【課題】基板に対する処理性能を低下させることなく処理ユニットの占有スペースを減少し、より多くの処理ユニットが搭載できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに対し、シート部材２３１を基板表面Ｗｆに沿うように近接して張設し、基板表面Ｗｆの上方の空間を外気から遮断する。基板表面Ｗｆとシート部材２３１の間の空間には窒素ガスが供給され、基板表面Ｗｆと外気との接触を遮断する。基板表面Ｗｆが外気と接触しない状態になった時点で、基板表面Ｗｆに対して処理液を供給して処理を行う。これにより、外気に接触することによって生ずるウォーターマークや金属配線の腐食等を防止することができる。また、処理液等が付着したシート部材２３１は、処理に応じて基板表面Ｗｆに沿った方向に移動され、清浄な面を基板対向面とすることができるため、シート部材２３１から液体等が落下して基板表面Ｗｆを汚染することがない。 （もっと読む）

【課題】研磨処理により薄型化された基板を、反りや割れを生じることなく裏表反転させる。
【解決手段】基板反転装置４２は、被処理ウェハＷを保持する第１の保持部２７０と、第１の保持部２７０に対向して設けられた、被処理ウェハＷを保持する第２の保持部２７１と、第１の保持部２７０と第２の保持部２７１を相対的に移動させて第１の保持部２７０と第２の保持部２７１を接近、離隔させる移動機構２７２と、被処理ウェハＷを保持して搬送する搬送機構を有している。第１の保持部２７０、第２の保持部２７１及び搬送機構における被処理ウェハＷの保持は、ベルヌーイチャックにより行われる。 （もっと読む）

【課題】処理室内の雰囲気の置換性を向上させることができ、基板の液処理を行う際に飛散した薬液等の雰囲気が処理室内に残存しないようにすることができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置１０において、カップ外周筒５０が上方位置にあるときにこのカップ外周筒５０内の雰囲気が当該カップ外周筒５０の外側に送られるようになっている。また、処理室２０内の雰囲気の排気を行うための排気部５６が処理室２０内においてカップ外周筒５０の外側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】高圧流体を使用した被処理基板の処理を行う際に、この処理が行われる処理容器に設けられた配管を介した他の機器への高圧流体の流れ込みを防止することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】処理容器３１では、超臨界状態または亜臨界状態である高圧流体により、被処理基板Ｗに対して処理を行い、この処理容器３１には流体の流れ方向に第１の配管部材７１及び第２の配管部材７２に分割され、流体が通流する配管４０６、４０８、４１１が接続されている。接離機構７０は、第１の配管部材７１と第２の配管部材７２とを互いに接続する位置と、離間させる位置との間で、これら第１、第２の配管部材７１、７２の少なくとも一方側を移動させ、開閉弁７４１、７４２は第１、第２の配管部材７１、７２に各々設けられ、これら配管部材７１、７２を離間させるときに閉じられる。 （もっと読む）

【課題】エッチング後のウェーハにおいて、残留エッチング液による再反応を、コストを増大することなくかつ簡便に抑制できるウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウェーハＷを浸漬可能なリンス槽３１に満たされた洗浄液Ｌの液面Ｌ１より上方に上方ノズル３４を設け、ウェーハＷを立てた状態で洗浄液Ｌに浸漬し、上方ノズル３４からリンス槽３１の底部に向かって噴射液Ｆを噴射して、空気を巻き込みながら噴射液Ｆをリンス槽３１内に導入することでウェーハＷを洗浄する。 （もっと読む）

【課題】保守作業の容易化および省スペース化が実現されつつ安定に飛散防止部材を昇降させることが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板処理装置１００は、基板Ｗを水平に保持するとともに鉛直方向の回転中心線Ｐ周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック２１を備える。スピンチャック２１を取り囲むように、カップ１０が設けられている。カップ１０は、内構成部材１１、中構成部材１２および外構成部材１３からなる。内構成部材１１の下方には、一対の第１昇降機構８１が設けられている。一対の第１昇降機構８１のサーボモータ１１９は、制御部により互いに同期して駆動される。 （もっと読む）

【課題】フットプリントを小さくすることができ、排気と排液との分離機構を特別に設ける必要のない液処理装置を提供すること。
【解決手段】排気・排液部６は、主にウエハＷから振り切られた処理液を取り入れて排液する環状をなす排液カップ４１と、排液カップ４１の外側を囲繞するように設けられ、回転カップ３およびその周囲からの主に気体成分を取り入れて排気する排気カップ４２とを有し、回転カップ３は環状の庇部材３２を含み、排液カップ４１は、庇部材３２の下側で回転カップ３に形成された排出孔３３，３４を通してウエハＷから振り切られた処理液を取り入れて排液口４３から排液し、排気カップ４２は、庇部材３２の上側で排気カップ４２に形成された導入口４２ｂを通して回転カップ３の周囲からの気体成分を取り入れて排気口４５から排気し、排液カップ４１からの排液と排気カップ４２からの排気が独立して行われる。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】処理容器３１内では、被処理基板Ｗが縦向きの状態で液体内に浸漬されており、この液体を超臨界状態の置換流体により押し出して処理容器３１より排出する。しかる後、液体と置換された後の置換流体を処理容器３１から排出して当該処理容器３１内を減圧し、この置換流体を超臨界状態から気体に遷移させることにより被処理基板Ｗを乾燥する。 （もっと読む）

【課題】内部空間の容積を低減できる構造の密閉チャンバ内で、基板に良好な処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】密閉チャンバ２は、上部開口５を有するチャンバ本体６と、チャンバ本体６に対して回転可能に設けられて、上部開口５を閉塞する蓋部材７と、蓋部材７とチャンバ本体７との間を液体でシールする第１液体シール構造８とを備えている。蓋部材７は、回転可能に設けられており、蓋部材回転機構３２によって回転駆動される。密閉チャンバ２内には、スピンチャック３により保持されたウエハＷが収容される。このウエハＷに対して処理液ノズル４から処理液が供給される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、生産性の低下を抑制するとともに表面処理効果の向上を図ることができる表面処理装置および表面処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物を所定の方向に向けて搬送する搬送部と、前記被処理物に対して、プラズマ処理、紫外線照射処理、およびコロナ放電処理からなる群より選ばれた少なくとも１種の処理を施す処理部と、前記処理部を移動させる移動部と、前記移動部の制御を行う制御部と、を備え、前記制御部は、前記移動部の制御を行うことで、前記所定の方向に向けて搬送される被処理物に対して前記処理を施す際に前記処理部を前記搬送部の搬送面に沿って搬送方向に移動させるとともに、前記被処理物と前記処理部との間の相対速度を制御することを特徴とする表面処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】従来懸念された洗浄残り（超音波未照射領域）の発生を低減してウェーハ全体の洗浄度を向上させる。
【解決手段】複数の超音波洗浄槽を用いてウェーハの超音波洗浄を行うに際し、各超音波洗浄槽の底に設置したウェーハ受け台におけるウェーハの受け溝の位置を、各超音波洗浄槽間で相互に異ならせ、もってウェーハに対する超音波の未照射領域をなくす。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された半導体デバイス等へのダメージを抑制し、基板の表面から、異物を除去することができる、基板の洗浄方法及び基板の洗浄装置を提供する。
【解決手段】被処理基板上に、第１の洗浄液による第１の洗浄液層と、第１の洗浄液層上に形成され第１の洗浄液よりも比重の小さい第２の洗浄液による第２の洗浄液層とを形成し、第２の洗浄液層に超音波を印加して被処理基板を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】排気口からの排気に大きな排気能力を必要とせずに、処理チャンバ内の雰囲気を良好に置換させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ４内には、基板を水平に保持して回転させるスピンチャック１７と、スピンチャック１７の上方に配置された円板状の遮断板１４とが収容されている。遮断板１４の下面には、スピンチャック１７に保持される基板の表面と対向する基板対向面が形成されている。処理チャンバ４の上部に設けられた給気ユニットには、処理チャンバ４内に清浄空気を供給するための給気口６５が形成されている。給気口６５は、下向きの給気口であり、平面視において遮断板１４の周囲を取り囲む円環状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】乾燥ガスが光透過部材から被処理基板上に滴下することを防止することにより、製品歩留まりの低下を防止することが可能な乾燥室、洗浄・乾燥処理装置、被処理基板を乾燥する乾燥処理方法、および記録媒体を提供する。
【解決手段】乾燥室１０は、被処理基板Ｗを収容する乾燥室本体１１と、乾燥室本体１１の内壁１１ａに設けられた光透過部材１２と、乾燥室本体１１の内壁１１ａと光透過部材１２との間に設けられた加熱用光源１３とを備えている。光透過部材１２の下方には、光透過部材１２側に向けて乾燥ガスを供給するガス供給部１４が設けられている。光透過部材１２の内面１２ａは、乾燥ガスがこの光透過部材１２の内面１２ａに液膜として付着するように表面処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたパターンの倒壊をより確実に防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】キャリアから搬出された基板には、処理ユニットまでの搬送系路途中にてオゾンガスが吹き付けられて有機物汚染の除去処理が行われる。表面から有機物汚染が除去された基板が処理ユニットに搬入されて薬液表面処理が行われるため、基板の全面に対して均一な表面処理を行うことができる。薬液処理が終了した基板には純水リンス処理が行われ、その後基板の表面に疎水化剤としてのＨＭＤＳが供給されて疎水化処理が行われる。これにより、基板表面のパターン内に残留している液滴の毛管力はゼロに近くなり、乾燥処理時のパターン倒壊を防止することができる。疎水化された基板はキャリアに戻る搬送系路途中にて再度オゾンガスが吹き付けられて疎水化状態が解除される。 （もっと読む）

【課題】基板の乾燥後にリフトピンに処理液が残ることを防止し、このことにより液処理後の基板の裏面に処理液が付着することを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１０には、基板Ｗを保持する保持プレート３０と、保持プレート３０の上方に設けられ、基板Ｗを下方から支持するリフトピン２２を有するリフトピンプレート２０と、保持プレート３０により保持された基板Ｗの裏面に処理液を供給する処理液供給部４０とが設けられている。処理液供給部４０は、リフトピンプレート２０の貫通穴２０ａを塞ぐよう設けられたヘッド部分４２を有している。処理液供給部４０およびリフトピンプレート２０は保持プレート３０に対して相対的に昇降するようになっている。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の上端部に付着した水が被処理基板表面を流れることを防止することにより、製品歩留まりの低下を防止することが可能な洗浄・乾燥処理方法、洗浄・乾燥処理装置、および記録媒体を提供する。
【解決手段】まず、洗浄槽５２内に収容された洗浄液ＤＩＷに被処理基板Ｗを接触させて洗浄処理する。次に被処理基板Ｗを洗浄槽５２内から乾燥室１０内に移動し、乾燥室１０内の被処理基板Ｗの上端部Ｔを加熱装置１３によって乾燥する。その後、乾燥室１０内の被処理基板Ｗに向けて乾燥ガスＧ１を供給することにより、乾燥ガスＧ１を被処理基板Ｗに接触させ、被処理基板Ｗ表面の洗浄液ＤＩＷを除去する。 （もっと読む）

【課題】パターン倒壊を防止し、低ダスト・高スループットでの超臨界乾燥を実現する。
【解決手段】ウェーハ支持部３１によりウェーハＷを把持して洗浄チャンバ１からウェーハＷを搬出する前に、近接板３３をウェーハＷのデバイス面に近接させ毛細管力でリンス液ＲＬをウェーハＷ上に保持したままで、超臨界乾燥チャンバ２へ搬送する。 （もっと読む）

【課題】処理空間の開閉動作に伴う基板の汚染を抑制しつつ開閉動作を行うことが可能な高圧処理装置を提供する。
【解決手段】上部材２２と下部材２１とを重ね合わせることにより形成される処理空間２０内にて、基板Ｗに対して高圧の処理流体により処理を行う高圧処理装置において、係止用突起部２１１は前記処理空間２０の外側にて下部材２１に固定して設けられ、前記下部材２１の周方向に沿って互いに間隔をおいて複数配置されると共に、各々横方向に突出してその下面が係止面２１２を形成し、押圧部材２３は上部材２２を下部材２１側に押圧する。また被係止用突起部２３１は押圧部材２３に前記複数の係止用突起部２１１に夫々対応して設けられ、各々横方向に突出してその上面が前記係止面２１２に係止される被係止面２３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部の洗浄効率を向上させること。
【解決手段】基板２を回転させるための基板回転手段１９と、回転する洗浄体３２で基板２の周縁部を洗浄するための周縁洗浄手段２１と、基板２に洗浄液を供給するための洗浄液供給手段２２とを有する基板液処理装置を用いて、回転する基板２の周縁部に回転する洗浄体３２を接触させて、洗浄液で洗浄するときに、基板回転手段１９による基板２の回転方向と、周縁洗浄手段２１による洗浄体３２の回転方向とを反対方向として、基板２と洗浄体３２とが接触する洗浄部分での基板２と洗浄体３２の進行方向が同一方向となるようにし、かつ、基板回転手段１９による基板２の回転速度と、周縁洗浄手段２１による洗浄体３２の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）が１：１〜３．５：１の範囲となるようにした。 （もっと読む）