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Fターム[5F172AF14]の内容

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【課題】マルチコアの希土類元素添加光ファイバに光ファイバ横断面において強度が均一な励起光の入射を安価に且つ比較的容易に行うことができる光ファイバ及びそれを用いた光増幅器を提供する。
【解決手段】本発明の光ファイバは、希土類元素を実質的に含有しない複数のコア10と、複数のコア10の周囲を囲繞する第1クラッド20と、第1クラッド20の周囲を囲繞する第2クラッド30とを備え、複数のコア10のいずれのコア10よりも第1クラッド20の方が屈折率が低く、第1クラッド20よりも第2クラッド30の方が屈折率が低い。 (もっと読む)


【課題】大モード面積光導波路デバイスを提供する。
【解決手段】少なくとも0.1重量%の濃度のNd3+でドープした超大モード面積能動ダブルクラッド光導波路を使用して、1050nmと1120nmとの間の波長の光を効率的に増幅することができる。795nmから815nmまたは883nmから887nmの波長のポンプ光に少なくとも3dB/mの正味の光吸収を与えるのに十分なドーピング濃度で、Nd3+は、Yb3+よりも極めて低い反転レベルの下で動作する。低い反転レベルのために、Nd3+ドープ導波路は、ポンプ・ブリーチングまたは光黒化が低減される傾向がある。 (もっと読む)


【課題】 光の損失を低減することができるコンバイナを実現可能なキャピラリ、及び、それを用いたコンバイナ、及び、コンバイナの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 キャピラリ40は、長手方向に沿って複数の貫通孔41,42が形成され、長手方向に垂直な面における中心から所定の範囲内において、ガラスを透過する特定の波長のレーザ光を吸収する特定の元素が、所定の範囲外よりも高い濃度で添加されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】低損失の希土類添加光ファイバ及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】スート堆積工程時に、GeClの供給量をスート堆積中にスート堆積開始時よりも増加させる。これにより、Geのドープ濃度がコアとクラッドとの界面からコアの中心に向かって立ち上がって高くなり、その高くなった位置からコアの中心に向かって略一定となり、そこからコアの中心に向かってさらに高くなり、コアの中心部で最大となるGeのドーピングプロファイルを有する光ファイバを製造する。 (もっと読む)


【課題】 出力する光のビーム品質を良好にすることができるマルチポートカプラ、及び、それを用いた光ファイバ増幅器及びファイバレーザ装置及び共振器を提供する。
【解決手段】 マルチポートカプラ3は、信号光用ファイバ15と、励起光用ファイバ25と、一方側が縮径されているブリッジファイバ50とを備え、信号光用ファイバ15及びそれぞれの励起光用ファイバ25が、ブリッジファイバ50の縮径されていない側からブリッジファイバ50に接続され、ブリッジファイバ50の内側クラッド57の屈折率は、コア56の屈折率よりも低く、外側クラッド58の屈折率よりも高くされ、内側クラッド57の縮径されていない部分の外径をr1とし、縮径されている部分の最も小さな外径をr2とし、信号光用ファイバ15のコア16の開口数をNA0とし、内側クラッド57の開口数をNA1とする場合に、
(r1/r2)×NA0≧NA1
を満たす。 (もっと読む)


【課題】 クラッドを伝播する漏れ光を徐々に放出することができる光ファイバ、及び、これを用いたレーザ装置を提供する。
【解決手段】 光ファイバ50は、コア51と、コア51を被覆する内側クラッド52と、内側クラッド52を被覆し、内側クラッド52の屈折率よりも平均屈折率が低く、内側クラッド52に所定の波長の光を閉じ込める低屈折率層60と、低屈折率層60を被覆し、低屈折率層60の平均屈折率よりも屈折率が高い外側クラッド54とを有する光ファイバであって、低屈折率層60の周方向の一部は、内側クラッド52の長手方向に沿って欠落しており、低屈折率層60が欠落している部分は、低屈折率層60の平均屈折率よりも平均屈折率が高く、内側クラッド52に閉じ込められた光の一部を放出する光放出部70とされている。 (もっと読む)


【課題】ソリッドフォトニックバンドギャップファイバとして、実質的にシングルモード伝搬を維持すると同時に実効コア断面積を拡大した光ファイバ、及びファイバモジュール、さらにはファイバアンプやファイバレーザを提供する。
【解決手段】ファイバ長手方向に対する断面の中心部分のコア領域を、低屈折率の固体物質により形成し、そのコア領域を取り囲むクラッド領域の母材を、低屈折率の固体物質で形成するとともに、そのクラッド領域の母材中に、高屈折率の固体物質からなる多数の微細な高屈折率散乱体を、コア領域を取り囲むように分散配置してなるソリッドフォトニックバンドギャップファイバであって、所定の曲げ半径で曲げられた状態で、曲げによって生じる基本モードと高次モードの曲げ損失の差により高次モードでの伝搬を規制して、実質的に基本モードのみを伝搬するように構成した (もっと読む)


【課題】ガーネット型化合物において、Pr等の置換イオンを母体化合物中に固溶させやすくする。
【解決手段】本発明のガーネット型化合物は、下記一般式で表されるものである。一般式A1(III)3-2xA2(II)A3(III)B(III)C1(III)3-xC2(IV)12(ローマ数字:イオン価数、A1〜A3:Aサイトの元素、B:Bサイトの元素、C1及びC2:Cサイトの元素、A1、A2、B、C1、及びC2は各々、上記イオン価数の少なくとも1種の元素、A3:3価の希土類(La,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu)からなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、A1とA3とは異なる元素、0<x<1.5(但し、x=1.0を除く。)、O:酸素原子) (もっと読む)


【課題】長期劣化への耐性を有する固体レーザ、およびそのようなレーザを提供する。
【解決手段】高強度の内部赤外放射による長期劣化への耐性をレーザに付与するための、ダイオード励起赤外レーザの利得媒質の共ドーピングに関する。Cr3+およびCe3+などのイオンを用いる利得媒質の共ドーピングは、外部イオン化放射への耐性を利得媒質に付与し、利得媒質の長期劣化の問題を解決する。 (もっと読む)


【課題】 活性元素が励起光を効率的に吸収することができる増幅用光ファイバ、及び、それを用いた光ファイバ増幅器を提供することを目的とする。
【解決手段】 活性元素が添加されるコア21と、コア21を被覆するクラッド22と、クラッド22を被覆する外部クラッド23と、を備える増幅用光ファイバ20であって、クラッド22は、断面において、外形が多角形とされると共に、内接円の直径をrとし、外接円の直径をRとする場合に、
0.92≦r/R≦0.97
を満たすことを特徴とする。 (もっと読む)


本発明は、1030nmよりも短い波長での、制御された単一横方向モードの放射を放出するファイバを有する光源(1)であって、ポンピング波の放出に適している少なくとも1つのレーザダイオード(2)と、2つの端部を有しており、コアおよびポンピングシースを含んでいる、レアアースエレメントがドープされているシースを伴う増幅光ファイバ(6)部と、上記ドープされたファイバの上記シースにおいて上記ポンピング源を結合する手段と、を備えており、上記ドープされたファイバの上記コアは、上記シースの屈折率よりも高いコアの屈折率を得るために、イッテルビウム、ネオジム、ツリウムから選択されたレアアースエレメントがドープされた円筒形状部を含んでおり、上記レーザダイオード(2)の励起波長は、780nmから960nmの間に有り、上記シースの直径は50ミクロンよりも大きく、上記ドープされたコアの上記ポンピングシースに対する表面比率は8から50の間に有る、ことを特徴とする光源(1)に関する。
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【課題】 信号光が漏えいする場合においても、励起光源に損傷を与えることを抑制する光ファイバカプラ、及び、それを用いる光ファイバ増幅器を提供する。
【解決手段】 光ファイバカプラ100は、コア部11と、コア部11を被覆するクラッド部13とを有する第1光ファイバ10と、コア部21を有する第2光ファイバ20と、第1光ファイバ10の長手方向と第2光ファイバ20の長手方向とが同一方向となるように並べられて、第1光ファイバ10のクラッド部13と第2光ファイバ20のコア部21とが融着されることで形成される融着延伸部110とを備えており、第1光ファイバ10におけるクラッド部13の屈折率は、第2光ファイバ20におけるコア部21の屈折率よりも高いことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】光ファイバ増幅器を形成する方法を提供すること。
【解決手段】光ファイバ増幅器を形成する方法であって、該方法は、利得材料コアを有する複合プレフォームを提供することであって、該利得材料コアは、該利得材料コアに沿って長手方向に変化する音速のプロファイルを提供するために、1以上の音速変化ドーパントを含み、誘導ブリュアン散乱(SBS)閾値を上昇させることによって、SBS効果を抑制する、ことと、該光ファイバ増幅器を形成するために、該複合プレフォームを延伸することとを包含する、方法。 (もっと読む)


【課題】 既存の光増幅媒体を用いて、増幅帯域をの拡大を行なうため、既存の光増幅器の使用帯域以外の帯域を光伝送に使用できるようにする。
【解決手段】 励起による誘導放出で光を増幅するための光増幅媒体に、少なくとも1つの利得ピークを生じるよう励起する励起手段と、光増幅媒体の利得のピークを等化する利得等化器を該光増幅媒体内に設け、利得のピーク値以外の波長帯域にて平坦な利得を得る。 増幅の変換効率を上げるため、光増幅媒体の長手方向に分布的もしくは分散的に利得等化を行なう手段を設け、光増幅の変換効率を改善する。 (もっと読む)


【課題】制御回路や光回路構成を複雑化させずに、光サージを効果的に抑圧できる低コストの光増幅器を提供する。
【解決手段】光サージ抑圧型光増幅器は、複数の光増幅手段が直列に接続された多段増幅構成の1波用光増幅器について、信号光入力側の光増幅手段に対し、ペア・インデュースド・クエンチング(PIQ)現象を発生可能な光増幅媒体を適用することで、入力パワー上昇時に発生するPIQによる出力効率の低下を利用して光サージを抑圧する。 (もっと読む)


【課題】希土類で高度にドープされ、かつファイバを損なうことなく高い光出力で使用可能な増幅光ファイバを提供すること。
【解決手段】増幅光ファイバは、光信号の送信および増幅に適した中心コア(10)と、中心コアを取り囲み、送信される光信号をコア内に閉じ込めるのに適した光クラッド(11)とを含み、中心コアは、主マトリックスで形成され希土類でドープされたナノ粒子(5)を含む。各ナノ粒子内の希土類ドーパントの重量濃度は、1重量%(wt.%)と20重量%の間に含まれ、中心コアの主マトリックス内のナノ粒子濃度は、0.05体積%と1体積%の間に含まれる。そのような光ファイバは、高出力での光黒化の現象を回避しながら、希土類イオンを高濃度で組み込む。 (もっと読む)


ここで説明する様々な実施形態は、レーザ及び/又は増幅器装置であって、リンケイ酸ガラス中にイッテルビウムイオンを有するドープ利得ファイバ(1404)を含む。ここで説明する様々な実施形態は、ポンプ吸収を少なくとも約1000dB/m〜9000dB/mに増加させる。利得ファイバの使用は、増加したピークパワー及び/又はパルスエネルギーの増加を提供する。リンケイ酸ガラス中にイッテルビウムイオンを有するドープ利得ファイバ(1404)の様々な実施形態は、イッテルビウムドープシリカファイバの等価ドープレベルで得られる光黒化レベルと比較して光黒化レベルを低減することが示される。
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本発明は、高光学的流束による光黒化が低減した、光信号を増幅するための高パワー増幅器導波路に関する。これは、クラッドポンプ増幅器導波路の提供によって達成され、導波路の活性材料に対する光学モード重なり合いが小さいか、活性材料が導波路の大きな断面領域の上に分布しているか、その両方である。
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【課題】本発明は、エルビウムイオンが高濃度で添加され、且つ適量のイッテルビウムイオンを増感剤として含むフッ素化ポリイミド前駆体のワニスの製造方法、及びこれより得られた光導波路アンプを提供することを目的とする。
【解決手段】下記(a)及び(b)工程を含む、光ドーピング用材料含有ワニスの製造方法とする。
(a)エルビウム(Er)の塩とイッテルビウム(Yb)の塩とカルボン酸化合物とを、有機溶媒中にて混合し、光ドーピング用材料を得る光ドーピング用材料生成工程、
(b)前記光ドーピング用材料とフッ素化ポリイミド前駆体ワニスとを混合して、光ドーピング用材料含有ワニスを得るワニス合成工程。 (もっと読む)


【課題】増幅特性の予想が容易で生産安定性が高いEDFを提供する。
【解決手段】石英ガラスを主成分とするコアおよびクラッドを有し、コアにEr元素が添加され、そのEr添加濃度が500wtppm以上2500wtppm以下であり、カットオフ波長が850nm以上1450nm以下であり、モードフィールド径が4.5μm以上6.5μm以下であり、偏波モード分散が0.1[ps/10m]以下であり、コアにおけるEr元素周りのO元素の配位数が1以上8以下であり、コアにおけるEr元素とO元素との結合の距離が0.225nm以上0.235nm以下である。 (もっと読む)


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