【課題】光強度分布制御層による簡単な構成により２次元フォトニック結晶による回折光の強度を制御することが可能な２次元フォトニック結晶面発光レーザの提供。
【解決手段】基板１０１上に設けられた下部クラッド層１０２と、下部クラッド層上に設けられたキャリアを注入することで発光する活性層１０３と、活性層上に設けられた活性層で発生した光を面内で共振させる２次元フォトニック結晶層１０４を有する２次元フォトニック結晶面発光レーザであって、２次元フォトニック結晶層上に設けられ、該２次元フォトニック結晶層中の光強度分布を制御する光強度分布制御層１０５を備え、下部クラッド層と、活性層と、フォトニック結晶層と、光強度分布制御層と、該光強度分布制御層上に設けられた上部クラッド層と、の積層構造によるスラブ導波路が構成され、光強度分布制御層の屈折率は、スラブ導波路の実効屈折率より大きく、面内での膜厚分布が異なっている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、リッジ型導波路とハイメサ型導波路とを同一基板上に有する光導波路、半導体光集積素子において、リッジ型導波路とハイメサ型導波路の境界で発生する光の反射を低減させた構造を提供することを目的とする。
【解決手段】下部クラッド層と、該下部クラッド層の一部分の上層に形成された光を発生する第１コア層と、該下部クラッド層の上層かつ該第１コア層が形成されていない領域に形成された光を吸収する第２コア層と、該第１コア層と該第２コア層の上層に重なるように形成された上部クラッド層とを備え、該第２コア層の屈折率が該第１コア層の屈折率より低く、該第２コア層は、該第１コア層と接触面を有し該接触面と平行な方向の該第２コア層の幅が該接触面から離れる方向に所定幅まで漸減する漸減部と、該漸減部の幅が該所定幅である部分と接触し該所定幅で直線状に形成されたストライプ部とを有する。 （もっと読む）

【課題】垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板の製造において、原料ガスのコストを低減する。垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板におけるｐ型半導体層の不純物濃度を制御する。
【解決手段】ｐ型結晶層を有する垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板であって、ｐ型結晶層が、３−５族化合物半導体からなり、ｐ型不純物原子として炭素原子を含み、かつ、６×１０^１７ｃｍ^−３以上、６×１０^１９ｃｍ^−３以下の濃度の水素原子を含む半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】良好なエッチングの制御性を提供できる化合物半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族化合物半導体からなる半導体基板上１０１にＧａを構成原子として含むコンタクト層１０５を形成し、コンタクト層１０５上にＧａを構成原子として含まないエッチングモニタ層１０６を形成し、エッチングモニタ層上にＧａを構成原子として含むカバー層１０７を形成する半導体層形成工程と、塩素系ガスを用いたドライエッチングにより、カバー層１０７及びエッチングモニタ層１０６を連続してエッチングするエッチング工程と、を含み、エッチング工程では、Ｇａの発光プラズマの波長成分の有無を観察することにより、ドライエッチングを停止するタイミングを制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンおよび炭化ケイ素基板上に堆積されたＧａＮフィルムにおける応力の制御方法、およびこれによって生成されたＧａＮフィルムを提供する。
【解決手段】典型的な方法は、基板を供給すること、および供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上にグレーデッド窒化ガリウム層を堆積させることを含む。典型的な半導体フィルムは、基板と、供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上に堆積されたグレーデッド窒化ガリウム層とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の一面に高い効率で電子線を照射することができ、電子線源に印加される電圧を高くすることなしに高い光の出力が得られ、しかも、半導体発光素子を効率よく冷却することができる電子線励起型光源を提供する。
【解決手段】電子線源と、この電子線源から放射された電子線によって励起される半導体発光素子とを備えてなる電子線励起型光源において、前記電子線源は、面状の電子線放出部を有し、当該電子線放出部から放射される電子の放射量が２５ｍＡ／ｃｍ² 以下であり、前記半導体発光素子における前記電子線源からの電子線が入射される面から光が放射されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の一面に均一に電子線を照射することができ、しかも、電子線の加速電圧を高くすることなしに高い光の出力が得られ、しかも、半導体発光素子を効率よく冷却することができる電子線励起型光源を提供する。
【解決手段】電子線源と、この電子線源から放射された電子線によって励起される半導体発光素子とを備えてなる電子線励起型光源において、前記電子線源は、面状の電子線放出部を有し、前記半導体発光素子の周辺に配置されており、前記半導体発光素子における前記電子線源からの電子線が入射される面から光が放射されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面レリーフ構造の中心位置と電流狭窄構造の中心位置とを精度良く位置合わせでき、基本横モードと高次横モードの間に十分な損失差を導入できる表面レリーフ構造の形成が可能な面発光レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】電流狭窄構造の形成後に、第二のエッチングストップ層及び第三のエッチングストップ層を用いて、半導体層上における誘電体膜の除去と、第一のエッチングストップ層を第２のパターンに沿って除去することを同一工程で実施する。
また、表面レリーフ構造が下層、中間層、上層の三層から構成され、該下層、中間層、上層の合計層厚が１／４波長の奇数倍の光学的厚さ（λ／４ｎの奇数倍、λ：発振波長、ｎ：半導体層の屈折率）とし、
下層の直下が、第二のエッチングストップ層とし、また二のエッチングストップ層の直上に、第一のエッチングストップ層が積層されている構造とする。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、十分な光出力を確保しつつ、電子写真装置の光源として好適な面発光レーザおよび該面発光レーザを用いた画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】 上部ミラーの上部に第１の表面段差構造を有し、第１の領域における光路長と、第２の領域における光路長との差Ｌが、（１／４＋Ｎ）λ＜｜Ｌ｜＜（３／４＋Ｎ）λ（Ｎは整数）を満たす。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の一面に高い効率で電子線を照射することができ、電子線の加速電圧を高くすることなしに高い光の出力が得られ、しかも、半導体発光素子を効率よく冷却することができる電子線励起型光源を提供する。
【解決手段】電子線源と、この電子線源から放射された電子線によって励起される半導体発光素子とを備えてなる電子線励起型光源において、
前記電子線源は、前記半導体発光素子の周辺に、当該電子線源から放射される電子線が当該半導体発光素子における光が放射される面に入射されるよう配置され、
前記電子線源から放射された電子線の軌道を前記半導体発光素子における光が放射される面に向かって指向させる電界制御用電極が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤ破壊をより起こし難い半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、ｎ−クラッド層３、活性層４、ｐ−クラッド層５、メサ構造７−９、ブロック層１３、低損失層１１、コンタクト層１０を具備する。ｎ−クラッド層３は半導体基板２上に、活性層４はｎ−クラッド層３上に、ｐ−クラッド層５は活性層４上に、メサ構造７−９はｐ−クラッド層５の一部上に形成される。ブロック層１３はｐ−クラッド層５及びメサ構造７−９の斜面上に、低損失層１１はメサ構造７−９のメサトップの一部の上に、コンタクト層１０はブロック層１３、低損失層１１及びメサ構造７−９の上に、それぞれ形成される。低損失層１１は、一方の端がメサトップのいずれか一方の端に、他方の端がメサトップの途中にそれぞれ位置するように設けられる。低損失層１１はコンタクト層１０よりもバンドギャップが大きい。 （もっと読む）

【課題】信頼性特性と光学特性とを満足することができる窒化物半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体レーザ装置１００は、基板上に形成された第１の半導体層と、第１の半導体層上に形成された活性層と、活性層上に形成され、リッジ部及び平坦部を有する第２の半導体層と、リッジ部の上に形成された第１電極と、リッジ部の側壁部から平坦部にかけて延在するように形成された誘電体膜とを有する。さらに、フロント端面１００ａから当該フロント端面１００ａとリア端面１００ｂとの間の所定の位置までの領域を領域Ａとし、当該所定の位置からリア端面１００ｂまでの領域を領域Ｂとしたときに、領域Ａにおける誘電体膜から露出する部分のリッジ部の厚みＨ_Aは、領域Ｂにおける誘電体膜から露出する部分のリッジ部の厚みＨ_Bより厚く、少なくとも領域Ａにおいて第１電極はリッジ部に接している。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させた発光素子用エピタキシャルウェハ、及び発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子用エピタキシャルウェハは、ｎ型基板１上に、少なくともＰ（燐）系結晶のｎ型クラッド層３、Ａｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ、又はＧａＡｓなどのＡｓ（砒素）系結晶で形成した量子井戸構造を有する発光層５、及びｐ型クラッド層７が順次積層された化合物半導体と、ｎ型クラッド層３と発光層５との間に、発光層５を構成するＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層とは異なるＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層４とを有している。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、キャップによって封止する封入雰囲気のＨ_２Ｏ濃度を制限することで半導体レーザ素子の寿命の安定性を良好にした半導体レーザ装置を組み立てる組立装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 その室内で、窒化物半導体層が積層されて構成される窒化物半導体レーザ素子が積載されるステム上に、ガスとともに前記窒化物半導体レーザ素子を封入するキャップが接着される組立工程が行われる、外気から密閉可能な組立室と、該組立室内のガス雰囲気の水分濃度を４００ｐｐｍ以下とする水分濃度調整部と、前記組立室内の圧力を調整する第１圧力調整部と、前記組立室と隣接して構成される外気から密閉可能なロードロック室と、前記ロードロック室内の圧力を調整する第２圧力調整部と、を備え、前記第２圧力調整部が真空ポンプであるものとする。 （もっと読む）

【課題】リッジの放熱性を確保するとともに、リッジ直下の活性層に発生する圧縮歪みを抑制することができる窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０の一方の面の上方に形成された第一導電型クラッド層１１と、第一導電型クラッド層１１の上方に形成された活性層１３と、活性層１３の上方に形成され、表面にリッジ１５ａおよび平坦部１５ｂを有する第二導電型クラッド層１５と、リッジ１５ａの側面の下方部および平坦部１５ｂ上に形成された誘電体膜１７と、基板１０の他方の面に形成された第一電極１９と、リッジ１５ａの上方に形成された第二電極２０と、リッジ１５ａおよび平坦部１５ｂを覆うようにして第二電極２０上および誘電体膜１７上に形成された第三電極２１とを有し、リッジ１５ａの側面の少なくとも一部と第三電極２１との間に空洞部１８が介在している。 （もっと読む）

【課題】より強いモード安定性及び低閾値電流動作を有するレーザダイオードの提供。
【解決手段】インデックスガイド型埋め込みヘテロ構造窒化物レーザ構造１００は、第１導波層及び第２導波層並びに前記第１導波層と前記第２導波層との間に配置される多重量子井戸構造１４５を有し、第１、第２及び第３の面を有するリッジ構造１１１と、前記リッジ構造１１１の前記第１、第２及び第３の面の上に存在する埋め込み層１５５とを有する。 （もっと読む）

【課題】モード同期動作が不安定になるという問題の発生を抑制することができ、しかも、大きな出力を得ることができる半導体レーザ装置組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置組立体は、（Ａ）モード同期半導体レーザ素子１０、及び、（Ｂ）外部共振器を構成し、１次以上の回折光をモード同期半導体レーザ素子１０に戻し、０次の回折光を外部に出力する回折格子１００を備えており、モード同期半導体レーザ素子１０と回折格子１００との間に、モード同期半導体レーザ素子１０の光出射端面の像を回折格子上に結像させる結像手段１０１を有する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ層の回折格子が形成された界面で非発光再結合が生じることを抑制すること。
【解決手段】本発明は、基板１０上に設けられ、ＧａＡｓのバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを少なくとも一部に有する活性層１８と、活性層１８上に設けられ、活性層１８から発振される光を伝搬する導波路であるＧａＡｓ層（ＧａＡｓ導波路層２０及び回折格子層２２）と、回折格子層２２の上面に設けられた回折格子２６と、回折格子２６を埋め込むように設けられた埋め込み層２４と、活性層１８と回折格子２６との間に設けられ、活性層１８から回折格子層２２と埋め込み層２４との界面へのキャリアのオーバーフローを抑制するキャリアストップ層３４と、を備える半導体レーザである。 （もっと読む）

【課題】コンタクト層と電極との界面における酸化物の影響を低減可能なIII族窒化物半導体発光素子が提供される。
【解決手段】処理装置１０においてコンタクト層３５を成長すると共に該コンタクト層３５を酸化防止膜８７で覆った第１の基板生産物Ｅ１を処理装置８のエッチャ８ａに配置した後に、処理装置８において第１の基板生産物Ｅ１から酸化防止膜８７を除去して、ｐ型コンタクト層３５の表面を露出させて第２の基板生産物Ｅ２を形成する。通路８ｃのシャッタ８ｄを開けて、処理装置８のエッチャ８ａのチャンバから処理装置８の成膜炉８ｂのチャンバに第２の基板生産物Ｅ２を移動する。処理装置８の成膜炉８ｂのチャンバにおいて、ｐ型コンタクト層３５の露出された表面の上に、電極のための導電膜８９を成長して、第３の基板生産物Ｅ３を形成する。第３の基板生産物Ｅ３を処理装置８の成膜炉８ｂから取り出した後に、導電膜８９のパターン形成を行う。 （もっと読む）

【課題】内側金属電極層を酸化から保護することにより、素子の抵抗値の上昇を防止して、動作電流などの素子特性の悪化を防止する。
【解決手段】内側金属電極層１３５と空気が接触する端面を含む部分を誘電体膜１４０，１４１でカバーすることにより、大気と内側金属電極層１３５との接触を完全に遮断することができる。したがって、従来のように内側金属電極層１３５の空気接触による酸化を防ぐことができるため、内側金属電極層１３５の酸化による劣化の発生を抑制できて、信頼性に優れた半導体レーザ素子２００を得ることができる。 （もっと読む）