【課題】信頼性の高い半導体素子を提供することを可能にする。
【解決手段】基板１１上に設けられたｎ型クラッド層と、ｎ型クラッド層１３上に設けられたｎ型ガイド層１４と、ｎ型ガイド層１４上に設けられた活性層１５と、活性層１５上に設けられた第１のｐ型ガイド層１６と、第１のｐ型ガイド層上に設けられたオーバーフロー防止層１７と、オーバーフロー防止層１７上に設けられた第２のｐ型ガイド層１８と、第２のｐ型ガイド層１８上に設けられたｐ型クラッド層１９とを有し、層のそれぞれが窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるレーザダイオードと、レーザダイオードの出射面上に設けられアルミニウムを含む窒化物の第１の保護層と、第１の保護層５１上に設けられ第１の保護層５１と屈折率の異なる、シリコンを含む窒化物の第２の保護層５２と、を備え、第１の保護層と、第２の保護層の膜厚が、それぞれ０．２５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】出射端面の最表面に汚染物質が付着することを確実に抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、活性層１５を有し、共振器端面２ａおよび２ｂが形成された半導体素子層２と、共振器端面２ａの表面上に形成された端面コート膜８とを備え、端面コート膜８は、端面コート膜８の最表面３ａに配置されたＴｉＯ_２膜３７と、ＴｉＯ_２膜３７と共振器端面２ａとの間に配置されたＳｉＯ_２膜３５とを含む。そして、活性層１５が発するレーザ光の波長がλ、ＳｉＯ_２膜３５の屈折率がｎである場合に、ＳｉＯ_２膜３５の厚みは、ｍ×λ／（２×ｎ）（ただし、ｍは整数）により規定される厚みに設定されるとともに１μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】端面保護膜により発生する応力が緩和され長期信頼性を確保することが可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０上に、下部クラッド層２１、活性層２２、上部クラッド層２３およびコンタクト層２４をこの順に含む半導体層２０（レーザ構造部）を積層し、上部クラッド層２３の上部に帯状の突条部（リッジ）２０Ａを形成する。突条部２０Ａの上面，側面および裾部に上部電極３１を形成すると共に、基板１０の裏面に下部電極３２を形成する。前端面Ｓ１の突条部２０Ａの両側に２対の凹部２０Ｂ設けたのち、前端面Ｓ１の表面に保護膜４１を形成する。これにより前端面Ｓ１に形成する保護膜４１の接触面積が少なくなり、前端面Ｓ１に発生する応力が低減される。 （もっと読む）

【課題】出射端面の最表面に汚染物質が付着することを確実に抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、活性層１５を有し、共振器端面２ａおよび２ｂが形成された半導体素子層２と、共振器端面２ａの表面上に形成された端面コート膜８とを備え、端面コート膜８は、共振器端面２ａにおける反射率を制御するＳｉＯ_２膜３３およびＡｌ_２Ｏ_３膜３４と、ＳｉＯ_２膜３３およびＡｌ_２Ｏ_３膜３４の合計厚みよりも大きい厚みを有するＳｉＯ_２膜３５とを含む。そして、活性層１５が発するレーザ光の波長がλ、ＳｉＯ_２膜３５の屈折率がｎである場合に、ＳｉＯ_２膜３５の厚みは、ｍ×λ／（２×ｎ）（ただし、ｍは整数）により規定される厚みに設定されるとともに１μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】単一素子の簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる記録装置を提供する。
【解決手段】 バイアス電圧Ｖｓａを印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部とを含み、光記録媒体２１に情報を記録するためのレーザ光を出射する、自励発振半導体レーザ１と、マスタークロック信号を生成すると共に、このマスタークロック信号と同期した注入信号を自励発振半導体レーザ１のゲイン部に供給する、基準信号生成部１４と、マスタークロック信号に基づいて記録信号を生成し、この記録信号を自励発振半導体レーザ１の過飽和吸収体部にバイアス電圧Ｖｓａとして印加する、記録信号生成部１３とを含んで、光記録媒体２１に情報を記録する記録装置２００を構成する。 （もっと読む）

【課題】面内の基本並進ベクトルの長さが異なる格子構造のフォトニック結晶を用いた構成のもとで、２次元的に対称な強度分布を有するレーザ発振が容易に可能となる２次元フォトニック結晶面発光レーザを提供する。
【解決手段】活性層と、該活性層の近傍に設けられた２次元的に周期的な屈折率分布を有する２次元フォトニック結晶と、を備えた２次元フォトニック結晶面発光レーザであって、
前記２次元フォトニック結晶は、面内の２つの基本並進ベクトルの長さが異なる格子構造を備え、
前記格子構造の単位格子に含まれる格子点を構成する部材の形状が、前記２つの基本並進ベクトルの方向に対して異方性を有し、
前記格子点を構成する部材の形状の異方性によって、前記格子点を構成する部材の形状が等方的である場合に比べて結合係数の差が小さくなる構成とされている。 （もっと読む）

【課題】良好なオーミック接触を有するIII族窒化物半導体発光素子が提供される。
【解決手段】このIII族窒化物半導体発光素子では、接合ＪＣが窒化ガリウム系半導体層のｃ軸に直交する基準面に対して傾斜しており、電極がこの窒化ガリウム系半導体層の半極性面に接合する。しかしながら、この窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度が、接合ＪＣを形成するように成長された窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度は低減される。この窒化ガリウム系半導体層の半極性面に電極が接合を成すので、金属／半導体接合は良好なオーミック特性を示す。 （もっと読む）

【課題】十分に放熱することができるとともに発光点間隔を小さくすることができる半導体レーザアレイを提供する。
【解決手段】複数の半導体レーザ素子２０１〜２０５を備える半導体レーザアレイ１００であって、複数の半導体レーザ素子２０１〜２０５のそれぞれは、第１の端面３０１及び第２の端面３０２を両端とする光導波路２０１ａ〜２０５ａを有し、複数の半導体レーザ素子２０１〜２０５の少なくとも一つの半導体レーザ素子２０１は、光導波路２０１ａにおける第１の端面３０１と第２の端面３０２との間に形成された反射面２２１ｂを有し、反射面２２１ｂは、導波光を反射させて導波光の進行方向を変える。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ層を含むｎ型半導体層と、ｎ型半導体層と接続されたｎ側電極と、ｐ型ＧａＮ層と、ｐ型ＧａＮ層と積層されたｐ型ＧａＮコンタクト層と、を含むｐ型半導体層と、ｐ型半導体層に接続されたｐ側電極と、ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に設けられ複数の井戸層を含む発光部と、発光部とｐ型半導体層との間に設けられ、０．００１〜０．０５の第１Ａｌ組成比のＡｌＧａＮを含み０．５〜５ｎｍの厚さの第１層と、第１層とｐ型半導体層との間に設けられ、０．１〜０．２の第２Ａｌ組成比のＡｌＧａＮを含む第２層と、第１層と発光部との間においてｐ型半導体層に最も近いｐ側井戸層に接し、厚さが３〜８ｎｍで、Ｉｎ_ｚ１Ｇａ_１−ｚ１Ｎ（０≦ｚ１＜１）を含み、ｐ型不純物濃度が第１層よりも高い中間層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体成長膜と支持体との間に高い絶縁性及び熱伝導性を有する絶縁膜を形成することによって半導体発光装置の耐電圧性及び放熱性の向上を図ることができる半導体発光装置の製造方法及びこれによって製造される半導体発光装置を提供すること。
【解決手段】成長用基板上に半導体成長膜を形成する工程と、半導体成長膜上に金属膜を形成する工程と、金属膜上に少なくとも互いに隣接する第１絶縁層及び第２絶縁層を有する多層絶縁膜を形成する工程と、多層絶縁膜上に支持体を形成する工程と、を有し、第１絶縁層及び第２絶縁層のそれぞれに内在するピンホールは、第１絶縁層と第２絶縁層との界面において不連続であること。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体レーザ素子の光の閉じ込めを制御しながら、連続駆動時の電流又は電圧劣化を防止することができる窒化物半導体レーザ素子とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に積層され、その表面にリッジ１４を有する窒化物半導体層と、窒化物半導体層を被覆する第１保護膜１５と、リッジ１４上及び第１保護膜１５上に形成された電極１７とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、第１保護膜１５は、窒化物半導体層の上面からリッジ１４基底部及びリッジ１４側面に渡って、窒化物半導体層とその一部又は全部が接触するように配置されており、少なくともリッジ１４基底部において、第１保護膜１５と電極１７とで規定された空隙１６を備える窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】光子発生装置が発光する光の単色性が低い。
【解決手段】本発明の光子発生装置は、半導体材料からなる第１のナノ構造体と、半導体材料からなり、第１のナノ構造体の隣にギャップを挟んで配置された第２のナノ構造体と、ギャップに配置され、第１のナノ構造体と第２のナノ構造体とに挟持されたコロイド量子ドットとを有し、第１のナノ構造体と前記第２のナノ構造体とに挟持されたコロイド量子ドットは１つのみである。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体層の半極性主面とパラジウム電極との接触抵抗が増加することを抑制可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１は、半導体基板１０上に設けられた活性層１４と、活性層１４上に設けられると共に半極性の表面１８ｓを有するｐ型半導体層１８と、表面１８ｓに接合すると共にガリウムを含有するパラジウム電極３８と、を備え、パラジウム電極３８におけるガリウムの含有量が１ｍｏｌ％以上である。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上させることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体発光素子５００（窒化物半導体素子）は、成長面２０ａを有する窒化物半導体層２０と、窒化物半導体層２０の成長面２０ａ上に形成され、量子井戸構造を有する活性層１２０を含む窒化物半導体層２００（層構造２００）とを備えている。上記活性層１２０は、Ａｌを含む窒化物半導体からなる量子井戸層１２０ａを含んでおり、窒化物半導体層２０の成長面２０ａは、ｍ面に対して、少なくともａ軸方向にオフ角度を有する面から構成されているとともに、ａ軸方向のオフ角度が、ｃ軸方向のオフ角度より大きい。 （もっと読む）

【課題】直列抵抗が小さく、高効率な面発光型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ素子は、基板１０１上に順次設けられた第１の反射鏡１０２、第１のスペーサ層１０４、活性層１０５、第２のスペーサ層１０６、及び第２の反射鏡１０８と、第１の電極１０９及び第２の電極１１０とを備えている。第１の反射鏡１０２及び第２の反射鏡１０８の少なくとも一方は、第１の屈折率を有し、非窒化物半導体材料からなる第１の透光性導電膜と、第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有し、非窒化物半導体材料からなる第２の透光性導電膜とが交互に積層されてなる分布ブラッグ反射鏡である。 （もっと読む）

【課題】 半導体の結晶性を向上させることが可能な半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体基板の製造方法は、単結晶基板２の上に単結晶基板２を覆うように半導体層を結晶成長させた半導体基板の製造方法であって、平坦な上面４Ａを有する複数の突起４が第１主面２Ａに設けられた単結晶基板２を準備する工程と、複数の突起４のうち、上面４Ａから半導体層３を結晶成長させるものを第１突起４ａとし、第１突起４ａ同士の間に位置する、上面４Ａに半導体層３を結晶成長させないものを第２突起４ｂとして、第２突起４ｂの上面４Ａを被覆するように実質的に半導体層３が結晶成長しないマスク層５を形成する工程と、第１突起４ａの上面４Ａからそれぞれ第２突起４ｂの上面４Ａのマスク層５を越えて単結晶基板２を覆うように半導体層３を結晶成長させる工程とを有する。そのため、単結晶基板２上に成長させる半導体層３の単結晶基板２に対する平坦性を向上させることができ、半導体層３の結晶性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】電流注入に伴う発熱に起因した半導体レーザ素子の動作不良（頓死）を抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、活性層１２と、共振器の延びる方向（Ａ方向）に沿って延びるリッジ部３（電流通路部）とを含む半導体素子層１０と、リッジ部３に対応するｐ型コンタクト層１４の上面１４ａに接触するように形成され、Ａ方向に沿って延びるｐ側オーミック電極１５とを備える。そして、ｐ側オーミック電極１５は、少なくともｐ型コンタクト層１４の上面１４ａに接触する領域においてＡ方向と直交するＢ方向の幅Ｗ２を有する第１部分１５ａと、光出射面２ａ近傍に配置され、少なくともｐ型コンタクト層１４の上面１４ａに接触する領域において幅Ｗ２よりも小さい幅Ｗ３を有する第２部分１５ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】 輝度を上げることが可能な発光デバイスの製造方法を提供することである。
【解決手段】 表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインで区画される各領域にそれぞれ発光デバイス回路が形成された発光デバイスウエーハを個々の発光デバイスに分割する発光デバイスの製造方法であって、発光デバイスウエーハを該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、該分割ステップを実施した後、分割された発光デバイスウエーハの裏面を研削して発光デバイスの仕上がり厚みへと薄化する研削ステップと、該研削ステップを実施した後、分割された発光デバイスウエーハの裏面から該分割予定ラインに沿って切削ブレードで切削することにより、個々の発光デバイスの裏面外周エッジに面取り部を形成する切削ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】第１半導体レーザ素子と第２半導体レーザ素子とが同一基板上に搭載される構成において、第１半導体レーザ素子の第１発光領域の高さ位置と、第２半導体レーザ素子の第２発光領域の高さ位置とを近づけることにより、第１半導体レーザ素子からのレーザ光の照射位置（スポット点）と、第２半導体レーザ素子からのレーザ光の照射位置との高さ方向のずれが大きくなるのを抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】この２波長半導体レーザ装置１００（半導体レーザ装置）は、段差部１１ｃの下側の上面１１ａと段差部１１ｃの上側の上面１１ｂとを含む放熱基台１０と、上面１１ａ上に接合され、上側に発光領域２０ｂを含む青紫色半導体レーザ素子２０と、上面１１ｂ上に接合される赤色半導体レーザ素子３０とを備え、発光領域２０ｂは、上面１１ｂよりも上方に位置する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、レーザ光の光パルス及びレーザ光の変調の同期が容易に得られる記録装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１及び外部共振器を含むモードロックレーザ部２１０と、このモードロックレーザ部２１０から出射されるレーザ光を増幅変調する光変調手段２と、マスタークロック信号を生成すると共に、このマスタークロック信号に同期した信号を半導体レーザ１のゲイン部１１６に供給する、基準信号生成部１５と、マスタークロック信号に基づいて記録信号を生成する記録信号生成部１６と、記録信号に基づいて、光変調手段２を駆動する駆動パルスを生成する駆動回路１７とを含んで、光記録媒体２１に情報を記録する記録装置２００を構成する。 （もっと読む）