【課題】被処理基板が処理されるべき基板処理容器のチャンバーの容積を小さくすることができ、また、被処理基板の搬送にかかる時間が長くなってしまうことを防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、被処理基板Ｗが収容されるチャンバー３０ａを内部に有する基板処理容器３０と、基板処理容器３０に対して被処理基板Ｗの受け渡しを行う第１搬送ユニット４０と、第１搬送ユニット４０への被処理基板Ｗの受け渡しおよび第１搬送ユニット４０からの被処理基板Ｗの受け取りを行う第２搬送ユニット１４とを備えている。第１搬送ユニット４０は、被処理基板Ｗの上面に接触することなく当該被処理基板Ｗを上方から保持する非接触式のものである。第２搬送ユニット１４は、被処理基板Ｗに接触することにより当該被処理基板Ｗを保持する接触式のものである。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置の通常運転時には排出ガスから処理ガス成分を回収する負荷を軽減し、異常発生時には安全性を確保する。
【解決手段】被処理物９を搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。第１排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。再利用部５０によって、排出ガスから処理ガス成分を回収し、供給系３０に送る。異常時には、第２排気系６０によって処理槽１０内のガスを第１排気系４０より大きな流量で排出する。 （もっと読む）

【課題】洗浄室の蓋開閉時の停止精度の向上及び開閉速度の可変制御が可能なフープ洗浄乾燥装置を提供する。
【解決手段】フープ２をフープ本体２ａとドア２ｂに分離して洗浄室５内で洗浄及び乾燥する洗浄室を備えたフープ洗浄乾燥装置１であって、上記洗浄室５は、上部が開放された洗浄室本体５ａと、この洗浄室本体５ａの上部に開閉自在に設けられた蓋２２，２３と、該蓋２２，２３を開閉する電動式パワーシリンダ２４，２５とを備え、上記パワーシリンダ２４，２５は、蓋開閉時の伸縮ロッドの停止位置及び該停止位置の手前の減速位置を検出する位置センサ６４と、該位置センサ６４からの検出信号に基づいて上記パワーシリンダ２４，２５の伸縮速度を可変制御する制御部６５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度を低減した処理液で基板を処理できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを保持するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに対向する基板対向面３４を有し、基板対向面３４の周囲からスピンチャック３に向かって突出した周壁部３２が形成された遮断板６と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに処理液を供給する第１上側処理液供給管３５とを備えている。第１上側処理液供給管３５には、第２上側処理液供給管３８を介して第１配管内調合ユニット５１から薬液が供給される。この薬液は、薬液原液と、不活性ガス溶存水生成ユニット５０によって純水中の酸素が脱気され、当該純水中に不活性ガスが添加されて生成された不活性ガス溶存水とが第１混合部５９内で混合されることにより調合されたものである。 （もっと読む）

【課題】この発明は半導体ウエハを高い清浄度で洗浄することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を回転させながら処理液によって処理する基板の処理装置であって、
基板を保持して回転駆動される回転テーブル１６と、回転テーブルの上方に設けられ基板を横切る方向に駆動されならが基板に処理液を供給する第１のノズル体４６と、基板の中心部に向けて処理液を供給し第１のノズル体によって基板の中心部以外の部分が処理されているときに基板の中心部が乾燥するのを防止する第２のノズル体５４を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の洗浄装置を小型化する。
【解決手段】第１主面、および第１主面の反対側に位置する裏面（第１裏面）３ｂを有し、第１主面に半導体チップが搭載され、裏面３ｂには半導体チップとそれぞれ電気的に接続される複数の半田ボール（外部接続端子）８が接合されたパッケージ基板（配線基板）を有する半導体装置の製造方法であって、配線基板９の裏面３ｂを洗浄する工程を有している。ここで、配線基板９の裏面３ｂを洗浄する工程には、配線基板９の裏面３ｂと対向する位置に配置されたノズル（第１ノズル）２２ｂから、加圧した洗浄液を配線基板９の方向に吹き付けて洗浄する工程が含まれ、ノズル２２ｂから洗浄液を吹き付ける際に、配線基板９の裏面３ｂが、ノズル２２ｂに対して傾斜するように配線基板９を動作させる。 （もっと読む）

【課題】ノズルの稼働率を向上させて処理ユニットのスループットを向上させる。
【解決手段】現像処理ユニット１においては、ノズル２１を共用する複数個の現像処理セット１０のそれぞれにおいて１枚の基板Ｗに対する現像処理が行われる。進入領域Ｋ（現像処理ユニット１に対する基板Ｗの搬出入を行う搬送機構のハンドが現像処理ユニット１内に進入する領域）の上方には、現像処理セット１０間にわたって移動経路Ｌ２１が形成されている。制御部９１は、移動経路Ｌ２１に沿ってノズル２１を移動させることによって、ノズル２１を現像処理セット１０の間で移動させる。この構成によると、搬送機構が現像処理ユニット１に対する基板の搬出入を行っている間であってもそのハンドとの干渉を考慮せずにノズル２１を現像処理セット１０間で自由に移動させることができるので、ノズルの稼働率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】洗浄・乾燥時間の短縮が図れると共に、乾燥縞の欠陥除去を図れるようにした現像処理方法及び現像処理装置を提供する。
【解決手段】露光された半導体ウエハＷの表面に現像液を供給して現像を行った後に、ウエハの表面に純水を供給して洗浄を行う現像処理方法において、ウエハを水平に保持したスピンチャックを鉛直軸回りに回転させながらウエハの中心部上方からリンスノズル５８より純水を供給すると同時に、リンスノズルに隣接するディフューザ５３によりウエハの回転により生じる気流Ａを純水の液膜Ｆに誘導拡散し、リンスノズルとディフューザとを平行状態にしてウエハの中心部からウエハの外周縁に向かって径方向に同時に移動させて、ウエハの洗浄及び乾燥を行う。 （もっと読む）

【課題】試料台の貫通孔周辺の冷却ガス圧力の均一化を図ると共に、プッシャピンと試料台との温度差の発生を防止したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室と、プラズマ生成用高周波電源と、被処理体が載置され内部に前記被処理体の温度を制御するための冷媒通路を有した試料台と、前記被処理体を前記試料台に静電吸着する静電吸着電源と、前記被処理体と前記試料台との間に前記被処理体の温度を制御するためのガスを供給する手段と、前記試料台に設けられた貫通孔に配置され前記被処理体を昇降させるプッシャピンとを有する真空処理装置であって、前記プッシャピンは、前記被処理体の処理中、前記試料台に密着接触することにより、前記貫通孔を塞ぐと共に、良好な伝熱が得られるように構成される。 （もっと読む）

【課題】 オゾンガスと紫外線とを併用する酸化による表面処理方法において、酸化効率を向上させることのできる手段を提供する。
【解決手段】 キセノンガス等の希ガスとオゾンガスとの混合ガスを被処理物に作用させ、その混合ガスに紫外光を照射作用させる。混合ガス中の酸素分子密度を減じることでオゾンガスの分解を促進して、酸化効率を向上させ、原子状酸素を有効に基板表面に到達させる。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の裏面と洗浄装置との接触によって発生する被洗浄物間の相互汚染を防止し、洗浄液、および洗浄した汚れが被洗浄物に再付着することを抑制することができる枚葉式洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、前記被洗浄物の側面を保持するチャックピンと、前記被洗浄物の直下に配設され、液体を吐出する吐出口を有したフランジと、前記フランジの外側に配設され、前記フランジから吐出される液体の液はねを防止する液はね防止板とを具備し、前記フランジにより前記被洗浄物の裏面を非接触な状態で液体浮上させ、前記チャックピンで該被洗浄物の側面を保持して該被洗浄物を洗浄するものであることを特徴とする枚葉式洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】基板に供給される複数種の処理液を分離して回収することができるスピン処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板に複数種の処理液を順次供給して処理するスピン処理装置であって、カップ体１と、カップ体内に設けられ基板を保持して回転駆動される回転テーブル８と、上面が開口したリング状をなしていて、カップ体の内周と回転テーブルの外周との間に上下方向に駆動可能に設けられ回転する基板から飛散する処理液を受ける処理液受け体１６と、基板に供給される処理液の種類に応じて処理液受け体を上下方向に駆動してその高さを設定するリニアモータ２１と、カップ体に設けられ処理液受け体が受けた処理液を処理液受け体がリニアモータによって設定された高さに応じて分離して回収する第１乃至第３の分離流路２７ａ〜２７ｃを具備する。 （もっと読む）

【課題】 この発明はカップ体内に設けられた仕切体を上昇させた状態及び下降させた状態のいずれであってもカップ体内を確実に排気できる処理装置を提供することにある。
【解決手段】 カップ体２内に設けられた回転テーブル３と、カップ体内の雰囲気を排出する第１の排気ブロア２１と、回転テーブルの外周とカップ体の内周との間に周方向全長にわたって設けられる固定仕切体１１及び上下駆動手段１３によって上下方向に駆動される可動仕切体１２を有し、上昇方向に駆動されたときに基板から飛散する処理液を内周面に衝突させる仕切体と、仕切体の内周面に衝突してカップ体の内底部に落下した処理液を回収する気液分離器２２と、仕切体の周壁に設けられ仕切体を上昇させて処理液を回収するときに第１の排気ブロアによる排気経路が仕切体によって遮断されるのを阻止する気体を通過して液体の通過を阻止する材料によって形成された通気性部材１２ａを具備する。 （もっと読む）

【課題】第１の処理液および第２の処理液を確実に分離して回収するとともに、被処理基板上にウォーターマークやパーティクル等の欠陥が生じることを確実に防止すること。
【解決手段】液処理装置１は、基板保持機構２０と、第１の処理液および第２の処理液を供給する処理液供給機構３０と、回転カップ６１と、回転カップ６１の第１の受け面６１ａで受けた第１の処理液および第２の処理液をそれぞれ排出する外側排出部１５および内側排出部１６と、外側排出部１５を開閉する排出部開閉機構３４とを備えている。回転カップ６１の第１の受け面６１ａの下端６１ｂは、基板保持機構２０によって保持された被処理基板Ｗより下方に延びている。排出部開閉機構３４が上昇した場合、第１の処理液は外側排出部１５へ向けて排出され、排出部開閉機構３４が下降した場合、第２の処理液は内側排出部１６へ向けて排出される。 （もっと読む）

【課題】被処理体の周縁部の処理空間の雰囲気を容易に制御し、かつ、水平方向における大きさを小さくし、さらに、ウエハを処理するための処理空間を小さくすること。
【解決手段】液処理装置は、第二筐体２０と、第二筐体２０に当接可能な第一筐体１０と、被処理体Ｗを保持する保持部１と、保持部１によって保持された被処理体Ｗを回転させる回転駆動部６０と、保持部１によって保持された被処理体Ｗの表面の周縁部に処理液を供給する表面側処理液供給ノズル５１ａ，５２ａと、保持部１によって保持された被処理体Ｗの裏面側に配置され、被処理体Ｗを経た処理液を貯留する貯留部２３と、を備えている。第一筐体１０および第二筐体２０の各々は一方向に移動可能となり、第一筐体１０と第二筐体２０とが当接および離隔可能となっている。 （もっと読む）

【課題】
本発明は擦動部材による基板の洗浄をより効率的かつ高精度に行うことができる基板洗浄装置及び、基板洗浄方法を提供する。また、本発明は擦動部材の高密度なセルフクリーニングが可能な基板洗浄装置及び、基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】
本発明は、基板搬送手段により搬送される基板面を洗浄するために、前記基板面に接触し擦動部材が回転する擦動部材ユニットと、前記擦動部材の洗浄する洗浄液の受皿となる洗浄液受皿と、前記洗浄液受皿を移動させて前記擦動部材に接触させる洗浄液受皿駆動部を有する。 （もっと読む）

【課題】トッププレートで基板の上方を覆う基板処理装置において、基板処理装置の小型化や処理能力の向上を図るとともに、基板を良好に処理できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置において、基板の下方に回動自在に配置され、前記基板を保持するターンテーブルと、前記ターンテーブルを回転させる回転駆動機構と、前記基板の上方に回動自在に配置され、前記基板の上方を覆うトッププレートと、前記ターンテーブルと前記トッププレートとの間に形成された処理流体流路に処理流体を供給する処理流体供給手段と、前記処理流体流路を挟んで前記ターンテーブル及び前記トッププレートそれぞれに非接触状態で引き合うように設けた磁石とを設けることにした。 （もっと読む）

【課題】ウェハー研磨機とウェハー洗浄機とを備えたＣＭＰ装置において、ウェハー洗浄機による洗浄後にも残存する残存スラリーを低減することを課題とする。
【解決手段】ウェハーホルダーと、ウェハー研磨機と、ウェハー洗浄機とを備えたＣＭＰ装置であって、前記ウェハー洗浄機は、洗浄容器と、前記洗浄容器内に洗浄液を導入する洗浄液導入装置とを備え、前記洗浄容器は、前記ウェハーの研磨面に対応する前記ウェハーホルダーのウェハー担持面より大きな上部開口部を備え、かつその上端が洗浄時に前記ウェハーホルダーの少なくとも側面に位置することを特徴とするＣＭＰ装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板に対してヘリコン波プラズマを斜めから照射して洗浄箇所を効率的に洗浄できるようにした基板洗浄装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、減圧した真空チャンバ内に酸素と水蒸気を導入して高周波によりプラズマを発生させ、水平に保持した基板のレジストを剥離するプラズマアッシャーにおいて、前記真空チャンバを傾けて基板に対してプラズマを斜めから照射することを特徴とする基板洗浄装置の構成とした。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェーハ、フラットパネル基板、ソーラーパネル等の基板を処理するための、ｉｎ‐ｓｉｔｕプラズマ洗浄機構を含む基板処理チャンバを提供する。
【解決手段】 前記チャンバ本体は、それ自体の側壁上に設けられた少なくとも１つのプラズマ源開口を有する。前記チャンバ本体内には、前記基板が前記プラズマ源開口の下方に配置されるときに、前記チャンバのｉｎ‐ｓｉｔｕプラズマ洗浄用の第１の位置をとり、前記基板が前記プラズマ源開口の上方に配置されるときに、基板処理用の第２の位置をとる可動基板ホルダが設置される。前記プラズマ源開口には、プラズマ源が結合される。 （もっと読む）