【課題】温度調節手段を用いることなく比較的長波長帯でも長距離伝送が可能な半導体レーザモジュールを提供すること。
【解決手段】半導体レーザ部と、該半導体レーザ部の出力側に配置される電界吸収型変調部と、が形成されるレーザ素子と、該レーザ素子を内部に収容する筒状の筐体と、を含む半導体光モジュールであって、前記電界吸収型変調部は、光導波路層を含むとともに上下に電極が配置されるメサ構造と、該光導波路の両側部に隣接して配置される半絶縁半導体からなる埋め込み層と、を含み、前記埋め込み層は、鉄が不純物として添加されたインジウム燐により構成され、リン酸トリブチルを燐の原料とした埋め込み成長法により形成されたり、不純物としてルテニウムが添加されたりする。或いは、前記メサ構造の最上層は、炭素が不純物として添加された半導体により構成され、上側の前記電極に接触する。 （もっと読む）

【課題】利得領域の活性層の温度変化を抑えることができる半導体光集積素子を提供する。
【解決手段】半導体光集積素子１Ａは、所定の光導波方向に並ぶ第１及び第２の領域１０ｃ、１０ｄを含む主面１０ａを有する半絶縁性基板１０と、第１の領域１０ｃ上に設けられ、ｎ型クラッド層２１、活性層２２、及びｐ型クラッド層２３を有する利得領域２０と、第２の領域１０ｄ上に設けられ、下部クラッド層４１、光導波層４２、上部クラッド層４３、及び抵抗体５０（加熱部材）を有する波長制御領域４０とを備える。半絶縁性基板１０は、裏面１０ｂから厚さ方向に延びて主面１０ａの第１の領域１０ｃに至る貫通孔１１を有しており、該貫通孔１１の内部には、半絶縁性基板１０の裏面１０ｂからｎ型クラッド層２１に達する金属部材１２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】選択酸化により電流狭窄構造を製造するに当たり、製造歩留まりの向上を図ることが可能となる垂直共振器型面発光レーザーの製造方法を提供する。
【解決手段】垂直共振器型面発光レーザーの製造方法であって、基板上に、屈折率の異なる複数ペアの積層よる下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０３とを、順に成長させる工程と、活性領域の上部に、中間層１０４を成長させる工程と、中間層をパターニングし、電流狭窄部となる領域を形成する工程と、パターニングされた電流狭窄部となる領域を含む中間層の上に、中間層よりも厚さの薄い選択酸化層１０６と、屈折率の異なる複数ペアの積層よる上部ＤＢＲ１０７とを、順に成長させる工程と、水蒸気酸化により、電流狭窄部となる領域上に形成された選択酸化層以外の選択酸化層を酸化し、水蒸気酸化により酸化されていない電流狭窄部となる領域上の選択酸化層で電流狭窄部１０９を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高性能な窒化物系III−Ｖ族化合物半導体素子を歩留まり良く安価に製造する。
【解決手段】基板１１上に、高炭素濃度Ａｌ−Ｎ系化合物半導体単結晶層からなる第１バッファ層１２、低炭素濃度Ａｌ−Ｎ系化合物半導体単結晶層からなる第２バッファ層１３をエピタキシャル成長し、その上に、不純物元素を故意にドープしない第１の窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１４を、平坦化が不十分な状態でエピタキシャル成長し、その上に、ゲルマニウム（Ｇｅ）を濃度１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上含むように、第２の窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１６をエピタキシャル成長し、その上に、素子構造部（２１〜２９）をエピタキシャル成長する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】歩留りが高く信頼性の高い面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板に対し垂直な方向にレーザ光を出射する面発光レーザにおいて、前記レーザ光が出射される出射面において、前記レーザ光の発光の中心部分の周囲の周辺部分には、前記中心部分よりも反射率を低くするための誘電体膜により形成された透明膜を有し、前記透明膜は、複数に分割されており、前記分割された透明膜は、前記レーザ光の発光の中心に対し、前記レーザ光の偏光方向となる両側、及び、前記偏光方向に直交する方向となる両側の各々に存在しているものであることを特徴とする面発光レーザを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の低下を抑制しながら、低コスト化に対応することが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体レーザ素子は、ｎ型ＧａＮ基板３０１と、ｎ型ＧａＮ基板３０１上に形成された窒化物半導体層２０と、窒化物半導体層２０に形成され、所定方向に延びる導波路３０と、導波路３０と平行な一対の側端面と、窒化物半導体層２０上に形成され、導波路３０に電流を供給するためのｐ側パッド電極１３と、窒化物系半導体レーザ素子の種類を判別するためのマーカ部３２０、３３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】バットジョイント再成長工程において変調器層を再成長させることによる、選択成長マスク近傍の波長ずれを低減する。
【解決手段】バットジョイント再成長工程において変調器層を再成長させるとき、成長圧力条件を５０Ｔｏｒｒ以下にすることで、組成ずれや膜厚ずれを抑えられ、その結果波長ずれを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】高効率で低動作電圧の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ形半導体層、ｐ形半導体層、発光部、ｐ側電極を備えた半導体発光素子において、発光部はｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられ、複数の障壁層と複数の障壁層の間に設けられた井戸層とを含む。ｐ側電極はｐ形半導体層に接する。ｐ形半導体層は第１〜第４ｐ形層を含む。第１ｐ形層５１はｐ側電極に接し第１濃度でｐ形不純物を含む。第２ｐ形層５２は第１ｐ形層と発光部との間において発光部に接し、Ａｌを含み第１濃度よりも低い第２濃度でｐ形不純物を含む。第３ｐ形層５３は第１ｐ形層５１と第２ｐ形層５２との間に設けられ、第２濃度よりも低い第３濃度でｐ形不純物を含む。第４ｐ形層５４は第２ｐ形層５２と第３ｐ形層５３との間に設けられ、ｐ形不純物の濃度はｎ形半導体層からｐ形半導体層への方向に沿って第２濃度から第３濃度に漸減する。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮ（窒化アルミニウム）基板上に作られた発光ダイオードにおいて、ＡｌＮ基板による光吸収を低減する。
【解決手段】１層以上の層１５０をバルク結晶ＡｌＮ基板１４０上にエピタキシャル成長させる。これらのエピタキシャル層は同層のエピタキシャル成長の初期表面である表面１０１を含む。ＡｌＮ基板はエピタキシャル成長の大部分の初期表面を覆って実質的に除去される。 （もっと読む）

【課題】光学部品との結合が容易な半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１０は、モノリシックに形成された発光部２０と光制御部３０とを有する。ｎ型のＧａＡｓ基板１００には、ｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、電流狭窄層１０６と、ｐ型の上部ＤＢＲとが積層される。光制御部３０は、発光部２０で発せられた光を基板の主面と略平行な方向に伝播させ、かつ伝播された光を吸収または増幅する。また、光制御部３０の表面には、反射部１２４が形成され、反射部１２４は、上部ＤＢＲ１０８からから入射された光を収束させ、一定方向へ反射させる。 （もっと読む）

【課題】メサ構造の側面からの樹脂の剥離を抑制できる光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光導波路層１１、クラッド層１２、コンタクト層１３、及びキャップ層１７を半導体基板２上に順次成長させる。エッチングマスク７０をキャップ層１７上に形成し、キャップ層１７に対してウェットエッチングを行う。少なくともコンタクト層１３及びクラッド層１２に対してドライエッチングを行い、メサ構造１４を形成する。メサ構造１４を覆う絶縁膜１５を形成する。半導体基板２上に樹脂を塗布することにより、メサ構造１４を誘電体樹脂層９によって埋め込む。メサ構造１４上の誘電体樹脂層９及び絶縁膜１５に対してエッチングを行い、キャップ層１７を露出させる。キャップ層１７を除去したのち、メサ構造１４上に電極５０を形成する。 （もっと読む）

【課題】バルクＡｌＮ上にエピタキシャル成長させた１層以上の層からバルク窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を実質的に除去する方法を提供する。
【解決手段】このバルクＡｌＮはエッチング処理中にエッチング液へさらされる。エッチング処理中、バルクＡｌＮの厚さを測定しこれをエッチングを調整するために使用することができる。 （もっと読む）

【課題】新規な構造の分布反射レーザ装置である半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、第１半導体層と、第１半導体層上の第１領域に形成された活性層と、第１半導体層上の第２領域に形成され、活性層から放出された光を導波する光導波層と、活性層および光導波層の近傍に配置され、活性層および光導波層を伝わる光を導波方向に反射させる回折格子と、活性層上および光導波層上に形成された第２半導体層と、光導波層上方で、第２半導体層上に形成された絶縁層と、第２半導体層上方に形成され、活性層上方から光導波層上方に延在し、活性層上方では第２半導体層に電気的に接続し、光導波層上方では第２半導体層との間に絶縁層が介在し、光導波層側に延在した部分に電圧が印加される電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層のクラックの発生を防止することが可能な光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光半導体素子の製造方法は、半導体メサ１６を埋め込む埋め込み樹脂領域１８ａを形成する工程（Ｓ６）と、第２絶縁層１９ａ及びレジストマスク２１を形成する工程（Ｓ８）と、レジストマスク２１を用いてエッチングして開口２５を形成する工程（Ｓ９）と、レジストマスク２１を除去した後に、半導体メサ１６の上面１６ｓ及び第２絶縁層１９ａの上に導電層２６を形成する工程（Ｓ１２）と、第２絶縁層１９ａを除去することにより第２絶縁層１９ａの上の導電層２６ｂをリフトオフして半導体メサ１６の上面１６ｓに電極２７を形成する工程（Ｓ１３）と、電極２７を熱処理する工程（Ｓ１４）と、埋め込み樹脂領域１８ａの上に第３絶縁層２８を形成する工程（Ｓ１５）とを備える。 （もっと読む）

【課題】活性層内において「電流を閉じ込め、且つ、光を閉じ込めない」ことが可能な半導体レーザ構造を提供する。
【解決手段】半導体レーザ構造１０では、ｎ型クラッド層２、ｎ型光ガイド層４、多重量子井戸発光層５、ｐ型光ガイド層６、及びｐ型クラッド層８を積層して構成された構造であって、ｎ型クラッド層２内におけるｎ型光ガイド層４と当接する領域、及び、ｐ型クラッド層８内におけるｐ型光ガイド層６と当接する領域のうち、少なくとも一方の領域の両端部にだけ、ｎ型クラッド層２およびｐ型クラッド層４よりも絶縁性の高い材質からなる電流狭窄部３，７を設けるようにした。この構成では、駆動電流が無駄なく活性層に供給され、且つ、活性層内において、光が電流狭窄部３，７に遮られずに増幅される。 （もっと読む）

【課題】上部クラッド層とｐ型半導体層との接触抵抗を低減しつつ、上部クラッド層の形成時間の短縮を図ることができる半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】半導体レーザ素子１０１は、ｎ型クラッド層１４、ｎ型クラッド層１４上に形成されたｎ型ガイド層１５、ｎ型ガイド層１５上に形成された発光層１０、および発光層１０上に形成されたｐ型半導体層１２を備え、ｐ型半導体クラッド層を有しない窒化物半導体積層構造２と、ｐ型半導体層１２上に形成された透明電極５とを含む。透明電極５は、酸化インジウム系の材料からなる第１導電性膜２１と、第１導電性膜２１上に形成され、酸化亜鉛系、酸化ガリウム系または酸化錫系の材料からなる第２導電性膜２２とを含む。 （もっと読む）

【課題】１２μｍ以上、１８μｍ以下の波長を有する赤外線を出射可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、積層体と、誘電体層と、を有する。積層体は、量子井戸層を含む活性層を有し、リッジ導波路が設けられる。また、前記活性層は前記量子井戸層のサブバンド間光学遷移により１２μｍ以上、かつ１８μｍ以下の波長の赤外線レーザ光を放出可能な第１領域と、前記第１領域から注入されたキャリアのエネルギーを緩和可能な第２領域と、が交互に積層されたカスケード構造を有し、前記赤外線レーザ光を前記リッジ導波路が延在する方向に出射可能である。誘電体層は、前記リッジ導波路と直交する断面において、前記積層体の側面の少なくとも一部を両側から挟むように設けられる。前記誘電体層は、光の透過率が５０％に低下する波長が１６μｍ以上であり、前記活性層を構成するいずれの層の屈折率よりも低い屈折率を有する。 （もっと読む）

【課題】多種類のガスの吸収線に一致した、２μｍ波長帯の複数の波長で発振可能な半導体素子、多波長半導体レーザ、多波長半導体レーザモジュール、ガスセンシングシステム及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１１上に複数の波長の光を発する発光層を有する半導体素子であって、発光層が、ＩｎＡｓの井戸層とＩｎＧａＡｓの障壁層からなる量子井戸構造１４ａと、当該量子井戸構造１４ａの一部を無秩序化した他の量子井戸構造１４ｂとからなり、無秩序化により、他の量子井戸構造１４ｂからなる発光層の発する光の波長を、量子井戸構造１４ａからなる発光層の発する光の波長より短波長化した。 （もっと読む）

【課題】結晶性が損なわれることなく比較的小さい接触抵抗と比較的高いキャリア濃度とを有するｐ型のコンタクト層を有するＩＩＩ族窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光層１７の上に設けられたコンタクト層２５ａとコンタクト層２５ａの上に設けられコンタクト層２５ａに直接接するコンタクト層２５ｂとコンタクト層２５ｂの上に設けられコンタクト層２５ｂに直接接する電極３７とを備える。コンタクト層２５ａ及びコンタクト層２５ｂはｐ型の同一の窒化ガリウム系半導体から成り、コンタクト層２５ａのｐ型ドーパントの濃度はコンタクト層２５ｂのｐ型ドーパントの濃度よりも低く、コンタクト層２５ａとコンタクト層２５ｂとの界面Ｊ１はｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面Ｓｃから５０度以上１３０未満の角度で傾斜しており、コンタクト層２５ｂの膜厚は２０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】高出力化に適した半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオード７０は、基板１と、基板１上に結晶成長によって形成された半導体積層構造２とを含む。半導体積層構造２は、ｎ型（Ａｌ_ｘ１Ｇａ_{（１−ｘ１）}）_０．５１Ｉｎ_０．４９Ｐクラッド層１４およびｐ型（Ａｌ_ｘ１Ｇａ_{（１−ｘ１）}）_０．５１Ｉｎ_０．４９Ｐクラッド層１７と、これらのクラッド層１４，１７に挟まれたｎ側Ａｌ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ａｓガイド層１５およびｐ側Ａｌ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ａｓガイド層１６と、これらのガイド層１５，１６に挟まれた活性層１０とを含む。活性層１０は、Ａｌ_ｙＧａ_{（１−ｙ）}Ａｓ_{（１−ｘ３）}Ｐ_ｘ３層からなる量子井戸層２２１とＡｌ_ｘ４Ｇａ_{（１−ｘ４）}Ａｓ層からなる障壁層２２２とを交互に複数周期繰り返し積層して構成されている。 （もっと読む）