【課題】窒化物半導体積層体の結晶欠陥密度が低減可能な窒化物半導体の積層構造およびその製造方法並びに窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体の積層構造は、基板１０、第１バッファ層１２、第１結晶層１４、第２バッファ層１６、第２結晶層２０とを備える。基板１０には、段差部１０ｄが形成されている。第１バッファ層１２は、ＩｎＡｌＧａＮを含み、段差下面１０ｂと段差側面１０ｃとを覆う。第１結晶層１４は、前記第１バッファ層１２の上に設けられ、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記基板１０の上面１０ａよりも上方に設けられた上面１４ａを有する。第２バッファ層１６は、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記第１結晶層１４の前記上面１４ａと前記基板１０の前記上面１０ａとを連続して覆う。第２結晶層２０は、前記第２バッファ層１６を覆い、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記第１の面２０ａを有する。 （もっと読む）

【課題】突然劣化を抑え、信頼性を高めることのできる半導体レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】対向する主出射側端面および後方端面を有するレーザ構造部を備え、前記主出射側端面および後方端面の少なくとも一方には、前記レーザ構造部の側から順に、高屈折率膜と、一層以上の膜を含む反射率調整膜との積層膜が形成され、前記高屈折率膜は、前記反射率調整膜のうち最も前記レーザ構造部に近い膜よりも屈折率の高い材料により構成され、前記高屈折率膜の材料は、酸化タンタル，酸化ハフニウム，酸化ジルコニウム，酸化ニオブおよび酸化チタンからなる酸化物と、窒化シリコン，窒化ホウ素，窒化ハフニウムおよび窒化ジルコニウムからなる窒化物と、炭化ケイ素，ダイヤモンド，ダイヤモンド状炭素からなる炭化物とからなる群のうちの少なくとも１種である半導体レーザ。 （もっと読む）

【課題】生産性および製造歩留まりが高い半導体素子の製造方法および低コストの半導体素子を提供すること。
【解決手段】アルミニウムを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１の半導体層と、アルミニウムを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなり、第１の半導体層の上方に位置し、開口パターンを有する第２の半導体層と、第１の半導体層と第２の半導体層との間に位置し、所定のエッチングガスを用いる場合に該第１および第２の半導体層に対してエッチング選択比が大きい材料からなる第３の半導体層とを備えた半導体積層構造を基板上に形成する半導体積層構造形成工程と、第１の半導体層をエッチ停止層として、所定のエッチングガスにて第２の半導体層の開口パターンの下の第３の半導体層をエッチング除去するエッチング工程と、エッチング工程によって第３の半導体層に形成された溝内に第４の半導体層を形成する半導体層形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＴＭモード発振が得られかつ信頼性の高い半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオード７０は、ｎ型（Ａｌ_ｘ１Ｇａ_{（１−ｘ１）}）_０．５１Ｉｎ_０．４９Ｐクラッド層１４および第１および第２ｐ型（Ａｌ_ｘ１Ｇａ_{（１−ｘ１）}）_０．５１Ｉｎ_０．４９Ｐクラッド層１７，１９と、ｎ型クラッド層１４とｐ型クラッド層１７，１９に挟まれたｎ側Ａｌ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ａｓガイド層１１およびｐ側Ａｌ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ａｓガイド層１２と、これらのガイド層１１，１２に挟まれた活性層１０とを含む。活性層１０は、ＧａＡｓ_{（１−ｘ３）}Ｐ_ｘ３層からなる量子井戸層２２１とＡｌ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ａｓ層からなる障壁層２２２とを交互に複数周期繰り返し積層して構成されている。 （もっと読む）

【課題】高い発光強度を有する発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、第１導電型のIII−Ｖ族窒化物系半導体からなるクラッド層兼コンタクト層４と、コンタクト層４上に形成されＩｎを含有するIII−Ｖ族窒化物系半導体からなる活性層５と、活性層５上に形成されIII−Ｖ族窒化物系半導体からなるアンドープのキャップ層６と、キャップ層６上に形成され第２導電型のIII−Ｖ族窒化物系半導体からなるクラッド層７とを備える。 （もっと読む）

【課題】安定的に半導体レーザのメサ形状を得る。
【解決手段】まず、ｎ型ＩｎＰ基板１上に、活性層３を形成する。次いで、活性層３上に、ｐ型Ｉｎ_１−ｘＧａ_ｘＡｓ_ｙＰ_１−ｙ（０≦ｘ≦１；０．３２＜ｙ≦１）であるエッチングストップ層６を形成する。次いで、エッチングストップ層６上に接するように、ｐ型クラッド層７を形成する。次いで、クラッド層７上に接するように、ｐ型コンタクト層８を形成する。次いで、ｐ型コンタクト層８を形成する工程の後、ｐ型コンタクト層８をメサ形状に加工する。次いで、ｐ型クラッド層７を、ｐ型コンタクト層８のメサをマスクとして、塩酸及び酢酸の混合液でエッチングすることにより、ｐ型クラッド層７をメサ形状に加工する。 （もっと読む）

【課題】光利得が高く、低い消費電力で駆動される偏波無依存型光半導体増幅器を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１の上方に形成されるｎ型ＩｎＰクラッド層２と、ＩｎＰ基板１の上方に形成されるｐ型ＩｎＰクラッド層７と、ｎ型ＩｎＰクラッド層２と前記ｐ型ＩｎＰクラッド層７の間に形成され、伸張歪が加えられた光活性層５と、光活性層５とｎ型ＩｎＰクラッド層２の間に、５００ｎｍ以上の厚さに形成され、ＩｎＰと光活性層５の間の大きさのエネルギーバンドギャップ波長を有する化合物半導体から形成されるｎ型ガイド層３と、を有する （もっと読む）

【課題】半導体の構成原子の脱離による欠陥（Ｖ族原子空格子）の誘起または表面モフォロジーの劣化を生じさせずに、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素プラズマを所定の拡散距離に対して、開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面のエッチングが進行する第１の状態か、半導体表面にポリマーが生成される第２の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部１９０１を有するマスク１９００を半導体表面に形成する第１の工程と、メダンプラズマをマスク１９００が形成された半導体表面に照射しつつ、酸素プラズマを開口部１９０１の幅方向にてマスク１９００の端部から開口部へ所定の拡散距離にて拡散させる第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】所望の方向に偏波したレーザ光を射出できること。
【解決手段】面発光レーザ素子３００は、基板１上に下部ＤＢＲミラー２と、活性層４を含む複数の半導体層が積層され円柱状に形成されたメサポスト１５と、メサポスト１５上に形成された上部ＤＢＲミラー１３とを有し、上部ＤＢＲミラー１３の上面部に設けられたアパーチャ１３ａからレーザ光を射出する。上部ＤＢＲミラー１３の少なくとも上面部に、レーザ光に対する光透過性を有する誘電体で形成した保護膜１４を備える。保護膜１４を、全体として積層面方向の断面が円形のメサポスト１５に対し、アパーチャ１３ａを含む所定範囲内で一体に長円状に成膜されて積層し、長軸方向の端部がＰ電極８の上面部からメサポスト１５の側面部を介し、Ｎクラッド層３の上面部まで成膜する。保護膜１４は、応力付加膜として活性層４に対し長軸方向に応力を加える。 （もっと読む）

【課題】ヘキ開の際に金属パッドへの異物の付着を低減することができる光デバイスを提供する。
【解決手段】 １つの基板上に形成された３２個の発光部と、該３２個の発光部におけるｐ側電極と電気的に接続されている３２個の電極パッドとを備えている。そして、ヘキ開工程で、シリコーン付着現象を生じるおそれがある電極パッド１５０は、平面視において、ヘキ開された部分に近い辺の長さが、該ヘキ開された部分に平行な方向の寸法ｄよりも長くなるように設定されている。この場合は、チップ形成基板の厚さが従来よりも厚い場合であっても、保護シートの密着力を低下させることができ、ヘキ開の際に各電極パッドにシリコーンが付着するのを防止することができる。その結果、製造歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】発振歩留まりを改善可能な構造のIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】第１及び第２の割断面２７、２９の各々には、支持基体１７の端面１７ｃ及び半導体領域１９の端面１９ｃが現れる。レーザ構造体１３は第１及び第２の面１３ａ、１３ｂを含み、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。第１及び第２の割断面２７、２９の各々は、第１の面１３ａのエッジから第２の面１３ｂのエッジまで延在する。半導体領域１９はＩｎＧａＮ層２４を含む。半導体領域１９は、ＩｎＧａＮ層２４を含むことができる。割断面２９は、ＩｎＧａＮ層２４の端面２４ａに設けられた段差２６を含む。段差２６は、当該III族窒化物半導体レーザ素子１１の一方の側面２２ａから他方の側面２２ｂへの方向に延在する。段差２６は、割断面２７、２９において、ＩｎＧａＮ層２４の端面２４ａの一部分又は全体的に形成されることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体光装置の特性劣化や信頼性低下を抑制した半導体光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体光装置の製造方法は、活性層を形成する活性層形成工程と、該活性層形成工程後に、リン系ＩＩＩ−Ｖ族半導体層を形成する活性層保護膜形成工程と、該活性層保護膜形成工程後に酸化シリコン系又は窒化シリコン系の膜を形成するシリコン系膜形成工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光半導体素子間の光結合効率の向上と、光半導体素子で生じた熱の放熱性の向上を図る。
【解決手段】光半導体装置１は、第１光半導体素子１０及び第２光半導体素子２０を備える。第１光半導体素子１０は、半導体基板１１上に絶縁層１２を介して設けられた第１光導波路層１５、及び半導体基板１１が露出する凹部１６を含む。第２光半導体素子２０は、第１クラッド層２３、光学的に接続された光活性層２１及び第２光導波路層２２、光活性層２１上の第２クラッド層２４、及び第２光導波路層２２上の薄い第３クラッド層２７を含む。第２光半導体素子２０は、第２クラッド層２４が凹部１６に配置されて、半導体基板１１と熱的に接続され、且つ、第３クラッド層２７が第１光導波路層１５上に配置されて、第２光導波路層２２が第１光導波路層１５と光学的に接続される。 （もっと読む）

【課題】発振閾値電流までのプラズマ効果による発振波長の短波長化、又は発振後の温度上昇に伴う発振波長の長波長化が生じても、活性領域のブラッグモードが常に分布反射鏡領域の有効反射帯域から外れることなく、安定した良好な単一モード発振を得ることのできる、信頼性の高い半導体レーザを実現する。
【解決手段】第１の回折格子１１を有する活性領域１と、第２の回折格子１２を有する分布反射鏡領域２とを備え、第２の回折格子１２は、第１の回折格子１１から伝搬する光の波長に応じて光路を変更する第１の部分１２Ａと、第１の部分１２Ａから入射される光の波長に整合した格子周期を有する、例えば円弧形状の各格子を持つ第２の部分１２Ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】十分な光出力が得られる窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体を有する第１クラッド層１３と、第１クラッド層１３上に形成され、Ｉｎを含む窒化物半導体を有する活性層１４と、活性層１４上に形成されたＧａＮ層１７と、ＧａＮ層１７上に形成され、第１のＡｌ組成比ｘ１を有する第１ＡｌＧａＮ層１８と、第１ＡｌＧａＮ層１８上に形成され、第１のＡｌ組成比ｘ１より高い第２のＡｌ組成比ｘ２を有し、且つＧａＮ層１７および第１ＡｌＧａＮ層１８より多量にＭｇを含有するｐ型第２ＡｌＧａＮ層１９と、第２ＡｌＧａＮ層１９上に形成され、ｐ型窒化物半導体を有する第２クラッド層２０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】第１発光領域に対向した可飽和吸収領域の領域に損傷が発生し難い構成、構造を有するバイ・セクション型のＧａＮ系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】第１発光領域４１Ａ、第２発光領域４１Ｂ、及び、これらの発光領域に挟まれた可飽和吸収領域４２、第１電極、第２電極を備え、第２発光領域側の端面からレーザ光が出射され、リッジストライプ構造を有し、第２電極６２は、第１部分６２Ａ、第２部分６２Ｂ及び第３部分６２Ｃから構成されており、第１部分６２Ａにおけるリッジストライプ構造の部分の平均幅をＷ_1-ave、第２部分６２Ｂにおけるリッジストライプ構造の部分の平均幅をＷ_2-aveとしたとき、１＜Ｗ_2-ave／Ｗ_1-aveを満足する。 （もっと読む）

【課題】可飽和吸収領域に損傷が発生し難い構成、構造を有するバイ・セクション型のＧａＮ系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、発光領域及び可飽和吸収領域を構成する第３化合物半導体層と第２化合物半導体層が積層されて成り、リッジストライプ構造を有する積層構造体、第２電極並びに第１電極を備え、第２電極は、発光領域に直流電流を流す第１部分と可飽和吸収領域に電界を加えるための第２部分とに分離溝によって分離されており、リッジストライプ構造の両側には第２化合物半導体層露出領域が設けられており、発光領域を構成する第３化合物半導体層の部分から第２化合物半導体層露出領域の頂面までの平均距離をＬ_1-ave、第２電極の第２部分と分離溝との境界において第３化合物半導体層の部分から第２化合物半導体層露出領域の頂面までの距離をＬ₂としたとき、１＜Ｌ₂／Ｌ_1-aveを満足する。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生が抑制された窒化物半導体層を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法は、ＧａＮ基板１１を準備する工程と、前記ＧａＮ基板上に、ＧａＮと材料の異なる窒化物半導体からなるバッファ層１２を部分的に形成する工程と、前記バッファ層から前記ＧａＮ基板が露出された第１領域、および、前記バッファ層が形成された第２領域にＧａＮを成長させてＧａＮ層を形成する工程と、前記ＧａＮ層上に窒化物半導体層を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】光共振器のための半導体積層の端面の向きを制御可能なIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】複合基板１７は、へき開性を有する支持基体１６と窒化ガリウム系半導体膜１８との張り合わせ構造を含む。レーザ共振器となる端面２７がｍ−ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を含む半導体領域１９を有する。レーザ構造体１３では、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。端面２７は、第１の面１３ａのエッジ１３ｃから第２の面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。端面２７には、支持基体１６のへき開面と半導体領域１９の端面１９ｃを含む。端面２７は、ドライエッチングにより形成されず、半導体領域１９の端面１９ｃはｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。 （もっと読む）

【課題】半極性面を用いて５００ｎｍ以上の光のレーザ発振可能なIII族窒化物半導体レーザダイオードを提供する。
【解決手段】活性層２９は波長５００ｎｍ以上の光を発生するように設けられるので、コア半導体領域２９に閉じ込めるべき光の波長は長波長であり、２層構造の第１の光ガイド層２７と２層構造の第２の光ガイド層３１とを用いる。ＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの少なくともいずれか一方からなるクラッド層２１の材料はIII族窒化物半導体と異なると共に第１のエピタキシャル半導体領域１５の厚さＤ１５がコア半導体領域１９の厚さＤ１９よりも厚いけれども、第１〜第３の界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３におけるミスフィット転位密度は１×１０^６ｃｍ^−１以下である。これらの界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３において、ｃ面がすべり面として働いて当該半導体層に格子緩和を生じさせていない。 （もっと読む）