裏面を良好に行える手法を提供する。
【解決手段】露光前のウエハWを水平保持し、鉛直軸周りに回転させるスピンチャック10と、回転するウエハWの裏面51を、自転しながら洗浄する洗浄ブラシ30と、洗浄時にウエハWの裏面51に洗浄液Sを供給する洗浄液ノズル15と、を用い、少なくともウエハWの周縁部52を洗浄するときに、ウエハWの回転数80rpm以下となるように制御する。 (もっと読む)


【課題】基板の処理を良好に行うことができる基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを格納した記憶媒体を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板(2)を処理液(23)で処理する処理槽(24)と、処理槽(24)に第1の薬液(21)を供給する第1薬液供給機構(25)と、第1の薬液(21)と反応して処理液(23)を生成する第2の薬液(22)を処理槽(24)に供給する第2薬液供給機構(26)と、処理槽(24)に接続した循環流路(45)を用いて処理液(23)を循環させる処理液循環機構(27)と、第1及び第2の薬液の処理槽への供給を制御する制御部とを備え、所定の循環流量で処理液を循環させて基板(2)を処理する基板処理装置(1)を用い、第2の薬液(22)の供給を開始するとともに第2の薬液(22)の供給開始に基づいて循環流量を変化させることにした。 (もっと読む)


【課題】この発明は半導体ウエハの上面と下面とを同時に、しかも確実に洗浄することができる基板の処理装置を提供することにある。
【解決手段】一側面に出し入れ口2が形成された処理槽1と、この処理槽内の上記出し入れ口と対向する位置に設けられ処理槽内に搬入された半導体ウエハ10の搬入方向と交差する径方向の両端部を保持してこの半導体ウエハを回転駆動する保持駆動手段8と、保持駆動手段に保持された半導体ウエハに処理液を供給する洗浄ノズル124,125と、処理槽内の上記保持駆動手段よりも内方に設けられ先端部に上記半導体ウエハの板面を洗浄する洗浄ブラシ71,122を有するアーム63,121およびこのアームを上下方向に駆動するとともに洗浄ブラシが半導体ウエハの径方向に沿って移動するよう上記アームを揺動駆動する駆動手段を有するツールユニット61,62とを具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】半導体ウエハ上に供給された液体媒質を物理的に閉じ込めるための装置、方法、および、システムは、半導体ウエハの上側表面および下側表面の少なくとも一部を覆うように配置された第1および第2の化学剤ヘッドを備える。第1および第2の化学剤ヘッドの各々は、液体化学剤をメニスカスポケット内に単相で供給するために、それぞれの化学剤ヘッドの前縁部に傾斜流入導管を備える。メニスカスポケットは、化学剤ヘッドによって覆われた半導体ウエハの上側表面および下側表面の部分の上に規定され、半導体ウエハの表面に供給された液体化学剤を受け入れてメニスカスとして閉じ込めるよう構成される。段構造が、メニスカスポケットの外周に沿って第1および第2の化学剤ヘッドの前縁部に形成されており、液体化学剤のメニスカスをメニスカスポケット内に実質的に閉じ込める。段構造は、メニスカスポケットの少なくとも一部を覆い、段構造の高さは、メニスカスの閉じ込め特性を維持するのに十分な高さである。内側回収導管が、メニスカスポケットの内側で、それぞれの化学剤ヘッドの後縁部に規定されており、洗浄処理後に液体化学剤を半導体ウエハの表面から単相で除去するために用いられる。 (もっと読む)


【課題】タクトタイムの増大による生産性の低下を生じることなく、被洗浄物の表面にシミのない清浄な乾燥状態を得る。
【解決手段】搬送治具13aに載置された被洗浄物13をIPA蒸気雰囲気4に浸漬して蒸気乾燥を行うIPA蒸気乾燥槽2の後段に余熱乾燥槽6を設け、IPA蒸気乾燥槽2で蒸気乾燥を終え、IPA蒸気雰囲気4の潜熱によって所定の温度まで加熱された状態にある被洗浄物13および搬送治具13aを、余熱乾燥槽6に搬入し、当該被洗浄物13および搬送治具13a自体が持つ余熱によって乾燥を加速させ、IPA蒸気乾燥槽2におけるIPA蒸気雰囲気4への反復浸漬等の煩雑な操作を必要とすることなく、被洗浄物13や搬送治具13aの表面における液滴の残留に起因する被洗浄物13のシミ等の欠陥の発生を確実に防止する。 (もっと読む)


【課題】TFTを用いた半導体装置において、TFT中の汚染不純物を低減し、信頼性のあるTFTを得ることを課題とする。
【解決手段】ガラス基板上のTFTの被膜に存在する汚染不純物を、フッ素を含有する酸性溶液を被膜表面に接触させ、酸性溶液を一定方向に流すことにより、被膜表面の汚染不純物を除去することにより、信頼性のあるTFTを得ることができる。なお、酸性溶液は、フッ酸とフッ化アンモニウムの混合比が体積比で1:50のバッファードフッ酸を用いる。 (もっと読む)


【解決手段】基板の表面に対して1回目の洗浄材料の適用がなされる。洗浄材料は、基板の表面上に存在する汚染物質を取り込むための1つ又は2つ以上の粘弾性材料を含む。基板の表面から洗浄材料をすすぐために、基板の表面に対して1回目のすすぎ流体の適用がなされる。すすぎ流体の1回目の適用は、基板の表面上にすすぎ流体の残留薄膜を残らせるようにも実施される。すすぎ流体の残留薄膜を上に有する基板の表面に対して2回目の洗浄材料の適用がなされる。次いで、基板の表面から洗浄材料をすすぐために、基板の表面に対して2回目のすすぎ流体の適用がなされる。 (もっと読む)


【解決手段】上側処理ヘッドは、基板の上面に洗浄材料に施すように及び次いで基板を上側すすぎメニスカスに曝すように構成された上側モジュールを含む。上側モジュールは、上側すすぎメニスカス内を洗浄材料に向かって且つ基板の移動方向に反対に実質的に一方向にすすぎ材料を流れさせるように構成されている。下側処理ヘッドは、上側すすぎメニスカスによって基板に加えられる力と釣り合うように基板に下側すすぎメニスカスを施すように構成されている下側モジュールを含む。下側モジュールは、上側処理ヘッドと下側処理ヘッドとの間に基板キャリアが存在しないときに上側処理ヘッドから吐出される洗浄材料を収集及び排出するための排出溝を提供するように構成されている。上側処理ヘッド及び下側処理ヘッドは、複数の上側モジュール及び下側モジュールをそれぞれ含むことができる。 (もっと読む)


【課題】電極を処理対象物の上方に位置させてプラズマ処理を施す構成をとりつつメンテナンス性の向上を図ることができるようにしたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ベース部4の上面に処理対象物Bを保持する保持部14を備え、ベース部4の上方には、ベース部4の上面に上方から当接してベース部4の上面との間に保持部14を覆う密閉空間SPを形成する蓋部材5を移動自在に設ける。電極31は、蓋部材5のベース部4と対向する面に電気絶縁部材30を介して取り付けられ、密閉空間SP内で保持部14の上方に位置する。ベース部4には、蓋部材5がベース部4の上面に当接したときに密閉空間SP内に露出した上端が電極31と接触する導電部40を設け、高周波電源部52からベース部4の下方に設けた整合器51及び導電部40を通じて電極31に高周波電圧を印加する。 (もっと読む)


【課題】処理液の沸点以上に基板を加熱することにより、処理液の表面張力に起因する微細パターンの倒壊を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部61は、HFE中の基板Wを処理位置から上方位置へ下部保持機構29及び上部保持機構43により移動させる際に、HFEの液面よりも下方にある基板Wの一部位を加熱ユニット55により加熱する。基板Wは、HFEの沸点以上の温度に加熱された状態であるので、基板W及び微細パターンに接触しているHFEは沸騰して気化する。したがって、HFEから気中に基板Wが露出した状態では、基板Wに付着していたHFEの大半が既に蒸発しているので、HFEの表面張力によって微細パターンに負荷がかかることがない。その結果、HFEの表面張力に起因する微細パターンの倒壊を防止できる。 (もっと読む)


【課題】エッチング処理中におけるエッチングレートの低下を抑制することにより、エッチング処理に要する時間を短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ふっ硝酸処理開始後、処理時間の経過に従って、ベース昇降用モータ20が制御されて、吸着ベース10が上昇される。この吸着ベース10の上昇は、ウエハWの上面とリング上面28との間の間隔が一定範囲内に保たれるように行われる。ふっ硝酸処理の結果ウエハWは薄くなるが、吸着ベース10が上昇されるために、ウエハWの上面に形成されるふっ硝酸の液膜の厚みをほぼ一定に保つことができる。 (もっと読む)


【課題】有機溶剤を含んだ二酸化炭素を超臨界状態の洗浄剤として、この洗浄剤を洗浄チャンバー内に配された被洗浄物に接触させることにより、前記被洗浄物の洗浄を行う洗浄方法及び洗浄装置において、洗浄時間の短縮化を図ること。
【解決手段】界面活性剤と有機溶剤と超臨界状態の二酸化炭素を混合し、混合流体を被洗浄物に接触させて洗浄する洗浄方法において、前記混合を管内混合手段で行い、該管内混合手段の直後に被洗浄物を配置するとともに、前記混合流体においての重量割合は、二酸化炭素に占める有機溶剤の重量割合を20%以下とし、かつ界面活性剤の重量比率を有機溶剤と略同重量としたことを特徴とする洗浄方法及び洗浄装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】処理槽を洗浄している間に異常が発生した場合に、安全を確実に確保できる技術を提供する。
【解決手段】処理槽10を洗浄している間に異常検知部96が異常を検知した場合に、リカバー制御部97が、比抵抗計14から取得した計測値に基づいて処理槽10が純水状態であるか否かを判定し、処理槽10が純水状態でない場合には、比抵抗回復処理を行って、処理槽10を薬液状態から純水状態に移行させる。一方、処理槽10が純水状態である場合には、基板処理装置1をスローリーク状態とする。 (もっと読む)


【課題】被洗浄物の平面度を維持しながら洗浄を行い、被洗浄物の反り、破損及び被洗浄物の下面側に洗浄液が液侵するのを抑制しつつ、被洗浄物の支持体との接触部分の洗浄残の発生を抑制できる枚葉式洗浄装置。
【解決手段】円筒状の凹部及び該凹部の内壁面に沿って気体を吐出する吐出口を有する旋回流形成部を上面部に複数有し、被洗浄物の直下に配設される吸着浮上テーブルと、吸着浮上テーブルの周辺に配設され、吸着浮上テーブルの直上の被洗浄物の側面を支持する支持体を有し、支持体で支持した被洗浄物を中心軸で回転させるスピンテーブルとを具備し、被洗浄物を非接触な状態で吸着浮上させつつ、支持体で被洗浄物の側面を支持し、スピンテーブルによって前記被洗浄物を中心軸で回転させて上面を洗浄するものであることを特徴とする枚葉式洗浄装置。 (もっと読む)


【課題】この発明は基板を搬送するための搬送ユニットを処理槽内に容易かつ精度よく設置することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理槽1は、矩形状の下部フレーム2の四隅部に下端部が連結されて立設された支柱部材4と、支柱部材の上端部に四隅部が連結されて設けられた上部フレーム3と、支柱部材の高さ寸法に対応する間隔で上下方向に離間した下部フレームと上部フレームとがなす4つの側面に設けられ所定方向に位置する一対の側面の一方に上記基板の搬入口が形成され他方に上記基板の搬出口が形成された側壁部材11と、下部フレームに所定間隔で架設されそれぞれの上面に第1の基準面18が形成された複数の連結部材9と、第1の基準面を基準にして取付けられ搬入口から内部に搬入された基板を搬出口に向かって搬送する搬送ユニット29と、下部フレームの開口部分を閉塞する底部材21a,21bと、上部フレームの開口部分を閉塞する天井部材25によって構成されている。 (もっと読む)


【課題】基板から離脱した汚染物質による処理槽の汚染を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理槽10の下方に下部タンク40を設けている。リフター50によって基板Wを投入する前に、排液バルブ15を開放して処理槽10の底部から下部タンク40に一旦全ての処理液を排出する。下部タンク40から処理槽10に処理液が再供給される過程において、全ての処理液が循環ライン20に設けられたフィルタ23を通過することとなるため、処理液に含まれている全ての汚染物質がフィルタ23によって取り除かれる。このため、基板Wから処理液中に離脱した汚染物質が処理槽10に付着して汚染するのを防止することができる。また、そのような汚染物質が基板Wに付着するのを防止することもできる。 (もっと読む)


誘導プラズマアプリケータは、強磁性誘導結合供給源(3,4)と、プラズマ供給源の中心に位置するホールパターンを有する電極(6)とを備える。そのようなプラズマアプリケータは、プラズマに十分なエネルギを供給する。上記プラズマアプリケータは、電気回路の製造技術を用いて製造されることが望ましい。強磁性誘導結合プラズマ供給源の電極(6)およびコイル(3)は、絶縁基板に形成された金属トラック部である。例えば、上記プラズマアプリケータは、プリント回路基板技術を用いて製造される。
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【課題】処理対象物の表面の損傷を抑制して表面処理の高効率化を図ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射部10の窓14から出力された電子ビームは、薄膜27を通過して配管24内の処理溶液80に照射され、その処理溶液80を活性化する。その活性化された処理溶液80は、溶液タンク23に注がれ、その溶液タンク23の中に入れられた処理対象物90の表面処理に使われる。処理溶液80が酸またはアルカリを含む場合、その処理溶液80に電子ビームが照射された後でも、その処理溶液80の活性化状態は充分に長い時間に亘って持続する。したがって、電子ビームが照射されて活性化された処理溶液80が処理対象物90の表面に供給される場合にも、その処理対象物90の表面処理の効率化を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】基板の処理品質を向上させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置1は、基板Wを保持するスピンチャック3と、スピンチャック3の周囲を取り囲む有底筒状の処理カップ6と、スピンチャック3および処理カップ6を収容する処理室2と、処理室2内に清浄空気を供給して、処理室2内に清浄空気の下降気流を形成するFFU(ファン・フィルタ・ユニット)11と、処理カップ6内の雰囲気を排気するための吸引機構33と、処理カップ6の周囲において処理室2内を上下に仕切る仕切板7とを備えている。 (もっと読む)


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