【課題】 従来、サファイア基板を用いてＧａＮを成長させる以上、転位の発生は避けられない。マスク層を用いれば転位が横方向に流れるとはいえ、隣接する領域から横方向に成長してきた半導体層とがぶつかるため、転位を完全になくすことはできない。そのため、より転位が少なく形成された半導体層による優れた特性の窒化化合物系の半導体発光素子が望まれていた。
一方、この活性層は半導体層の表面全面に形成されるため、その面積は半導体層の表面面積よりも大きくすることができず、発光面積が限定されてしまう。そのため、より活性層の面積を大きくした半導体発光素子が望まれていた。
【解決手段】 上記課題を解決するために、本願発明は、二段の半導体層で選択横方向成長させることにより転位の少ない半導体層を得る。また、このような半導体層を利用して発光面積の拡大を図る。 （もっと読む）

【課題】非常に平坦性で完全な透明性と鏡面性をもつｍ面窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を成長する方法。
【解決手段】本方法は、選択横方向成長技術によって構造欠陥密度の大幅な低減を実現する。高品質で、一様で、厚いｍ面ＧａＮ膜は分極のないデバイスの成長のための基板として用いるために作製される。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造物およびデバイスの製作方法を提供する。
【解決手段】
有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いる非極性窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）膜ならびに非極性ＩｎＧａＮを含んだデバイス構造物の製作のための方法。本方法は、非極性ＩｎＧａＮ／ＧａＮ紫色および近紫外発光ダイオードおよびレーザ・ダイオードを製作するために用いられる。 （もっと読む）

本発明は、サファイヤ基板上にＳｉ_ａＣ_ｂＮ_ｃ
（ｃ，ｂ＞０，ａ≧０）の組成からなる第１層を形成する第１段階と、Ｓｉ_ａＣ_ｂＮ_ｃ
（ｃ，ｂ＞０，ａ≧０）の組成からなる第１層の上にＧａＮ成分を含む窒化膜を形成する第２段階と、を含むことを特徴とするＧａＮ系窒化膜の形成方法に関する。
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ＧａＮ系半導体を用いた発光装置。発光装置は、ｎ型クラッド層（１２４）、ｎ型第１障壁層（１２６）と井戸層（１２８）と第２障壁層（１３０）からなる活性層（１２９）、ｐ型ブロック層（１３２）、ｐ型クラッド層（１３４）
を有して構成される。ｐ型ブロック層（１３２）のバンドギャップエネルギＥｇｂ、第２障壁層（１３０）のバンドギャップエネルギＥｇ２、第１障壁層（１２６）のバンドギャップエネルギＥｇ１、ｎ型及びｐ型クラッド層（１２４），（１３４）のバンドギャップエネルギＥｇｃにおいて、Ｅｇｂ＞Ｅｇ２＞Ｅｇ１≧Ｅｇｃとすることでキャリアを効率的に閉じ込め発光強度が増大する。 （もっと読む）

出射される波長の制限が緩和されたコヒーレント光源を提供することを課題とする。本発明のコヒーレント光源は、第１の光（３）と、第１の光（３）より波長の短い第２の光（４）を同時に出射するコヒーレント光源であり、少なくとも第１の光（３）を出射する光源本体と、第１の光（３）を透過又は反射するミラー（５）と、ミラー（５）の少なくとも一部に設けられた機能性膜（６）と、を備えている。機能性膜（６）は、第２の光（４）により光触媒効果を発現する。 （もっと読む）

ワイドバンドギャップ材料内に、接合温度低下、動作中の高電力密度化、及び定格電力密度における信頼性向上を達成する高電力デバイスを形成する方法を、結果的に得られる半導体構造及びデバイスと共に開示する。本方法は、ダイアモンドの層を炭化珪素ウェハに添加して、得られる複合ウェハの熱伝導率を高め、その後、炭化珪素の上におけるエピタキシャル成長を支持するためにその十分な厚さを保持しつつ、複合ウェハの炭化珪素部分の厚さを削減し、複合ウェハの炭化珪素面を、その上におけるエピタキシャル成長のために、準備し、第ＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造を、ウェハの準備した炭化珪素面に添加することを含む。
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本発明は、半導体基板（２ａ）上に形成された活性層（３）と、前記活性層（３）にキャリアを注入する一対の上部電極（５）及び下部電極（６）とを有する面発光レーザ（１００ａ）において、該下部電極（６）の平面形状を、該下部電極（６）から前記活性層（３）への電流の注入が、該下部電極（６）の中心部分では高い電流密度で、その周辺部分では低い電流密度で行われるよう星型形状としたものである。この面発光レーザ（１００ａ）では、面発光レーザの活性層に注入するキャリアの密度分布が、活性層内での光のパワー分布に応じた分布となり、これにより、活性層の、電極周辺部に対応する領域での電流密度の増大によるホールバーニングの発生を回避して、高出力時の横モード安定性を大幅に増大させて高出力特性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

本発明は、端面反射率の異なる半導体レーザ装置（１０）において、ストライプ状リッジ部（１０７ａ）上に配置される電極を、４つの電極部（１），（２），（３），（４）からなる４分割構造とし、光出射端面側に近い電極部ほどその注入電流が大きくなるようにしたものである。 このような半導体レーザ装置によれば、ストライプ状リッジ部に対向する活性層内でのキャリア密度分布を、その光強度分布に適した分布とすることができ、これにより空間的ホールバーニングにより発生する横モードの不安定化や利得の低下による高出力特性の劣化を防止することができる。 （もっと読む）

量産性等に優れた多波長半導体レーザ装置の製造方法を提供する。半導体基板ＳＵＢ１上に多層体から成る第１のレーザ発振部１ａと金属の接着層とを形成した第１の中間生成体と、支持基板上に第１のレーザ発振部１ａより小形の多層体から成る第２のレーザ発振部２ａとそれに隣接する溝とを形成して金属から成る接着層を形成した第２の中間生成体とを作製し、導波路１ｂ，２ｂを近接させて第１，第２の中間生成体の接着層同士を融着させ、一体化した接着層ＣＮＴを生じさせることによって、第１，第２のレーザ発振部１ａ，２ａを固着させた後、第２のレーザ発振部２ａから支持基板を剥離することにより、接着層ＣＮＴを部分的に露出させ、該露出した接着層ＣＮＴを共通電極とした半導体レーザ装置ＬＤを製造する。 （もっと読む）

１５ｃｍを超える大面積と、少なくとも１ｍｍの厚さと、５Ｅ５ｃｍ^−２を超えない平均転位密度と、２５％未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。かかる材料は、（ｉ）たとえばＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の成長表面の少なくとも５０％にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を基板上に成長させる第１段階であって、成長表面上のピット密度が、成長表面において少なくとも１０^２ピット／ｃｍ^２である段階と、（ｉｉ）ピット充填条件下でＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を成長させる第２段階と、を含むプロセスによって基板上に形成することができる。
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空洞共振発光素子を製作する方法では、窒化ガリウム種結晶（１４）及び供給源材料（３０）を、多ゾーン炉（５０）内に配設される密封容器（１０）内に配設される窒素含有過熱流体（４４）内に配置する。窒化ガリウム種結晶（１４）上で窒化ガリウム材料を成長させて、単結晶窒化ガリウム基板（１０６、１０６’）が得られる。成長は、窒化ガリウム種結晶（１４）と供給源材料（３０）の間に時間的に変化する熱勾配（１００、１００’、１０２、１０２’）を適用して、この成長の少なくとも一部の間、成長速度を速くすることを含む。単結晶窒化ガリウム基板（１０６、１０６’）上に、第ＩＩＩ族窒化物層のスタック（１１２）を堆積させる。スタック（１１２）は、１以上の空洞共振発光素子（１０８、１５０、１６０、１７０、１８０）が製作されるように適合された第１ミラーサブスタック（１１６）及び活性領域（１２０）を含む。 （もっと読む）

レーザ光の発光点間隔が小さい半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。
半導体基板１２ａとレーザ発振部１０ａとを有する第１の発光素子１ａと、レーザ発振部４ａを有する第２の発光素子２ａが、レーザ発振部１０ａのリッジ導波路８ａとレーザ発振部４ａのリッジ導波路５ａを向かい合わせて、厚さの小さいＳＯＧ３ａによって固着されている。リッジ導波路８ａ上のオーミック電極層９ａに電気的に接続する導電性配線層Ｑa1と、リッジ導波路５ａ上のオーミック電極層６ａに電気的に接続する導電性配線層Ｑa2が半導体基板１２ａ上の絶縁層１１ａまで延在し、半導体基板１２ａの底面とレーザ発振部４ａの表面にオーミック電極Ｐa1，Ｐa2がそれぞれ形成されている。オーミック電極Ｐa1と配線層Ｑa1間に駆動電流を供給するとレーザ発振部１０ａ、オーミック電極Ｐa2と配線層Ｑa2間に駆動電流を供給するとレーザ発振部４ａが夫々レーザ光を出射する。厚さの小さいＳＯＧ３ａによってレーザ発振部４ａ，１０ａが固着されるため発光点間隔の小さな半導体レーザ装置となっている。
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本発明の一実施形態に係る金属加熱装置は、中心波長が波長範囲２００ｎｍ〜６００ｎｍ内にある光を出力する光出力部を備える。 （もっと読む）

基板上に発光デバイスを製造する方法であり、発光デバイスは、複数のエピタキシャル層および基板の反対側にあるエピタキシャル層上に存在するオーミック接触層を備えるウェーハを有する。本発明による方法は、（ａ）熱伝導性の金属からなる種層をオーミック接触層に付加するステップと、（ｂ）熱伝導性の金属からなる比較的に厚い層を種層上に電気メッキするステップと、（ｃ）基板を除去するステップとを含む。また、それに対応する発光デバイスが、開示される。発光デバイスは、ＧａＮ発光ダイオードまたはＧａＮレーザダイオードである。 （もっと読む）

バンドキャップの大きい無機のヘテロ構造内にエレクトロルミネッセンス層として量子ドットを採用した光電子デバイスが提供される。量子ドットは、デバイスの光学的活性部品として機能し、多重量子ドット層の実施形態では、格子不整合基板を有するヘテロ構造におけるナノスケールのエピタキシャル横方向成長（ＮＥＬＯＧ）を支援する。こうしたデバイスの量子ドットは、光学的に励起されて、フォトルミネッセンスを生じるのとは対照的に、電気的に励起され、エレクトロルミネッセンスを発する。エレクトロルミネッセンスには、本質的に「ストークス損失」が存在しないので、本発明のデバイスは、光学的に励起された量子ドットデバイスより高い効率を有する。さらに、本発明で得られたデバイスによれば、量子ドットの大きさと組成を調製し、製造プロセスを制御することにより、深い緑色の可視光を得ることができるとともに、白色光を含む可視スペクトル中の任意の他の色を得ることができる。

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【課題】本発明は、発光効率を高く維持しながら、基板に対して優れた接合性を有する半導体発光装置とその製造方法、およびこれを備える照明装置、さらには表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】このために、本発明に係る半導体発光装置は、発光層を有するものであって、その発光層の出射側に、表面に凹凸構造が設けられた光透過部が形成されているとともに、当該凹凸構造の上にさらに透光性を有した被膜が形成された構成を有することを特徴とする。 （もっと読む）

ドープ化材料から活性領域内へのドーパントの移動を抑制すべく組成されたドープ化材料、活性領域、およびバリア材料を含むＩＩＩ族窒化物電子素子構造において、当該バリア材料は高Ａｌ含量Ａｌ_ＸＧａ_ｙＮを含み、ここで、ｘ＋ｙ＝１かつｘ≧０．５０である。特定の態様において、ＡｌＮを厚さ約５〜約２００オングストロームの移動／拡散バリア層として用いて、例えばＵＶ−ＬＥＤ光電子素子等のＩＩＩ族窒化物電子素子の活性領域内へのマグネシウムおよび／またはシリコン・ドーパント材料の流入を抑制する。

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発光素子、及び関連部品、システム及び方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体を用いたレーザ素子を実現する。
【解決手段】 少なくともｎ型コンタクト層を介して形成されたインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体からなる層と、その上にインジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなる活性層と、その上にｐ型窒化物半導体よりなるｐ型クラッド層とが順に積層された構造を有し、インジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体からなる層と、ｎ型コンタクト層との間に、互いに組成の異なる２種類の窒化物半導体が積層されてなるｎ型の多層膜を光反射膜として備え、ｎ型の多層膜の少なくとも一方の窒化物半導体層はインジウムとガリウムとを含む窒化物半導体またはＧａＮからなる。 （もっと読む）