【課題】 エピタキシャル成長層中のクラックが抑制された高歩留の半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＧａＮ基板１、ｎ型ＧａＮ層２、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層３、ｎ型ＧａＮガイド層４、ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層５、アンドープＧａＮガイド層６、ｐ型ＡｌＧａＮ電子障壁層７、ｐ型ＧａＮガイド層８、ＳｉＯ₂ブロック層９、透明電極としてのＮｉ／ＩＴＯクラッド層電極１０、Ｔｉ／Ａｕパッド電極１１及びＴｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕ電極１２を備え、ＳｉＯ₂ブロック層９はＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層５上方に位置し、開口部を有し、Ｎｉ／ＩＴＯクラッド層電極１０は開口部内に形成され、ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層５の光を透過させ、クラッド層として機能する。 （もっと読む）

【課題】 昇華法により窒化物単結晶を製造する際に、得られる単結晶に欠陥が導入されないにようにして、その結果、良質で、大口径の単結晶を効率よく製造することのできる製造方法を、その有利な製造装置と共に提供する。
【解決手段】 加熱炉１内の原料９及び種結晶７を定常時の設定温度まで昇温させる過程で、少なくとも種結晶７上の温度が原料９の析出の始まる温度から定常時の設定温度に達するまでの時間にわたり、種結晶７の温度を原料９の温度よりも高くする。 （もっと読む）

【課題】
必要な信頼性試験に合格する性能を有するＶＣＳＥＬの歩留まりが向上するような構造および処理技術を提供することである。
【解決手段】
第１のミラースタック２１０、第２のミラースタック２３０、および前記第１のミラースタック２１０と前記第２のミラースタック２３０との間に設けられているキャビティ層２２０を備えているデバイスにおいて、孔が少なくとも第１のミラースタック２１０を貫通して形成されており、開口１４０を画定するための間隙２１２が孔の側壁から前記第１のミラースタック２１０内へと延びており、少なくとも孔２７０の側壁に形成されている間隙２１２の端部が薄い保護層２５０によって覆われている。 （もっと読む）

【課題】 歩留りおよび量産性の向上を可能にした発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子１０は、Ｇａ_２Ｏ_３基板１１の（１００）、（８０１）または（０１０）の面にＧａＮバッファ層１２が形成され、このＧａＮバッファ層１２上にＧａＮ系化合物薄膜を成長され、Ｇａ_２Ｏ_３基板１１の下面にはｎ電極１８が設けられ、この下面に発光層１４からの発光光を反射する反射層１９が設けられている。Ｇａ_２Ｏ_３基板１１は、ＧａＮバッファ層１２の成長面が（１００），（８０１）面であれば（００１）面に沿って劈開または切断され、成長面が（０１０）面であれば（０１０）面であれば（１００）面または（００１）面に沿って劈開または切断される。 （もっと読む）

窒化ガリウム材料領域を含む半導体材料、及びこのような構造と関連する方法が提供される。前記半導体構造は前記構造の中に形成される歪み吸収層を含む。前記歪み吸収層は前記基板（例えばシリコン基板）と上部層の間に形成されてよい。前記歪み吸収層が非常に薄く、非晶質構造を有し、窒化ケイ素からなる材料から形成されることが好ましい場合がある。前記歪み吸収層は、他の優位点の中で、他の上部層（たとえば窒化ガリウム材料領域）における他の種類の欠陥の形成を制限する、上部層（例えば、窒化物からなる材料層）において形成されるミスフィット転位数を削減できる。したがって、歪み吸収層の存在は、素子性能の改善につながることがある窒化ガリウム材料領域の質を改善できる。
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【課題】埋め込み型構造の半導体レーザ装置において、電流ブロック層の上に形成された半導体層の結晶性及び表面モフォロジーを向上させ、レーザ発振閾値電流が小さく且つ信頼性が高い半導体レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】基板１の上に、バッファ層２と、ｎ型クラッド層３と、ｎ型ガイド層４と、多重量子井戸構造の活性層５と、第１のｐ型ガイド層６と、電流ブロック層７とが順次積層されている。電流ブロック層７は、ｎ型のＡｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎ層８とｎ型のＧａＮ層９とからなり、電流が流れるストライプ状の窓部２０が形成されている。ＧａＮ層９の上には第２のｐ型ガイド層１０と、ｐ型クラッド層１１と、ｐ型コンタクト層１２とが形成されている。ｐ型コンタクト層１２上にはＮｉ系材料からなるｐ型電極１３が形成され、基板１裏面にはＴｉ系材料からなるｎ型電極１４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】長期間安定して高出力動作の可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体素子は、ｎ型ＧａＮ基板６０１と、ｎ型ＧａＮ基板６０１上に設けられた窒化物半導体の積層構造とを備え、この積層構造は、ｎ型ＧａＮ基板６０１の格子定数よりも大きな格子定数を有するＧａＩｎＮ多重量子井戸活性層６０５と、ｎ型ＧａＮ基板６０１とＧａＩｎＮ多重量子井戸活性層６０５との間に位置するｎ型ＧａＮコンタクト層６０２とを有している。ｎ型ＧａＮコンタクト層６０２は、ｎ型ＧａＮ基板６０１の転位密度よりも高い転位密度を有する欠陥導入領域６１４を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】電流拡散効果を改善し、さらに表面粗さを与えることにより、電気的、光学的特性が向上した窒化物半導体素子を提供すること。
【解決手段】窒化物結晶成長のための基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層と、上記ｎ型窒化物半導体層上に形成された活性層と、上記活性層上に形成されたｐ型第１窒化物半導体層と、上記ｐ型第１窒化物半導体層上に形成され、絶縁性物質から成る微細構造の電流拡散パターンと、上記電流拡散パターンが形成された上記ｐ型第１窒化物半導体層上に形成されたｐ型第２窒化物半導体層とを含む。 （もっと読む）

【課題】埋め込み膜としての屈折率を満足させながら、面内及び膜厚方向において均一な組成の良好な膜を得ることができるとともに、ｐ電極との剥がれを防止して、高品質の窒化物半導体レーザ素子を得ることを目的とする。
【解決手段】第１及び第２窒化物半導体層に挟まれた活性層を有し、前記第２窒化物半導体層上に埋め込み膜を介して電極が形成されて構成される窒化物半導体レーザ素子であって、前記埋め込み膜が、前記第２窒化物半導体層側から表面側にかけて（１）屈折率が、（２）酸素比率が、（３）密度が及び／又は（４）表面粗さが変化してなる窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】 簡便な手法で成長中断なしにクラック防止層を形成し、素子生産効率及び素子特性向上を実現する化合物半導体素子を提供することである。
【解決手段】 窒化物半導体レーザ素子（化合物半導体素子）１０は、ＧａＮ基板１１上に、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１２、ｎ型ＡｌＧａＮ高欠陥層１３、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１４、ＭＱＷ活性層１５、ＩｎＧａＮ光ガイド層１６、ＡｌＧａＮキャップ層１７、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８、ｐ型ＧａＮコンタクト層１９が順に積層され、ｐ型ＧａＮコンタクト層１９上にはｐ型電極２０が形成され、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８上であって、ｐ型ＧａＮコンタクト層１９及びｐ型電極２０の周囲には絶縁膜２１が形成され、ｐ型電極２０及び絶縁膜２１上にはパッド電極２２が形成され、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１２側とは反対のＧａＮ基板１１面にはｎ型電極２３が形成されて構成される。 （もっと読む）

【課題】キンク（電流−光出力特性の曲がり）の発生を抑制しながら、素子の動作電圧を低減させることが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子は、活性層６上に形成され、側面１１ａと、側面１１ｂとを有するリッジ部１１を含む窒化物系半導体各層（７〜１０）を備えている。そして、側面１１ｂと活性層６の上面とがなすリッジ部１１の内側の角度θ２は、側面１１ａと活性層６の上面とがなすリッジ部１１の内側の角度θ１以上の大きさ（図１ではθ１＝θ２）を有しており、リッジ部１１の側面１１ａ側の発振波長（約４１０ｎｍ）に対する実効屈折率は、リッジ部１１の側面１１ｂ側の発振波長（約４１０ｎｍ）に対する実効屈折率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】埋め込み構造作製のための再成長において、速やかに再成長表面が平坦な構造となり、薄層の３-５族化合物半導体を製造する方法を提供する。
【解決手段】一般式In_uGa_vAl_wN(０≦u≦1、０≦ｖ≦1、０≦ｗ≦1、u+v+w=1)で表される第１の３−５族化合物半導体からなる層の上に、後記の第２の３−５族化合物半導体の成長条件においても安定な絶縁性材料または金属材料からなるパターンを有し、該第1の３−５族化合物半導体と該パターンの上に、一般式In_xGa_yAl_zN(０≦ｘ≦1、０≦ｙ≦1、０≦ｚ≦1、ｘ+ｙ+ｚ=1)で表される第２の３−５族化合物半導体からなる層を有する３−５族化合物半導体において、該絶縁性材料または金属材料がSiO₂、SiN_x、タングステンのいずれかの材料であり、該パターンが第1の３−５族化合物半導体の[1-100]方向に概ね平行なラインパターンであり、該ラインパターンの幅が１μｍ以下であることを特徴とする３−５族化合物半導体。 （もっと読む）

【課題】本発明は多波長半導体レーザ製造方法に関するものである。
【解決手段】窒化物単結晶成長のための基板上に第１半導体レーザのための窒化物エピタキシャル層を形成するステップと、基板から窒化物エピタキシャル層を分離するステップと、窒化物エピタキシャル層を第１導電型基板３１上に接合するステップと、窒化物エピタキシャル層を選択的に除去して第１半導体レーザ構造２０ａを形成するステップと、露出した第１導電型基板３１の一部上面に第２半導体レーザ構造２０ｂ及び第３半導体レーザ構造２０ｃを順次に形成するステップとを含む多波長半導体レーザ製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板主面に形成したストライプ状リッジの上に選択的に成長させた窒化物半導体結晶の結晶性を向上し、信頼性の高い窒化物半導体素子が提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体素子の製造方法は、研磨加工された主面を有するＧａＮ基板１０１を用意する工程（Ａ）と、ＧａＮ基板１０１の主面に平行な上面を有する複数のストライプ状リッジをＧａＮ基板１０１の主面に形成する工程（Ｂ）と、５００℃以上の第１の温度でＧａＮ基板１０１を１分以上保持する工程（Ｃ）と、第１の温度よりも３０℃以上高い第２の温度で、複数のストライプ状リッジの上面に選択的に窒化物半導体結晶を成長させる工程（Ｄ）とを含む。 （もっと読む）

【課題】 クラックの発生を抑制することができ、歩留りの向上を図ることが可能な窒化物半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体基板１０上に素子形成層２０を有している。窒化物半導体基板１０は、成長基板１１の一面側にバッファ層１２を介して積層された種結晶層１３を備えている。種結晶層１３には、所定の幅を有する第１の開口１３ａ１と、この第１の開口１３ａ１よりも広い幅を有する第２の開口１３ａ２とが設けられている。第２の開口１３ａにより種結晶層１３上に形成された素子形成層２０に働く内部応力が分散され、素子形成層２０にクラックが発生することが抑制される。
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【課題】 半導体基板の裏面とｎ側オーミック電極との接触抵抗を低減することができると共に、半導体基板の裏面とｎ側オーミック電極との接触を良好に維持できて寿命の長い発光素子を提供する。
【解決手段】 ＧａＮ系化合物半導体層からなる半導体基板２４または４５の一方の面は凹凸を有しており、該半導体基板２４または４５の凹凸を有する面を裏面として、該裏面とは反対側の半導体基板の表面上に、少なくとも１つのｐ−ｎ接合を含むＧａＮ系化合物半導体積層構造が形成されており、前記半導体基板の裏面にはｎ側オーミック電極５９が形成され、前記ＧａＮ系化合物半導体積層構造の半導体基板とは反対側の表面にはｐ側オーミック電極５８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体レーザ素子の共振器端面での黒色化を防止するとともに、黒色化による窒化物半導体レーザ素子の発光強度の低下または寿命の低下を抑制すること
【解決手段】 本発明は、共振器端面を有しかつ４２０ｎｍ以下の波長を発光させることができる窒化物半導体レーザ素子と、窒化物半導体レーザ素子を備えるステムと、を含む窒化物半導体レーザ装置において、窒化物半導体レーザ素子は、ステムに接合したキャップ内部に封入されており、キャップ内部の雰囲気は、露点−３０℃以下であり、かつ該雰囲気内の酸素濃度は１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする窒化物半導体レーザ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は多波長半導体レーザ及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】 本発明は窒化物単結晶成長のための基板上に第１及び第２窒化物エピタキシャル層を水平方向に並べて形成するステップと、窒化物単結晶成長用基板から第１及び第２窒化物エピタキシャル層を分離するステップと、第１及び第２窒化物エピタキシャル層を第１導電型基板３１上に接合するステップと、第１及び第２窒化物エピタキシャル層を選択的に除去して第１導電型基板３１の一部上面を露出させ、第１及び第２半導体レーザ構造２０ａ、２０ｂを形成するステップと、上記露出した第１導電型基板３１の一部上面に第３半導体レーザ構造２０ｃを形成するステップとを含む多波長半導体レーザの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 高品位であり、製造効率も高く、しかも半導体製造プロセスの基板として使用可能で、有用なIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 III族窒化物結晶の製造方法において、組成式Ａｌ_sＧａ_tＩｎ_1-s-tＮ（ただし、０≦ｓ≦１、０≦ｔ≦１、ｓ＋ｔ≦１）で表される半導体からなる第１の層１１を形成し、窒素を含む雰囲気下において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも１つのIII族元素とアルカリ金属とを含む融液に第１の層１１の表面を接触させることによって、第１の層１１よりも転位密度等の結晶構造の欠陥が大きい第２の層１２を形成し、窒素を含む雰囲気下において、上記融液中で、組成式Ａｌ_uＧａ_vＩｎ_1-u-vＮ（ただし、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、ｕ＋ｖ≦１）で表される半導体からなり転位密度等の結晶構造の欠陥が第２の層１２よりも小さい第３の層１３を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体薄膜、半導体素子の製造において、結晶方位のずれの発生を抑制するようにする。
【解決手段】 基板上に、選択成長によって複数のファセット１が配列された下地半導体層２を形成する工程と、この下地半導体層２を覆う選択成長埋込み半導体層を成長させる成長工程によるものであり、ファセット１は、下地半導体層２の配置面に対して傾斜する面に形成することによって低欠陥密度領域５を生じさせ、此処に半導体素子を構成するものである。 （もっと読む）