【課題】表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素プラズマを所定の拡散距離に対して、開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面のエッチングが進行する第１の状態、または半導体表面にポリマーが生成される第２の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部１９０１を有するマスク１９００を半導体表面に形成する第１の工程と、メダンプラズマをマスク１９００が形成された半導体表面に照射しつつ、酸素プラズマをマスクの端部にて所定の濃度で前記開口部の幅方向においてマスク１９００の端部から開口部へ拡散させる第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】ハイパワー化を達成することができるレーザ光を出射し得る半導体レーザ素子組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子組立体は、半導体レーザ素子１０及び光反射装置７０を備えており、半導体レーザ素子１０を構成する積層構造体はリッジストライプ構造５６を有し、リッジストライプ構造５６の一方の端面５７Ａにおいてレーザ光が出射され、光反射装置７０においてレーザ光の一部が反射されて半導体レーザ素子１０に戻され、レーザ光の残部は光反射装置から外部に出射され、リッジストライプ構造５６の他方の端面５７Ｂにおいてレーザ光が反射され、リッジストライプ構造の最小幅をＷ_min、最大幅をＷ_maxとしたとき、１＜Ｗ_max／Ｗ_min＜３．３、又は、６≦Ｗ_max／Ｗ_min≦１３．３を満足する。 （もっと読む）

【課題】
回折格子層の結合係数をより改善した光半導体素子を提供することにある。
【解決手段】
凸凹周期構造の回折格子ベース層と、その凸凹構造を埋めるように形成される回折格子カバー層と、を含む回折格子層において、回折格子ベース層凹部上部の回折格子カバー層の屈折率は、回折格子ベース層凸部上部の回折格子カバー層の屈折率よりも大きく、かつ回折格子ベース層の屈折率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】下部ＤＢＲ反射鏡等を構成するＡｌ組成の高いＡｌＧａＡｓ、ＡｌＡｓ等の層の側面からの酸化を防ぐ構造を有する面発光型レーザ技術の提供。
【解決手段】半導体基板の表面上に、下部反射鏡と活性層と電流狭窄層と上部反射鏡とをエピタキシャル成長により形成する半導体層形成工程（ステップＳ１０１）と、半導体層形成工程により形成された半導体膜の一部をエッチングすることによりメサ構造を形成するメサ構造形成工程（ステップＳ１０２）と、半導体層形成工程により形成された半導体膜を半導体基板の表面までエッチングすることにより素子分離溝を形成する素子分離溝形成工程（ステップＳ１０３）と、素子分離溝の壁面、メサ構造の上面および側面に半導体材料からなる再成長層を形成する再成長層形成工程（ステップＳ１０４）と、再成長層上に、絶縁体からなる保護膜を形成する保護膜形成工程（ステップＳ１０５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡素化し、製造時間の短縮を行うことができる面発光半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、ｐ型多層膜反射層２、ｉ型多層膜反射層３、ｎ型多層膜反射層４、ｎ型クラッド層５、活性層６、ｐ型クラッド層７、ｐ型スペーサ層８、ｐ型電流ブロック層９、ｐ型多層膜反射層１０、ｐ型コンタクト層１１が積層されている。面発光レーザ部は、活性層６を半導体反射ミラーで挟んだ共振器により構成される。上部半導体反射ミラーはｐ型多層膜反射層１０で、下部半導体反射ミラーはｐ型多層膜反射層２とｉ型多層膜反射層３とｎ型多層膜反射層４で構成されている。光学的には、共振器の下部半導体反射ミラー内にＰＩＮ接合構造を有する受光部が形成された構造となっている。 （もっと読む）

【課題】作製プロセスにおいて段差構造の形状が変動したとしても、この変動がＦＦＰに与える影響を抑制することができる面発光レーザ、および、該面発光レーザを用いた画像形成装置を提供する。
【解決手段】面発光レーザ１００は、半導体基板１１０上に、下部ミラー１１２、活性層１１４、上部ミラー１１６が積層され、上部ミラー上に凸型の段差構造１５０が設けられている。その第１の領域１６０と第２の領域１６２との間の第３の領域１６５に遮光部材が配されている。 （もっと読む）

【課題】製造工程における歩留りを向上させ、品質の良い面発光レーザを提供する。
【解決手段】面発光レーザ素子１は、アルミニウムを含まない材料からなる基板１ａ上に、第１の半導体多層膜（下部半導体ＤＢＲ１ｂ）と活性層１ｃおよび第２の半導体多層膜（上部半導体ＤＢＲ１ｄ）からなるアルミニウムを含む半導体層１ｅを有しており、この半導体層１ｅを、基板１ａにいたる深さまでエッチングして第１の分離溝１ｆを形成し、半導体層１ｅに保護膜１ｇを形成し、第１の分離溝１ｆの中心部における基板１ａを予め定められた深さまでエッチングして第２の分離溝１ｉを形成し、この第２の分離溝１ｉに沿って分離してなる。 （もっと読む）

【課題】
窒化物半導体レーザ素子の共振器面に、レーザ光出射部に対応した光吸収層を加工による損傷を軽減して製造することを目的とする。
【解決手段】
導波路領域の端部に共振器面を有する窒化物半導体層を形成する工程と、
前記共振器面上に、反射ミラーと、保護膜と、光吸収層とを順次形成する工程と、
前記光吸収層に前記導波路領域に対応する開口部を形成する開口部形成工程とを具備する窒化物半導体レーザ素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】安定で均一な空間横モード動作をさせることのできる端面発光型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】 この端面発光型半導体レーザ素子は、半導体層内に形成された２次元フォトニック結晶４を備えており、電極８の接触領域の一方向を長さ方向（Ｘ軸）とし、この長さ方向及び基板の厚み方向の双方に垂直な方向を幅方向（Ｙ軸）とした場合、２次元フォトニック結晶４は、基板に垂直な方向（Ｚ軸）から見た場合、電極の接触領域を含み接触領域よりも幅方向に広い領域内に位置し、且つ、一方向（Ｘ軸）に沿った間隔毎に屈折率が、ブラッグの回折条件を満たしつつ、周期的に変化する屈折率周期構造を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子自体の温度が上がっても、偏光角の温度変化を小さく抑えることができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】
ｎ型ＧａＡｓ基板１０１から上方に向かって、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層１０４、アンドープＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層１０５、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１０６およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１０８がこの順で配置されている。この第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０６のそれぞれにおいて、多重量子井戸活性層１０５側の部分の基板１０１に対する格子不整合率は、多重量子井戸活性層１０５側とは反対側の部分の基板１０１に対する格子不整合率よりも大きい。これにより、多重量子井戸活性層１０５が発熱しても、多重量子井戸活性層１０５近傍の部分において横方向に縮める応力が作用するようにできる。 （もっと読む）

【課題】素子特性を低下させることなく、長寿命化を図ることができる面発光レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に下部反射鏡、活性層を含む共振器構造体、及び被選択酸化層を含む上部反射鏡が積層された積層体にメサ構造体を形成し（Ｓ４０３）、被選択酸化層の一部を酸化してメサ構造体に電流通過領域を形成し（Ｓ４０５）、電流通過領域を介して活性層に電流を供給するための電極を形成し（Ｓ４１３）、通常のＥＳＤ試験装置と同等の構成を持つ装置を用いて、ｐ側電極とｎ側電極との間に静電耐圧以下の電圧を印加する（Ｓ４２１）。 （もっと読む）

【課題】同一ウエハ面内で素子ごとにエッチング深さが異なる形状を簡単に、且つ精度よく加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面のエッチングが進行する第１の状態か、半導体表面にポリマーが生成される第２の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部１９０１を有する第一のマスク１９００を半導体表面に形成すると共に、第一のマスクの周辺に第一のマスクの開口部に供給される水素プラズマ濃度を制御するための第二のマスクを形成する第１の工程と、メタンプラズマおよび水素プラズマを第一のマスク１９００および第二のマスクが形成された半導体表面に照射する第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】ＭｇドープＡｌＧａＮで構成されたｐ型クラッド層１６からなる凸状のリッジ部を有する窒化物半導体レーザ装置の特性を向上させる。
【解決手段】ＭｇドープＡｌＧａＮで構成されたｐ型クラッド層１６をドライエッチングしてリッジ部１６Ａを形成した後、熱リン酸を用いてｐ型クラッド層１６の表面をウェットエッチングすることにより、リッジ部１６Ａの両側のｐ型クラッド層１６の深さ（膜厚）の制御性を確保しつつ、リッジ部１６Ａの側面のダメージ層を除去することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ｎ型不純物のパイルアップによるｐ型キャリア濃度の低減を抑制したIII−Ｖ族化合物半導体結晶、光半導体素子及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】大気中に暴露されたｐ−ＩｎＰ層１３ａ上に、Ｚｎ及びＳｂを含むｐ−ＩｎＰ層１４ａと、Ｚｎを含むｐ−ＩｎＰ層１４ｂとを順次積層して、ｐ型III−Ｖ族化合物半導体結晶を再成長させると共に、ｐ−ＩｎＰ層１４ａ中におけるＺｎの濃度をｐ−ＩｎＰ層１４ｂ中におけるＺｎの濃度より高くした。 （もっと読む）

【課題】凸状のリッジ部を有する窒化物半導体レーザ装置において、リッジ部とそれに接続される電極とのコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】リッジ部１６Ａの上方に厚い膜厚の酸化シリコン膜１８を堆積し、リッジ部１６Ａが形成された領域とその周囲との実効的な段差を大きくする。これにより、リッジ部１６Ａの両側に塗布されたフォトレジスト膜２２の膜厚を厚くすることができるので、フォトレジスト膜２２を露光する際の露光光量を調節することによって、リッジ部１６Ａの両側にフォトレジスト膜２２の未露光部分を残す際、その上面の高さ（未露光部分の膜厚）を高い寸法精度で制御することができる。 （もっと読む）

【課題】電流の利用効率を高めた半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、第１ｐクラッド層１４上の所定の領域に形成されたリッジ部２と、第１ｐクラッド層１４上におけるリッジ部２の近傍の領域に凹部を介して配置されたランド部３と、リッジ部２に接続する電極２０と備え、ランド部３は、第２ｐクラッド層１６、コンタクト層１８、ｎ型ＧａＡｓ層２１と備え、リッジ部２は、第２ｐクラッド層１６、コンタクト層１８を備え、電極２０はリッジ部２のコンタクト層１８と接続している。 （もっと読む）

【課題】極性面と異なる半導体面への電極の接触に良好なコンタクト特性を提供できるIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体素子４１は、III族窒化物半導体からなる主面を有する基板５５と、基板５５の主面５５ａの上に設けられた窒化ガリウム系半導体領域５１と、窒化ガリウム系半導体領域５１の主面５１ａに接触を成す電極５３ａとを備える。窒化ガリウム系半導体領域５１は不純物として酸素を含み、窒化ガリウム系半導体領域５１の酸素濃度は、５×１０^１６ｃｍ^−３より小さい。基板５５の主面５５ａは、該III族窒化物半導体のｃ軸方向に延びる基準軸ＶＣ５５に直交する基準平面を基準にしてゼロより大きい角度を成す。主面５１ａ、５５ａは半極性及び無極性のいずれか一方を有する。 （もっと読む）

【課題】電流の利用効率を高めた半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、第１導電型の第１クラッド層１２と、第１クラッド層１２上に形成された活性層１３と、活性層１３上に形成された第２導電型の第２クラッド層１４と、第１ｐクラッド層１４上の所定の領域に形成された第２導電型のリッジ部２と、所定の領域とは異なるリッジ部２の近傍領域の第１ｐクラッド層１４上に形成された第１導電型のｎ型イオン注入層１６ａとを含む。 （もっと読む）

【課題】劈開の歩留まりが低下するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、活性層１２を含み、第１方向（Ａ方向）に沿って延びるリッジ部３（光導波路）が形成された半導体素子層１０と、半導体素子層１０のＡ方向における光出射面２ａ（光導波路の端面）から第２方向（Ｂ２方向）に離間した位置に形成された底部５ｃを含む凹部５とを備える。そして、凹部５の底部５ｃには、Ｂ２方向に沿って延びるとともに他の部分よりも深い深底部５ｇが設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ発光パターンを改善することにより、発光効率を向上させることが可能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体発光素子）は、成長主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、このＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に成長された窒化物半導体各層１１〜１８とを備えている。そして、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａが、ｍ面に対して、ａ軸方向およびｃ軸方向の各方向にオフ角度を有する面からなり、ａ軸方向のオフ角度が、ｃ軸方向のオフ角度より大きい角度となっている。 （もっと読む）