【課題】スペックルノイズ及びキンクの双方を効果的に抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１Ａは、主面１０ａを有する半導体基板１０と、半導体基板１０の主面１０ａ上において主面１０ａに沿った方向Ａ１に並んで設けられ、シングルモードのレーザ光を出射する半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂとを備える。半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂの各々は、方向Ａ１と交差し主面１０ａに沿った方向Ａ２に延びる光導波路構造２１と、方向Ａ２における光導波路構造２１の両端に形成された一対の共振端面２２ａ，２２ｂと、光導波路構造２１に電流を供給する為の電極２３とを有する。半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂの電極２３は互いに短絡されている。半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂの各々から出射されるレーザ光は、互いに重なってマルチモードのレーザ光となる。 （もっと読む）

【課題】２次元フォトニック結晶と、これと同一周期の網目構造を有する放熱層との位置合わせをすることなく同時に形成することができ、放熱特性が良く、光学特性を損なうことを抑制することが可能となるフォトニック結晶面発光レーザ等を提供する。
【解決手段】フォトニック結晶面発光レーザであって、基板１０１上の活性層１０４で発光した光を面内で共振させる、第１の半導体１０６ａ及び第１の半導体よりも低屈折率の低屈折率媒質１０６ｂとが２次元的に配置された２次元フォトニック結晶層１０６と、２次元フォトニック結晶層上の第２の半導体を有する層１０７と、第２の半導体を有する層上の放熱層１０８と、を有し、放熱層は、第２の半導体よりも熱伝導率の高い材料からなる放熱部１０８ａと、第３の半導体１０８ｂとで構成され、放熱部は第１の半導体の上部に形成される。 （もっと読む）

【課題】信頼性の低下を抑制しながら、低コスト化に対応することが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体レーザ素子は、ｎ型ＧａＮ基板３０１と、ｎ型ＧａＮ基板３０１上に形成された窒化物半導体層２０と、窒化物半導体層２０に形成され、所定方向に延びる導波路３０と、導波路３０と平行な一対の側端面と、窒化物半導体層２０上に形成され、導波路３０に電流を供給するためのｐ側パッド電極１３と、窒化物系半導体レーザ素子の種類を判別するためのマーカ部３２０、３３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高性能な窒化物系III−Ｖ族化合物半導体素子を歩留まり良く安価に製造する。
【解決手段】基板１１上に、高炭素濃度Ａｌ−Ｎ系化合物半導体単結晶層からなる第１バッファ層１２、低炭素濃度Ａｌ−Ｎ系化合物半導体単結晶層からなる第２バッファ層１３をエピタキシャル成長し、その上に、不純物元素を故意にドープしない第１の窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１４を、平坦化が不十分な状態でエピタキシャル成長し、その上に、ゲルマニウム（Ｇｅ）を濃度１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上含むように、第２の窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１６をエピタキシャル成長し、その上に、素子構造部（２１〜２９）をエピタキシャル成長する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】高効率で低動作電圧の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ形半導体層、ｐ形半導体層、発光部、ｐ側電極を備えた半導体発光素子において、発光部はｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられ、複数の障壁層と複数の障壁層の間に設けられた井戸層とを含む。ｐ側電極はｐ形半導体層に接する。ｐ形半導体層は第１〜第４ｐ形層を含む。第１ｐ形層５１はｐ側電極に接し第１濃度でｐ形不純物を含む。第２ｐ形層５２は第１ｐ形層と発光部との間において発光部に接し、Ａｌを含み第１濃度よりも低い第２濃度でｐ形不純物を含む。第３ｐ形層５３は第１ｐ形層５１と第２ｐ形層５２との間に設けられ、第２濃度よりも低い第３濃度でｐ形不純物を含む。第４ｐ形層５４は第２ｐ形層５２と第３ｐ形層５３との間に設けられ、ｐ形不純物の濃度はｎ形半導体層からｐ形半導体層への方向に沿って第２濃度から第３濃度に漸減する。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮ（窒化アルミニウム）基板上に作られた発光ダイオードにおいて、ＡｌＮ基板による光吸収を低減する。
【解決手段】１層以上の層１５０をバルク結晶ＡｌＮ基板１４０上にエピタキシャル成長させる。これらのエピタキシャル層は同層のエピタキシャル成長の初期表面である表面１０１を含む。ＡｌＮ基板はエピタキシャル成長の大部分の初期表面を覆って実質的に除去される。 （もっと読む）

【課題】バルクＡｌＮ上にエピタキシャル成長させた１層以上の層からバルク窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を実質的に除去する方法を提供する。
【解決手段】このバルクＡｌＮはエッチング処理中にエッチング液へさらされる。エッチング処理中、バルクＡｌＮの厚さを測定しこれをエッチングを調整するために使用することができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤによる動作不良を低減できると共に放熱能力の低下も縮小できる構造を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】レーザ共振器となる第１及び第２の割断面２７、２９が、ｍ−ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。割断面２７、２９は、ｃ面、ｍ面又はａ面等のへき開面とは異なる。半導体領域１９は、導波路ベクトルＬＧＶの方向に延在する第１〜第３領域１９ｂ〜１９ｄを含む。絶縁膜３１の開口３１ａは半導体領域１９の第３領域１９ｄのリッジ構造上に位置する。電極１５では、パッド電極１８の第１〜第３電極部１８ｂ〜１８ｄは、半導体領域１９の第１〜第３領域１９ｂ〜１９ｄ上にそれぞれ設けられている。第１電極部１８ｂは、割断面２７の縁に到達するアーム部１８ｂ＿ＡＲＭ１を有する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の増加を縮小可能な、窒化物半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】誘電体マスク３５ａを用いて犠牲膜３３から金属膜３１を介して窒化物半導体領域３９までのエッチングを行って、リフトオフ層３３ａ、電極３１ａ及びエッチングされた窒化物半導体領域４１を形成すると共に、窒化物半導体領域３９の半極性主面３９ａをエッチングして半導体リッジ４１ａを形成する。このエッチング中に、リッジ部４１ａの形成のためにエッチングされるIII族窒化物半導体表面の面方位に依存して、エッチングされた表面４１ｂにはピラー状の微小突起４３が形成される。半極性面では、微小突起の生成がｃ面に比べて生成されやすい。エッチングにおける基板温度が摂氏６０度以上摂氏２００度以下の範囲にあるとき、微小突起の面密度の増大を避けることができる。 （もっと読む）

【課題】短波長かつ大出力のレーザ素子を利用した光学モジュールにおいて、気密封止されない光学部品の汚染を防止する。
【解決手段】光学部品（１０、２０、３０、４０、５０）は、波長４６０ｎｍ以下のレーザ光αを出射もしくは透過させるものであって、その表面上には少なくとも一部に誘電体膜からなる第１のコーティングＡが施されており、第１のコーティングＡ上には、貴金属もしくは白金族元素を含有した誘電体膜からなる第２のコーティングＢが施されている。 （もっと読む）

【課題】上部クラッド層とｐ型半導体層との接触抵抗を低減しつつ、上部クラッド層の形成時間の短縮を図ることができる半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】半導体レーザ素子１０１は、ｎ型クラッド層１４、ｎ型クラッド層１４上に形成されたｎ型ガイド層１５、ｎ型ガイド層１５上に形成された発光層１０、および発光層１０上に形成されたｐ型半導体層１２を備え、ｐ型半導体クラッド層を有しない窒化物半導体積層構造２と、ｐ型半導体層１２上に形成された透明電極５とを含む。透明電極５は、酸化インジウム系の材料からなる第１導電性膜２１と、第１導電性膜２１上に形成され、酸化亜鉛系、酸化ガリウム系または酸化錫系の材料からなる第２導電性膜２２とを含む。 （もっと読む）

【課題】半極性面上への半導体発光素子の作製において窒化物半導体領域に接触を成す電極上へ保護層のせり出しを低減することを可能にする、窒化物半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体リッジ４２ａを形成した後に、窒化物半導体領域４２及び誘電体マスク３８ａ上に絶縁膜４６を形成する。絶縁膜４６の第１部分４６ａは、半導体リッジ４２ａ上の誘電体マスク３８ａの上面３８ｂ及び側面３８ｃ並びに樹脂犠牲層３６ａの側面３６ｃに成長され、絶縁膜４６の第２部分４６ｂは、窒化物半導体領域４２のエッチングされた表面４２ｂ、半導体リッジ４２ａの側面４２ｃ、電極３４ａの側面３４ｃ上に成長される。リフトオフにより樹脂犠牲層３６ａを除去することにより絶縁膜４６の第１部分４６ａを除去して、絶縁膜４６の第２部分４６ｂからなる保護層４８を窒化物半導体領域４２上に形成する。 （もっと読む）

【課題】吸収係数の小さい光吸収部を制御性良く作製することができ、垂直放射角を精度良く制御できる素子を安定的に作製可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型クラッド層、活性層及びｐ型クラッド層を少なくとも有し、ストライプ状の導波路が設けられた窒化物系半導体レーザ素子であって、前記ｎ型クラッド層の少なくとも一部に、ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントが共ドープされている窒化物系半導体レーザ素子とした。 （もっと読む）

【課題】透明電極をクラッドとして機能させ、かつ活性層に発光ピークを整合させることができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１０１は、ｎ型クラッド層１４、ｎ型クラッド層１４上に形成されたｎ型ガイド層１５、ｎ型ガイド層１５上に形成された発光層１０、および発光層１０上に形成されたｐ型半導体層１２を備えた窒化物半導体積層構造２と、ｐ型半導体層１２上に形成された透明電極５とを含む。ｎ型ガイド層１５は、ＩｎＧａＮ層とＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層（０≦Ｘ＜１）とを周期的に積層した超格子層を有し、この超格子層の平均屈折率が２．６以下である。前記超格子層を構成するＩｎＧａＮ層のＩｎ組成が発光層１０のＩｎＧａＮ量子井戸層のＩｎ組成よりも小さい。前記超格子層が発光層１０に接している。 （もっと読む）

【課題】支持基板上にＩＩＩ族窒化物層が接合していない欠陥領域がない高品質のＩＩＩ族窒化物層複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物層複合基板の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物基板２０にイオン注入領域２０ｉを形成し、ＩＩＩ族窒化物基板２０のイオンが注入された側の主表面側および支持基板１０の主表面側の少なくともひとつに接合用前駆体層４０を形成し、ＩＩＩ族窒化物基板２０と支持基板１０とを接合用前駆体層４０を介在させて接合し、接合用前駆体層４０をリフローさせることにより接合層５０を形成し、ＩＩＩ族窒化物基板２０をイオン注入領域２０ｉにおいて分離してＩＩＩ族窒化物層２１と残りのＩＩＩ族窒化物基板２２とにすることにより、支持基板１０の主表面上に接合層４０を介在させてＩＩＩ族窒化物層２１が接合されたＩＩＩ族窒化物層複合基板１を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性が損なわれることなく比較的小さい接触抵抗と比較的高いキャリア濃度とを有するｐ型のコンタクト層を有するＩＩＩ族窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光層１７の上に設けられたコンタクト層２５ａとコンタクト層２５ａの上に設けられコンタクト層２５ａに直接接するコンタクト層２５ｂとコンタクト層２５ｂの上に設けられコンタクト層２５ｂに直接接する電極３７とを備える。コンタクト層２５ａ及びコンタクト層２５ｂはｐ型の同一の窒化ガリウム系半導体から成り、コンタクト層２５ａのｐ型ドーパントの濃度はコンタクト層２５ｂのｐ型ドーパントの濃度よりも低く、コンタクト層２５ａとコンタクト層２５ｂとの界面Ｊ１はｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面Ｓｃから５０度以上１３０未満の角度で傾斜しており、コンタクト層２５ｂの膜厚は２０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高出力用途に好適なレーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るレーザ素子は、基板と、該基板の上に形成された下部クラッド層と、該下部クラッド層の上に形成された活性層と、該活性層の上に形成された上部クラッド層と、該活性層の上方の層に１００μｍ×１００μｍ以上の大きさで形成された、該活性層で発生した光を該上部クラッド層の上方に回折する２次の回折格子と、該下部クラッド層、該活性層、及び該上部クラッド層を有する共振器の第１端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第１反射膜と、該共振器の該第１端面と反対側の端面である第２端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第２反射膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】開口を有する電流狭窄層上にｐ型クラッド層が再成長された構成を備えるIII族窒化物半導体レーザ素子において、半極性の再成長界面に存在するｎ型不純物による影響を低減する。
【解決手段】半導体レーザ素子１０は、ｎ型半導体領域１４、活性層１６、第１のｐ型半導体領域１８、電流狭窄層２０、及び第２のｐ型半導体領域２２を備える。第２のｐ型半導体領域２２は、電流狭窄層２０の開口２０ａの形成後に第１のｐ型半導体領域１８上及び電流狭窄層２０上に再成長された領域である。第１のｐ型半導体領域１８における第２のｐ型半導体領域２２との界面は、III族窒化物半導体の半極性面を含む。第１のｐ型半導体領域１８は、第１のｐ型半導体領域１８と第２のｐ型半導体領域２２との界面を構成し且つ１×１０^２０ｃｍ^−３以上のｐ型不純物濃度を有する高濃度ｐ型半導体層１８ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い高出力レーザを実現する窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施の形態によれば、基板と、基板上のｎ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層上の窒化物半導体の活性層と、活性層上のｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層に形成されるリッジストライプと、リッジストライプの伸長方向に垂直な、ｎ型窒化物半導体層、活性層およびｐ型窒化物半導体層の端面に形成され、活性層よりもバンドギャップの広い端面窒化物半導体層とを有し、端面窒化物半導体層の、少なくともｐ型窒化物半導体層の端面に形成される領域のＭｇの濃度が、５Ｅ１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５Ｅ１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】光共振器端面の熱拡散を促進することが可能な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板にｎ型半導体層、活性層およびｐ型半導体層をこの順に有する半導体積層構造、並びに前記ｐ型半導体層の上のｐ側電極を有するレーザ構造部と、前記半導体積層構造の対向する二つの側面に設けられた一対の共振器端面と、周囲気体よりも熱伝導率の高い非金属材料により構成され、前記レーザ構造部の上面のうち前記共振器端面の位置を含む領域に設けられた膜とを備えた半導体レーザ素子。 （もっと読む）