【課題】半極性III族窒化物に対して良好な接触抵抗を提供できる、III族窒化物半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体素子４１は、半極性主面を有する基板５５と、基板５５の主面５５ａ上に設けられた窒化ガリウム系半導体層５１と、窒化ガリウム系半導体層５１の主面５１ａに接触を成す電極５３ａとを備える。窒化ガリウム系半導体層５１はその表面が半極性を示すように成長されるけれども、高真空中で窒素ラジカル又はガリウムフラックスを照射しながらの熱処理によりその表面が改質される。改質処理により、窒化ガリウム系半導体層５１の改質された主面５１ａは、元の半極性面から変化して、ｍ面を含むステップ構造を有するものになる。基板５５の主面５５ａは、該III族窒化物半導体のｃ軸方向に延びる基準軸ＶＣ５５に直交する基準平面を基準にして６１度より大きい角度を成す。 （もっと読む）

【課題】新規組成の緑色系蛍光体を提供することを目的とする。
【解決手段】下記式［１］で表される組成を有する
ことを特徴とする蛍光体。
（Ａ_１−ｙ，Ｅｕ_ｙ）Ｄ_６−ｘＥ_ｘＮ_８−ｘＯ_１＋ｘ ・・・ ［１］
（但し、前記式［１］において、
Ａは、Ｂａを必須とするアルカリ土類金属元素を表し、
Ｄは、Ｓｉを必須とする４価の金属元素を表し、
Ｅは、Ａｌを必須とする３価の金属元素を表す。
また、ｘ、およびｙは、以下の式を満たす数を表す。
１＜ｘ≦３
０．０００１≦ｙ≦０．１５） （もっと読む）

【課題】高輝度光源として機能し、かつアイセーフティの高い発光装置、照明装置および車両用前照灯を提供する。
【解決手段】ヘッドランプ１は、レーザ光を出射する半導体レーザ３と、半導体レーザから出射されたレーザ光を受けて蛍光を発する蛍光物質およびレーザ光を拡散させる拡散粒子を含む発光部７とを備えている。半導体レーザから出射されたレーザ光を受けて、発光部に含まれる蛍光物質が発光し、照明光として利用する。レーザ光はコヒーレント性（空間的コヒーレンシ）が高いので、発光部を小さくしても、その発光部に対する励起光の照射効率を高くすることができ、高輝度な照明装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】リッジ部の側方に位置する光の吸収膜に起因する応力を低減すると共に、水平拡がり角のばらつきを抑制でき、水平拡がり角が安定したＦＦＰ特性を実現できるようにする。
【解決手段】リッジ部６ａの両側方及び両側面上に形成され、両側面上において下部よりも上部が厚い第１の誘電体膜７と、第１の誘電体膜７上におけるリッジ部の両側方で且つリッジ部６ａの側面の上から見て第１の誘電体膜７のリッジ部の側面上部分と重ならない領域に形成され、活性層４からの光を吸収する吸収膜８と、第１の誘電体膜の上に、吸収膜を覆うと共にリッジ部側の端部がリッジ部と反対側の端部よりも厚く形成され、共振方向に対して垂直な方向の断面が順メサ形状となる厚膜部を有する第２の誘電体膜９とを備えている。リッジ部は、側面が第１の誘電体膜の上面に対して内側に傾いた順メサ形状を有し、吸収膜のリッジ部側の端部は、第２の誘電体膜の厚膜部の外側の境界位置よりもリッジ部に近接するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤが生じにくい窒化物系の半導体レーザ素子を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ素子は、空洞部１０１ａを有する基板１０１と、基板１０１の上に順次形成された第１導電型の第１クラッド層１２２、活性層１２４及び第２導電型の第２クラッド層１２６を含む半導体層積層体１０２とを備えている。半導体層積層体１０２は、第１の端面１５１と第２の端面１５２との間に延びるストライプ状の光導波路を有している。空洞部１０１ａは、その壁面からその周囲に応力を及ぼし、活性層１２４における光導波路の第１の端面を含む部分におけるバンドギャップは、活性層１２４における他の部分よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】ハイパワー化を達成することができるレーザ光を出射し得る半導体レーザ素子組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子組立体は、半導体レーザ素子１０及び光反射装置７０を備えており、半導体レーザ素子１０を構成する積層構造体はリッジストライプ構造５６を有し、リッジストライプ構造５６の一方の端面５７Ａにおいてレーザ光が出射され、光反射装置７０においてレーザ光の一部が反射されて半導体レーザ素子１０に戻され、レーザ光の残部は光反射装置から外部に出射され、リッジストライプ構造５６の他方の端面５７Ｂにおいてレーザ光が反射され、リッジストライプ構造の最小幅をＷ_min、最大幅をＷ_maxとしたとき、１＜Ｗ_max／Ｗ_min＜３．３、又は、６≦Ｗ_max／Ｗ_min≦１３．３を満足する。 （もっと読む）

【課題】
窒化物半導体レーザ素子の共振器面に、レーザ光出射部に対応した光吸収層を加工による損傷を軽減して製造することを目的とする。
【解決手段】
導波路領域の端部に共振器面を有する窒化物半導体層を形成する工程と、
前記共振器面上に、反射ミラーと、保護膜と、光吸収層とを順次形成する工程と、
前記光吸収層に前記導波路領域に対応する開口部を形成する開口部形成工程とを具備する窒化物半導体レーザ素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】凸状のリッジ部を有する窒化物半導体レーザ装置において、リッジ部とそれに接続される電極とのコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】リッジ部１６Ａの上方に厚い膜厚の酸化シリコン膜１８を堆積し、リッジ部１６Ａが形成された領域とその周囲との実効的な段差を大きくする。これにより、リッジ部１６Ａの両側に塗布されたフォトレジスト膜２２の膜厚を厚くすることができるので、フォトレジスト膜２２を露光する際の露光光量を調節することによって、リッジ部１６Ａの両側にフォトレジスト膜２２の未露光部分を残す際、その上面の高さ（未露光部分の膜厚）を高い寸法精度で制御することができる。 （もっと読む）

【課題】接合済みの半導体レーザ素子が本来の接合位置からずれるのを抑制しつつ、熱履歴に起因する半導体レーザ素子の発光特性などの劣化を抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】この３波長半導体レーザ装置１００（半導体レーザ装置）は、ステム１と、位置合わせ部６０を有し、ステム１の表面上に接合された基台４と、基台４の表面上に接合された青紫色半導体レーザ素子２０とを含む青紫色半導体レーザ素子部２と、位置合わせ部６０に対応するように形成された位置合わせ部７０を有し、ステム１の表面上に接合された基台５と、基台５の表面上に接合された２波長半導体レーザ素子３０とを含む２波長半導体レーザ素子部３とを備える。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層上の窒化物半導体の活性層と、活性層上のｐ型窒化物半導体層と、を備える。そして、ｐ型窒素化物半導体層が窒化アルミニウムガリウム層を含み、窒化アルミニウムガリウム層中のインジウム濃度が１Ｅ１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１Ｅ２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、炭素濃度が６Ｅ１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、マグネシウム濃度をＸ、アクセプタ濃度をＹとした場合に、
Ｙ＞｛（−５．３５ｅ１９）^２−（Ｘ−２．７０ｅ１９）^２｝^１／２−４．６３ｅ１９
である。 （もっと読む）

【課題】ＭｇドープＡｌＧａＮで構成されたｐ型クラッド層１６からなる凸状のリッジ部を有する窒化物半導体レーザ装置の特性を向上させる。
【解決手段】ＭｇドープＡｌＧａＮで構成されたｐ型クラッド層１６をドライエッチングしてリッジ部１６Ａを形成した後、熱リン酸を用いてｐ型クラッド層１６の表面をウェットエッチングすることにより、リッジ部１６Ａの両側のｐ型クラッド層１６の深さ（膜厚）の制御性を確保しつつ、リッジ部１６Ａの側面のダメージ層を除去することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】製造上の制限に縛られることなくフォトニック結晶層への光閉じ込め係数を向上させることが可能となるフォトニック結晶面発光レーザを提供する。
【解決手段】活性層と、活性層の面に平行な方向に共振モードを有するフォトニック結晶層とを含み構成された導波路を備え、波長λで発振するフォトニック結晶面発光レーザであって、
前記導波路は、活性層の面に平行な方向に導波する波長λの光に対して高次の横モードを示す高次導波モードを少なくとも１つ有し、
前記活性層と前記フォトニック結晶層の間に、隣接する層より屈折率の低い低屈折率層が配置された構成を備え、
前記高次導波モードの光強度分布のピークのうち少なくとも１つを、前記フォトニック結晶層と前記低屈折率層との間に位置させる。 （もっと読む）

【課題】 眼底用ＯＣＴ装置に適した短い波長で高速に波長挿引可能な光源装置を提供する。
【解決手段】 光を増幅させる光増幅媒体と、光共振器と、を備えた発振波長を変化可能な光源装置であって、前記光共振器は、前記光増幅媒体の一方の側に位置する第一の反射部材と、前記光増幅媒体の他方の側に位置する第二及び第三の反射部材を有して構成され、該第二及び第三の反射部材は前記光増幅媒体で増幅された光の光束を該光束の径方向に空間的に分離した状態で前記光増幅媒体方向に反射するものであり、第一の反射部材と前記光増幅媒体と第二の反射部材とを含んで規定される第一の光路と、第一の反射部材と前記光増幅媒体と第三の反射部材とを含んで規定される第二の光路と、の光路長差を可変とする光路長差調整部材により前記光路長差を変化させて前記発振波長を変化させる光源装置。 （もっと読む）

【課題】極性面と異なる半導体面への電極の接触に良好なコンタクト特性を提供できるIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体素子４１は、III族窒化物半導体からなる主面を有する基板５５と、基板５５の主面５５ａの上に設けられた窒化ガリウム系半導体領域５１と、窒化ガリウム系半導体領域５１の主面５１ａに接触を成す電極５３ａとを備える。窒化ガリウム系半導体領域５１は不純物として酸素を含み、窒化ガリウム系半導体領域５１の酸素濃度は、５×１０^１６ｃｍ^−３より小さい。基板５５の主面５５ａは、該III族窒化物半導体のｃ軸方向に延びる基準軸ＶＣ５５に直交する基準平面を基準にしてゼロより大きい角度を成す。主面５１ａ、５５ａは半極性及び無極性のいずれか一方を有する。 （もっと読む）

【課題】しきい値電流の大きさのばらつきを低減する。
【解決手段】半導体レーザ素子１１は、六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面１７ａを有する支持基板１７と、半極性主面１７ａ上に設けられた、窒化ガリウム系半導体からなる活性層２５を含むレーザ構造体１３とを備える。半極性主面１７ａは、六方晶系III族窒化物半導体の｛２０−２１｝面であるか、若しくは六方晶系III族窒化物半導体の｛２０−２１｝面に対してｃ軸の方向に−０．２度以上０．２度以下の範囲内で傾斜している。レーザ構造体１３は、レーザ共振器の共振端面を構成する一対の割断面２７，２９を有する。一対の割断面２７，２９は、六方晶系III族窒化物半導体のｃ軸と、半極性主面１７ａの法線軸とによって規定される面とそれぞれ交差する。 （もっと読む）

【課題】劈開の歩留まりが低下するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、活性層１２を含み、第１方向（Ａ方向）に沿って延びるリッジ部３（光導波路）が形成された半導体素子層１０と、半導体素子層１０のＡ方向における光出射面２ａ（光導波路の端面）から第２方向（Ｂ２方向）に離間した位置に形成された底部５ｃを含む凹部５とを備える。そして、凹部５の底部５ｃには、Ｂ２方向に沿って延びるとともに他の部分よりも深い深底部５ｇが設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ発光パターンを改善することにより、発光効率を向上させることが可能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体発光素子）は、成長主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、このＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に成長された窒化物半導体各層１１〜１８とを備えている。そして、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａが、ｍ面に対して、ａ軸方向およびｃ軸方向の各方向にオフ角度を有する面からなり、ａ軸方向のオフ角度が、ｃ軸方向のオフ角度より大きい角度となっている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体レーザ素子をＯｐｅｎ−Ａｉｒパッケージで動作させた場合においても、電圧上昇を引き起こすことなく、安定に長時間動作することができる窒化物半導体発光素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板であるｎ型ＧａＮ基板１０１と、ｎ型ＧａＮ基板１０１上に形成されたｐ型窒化物半導体層を含む窒化物半導体層とを備え、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮコンタクト層１０８と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮコンタクト層１０８の下のｐ型ＡｌＧａＩｎＮクラッド層１０７と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮ層１０６からなるｐ型窒化物半導体層に形成された電流注入領域の上方に、窒化シリコン膜から構成される保護膜１１３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体積層体の結晶欠陥密度が低減可能な窒化物半導体の積層構造およびその製造方法並びに窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体の積層構造は、基板１０、第１バッファ層１２、第１結晶層１４、第２バッファ層１６、第２結晶層２０とを備える。基板１０には、段差部１０ｄが形成されている。第１バッファ層１２は、ＩｎＡｌＧａＮを含み、段差下面１０ｂと段差側面１０ｃとを覆う。第１結晶層１４は、前記第１バッファ層１２の上に設けられ、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記基板１０の上面１０ａよりも上方に設けられた上面１４ａを有する。第２バッファ層１６は、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記第１結晶層１４の前記上面１４ａと前記基板１０の前記上面１０ａとを連続して覆う。第２結晶層２０は、前記第２バッファ層１６を覆い、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記第１の面２０ａを有する。 （もっと読む）

【課題】ジャンクションダウンで実装する場合であっても電流のリークを抑えることができるレーザダイオードを提供する。
【解決手段】レーザダイオード１０は、半導体基板１２の主面１２ａ上に設けられ、該主面１２ａに沿って延びる光共振器を含む半導体積層構造１４と、半導体積層構造１４の上に設けられたアノード電極１６とを備える。光共振器の一対の端面をそれぞれ含む半導体積層構造１４の一対の側面１４ａ，１４ｂには、誘電体膜６２，６４が形成されている。半導体積層構造１４の積層方向における誘電体膜６２，６４の上縁部６２ｃ，６４ｃは、アノード電極１６上にわたって延びており、該上縁部６２ｃ，６４ｃの平均粗さは０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。 （もっと読む）