【課題】安価で高性能の半導体発光素子、ウェーハ及び半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１半導体層と、活性層と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。第１半導体層は、窒化物半導体を含み第１導電形である。活性層は、第１半導体層の上面の少なくとも一部を覆う第１部分と、第１半導体層の側面の少なくとも一部を覆う第２部分と、を有する。第２半導体層は、第１部分の上面の少なくとも一部を覆う第３部分と、第２部分の側面の少なくとも一部を覆う第４部分と、を有し、窒化物半導体を含み第２導電形である。第１部分の、第１半導体層の上面から活性層の上面に向かう積層方向に沿う厚さは、第２部分の、第１半導体層の側面から第２部分の側面に向かう第１方向に沿う厚さよりも厚い。第３部分の積層方向に沿う厚さは、第４部分の第１方向に沿う厚さよりも厚い。 （もっと読む）

【課題】偏光度を高めることが可能な構造を有する窒化ガリウム系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光ダイオード１１ａは、半導体領域１３と、ＩｎＧａＮ層１５と、活性層１７とを備える。半導体領域１３は半極性を示す主面１３ａを有し、ＧａＮまたはＡｌＧａＮからなる。半導体領域１３の主面１３ａは、該主面１３ａにおける［０００１］軸方向の基準軸Ｃｘに直交する平面Ｓｃに対して角度αで傾斜する。半導体領域１３の厚さＤ_１３はＩｎＧａＮ層１７の厚さＤ_{ＩｎＧａＮ}より大きく、ＩｎＧａＮ層１５の厚さＤ_{ＩｎＧａＮ}は１５０ｎｍ以上を有する。ＩｎＧａＮ層１５は半導体領域１３の主面１３ａの直上に設けられて、主面１３ａに接している。活性層１７は、ＩｎＧａＮ層１５の主面１５ａ上に設けられ、この主面１５ａに接触している。活性層１７は、ＩｎＧａＮ井戸層２１を含む。 （もっと読む）

【課題】発光寿命を改善できる窒化物半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ素子１１の半導体積層１９は、基板１７のｃ面ではなく半極性面１７ａ上に作製される。搭載部材３は、例えば搭載部材主面３ａの第１の熱膨張係数ＣＭ１（Ｅｘ）が搭載部材主面３ａの第２の熱膨張係数ＣＭ２（Ｅｘ）より大きいことを示す熱膨張係数の異方性を有する。また、III族窒化物半導体レーザ素子１１は、III族窒化物半導体レーザ素子１１の第１の熱膨張係数ＣＳ１（Ｅｘ）が半導体発光素子の第２の熱膨張係数ＣＳ２（Ｅｘ）より大きいことを示す熱膨張係数の異方性を有する。この窒化物半導体レーザ装置１では、この半導体レーザ素子は搭載部材３の熱膨張係数の異方性に合わせて向き付けされて、熱膨張係数の異方性を有する搭載部材主面３ａ上に搭載されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、チップに付着及び堆積する汚染物質を低減して発光素子の長寿命化及び動作の安定化を図るとともに、気密封止する構成を必要としない、または、厳密な制御を伴わず容易に気密封止することのできる半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収膜５がレーザチップ１の光出射側の最表面に形成される。光吸収膜５は、酸素欠損膜又は酸化パラジウムを備えるとともに、光が通過する位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】レーザ素子の信頼性を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、光出射面２ａを有する半導体素子層と、端面コート膜８とを備える。端面コート膜８は、窒素を含む窒化物からなり光出射面２ａに接するＡｌＮ膜３１と、ＡｌＮ膜３１の光出射面２ａとは反対側に形成され、各々が酸窒化物からなるＡｌＯＮ膜３２、３３および３４とを含む。そして、ＡｌＮ膜３１に近い側に位置するＡｌＯＮ膜３２の酸素含有率は、ＡｌＮ膜３１から見てＡｌＯＮ膜３２よりも遠い側に位置するＡｌＯＮ膜３３および３４の酸素含有率よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】光閉じ込め性の低下を縮小しながら駆動電圧の低減を可能にする窒化物半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体領域１９では、発光層１３の活性層２５、第１のクラッド領域２１及び第２のクラッド領域２３は主面１７ａ上に設けられる。第２のクラッド領域２３は、第１ｐ型III族窒化物半導体層２７及び第２ｐ型III族窒化物半導体層２９を含む。第１ｐ型III族窒化物半導体層２７はＩｎＡｌＧａＮ層からなり、第２ｐ型III族窒化物半導体層２９は該ＩｎＡｌＧａＮ層と異なる半導体からなる。このＩｎＡｌＧａＮ層は非等方的な歪みを内包する。第１ｐ型III族窒化物半導体層２７は第２ｐ型III族窒化物半導体層２９と活性層２５との間に設けられる。第２ｐ型III族窒化物半導体層２９の比抵抗ρ２９は第１ｐ型III族窒化物半導体層２７の比抵抗ρ２７より低い。 （もっと読む）

【課題】半極性面を主面とするＧａＮ基板を用いた場合でも容易に作製することができ、かつ低閾値電流となる窒化物半導体レーザ素子、それを用いた光源装置およびその窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】｛２０−２１｝面を第１の主面とする窒化ガリウム基板と、窒化ガリウム基板の第１の主面に接して設けられた窒化物半導体厚膜と、窒化物半導体厚膜上に設けられた窒化物半導体レーザ素子層とを備え、窒化物半導体厚膜は、窒化物半導体厚膜の主面である｛２０−２１｝面と８９．９５°以上９０．０５°以下の角度を為す範囲内に｛−１０１７｝面を有する窒化物半導体レーザ素子、それを用いた光源装置およびその窒化物半導体レーザ素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ｍ面基板上で結晶成長させたＧａＮ系半導体素子におけるＡｇ電極の凝集による反射率低下を抑制する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、成長面がｍ面であるｐ型Ａｌ_dＧａ_eＮ層２５を有する窒化物系半導体積層構造２０を形成する工程（ａ）と、ｐ型Ａｌ_dＧａ_eＮ層２５の成長面１３に接するＡｇ電極３０を形成する工程（ｂ）と、を含み、前記工程（ｂ）は、厚さが２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下のＡｇ電極３０を形成する工程（ｂ１）と、Ａｇ電極３０を４００℃以上６００℃以下に加熱する工程（ｂ２）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 漏れ光の入射を低減しつつ、反射戻り光を発生しにくい構成のフォトニック結晶面発光レーザアレイを提供する。
【解決手段】 レーザ発振を起こす複数の第１のフォトニック結晶領域と、面外方向への光回折を起こす第２のフォトニック結晶領域と、第２のフォトニック結晶領域の上に設けられている波長λの光を吸収する光吸収体を有する。第１のフォトニック結晶領域の放射係数は、第２のフォトニック結晶領域の放射係数より小さい。 （もっと読む）

【課題】照明光の色温度を変化させる。
【解決手段】ヘッドランプ１０は、レーザ光を出射する半導体レーザ６１と、レーザ光を受けて第１の蛍光を発する第１発光部２ａと、レーザ光を受けて第１の蛍光とは異なるピーク波長を有する第２の蛍光を発する第２発光部２ｂと、第１発光部２ａにおけるレーザ光の照射範囲を一定にした上で、第２発光部２ｂに照射されるレーザ光の照射範囲を変化させる支持部材１１及び支持部材駆動部１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成でスペックルノイズを低減することができるレーザ光源装置を提供する。
【解決手段】全体のレーザ発振波長幅が５ｎｍ〜１０ｎｍに制御され、全体のレーザ発振波長幅の範囲内で０．１〜０．２ｎｍを１刻みとし、１刻み毎に対応する波長のレーザ光を発振する柱状のエミッタを少なくとも１００本以上ずつ有するナノコラムレーザダイオードを備える。 （もっと読む）

【課題】蛍光体や通信素子としての特性に優れたＧａＮ薄膜を得るために、スパッタ法により、低コストで高純度かつ結晶性が良好なＧａＮ薄膜が形成可能なスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】蛍光体用薄膜や通信素子用薄膜のＧａＮ薄膜のスパッタ法による形成において、スパッタリングターゲットを、白色ＧａＮ原料粉末の焼結により得られ、酸素濃度が１．５％以下であり、Ｚｎ含有量が０．１％以下である白色ＧａＮ焼結体により構成する。 （もっと読む）

【課題】端面劣化の発生を抑制しつつ、波長変化に対する反射率の変動量を小さくし、それぞれの波長素子におけるモニター電流の温度変化を抑制することの可能な多波長半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】端面発光型の２波長半導体レーザ素子１の後端面に後端面膜４０が設けられている。後端面膜４０は、屈折率がｎ₁の低屈折率層と屈折率がｎ₃（ｎ₁＜ｎ₃）の高屈折率層の組み合わせを１組とする層がＮ組（Ｎ≧２）積層された層と、屈折率がｎ₂（ｎ₁＜ｎ₂＜ｎ₃）の中間屈折率層とを後端面側から順に含んでいる。低屈折率層、高屈折率層および中間屈折率層の光学膜厚は、後端面に下地層が設けられていない場合には、λ₁とλ₂の間の波長をλ₃としたときに、λ₃／４となっている。 （もっと読む）

【課題】回折格子とその上に形成された半導体層の間に空洞が形成されることなく、その上面が平坦になるように再成長させることができる窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板１１と窒化物半導体層とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、第１及び／又は第２窒化物半導体層１２，１４内に凹凸が形成され、凹凸が形成された半導体層上に、凹凸を埋める半導体層が形成され、凹凸が形成された半導体層は、基板の法線方向に延びる側面と、側面から連続してさらに下方向に延び側面よりも基板の法線方向に対する傾斜が大きい傾斜面と、傾斜面から延び基板表面に水平な底面とを有する凹部を備え、凹部深さが５０〜３００ｎｍである窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】非極性ＩＩＩ族窒化物テンプレートまたは基板上に成長される発光デバイス構造からなるオプトエレクトロニクスデバイスおよびその製作方法を提供する。
【解決手段】
非極性ＩＩＩ族窒化物テンプレートまたは基板上に成長される発光デバイス構造であって、発光デバイス構造の活性領域は、一つ以上の非極性インジウム含有ＩＩＩ族窒化物層からなり、発光デバイス構造は、最大外部量子効率と比べて、１１１Ａ／ｃｍ² の直流密度での外部量子効率が２０％減少することを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス構造を製作するために用いられる。 （もっと読む）

【課題】平坦性が向上した半導体基板を基礎として、特性の高性能化された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型電極３２と、ｎ型電極３１と、ｐ型電極３２に接続され、複数のｐ型窒化物系III−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型積層構造（１６〜２０）と、ｎ型電極３１に接続され、複数のｎ型窒化物系III−Ｖ族化合物半導体であるｎ型積層構造（１１〜１４）と、ｐ型積層構造（１６〜２０）とｎ型積層構造（１１〜１４）との間に形成されたＩｎＧａＮからなる多重井戸構造を備える活性層１５とを備え、ｎ型積層構造が、ＧａＮ層１１と、ＧａＮ層１１上に形成されたドープ層１０と、ドープ層１０上に設けられた窒化物系III−Ｖ族化合物半導体層１２と、窒化物系III−Ｖ族化合物半導体層１２よりも活性層１５側に設けられた超格子層１３とを含む。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能であり容易に作製できる多波長の光半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１Ａは、主面１０ａが第１の面方位を有するＧａＮ基板１０と、主面１０ａの第１の領域上に成長しており、活性層２４を含むレーザ構造部２０と、主面１０ａの第１の領域とは異なる第２の領域に対し接合層４１を介して接合されており、表面４０ａが第１の面方位とは異なる第２の面方位を有するＧａＮ薄膜４０と、ＧａＮ薄膜４０の表面４０ａ上に成長しており、活性層３４を含むレーザ構造部３０とを備える。活性層２４，３４は、Ｉｎを含む井戸層をそれぞれ有し、これらの井戸層の発光波長は互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】エージング後のＣＯＤレベルを向上することができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】光出射部にコート膜が形成されている窒化物半導体発光素子であって、光出射部は、窒化物半導体からなり、コート膜は、アルミニウムの酸窒化物からなり、厚さ方向に酸素の含有量が異なる窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】 光半導体層の結晶性を向上させつつ、発光効率の低下を招きにくくすることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、ｎ型窒化ガリウム系半導体層３と、ｎ型窒化ガリウム系半導体層３上に設けられた、窒化ガリウム系半導体を含む発光層４と、発光層４上に設けられた、発光層４と接するブロック層５を持つｐ型窒化ガリウム系半導体層６とを有し、ブロック層５は、マグネシウムを含有した電子ブロック層５ａと、電子ブロック層５ａよりもマグネシウムの含有量が小さい、厚みが３ｎｍ以下の正孔トンネル層５ｂとが積層されている。このような正孔トンネル層５ｂをブロック層５が有していることから、光半導体層７の結晶性を向上させつつ、発光効率の低下を招きにくくすることができる。 （もっと読む）

【課題】発光素子と受光素子とが一体化された発光素子・受光素子組立体を提供する。
【解決手段】発光素子・受光素子組立体１０は、凸部から成る第１の台座２３が第１面２１に設けられた実装用基板２０、第１の台座２３上に第１面が固定された受光素子３０、並びに、発光素子４０を備え、発光素子３０から出射された光は、受光素子の光通過部３４、第１の台座２３及び実装用基板２０を介して外部に出射され、外部から入射する光は、実装用基板２０及び第１の台座２３を介して受光素子３０に入射し、受光素子３０の第２面３２には、凸部から成る環状の第２の台座３３が設けられており、発光素子４０は第２の台座３３上に固定されている。 （もっと読む）