【課題】突然劣化を抑え、信頼性を高めることのできる半導体レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】対向する主出射側端面および後方端面を有するレーザ構造部を備え、前記主出射側端面および後方端面の少なくとも一方には、前記レーザ構造部の側から順に、高屈折率膜と、一層以上の膜を含む反射率調整膜との積層膜が形成され、前記高屈折率膜は、前記反射率調整膜のうち最も前記レーザ構造部に近い膜よりも屈折率の高い材料により構成され、前記高屈折率膜の材料は、酸化タンタル，酸化ハフニウム，酸化ジルコニウム，酸化ニオブおよび酸化チタンからなる酸化物と、窒化シリコン，窒化ホウ素，窒化ハフニウムおよび窒化ジルコニウムからなる窒化物と、炭化ケイ素，ダイヤモンド，ダイヤモンド状炭素からなる炭化物とからなる群のうちの少なくとも１種である半導体レーザ。 （もっと読む）

【課題】無極性ガリウム含有基板または半極性ガリウム含有基板（例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、Ａ１ＧａＮ、およびＡｌＩｎＧａＮ）を用いた、高出力で電磁放射を出射するための方法および素子を提供する。
【解決手段】レーザー素子は、緑色レーザー光または青色レーザー光を出射する複数のレーザーエミッタを含む。これらのレーザーエミッタからの放射を光学的に組み合わせるように、少なくとも１つの光学部材が基板に統合されて配置される。 （もっと読む）

【課題】高い発光強度を有する発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、第１導電型のIII−Ｖ族窒化物系半導体からなるクラッド層兼コンタクト層４と、コンタクト層４上に形成されＩｎを含有するIII−Ｖ族窒化物系半導体からなる活性層５と、活性層５上に形成されIII−Ｖ族窒化物系半導体からなるアンドープのキャップ層６と、キャップ層６上に形成され第２導電型のIII−Ｖ族窒化物系半導体からなるクラッド層７とを備える。 （もっと読む）

【課題】駆動電流や光出力が経時的に変動するのを抑制することの可能な光増幅装置を提供する。
【解決手段】ステム１０上の光増幅素子２０は、透過型ＳＯＡと称されるものであり、入射側端面２０Ａに入射した短波長の光を増幅して、入射した光よりも大きな輝度の光を射出側端面２０Ｂから発するようになっている。光増幅素子２０の入射側端面２０Ａおよび射出側端面２０Ｂは共に、その表面に反射防止膜（図示せず）を有している。光増幅素子２０は、ステム１０およびキャップ３０によって封止されており、かつキャップ３０のうち入射側端面２０Ａおよび射出側端面２０Ｂのとの対向部分にそれぞれ光透過窓３２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ウェハの中央部と周辺部とで主表面のオフ角がばらつく基板を用いる場合にも、発光効率がばらつくことを抑制することが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（窒化物系半導体レーザ素子）は、ｎ型ＧａＮ基板１と、活性層１３を有しｎ型ＧａＮ基板１の主表面１ａ上に形成された半導体素子層１０とを備える。半導体素子層１０は、結晶成長面がａ軸方向（［１１−２０］方向）に沿った方向にオフ角度を略有しない主表面（バッファ層１１の主表面１１ｃなど）を有する素子層領域１０ａと、結晶成長面が［１１−２０］方向に沿った方向にオフ角度を有する主表面（主表面１１ｄなど）を有する素子層領域１０ｂとを含み、半導体素子層１０の素子層領域１０ａに、リッジ部３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】複数の井戸層がバリア層を介して積層されてなる活性層を有しつつ動作電圧を低減することが可能な窒化ガリウム系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１は、半極性主面である表面１０ａを有する半導体基板１０と、表面１０ａ上に配置された下部光ガイド層２０ｄと、下部光ガイド層２０ｄ上に配置されると共に５１０〜５５０ｎｍの光を発生可能な量子井戸構造を有する活性層３０と、を備え、量子井戸構造が、ＩｎＧａＮからなる井戸層３０ａと、井戸層３０ａ上に配置されると共に窒化ガリウム系半導体からなるバリア層３０ｂと、バリア層３０ｂ上に配置されると共にＩｎＧａＮからなる井戸層３０ｃと、を有し、バリア層３０ｂのバンドギャップが下部光ガイド層２０ｄのバンドギャップより小さい。 （もっと読む）

【課題】発振歩留まりを改善可能な構造のIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】第１及び第２の割断面２７、２９の各々には、支持基体１７の端面１７ｃ及び半導体領域１９の端面１９ｃが現れる。レーザ構造体１３は第１及び第２の面１３ａ、１３ｂを含み、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。第１及び第２の割断面２７、２９の各々は、第１の面１３ａのエッジから第２の面１３ｂのエッジまで延在する。半導体領域１９はＩｎＧａＮ層２４を含む。半導体領域１９は、ＩｎＧａＮ層２４を含むことができる。割断面２９は、ＩｎＧａＮ層２４の端面２４ａに設けられた段差２６を含む。段差２６は、当該III族窒化物半導体レーザ素子１１の一方の側面２２ａから他方の側面２２ｂへの方向に延在する。段差２６は、割断面２７、２９において、ＩｎＧａＮ層２４の端面２４ａの一部分又は全体的に形成されることができる。 （もっと読む）

【課題】接合時の加熱プロセスに起因して電極層が有するオーミック性が劣化するのを抑制することが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（窒化物系半導体発光素子）は、ｎ型ＧａＮ基板１と、ｎ型ＧａＮ基板１の下面上に形成され、非晶質ＳｉからなるＳｉ層３１とＡｌ層３３とを有するオーミック電極層３０と、オーミック電極層３０のｎ型ＧａＮ基板１とは反対側に形成されたＡｕ層４１を有するパッド電極層４０と、オーミック電極層３０とパッド電極層４０との間に形成されたＰｄからなるバリア層３５とを含むｎ側電極２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】発振歩留まりを改善可能な構造のIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】第１及び第２の割断面２７、２９の各々には、支持基体１７の端面１７ｃ及び半導体領域１９の端面１９ｃが現れる。レーザ構造体１３は第１及び第２の面１３ａ、１３ｂを含み、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。第１及び第２の割断面２７、２９の各々は、第１の面１３ａのエッジから第２の面１３ｂのエッジまで延在する。半導体領域１９はＩｎＧａＮ層２４を含む。半導体領域１９は、ＩｎＧａＮ層２４を含むことができる。割断面２９は、ＩｎＧａＮ層２４の端面２４ａに設けられた段差２６を含む。段差２６は、当該III族窒化物半導体レーザ素子１１の一方の側面２２ａから他方の側面２２ｂへの方向に延在する。段差２６は、割断面２７、２９において、ＩｎＧａＮ層２４の端面２４ａの一部分又は全体的に形成されることができる。 （もっと読む）

【課題】光の回折効率とキャリアの注入効率が高く、且つ、光の吸収を抑えることが可能となるフォトニック結晶面発光レーザ等を提供する。
【解決手段】基板１０１上に、活性層１０４と、該活性層の近傍に設けられ面内方向に共振モードを有する２次元フォトニック結晶層１０５と、を含む複数の半導体層が積層されたフォトニック結晶面発光レーザであって、前記２次元フォトニック結晶層１０５は、前記基板の面内方向に、低屈折率媒質１０５ｂと該低屈折率媒質よりも高屈折率の高屈折率媒質１０５ａとが周期的に配列され、前記低屈折率媒質と前記高屈折率媒質との間に、導電性を備えた側壁部材１０５ｃが配置されて構成されている。 （もっと読む）

【課題】十分な光出力が得られる窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体を有する第１クラッド層１３と、第１クラッド層１３上に形成され、Ｉｎを含む窒化物半導体を有する活性層１４と、活性層１４上に形成されたＧａＮ層１７と、ＧａＮ層１７上に形成され、第１のＡｌ組成比ｘ１を有する第１ＡｌＧａＮ層１８と、第１ＡｌＧａＮ層１８上に形成され、第１のＡｌ組成比ｘ１より高い第２のＡｌ組成比ｘ２を有し、且つＧａＮ層１７および第１ＡｌＧａＮ層１８より多量にＭｇを含有するｐ型第２ＡｌＧａＮ層１９と、第２ＡｌＧａＮ層１９上に形成され、ｐ型窒化物半導体を有する第２クラッド層２０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ジャンクションダウン方式を採用した場合にも、融着時に電流通路部に加えられる熱に起因する半導体レーザ素子の動作電圧の上昇を抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ装置１００は、放熱基台部１と、放熱基台部１に半田層１２を介して接合され、活性層２２およびリッジ部２３ａを含む青紫色半導体レーザ素子２とを備え、半田層１２は、リッジ部２３ａに対応しない領域Ｂに配置されているとともに、青紫色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極２６の下面２６ａは、リッジ部２３ａに対応しない領域Ｂに配置された半田層１２ａおよび１２ｂを介して、放熱基台部１に接合されている。 （もっと読む）

【課題】第１発光領域に対向した可飽和吸収領域の領域に損傷が発生し難い構成、構造を有するバイ・セクション型のＧａＮ系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】第１発光領域４１Ａ、第２発光領域４１Ｂ、及び、これらの発光領域に挟まれた可飽和吸収領域４２、第１電極、第２電極を備え、第２発光領域側の端面からレーザ光が出射され、リッジストライプ構造を有し、第２電極６２は、第１部分６２Ａ、第２部分６２Ｂ及び第３部分６２Ｃから構成されており、第１部分６２Ａにおけるリッジストライプ構造の部分の平均幅をＷ_1-ave、第２部分６２Ｂにおけるリッジストライプ構造の部分の平均幅をＷ_2-aveとしたとき、１＜Ｗ_2-ave／Ｗ_1-aveを満足する。 （もっと読む）

【課題】基板から剥離後の材料層におけるクラックの発生を極力防止することができるレーザリフトオフ方法および装置を提供すること。
【解決手段】基板上に材料層が形成されたワーク３に対し、基板を通してパルスレーザ光を照射領域を刻々と変えながら照射する。レーザ光は、前記ワーク３の移動方向と平行方向に伸びる２辺を有する四角形状に形成され、隣接する各照射領域が重畳するように照射される。基板１から順次に剥離される剥離領域において、基板からはじめて剥離される材料層の剥離辺が２辺になり、かつ、ワークの移動方向と交差する方向に伸びる剥離辺Ａと、剥離済みの領域のワークの移動方向と平行方向に伸びる辺Ｂ´のなす角（未分解領域側から見た角θ１）が鈍角となるように、ワークに対して照射する。これにより、材料層２に割れを生じさせることなく材料層２を基板１から剥離させることができる。 （もっと読む）

【課題】可飽和吸収領域に損傷が発生し難い構成、構造を有するバイ・セクション型のＧａＮ系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、発光領域及び可飽和吸収領域を構成する第３化合物半導体層と第２化合物半導体層が積層されて成り、リッジストライプ構造を有する積層構造体、第２電極並びに第１電極を備え、第２電極は、発光領域に直流電流を流す第１部分と可飽和吸収領域に電界を加えるための第２部分とに分離溝によって分離されており、リッジストライプ構造の両側には第２化合物半導体層露出領域が設けられており、発光領域を構成する第３化合物半導体層の部分から第２化合物半導体層露出領域の頂面までの平均距離をＬ_1-ave、第２電極の第２部分と分離溝との境界において第３化合物半導体層の部分から第２化合物半導体層露出領域の頂面までの距離をＬ₂としたとき、１＜Ｌ₂／Ｌ_1-aveを満足する。 （もっと読む）

【課題】半極性面を用いて５００ｎｍ以上の光のレーザ発振可能なIII族窒化物半導体レーザダイオードを提供する。
【解決手段】活性層２９は波長５００ｎｍ以上の光を発生するように設けられるので、コア半導体領域２９に閉じ込めるべき光の波長は長波長であり、２層構造の第１の光ガイド層２７と２層構造の第２の光ガイド層３１とを用いる。ＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの少なくともいずれか一方からなるクラッド層２１の材料はIII族窒化物半導体と異なると共に第１のエピタキシャル半導体領域１５の厚さＤ１５がコア半導体領域１９の厚さＤ１９よりも厚いけれども、第１〜第３の界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３におけるミスフィット転位密度は１×１０^６ｃｍ^−１以下である。これらの界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３において、ｃ面がすべり面として働いて当該半導体層に格子緩和を生じさせていない。 （もっと読む）

【課題】光共振器のための半導体積層の端面の向きを制御可能なIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】複合基板１７は、へき開性を有する支持基体１６と窒化ガリウム系半導体膜１８との張り合わせ構造を含む。レーザ共振器となる端面２７がｍ−ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を含む半導体領域１９を有する。レーザ構造体１３では、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。端面２７は、第１の面１３ａのエッジ１３ｃから第２の面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。端面２７には、支持基体１６のへき開面と半導体領域１９の端面１９ｃを含む。端面２７は、ドライエッチングにより形成されず、半導体領域１９の端面１９ｃはｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。 （もっと読む）

【課題】動作電圧の増加を抑制しつつ閾値電流を低減することが可能な窒化ガリウム系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１は、半導体基板１０と、半導体基板１０上に配置されると共にｎ型Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ半導体（０．０４≦ｘ≦０．０６）からなる下部光ガイド層２２と、下部光ガイド層２２上に配置された活性層３０と、活性層３０上に配置されると共にＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＮ半導体（０．０１≦ｙ≦０．０３）からなる上部光ガイド層４２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光デバイスウエーハを構成するエピタキシー基板の表面に積層された光デバイス層に損傷を与えることなく光デバイス層を移設基板に円滑に移し変えることができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】エピタキシー基板２０の表面にバファー層２２を介して積層され、格子状に形成された複数のストリート２３により区画された複数の領域に形成された光デバイス層２１の表面に移設基板３を接合する工程と、移設基板３が接合されたエピタキシー基板２０を所定のストリートに沿って切断し、複数のブロック２００に分割する工程と、エピタキシー基板２０の裏面側からエピタキシー基板２０を透過するレーザー光線をバファー層２２に集光点を位置付けて照射することによりバファー層２２を分解する工程と、複数のブロック２００に分割されたエピタキシー基板２０を光デバイス層２１から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】共振器面として、密着性が非常に良好で、十分な放熱性を確保することができ、信頼性の高い窒化物半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】基板と、該基板上に積層され、その表面にリッジを有する窒化物半導体層と、該窒化物半導体層と電気的に接続する電極とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、前記リッジ側面から該リッジ両側の窒化物半導体層の上面にかけて形成されたＡｌ含有窒化物膜からなる第１膜と、前記窒化物半導体層に形成された共振器面と前記窒化物半導体層の上面に形成された前記第１膜を被覆し、かつＡｌ含有窒化物膜からなる第２膜とを備えていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）