【課題】レーザ光の出射面の法線に対して線対称な斜め方向である２つ方向に出射されるレーザ光の強度比を制御することが可能な２次元フォトニック結晶面発光レーザを提供する。
【解決手段】面内方向に共振モードを有する２次元フォトニック結晶を有し、レーザ光の出射面の法線に対して線対称な斜め方向である少なくとも２つの方向に、レーザ光を出射する２次元フォトニック結晶面発光レーザであって、
２次元フォトニック結晶は、
２つの方向に出射するレーザ光の出射方向ベクトルを、レーザ光の出射面に射影した射影方向に垂直な方向に沿って、２次元フォトニック結晶の格子点を構成する媒質の深さあるいは高さが一定であり、
２次元フォトニック結晶の格子点を構成する媒質の深さあるいは高さが、射影方向に沿って該射影方向に平行な方向を法線とする任意の面に対して非対称に変化している。 （もっと読む）

【課題】光デバイスウエーハを構成するエピタキシー基板の表面に積層された光デバイス層に損傷を与えることなく光デバイス層を移設基板に円滑に移し変えることができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】エピタキシー基板２０の表面にバファー層２２を介して積層され、格子状に形成された複数のストリート２３により区画された複数の領域に形成された光デバイス層２１の表面に移設基板３を接合する工程と、移設基板３が接合されたエピタキシー基板２０を所定のストリートに沿って切断し、複数のブロック２００に分割する工程と、エピタキシー基板２０の裏面側からエピタキシー基板２０を透過するレーザー光線をバファー層２２に集光点を位置付けて照射することによりバファー層２２を分解する工程と、複数のブロック２００に分割されたエピタキシー基板２０を光デバイス層２１から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 良好なデバイス特性を得ることできる、複数の細孔が形成された窒化物半導体を有する構造体の製造方法、および該構造体を備えた発光素子の提供を目的とする。
【解決手段】 Ｉｎを含むIII族窒化物半導体からなる第１の半導体層を形成する工程と、第１の半導体層の上に、第１の半導体層よりもＩｎ組成が低いIII族窒化物半導体からなる第２の半導体層を形成する工程を有する。第２の半導体層および第１の半導体層に複数の細孔を形成する工程と、窒素元素を含む雰囲気下で熱処理することにより、複数の細孔が形成された第１の半導体層の側壁の少なくとも一部に、第１の半導体層よりもＩｎ組成が低い半導体結晶構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】イントラキャビティー構造の電極層を有する低閾値で動作可能な垂直共振器型面発光レーザを提供する。
【解決手段】共振器の内部に３個以上の奇数個のスペーサ層５０３、５０５、５０７を有し、それらの間が２個以上の中間ミラー５０４、５０６で仕切られており、任意の（２Ｎ’−１）個隣同士のミラー間の光学距離をｄとし（Ｎ’：１以上の整数）、隣同士の中間ミラーからの反射光の位相とびをそれぞれΦ１、Φ₂とするとき、以下の式（１）の関係を満たし、２Ｎ’個隣同士のミラー間の光学距離をｄ’とするとき、以下の式（２）の関係を満たし、電極層が下部ミラーより数えて偶数番目のスペーサ層中、又はその隣接部に設けられている。２ｄ・２π／λ＋Φ₁＋Φ₂＝２Ｎ・π・・・・式（１）２ｄ’・２π／λ＋Φ₁＋Φ₂＝（２Ｎ−１）・π・・・・式（２）（但し、Ｎ：１以上の整数） （もっと読む）

【課題】可飽和吸収領域に損傷が発生し難い構成、構造を有するバイ・セクション型のＧａＮ系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、第１化合物半導体層、発光領域及び可飽和吸収領域を構成する第３化合物半導体層、並びに、第第２化合物半導体層が、順次、積層されて成る積層構造体、第２電極、並びに、第１電極を備え、積層構造体はリッジストライプ構造を有し、第２電極は、発光領域を経由して第１電極に直流電流を流すことで順バイアス状態とするための第１部分と、可飽和吸収領域に電界を加えるための第２部分とに、分離溝によって分離されており、リッジストライプ構造の最小幅をＷ_MIN、第２電極の第２部分と分離溝との境界における第２電極の第２部分のリッジストライプ構造の幅をＷ₂としたとき、Ｗ₂／Ｗ_MIN＞１を満足する。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体からなる半導体積層構造を用いて、長波長化を実現した半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、基板１およびIII族窒化物半導体積層構造２を含む半導体積層構造を有している。III族窒化物半導体積層構造２は、半極性面を結晶成長面とするIII族窒化物半導体からなり、Ｉｎを含む発光層１０と、発光層１０の一方側に配置されたｐ型ガイド層１７と、発光層１０の他方側に配置されたｎ型ガイド層１５と、ｐ型ガイド層１７の発光層１０とは反対側に配置されたｐ型クラッド層１８と、ｎ型ガイド層１５の発光層１０とは反対側に配置されたｎ型クラッド層１４とを有する。III族窒化物半導体２は、前記結晶成長面へのｃ軸の射影ベクトルと平行に形成された直線状のリッジ２と、前記射影ベクトルと垂直な劈開面からなる一対のレーザ共振面２１，２２とを含む。 （もっと読む）

【課題】レーザ共振面の選択自由度を大きくすることができ、それによって設計自由度を増大でき、また、特性向上に寄与できる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子７０は、基板１とIII族窒化物半導体積層構造２とを含む半導体積層構造を有する。III族窒化物半導体積層構造２は、発光層１０と、発光層１０の一方側に配置されたｐ型ガイド層１７と、発光層１０の他方側に配置されたｎ型ガイド層１５と、ｐ型ガイド層１７の発光層１０とは反対側に配置されたｐ型クラッド層１８と、ｎ型ガイド層１５の発光層１０とは反対側に配置されたｎ型クラッド層１４とを有する。前記半導体積層構造は、表面側に形成された直線状のリッジ２０と、リッジ２０の長手方向両端に形成された一対のレーザ共振面２１，２２と、レーザ共振面２１，２２において前記半導体積層構造の裏面に連なる下縁領域に形成された端面加工痕８とを含む。 （もっと読む）

【課題】効果的にノイズを低減することが可能なＧａＮ系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】このＧａＮ系半導体レーザ素子は、ｎ型ＧａＮ基板１０上に形成され、活性層１４を含む窒化物半導体層と、窒化物半導体層に形成されたストライプ状導波路構造と、窒化物半導体層上に形成され、ワイヤボンド領域２２ａを有するｐ側電極２２とを備えている。窒化物半導体層は、ワイヤボンド領域２２ａの外側の領域に、上面から少なくとも活性層１４を含む位置まで設けられた光の吸収部分５０を有している。 （もっと読む）

【課題】水素の移動による素子寿命の短縮を改善可能な窒化物発光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体領域１３−１は第１領域１３ａ−１及び第２領域１３ｂ−１を含む。第２領域１３ｂ−１は第１領域１３ａ−１に沿って延在する。第１領域１３ａ−１は、ｐ型導電性のリッジ部を含む。III族窒化物半導体領域１３−１はｐ型ドーパント及び水素を含む。電極１７−１は、第１領域１３ａ−１のリッジ部の上面１３ｃ−１に接触する。金属層１９−１は、水素を吸蔵可能にする格子欠陥を高密度で有しており、また第２領域１３ｂ−１上に設けられる。誘電体層２１−１は金属層１９−１上に設けられ、誘電体層２１−１は、シリコン酸化膜，シリコン窒化物，シリコン酸窒化物，酸化ハフニウム，タンタル酸化物等からなる。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。発光部は、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられ、第１発光層を含む。第１発光層は、第１障壁層と、ｎ形半導体層と第１障壁層との間に設けられた第１井戸層と、第１井戸層と第１障壁層との間に設けられた第１ｎ側中間層と、第１ｎ側中間層と第１障壁層との間に設けられた第１ｐ側中間層と、を含む。第１ｎ側中間層のＩｎ組成比は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう第１方向に沿って低下する。第１ｐ側中間層のＩｎ組成比は、第１方向に沿って低下する。第１ｐ側中間層のＩｎ組成比の第１方向に沿った平均の変化率は、第１ｎ側中間層のＩｎ組成比の第１方向に沿った平均の変化率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層と、電極と、ｐ形半導体層と、発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。ｐ形半導体層は、ｎ形半導体層と電極との間に設けられる。ｐ形半導体層は、電極に接するｐ側コンタクト層を含む。発光層は、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられる。ｐ形半導体層は、ｐ側コンタクト層と発光層との間に設けられ、ｐ形不純物濃度がｐ形コンタクト層のｐ形不純物濃度よりも低いｐ形層を含む。ｐ側コンタクト層は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう第１方向に突出した複数の突起部を含む。複数の突起部の第１方向に対して垂直な平面内における密度は、５×１０^７個／ｃｍ^２以上、２×１０^８個／ｃｍ^２以下である。複数の突起部に含まれるＭｇの濃度は、突起部以外の部分に含まれるＭｇの濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】素子寿命を改善できる窒化物発光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体領域１３−１は、活性層１５−１上に設けられ、また第１領域１３ａ−１及び第２領域１３ｂ−１を含む。第２領域１３ｂ−１は第１領域１３ａ−１に沿って延在する。第１領域１３ａ−１はリッジ部を含み、リッジ部はｐ型導電性を有する。第１領域１３ａ−１の厚さＴ１３ａ−１は第２領域１３ｂ−１の厚さＴ１３ｂ−１より大きい。III族窒化物半導体領域１３−１は、ｐ型ドーパント及び水素を含む。電極１７−１は、第１領域１３ａ−１のリッジ部の上面１３ｃ−１に接触ＪＣ１−１を成す。活性層１５−１はIII族窒化物半導体からなる。金属層１９−１は、水素化物を形成可能な材料からなり、また第２領域１３ｂ−１上に設けられる。多孔質陽極酸化アルミナ層２１−１は、金属層１９−１上に設けられる。 （もっと読む）

【課題】高効率の光半導体素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられた機能部と、を備えた光半導体素子が提供される。機能部は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう方向に積層された複数の活性層を含む。複数の活性層の少なくとも２つは、多層積層体と、ｎ側障壁層と、井戸層と、ｐ側障壁層と、を含む。多層積層体は、前記方向に交互に積層された複数の厚膜層と厚膜層よりも厚さが薄い複数の薄膜層とを含む。ｎ側障壁層は、多層積層体とｐ形半導体層との間に設けられる。井戸層は、ｎ側障壁層とｐ形半導体層との間に設けられる。ｐ側障壁層は、井戸層とｐ形半導体層との間に設けられる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ基板上に結晶成長する各半導体層の平坦性向上した半導体基板を実現し、この半導体基板を基礎として、特性の高性能化された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型電極３２と、ｎ型電極３１と、ｐ型電極３２に接続され、複数のｐ型窒化物系III−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型積層構造（１６〜２０）と、ｎ型電極３１に接続され、複数のｎ型窒化物系III−Ｖ族化合物半導体であるｎ型積層構造（１１〜１４）と、ｐ型積層構造（１６〜２０）とｎ型積層構造（１１〜１４）との間に形成された窒化物系III−Ｖ族化合物半導体からなる活性層１５とを備え、ｎ型積層構造（１１〜１４）がＳｉを５ｘ１０17ｃｍ-3以上２ｘ１０19ｃｍ-3以下の濃度で含有し、厚さが０．３ｎｍ以上２００ｎｍ以下のドープ層１０と、ドープ層１０よりも活性層１５側に設けられた超格子層１３とを含む。 （もっと読む）

【課題】光強度分布制御層による簡単な構成により２次元フォトニック結晶による回折光の強度を制御することが可能な２次元フォトニック結晶面発光レーザの提供。
【解決手段】基板１０１上に設けられた下部クラッド層１０２と、下部クラッド層上に設けられたキャリアを注入することで発光する活性層１０３と、活性層上に設けられた活性層で発生した光を面内で共振させる２次元フォトニック結晶層１０４を有する２次元フォトニック結晶面発光レーザであって、２次元フォトニック結晶層上に設けられ、該２次元フォトニック結晶層中の光強度分布を制御する光強度分布制御層１０５を備え、下部クラッド層と、活性層と、フォトニック結晶層と、光強度分布制御層と、該光強度分布制御層上に設けられた上部クラッド層と、の積層構造によるスラブ導波路が構成され、光強度分布制御層の屈折率は、スラブ導波路の実効屈折率より大きく、面内での膜厚分布が異なっている。 （もっと読む）

【課題】シリコンおよび炭化ケイ素基板上に堆積されたＧａＮフィルムにおける応力の制御方法、およびこれによって生成されたＧａＮフィルムを提供する。
【解決手段】典型的な方法は、基板を供給すること、および供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上にグレーデッド窒化ガリウム層を堆積させることを含む。典型的な半導体フィルムは、基板と、供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上に堆積されたグレーデッド窒化ガリウム層とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の一面に高い効率で電子線を照射することができ、電子線の加速電圧を高くすることなしに高い光の出力が得られ、しかも、半導体発光素子を効率よく冷却することができる電子線励起型光源を提供する。
【解決手段】電子線源と、この電子線源から放射された電子線によって励起される半導体発光素子とを備えてなる電子線励起型光源において、
前記電子線源は、前記半導体発光素子の周辺に、当該電子線源から放射される電子線が当該半導体発光素子における光が放射される面に入射されるよう配置され、
前記電子線源から放射された電子線の軌道を前記半導体発光素子における光が放射される面に向かって指向させる電界制御用電極が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光面積に依らず横モードがシングルモードで発振でき、出射ビームの偏光を１次元的に揃わせる面発光レーザを提供する。
【解決手段】２次元フォトニック結晶を備えた面発光レーザであって、共振モードは、基本並進ベクトルａ₁、ａ₂が伸びる方向の共振モードを有し、長さ｜ａ₁｜は、ａ₁方向の共振モードにおける共振波長λ₁と、ａ₁方向の共振モードによって決まる実効屈折率ｎ_eff1と、２以上の整数ｐによる関係式｜ａ₁｜＝ｐ×（λ₁／２ｎ_eff1）を満足させ、長さ｜ａ₂｜は、ａ₂方向の共振モードにおける共振波長λ₂と、ａ₂方向の共振モードによって決まる実効屈折率ｎ_eff2による関係式｜ａ₂｜＝λ₂／２ｎ_eff2を満足させ、共振波長λ₁とλ₂は、実効屈折率ｎ_eff2と面発光レーザの外側の外部媒質の屈折率ｎ_outによって記述される関係式λ₂≦２×（ｎ_eff2／（ｎ_out＋ｎ_eff2））×λ₁を満足させる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の一面に高い効率で電子線を照射することができ、電子線源に印加される電圧を高くすることなしに高い光の出力が得られ、しかも、半導体発光素子を効率よく冷却することができる電子線励起型光源を提供する。
【解決手段】電子線源と、この電子線源から放射された電子線によって励起される半導体発光素子とを備えてなる電子線励起型光源において、前記電子線源は、面状の電子線放出部を有し、当該電子線放出部から放射される電子の放射量が２５ｍＡ／ｃｍ² 以下であり、前記半導体発光素子における前記電子線源からの電子線が入射される面から光が放射されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の一面に均一に電子線を照射することができ、しかも、電子線の加速電圧を高くすることなしに高い光の出力が得られ、しかも、半導体発光素子を効率よく冷却することができる電子線励起型光源を提供する。
【解決手段】電子線源と、この電子線源から放射された電子線によって励起される半導体発光素子とを備えてなる電子線励起型光源において、前記電子線源は、面状の電子線放出部を有し、前記半導体発光素子の周辺に配置されており、前記半導体発光素子における前記電子線源からの電子線が入射される面から光が放射されることを特徴とする。 （もっと読む）