【課題】半極性面を主面とするＧａＮ基板を用いた場合でも容易に作製することができ、かつ低閾値電流となる窒化物半導体レーザ素子、それを用いた光源装置およびその窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】｛２０−２１｝面を第１の主面とする窒化ガリウム基板と、窒化ガリウム基板の第１の主面に接して設けられた窒化物半導体厚膜と、窒化物半導体厚膜上に設けられた窒化物半導体レーザ素子層とを備え、窒化物半導体厚膜は、窒化物半導体厚膜の主面である｛２０−２１｝面と８９．９５°以上９０．０５°以下の角度を為す範囲内に｛−１０１７｝面を有する窒化物半導体レーザ素子、それを用いた光源装置およびその窒化物半導体レーザ素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】レーザ素子の信頼性を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、光出射面２ａを有する半導体素子層と、端面コート膜８とを備える。端面コート膜８は、窒素を含む窒化物からなり光出射面２ａに接するＡｌＮ膜３１と、ＡｌＮ膜３１の光出射面２ａとは反対側に形成され、各々が酸窒化物からなるＡｌＯＮ膜３２、３３および３４とを含む。そして、ＡｌＮ膜３１に近い側に位置するＡｌＯＮ膜３２の酸素含有率は、ＡｌＮ膜３１から見てＡｌＯＮ膜３２よりも遠い側に位置するＡｌＯＮ膜３３および３４の酸素含有率よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】半導体光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第１の空孔生成領域、および、第１の空孔生成領域より水素との親和性が高い空孔拡散促進領域を含む半導体層を形成する工程と、密度の異なる２種類の誘電体膜を半導体層上の異なる領域に堆積する工程と、アニール処理により、空孔を第１の空孔生成領域に生成させ、且つ、半導体層に拡散させて、半導体層の領域を混晶化して第１領域を形成し、半導体層の領域に第１領域よりも混晶度の小さい第２領域を形成する工程とを備える製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成でスペックルノイズを低減することができるレーザ光源装置を提供する。
【解決手段】全体のレーザ発振波長幅が５ｎｍ〜１０ｎｍに制御され、全体のレーザ発振波長幅の範囲内で０．１〜０．２ｎｍを１刻みとし、１刻み毎に対応する波長のレーザ光を発振する柱状のエミッタを少なくとも１００本以上ずつ有するナノコラムレーザダイオードを備える。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に赤色レーザと赤外レーザが集積化された半導体レーザ素子において、高温特性及び偏光特性を改善をしながら、小型化を実現する。
【解決手段】基板１０上に、赤色レーザ１と赤外レーザ２とが集積化された半導体レーザ素子５０において、赤色レーザ１及び赤外レーザ２は、リッジ部１０１、２０１の両側方に第１の電極３２で覆われた赤色側ウイング領域１０３ａ、１０３ｂと、第２の電極３４で覆われた赤外側ウイング領域２０３ａ、２０３ｂを有している。赤色側ウイング領域１０３ａ、１０３ｂには、第１のダミーリッジ部１２０ａ、１２０ｂと、複数の第１のウイング溝１０２とが形成され、赤外側ウイング領域２０３ａ、２０３ｂには、第２のダミーリッジ部１２２ａ、１２２ｂと、複数の第２のウイング溝２０２とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】リッジの不具合による素子特性の不安定化を防止することのできる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ素子は、第１導電型のIII−Ｖ族化合物半導体からなる半導体基板１と、半導体基板１上に設けられた第１導電型のIII−Ｖ族化合物半導体からなる第１クラッド層２と、第１クラッド層２上に設けられたIII−Ｖ族化合物半導体からなる活性層３と、活性層３上に設けられた第２導電型のIII−Ｖ族化合物半導体からなる第２クラッド層４と、第２クラッド層４上に隆起してストライプ状に形成され、上面が側面方向に庇状に突出しているリッジ１１とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】無秩序化領域を設けた構造であっても安定した発光特性とできる半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】一対の共振器面を有する半導体レーザ素子は、一対の共振器面に接するｎ型クラッド層３と、ｎ型クラッド層３上に形成され、一対の共振器面に接するＭＱＷ活性層４と、ＭＱＷ活性層４上に形成され、一対の共振器面に接する第１ｐ型クラッド層５と、第１ｐ型クラッド層５上に形成され、一対の共振器面に接するｐ型ＭＱＢ層６と、ｐ型ＭＱＢ層６上に形成され、一対の共振器面に接するｐ型のリッジ部２０とを備え、一対の共振器面それぞれにおいて、リッジ部２０及びその直下のｎ型クラッド層３の途中に至るまでの領域のみが無秩序化領域３０とされて構成されている。 （もっと読む）

【課題】２回以上のバットジョイント工程を含む光集積素子の製造方法において、結晶粒の発生を抑え、光導波路構造の側面の凹凸を低減する。
【解決手段】ＩｎＰ基板上に第１の半導体積層部を成長させ、ＩｎＰ基板の＜０１１＞方向に延びる光導波路予定領域Ａの第１の部分を覆う第１のストライプ状部分３１を含むエッチングマスク３０を形成してウェットエッチングを行い、第２の半導体積層部を選択的に成長させ、光導波路予定領域Ａの第１の部分、及び第１の部分と隣接する第２の部分を覆う第２のストライプ状部分５１を含むエッチングマスク５０を形成してウェットエッチングを行い、第３の半導体積層部を選択的に成長させる。第２のストライプ状部分５１の一対の側縁５１ａを、第１のストライプ状部分３１の一対の側縁３１ａよりも内側（光導波路予定領域Ａ寄り）に形成する。 （もっと読む）

【課題】ストライプ形状の複数の半導体レーザ素子が配列された半導体チップとサブマウントとを接合する場合に、半導体レーザ素子の電極とサブマウント側の対応する配線層の位置合せの許容度を高めて、生産効率を高めることができるマルチビーム半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】サブマウント３０には、配線層３１ａ〜３１ｄが形成されている。半導体チップ４０には、ストライプ状のリッジ部Ｒ１〜Ｒ４が形成されている。リッジ部Ｒ１〜Ｒ４上には、接続電極部４１ａ〜４１ｄが形成されている。ストライプ状のリッジ部の全体を含む範囲を、ストライプ方向を横切る方向で２つのブロックに分割し、かつ、ストライプ方向に沿って２分割して、合計４つの分割領域を生成している。１つの分割領域内に１つの接続電極部を形成し、各接続電極の配置位置を、ストライプ方向を横切る方向に対してすべて異なるように形成する。 （もっと読む）

【課題】回折格子とその上に形成された半導体層の間に空洞が形成されることなく、その上面が平坦になるように再成長させることができる窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板１１と窒化物半導体層とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、第１及び／又は第２窒化物半導体層１２，１４内に凹凸が形成され、凹凸が形成された半導体層上に、凹凸を埋める半導体層が形成され、凹凸が形成された半導体層は、基板の法線方向に延びる側面と、側面から連続してさらに下方向に延び側面よりも基板の法線方向に対する傾斜が大きい傾斜面と、傾斜面から延び基板表面に水平な底面とを有する凹部を備え、凹部深さが５０〜３００ｎｍである窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】温度特性が良く、高速変調が可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】InP基板上の半導体量子井戸構造を活性層とする半導体レーザにおいて、井戸層にはSbを含まないInGaAsPまたはInAsPまたはInGaAsのいずれかを用い、障壁層にはSbを含むInGaPSbまたはInGaAsPSbのいずれかを用いる。このように障壁層にのみSbを含むため、伝導体のバンド不連続を大きくしても、従来の材料よりも価電子帯のバンド不連続を小さくでき、井戸層の数を増加させた際の正孔と電子の不均一な分布の発生を避けることが可能となり、温度特性の改善や高速変調を実現できる。 （もっと読む）

【課題】光信号の伝送効率を向上できる半導体発光素子、半導体発光装置及び半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第１半導体層と、レーザ共振器と、を備える。第１半導体層は、第１部分と、第１部分に並置された第２部分と、を有する。レーザ共振器は、第１部分の上に設けられ、第１半導体層の主面に沿って周回するリング状の共振器構造を有する。第２部分は、レーザ共振器から放出される光を導波する。 （もっと読む）

【課題】発光素子と受光素子とが一体化された発光素子・受光素子組立体を提供する。
【解決手段】発光素子・受光素子組立体１０は、凸部から成る第１の台座２３が第１面２１に設けられた実装用基板２０、第１の台座２３上に第１面が固定された受光素子３０、並びに、発光素子４０を備え、発光素子３０から出射された光は、受光素子の光通過部３４、第１の台座２３及び実装用基板２０を介して外部に出射され、外部から入射する光は、実装用基板２０及び第１の台座２３を介して受光素子３０に入射し、受光素子３０の第２面３２には、凸部から成る環状の第２の台座３３が設けられており、発光素子４０は第２の台座３３上に固定されている。 （もっと読む）

【課題】平坦性が向上した半導体基板を基礎として、特性の高性能化された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型電極３２と、ｎ型電極３１と、ｐ型電極３２に接続され、複数のｐ型窒化物系III−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型積層構造（１６〜２０）と、ｎ型電極３１に接続され、複数のｎ型窒化物系III−Ｖ族化合物半導体であるｎ型積層構造（１１〜１４）と、ｐ型積層構造（１６〜２０）とｎ型積層構造（１１〜１４）との間に形成されたＩｎＧａＮからなる多重井戸構造を備える活性層１５とを備え、ｎ型積層構造が、ＧａＮ層１１と、ＧａＮ層１１上に形成されたドープ層１０と、ドープ層１０上に設けられた窒化物系III−Ｖ族化合物半導体層１２と、窒化物系III−Ｖ族化合物半導体層１２よりも活性層１５側に設けられた超格子層１３とを含む。 （もっと読む）

【課題】
歪みの点から、光半導体装置の偏光無依存性、発光波長ないし吸光波長の長波長化に改良を与える。
【解決手段】
光半導体装置は、第１の格子定数を有する半導体基板と、半導体基板上方に形成され、第１の格子定数より大きな第２の格子定数を有する量子ドットと、半導体基板上方で量子ドットの側面を囲み、第１の格子定数より小さな第３の格子定数を有するサイドバリアと、半導体基板上方で量子ドット及びサイドバリアに接して形成され、第１の格子定数より大きく、前記第２の格子定数より小さな第４の格子定数を有する第１の歪み緩和層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高速で長距離伝送が可能な、アンクールドタイプの電界吸収型変調器集積分布帰還型レーザの提供。
【解決手段】変調器部に位置する活性層の半導体材料及びメサ構造を最適化し、かつ、所定の温度におけるレーザ部の発振波長に対して、レーザ部の利得ピーク波長の適合値及び変調器部のフォトルミネッセンス波長の適合値の範囲を求め、それら適合値の範囲のいずれかの値になるよう設計してレーザ部及び変調器部を作製する。 （もっと読む）

【課題】再成長された半導体層をエッチングしてアライメントマークを掘り出す際に、アライメントマークの複数の凹部の形状の崩れを抑制できるアライメントマーク形成方法及び光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この方法は、組成中にＡｌを含む半導体層１６と、半導体層１６上に成長した半導体層１８とを有する半導体積層物１０において半導体層１８の一部を除去することにより、半導体層１６を底面とする複数の凹部２２を含むアライメントマーク２４を形成する工程と、半導体層１８上および複数の凹部２２上に埋込半導体層２６を成長させる工程と、アライメントマーク２４上に形成された埋込半導体層２６を除去して複数の凹部２２を露出させる工程とを備える。凹部２２の幅を１μｍより大きく且つ６μｍより小さく形成し、凹部２２の深さＤと凹部２２同士の間隔Ｓとの比（Ｓ／Ｄ）を３以上とする。 （もっと読む）

【課題】半極性III族窒化物に対して良好な接触抵抗を提供できる、III族窒化物半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体素子４１は、半極性主面を有する基板５５と、基板５５の主面５５ａ上に設けられた窒化ガリウム系半導体層５１と、窒化ガリウム系半導体層５１の主面５１ａに接触を成す電極５３ａとを備える。窒化ガリウム系半導体層５１はその表面が半極性を示すように成長されるけれども、高真空中で窒素ラジカル又はガリウムフラックスを照射しながらの熱処理によりその表面が改質される。改質処理により、窒化ガリウム系半導体層５１の改質された主面５１ａは、元の半極性面から変化して、ｍ面を含むステップ構造を有するものになる。基板５５の主面５５ａは、該III族窒化物半導体のｃ軸方向に延びる基準軸ＶＣ５５に直交する基準平面を基準にして６１度より大きい角度を成す。 （もっと読む）

【課題】再成長層の厚さの違いを低減可能な半導体集積素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、所定の方向に順に配列された第１の導波路メサ２１〜第３の導波路メサ２３を有する発光素子部２のための第１の半導体積層１００を半導体基板１０の上に設ける工程と、第１の半導体積層１００の上に第１のマスク６０を形成する工程と、第１のマスク６０を用いて第１の半導体積層１００をエッチングする工程と、第１のマスク６０を用いて光変調部３のための第２の半導体積層２００を半導体基板１０の上に成長する工程とを備える。第１のマスク６０、所定の方向に延在する第１のアーム部６１及び第２のアーム部６２と、第１のアーム部６１と第２のアーム部６２との間に設けられ第１のアーム部６１と第２のアーム部６２とを接続する第１のブリッジ部６３及び第２のブリッジ部６４とを有する。 （もっと読む）

【課題】リッジ部の側方に位置する光の吸収膜に起因する応力を低減すると共に、水平拡がり角のばらつきを抑制でき、水平拡がり角が安定したＦＦＰ特性を実現できるようにする。
【解決手段】リッジ部６ａの両側方及び両側面上に形成され、両側面上において下部よりも上部が厚い第１の誘電体膜７と、第１の誘電体膜７上におけるリッジ部の両側方で且つリッジ部６ａの側面の上から見て第１の誘電体膜７のリッジ部の側面上部分と重ならない領域に形成され、活性層４からの光を吸収する吸収膜８と、第１の誘電体膜の上に、吸収膜を覆うと共にリッジ部側の端部がリッジ部と反対側の端部よりも厚く形成され、共振方向に対して垂直な方向の断面が順メサ形状となる厚膜部を有する第２の誘電体膜９とを備えている。リッジ部は、側面が第１の誘電体膜の上面に対して内側に傾いた順メサ形状を有し、吸収膜のリッジ部側の端部は、第２の誘電体膜の厚膜部の外側の境界位置よりもリッジ部に近接するように形成されている。 （もっと読む）