【課題】窒化珪素層を形成した場合でも、窒化物半導体層の転移密度を低減することができるとともに、窒化物半導体層の表面モフォロジーを優れたものとすることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】斜めファセットを有する第２の窒化物半導体層を有機金属気相成長法により形成する工程において、有機金属気相成長装置の成長室に供給されるＩＩＩ族元素ガスに対するＶ族元素ガスのモル流量比が２４０以下である窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板と、その上に順次設けられた、下側歪緩和層、中間層、上側歪緩和層及び機能層と、を有する窒化物半導体ウェーハが提供される。中間層は、第１下側層と、第１ドープ層と、第１上側層と、を含む。第１下側層は、下側歪緩和層の上に設けられ下側歪緩和層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。第１ドープ層は、第１下側層の上に設けられ第１下側層の格子定数以上の格子定数を有し１×１０^１８ｃｍ^−３以上１×１０^２１ｃｍ^−３未満の濃度であり第１下側層よりも高い濃度で不純物を含有する。第１上側層は、第１ドープ層の上に設けられ第１ドープ層の格子定数以上で第１下側層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられた発光層と、を備える。前記発光層は、交互に積層された、複数の障壁層と、複数の井戸層と、を含む。前記複数の障壁層のうちで最も前記ｐ形半導体層に近いｐ側障壁層は、III族元素を含む第１層と、前記第１層と積層されIII族元素を含む第２層であって、前記第２層のIII族元素中におけるＩｎ組成比が、前記第１層のIII族元素中におけるＩｎ組成比よりも高い、第２層と、を含む。前記ｐ側障壁層の平均Ｉｎ組成比は、前記複数の障壁層のうちで最もｎ形半導体層に近いｎ側障壁層の平均Ｉｎ組成比よりも高い。 （もっと読む）

【課題】緩和振動周波数の温度による変化が小さい光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子１０は、活性層２４を有するメサ部２０と、メサ部２０を埋め込む埋め込み層３０と、を備え、埋め込み層３０は、活性層２４の屈折率の温度変化係数よりも大きい屈折率の温度変化係数を有し、且つ活性層２４の屈折率よりも大きい屈折率を有する屈折率調整領域３３を有し、屈折率調整領域３３は、埋め込み層３０の高さ方向において、活性層２４と少なくとも一部が重なる位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】 安定したレーザ光を出射可能な端面発光型フォトニック結晶レーザ素子を提供する。
【解決手段】 端面発光型フォトニック結晶レーザ素子１０は、Ｘ軸を囲む４つの端面を有し、端面のうちの１つはレーザ光出射面ＳＦであり、端面のうちのレーザ光出射面ＳＦに対向する面を逆側端面ＳＢとし、端面のうちの残りの一対の端面を側方端面ＳＲ，ＳＬとする。端面発光型フォトニック結晶レーザ素子１０をＸ軸方向から見た場合、上部電極Ｅ２の一端はレーザ光出射面ＳＦに重なり、上部電極Ｅ２と逆側端面ＳＢとは離間し、上部電極Ｅ２と双方の側方端面ＳＲ，ＳＬとは離間し、且つ、活性層３Ｂの一端はレーザ光出射面ＳＦに重なっている。 （もっと読む）

【課題】 高効率なレーザビームを出力可能な半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 この半導体レーザ素子は、半導体からなる下部クラッド層Ｂと、半導体からなる上部クラッド層Ｃと、下部クラッド層Ｂと上部クラッド層Ａとにより挟まれ、積層された複数の半導体層からなり、下部クラッド層Ｂ及び上部クラッド層Ｃのいずれよりも平均屈折率が高いコア層Ａとを備えている。コア層Ａは、量子井戸層からなる活性層３Ｂと、フォトニック結晶層４とを含み、動作時におけるコア層Ａ内の厚み方向の電界強度分布が、２つのピークを有しており、ピーク間の谷の位置は、活性層３Ｂとフォトニック結晶層４との間の領域内に設定されている。 （もっと読む）

【課題】単一モードを有する光ビームを出射し得る発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、（ａ）第１導電型を有する第１化合物半導体層２１、化合物半導体から成る活性層２３、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層２２が、順次、基体２０’上に積層されて成る積層構造体２０、（ｂ）第２電極３２、並びに、（ｃ）第１電極３１を備えており、積層構造体２０は、少なくとも第２化合物半導体層２２の厚さ方向の一部分から構成されたリッジストライプ構造２０Ａを有し、第１化合物半導体層２１は０．６μｍを超える厚さを有し、第１発光素子層２１内には、第１化合物半導体層２１を構成する化合物半導体材料の屈折率よりも高い屈折率を有する化合物半導体材料から成る高屈折率層２４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】動作特性に優れた窒化物半導体発光素子を容易に得られる窒化物半導体基板を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体基板１０１は、基板１１０の主面上に形成された複数の成長阻害領域となるマスク膜１２０と、基板の主面におけるマスク膜から露出する領域の上に形成された複数の第１の窒化物半導体層１１１と、各第１の窒化物半導体層１１１の側面上にのみ成長により形成された複数の第２の窒化物半導体層１１２と、複数の第１の窒化物半導体層１１１及び複数の第２の窒化物半導体層１１２を覆うように成長により形成された第３の窒化物半導体層１１３とを有している。複数の第２の窒化物半導体層は、成長阻害領域の上において互いに隣り合う半導体層同士が接合しておらず、第３の窒化物半導体層は、第２の窒化物半導体層同士が互いに隣り合う領域において接合している。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成したクラックおよび転位が少ない高品位の窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施態様によれば、シリコン基板上に下地層と積層中間層と機能層とが形成された後に、前記シリコン基板が除去された窒化物半導体素子が提供される。前記窒化物半導体素子は、前記下地層と、前記積層中間層と、前記積層中間層と、を備える。前記下地層は、ＡｌＮバッファ層とＧａＮ下地層とを含む。前記積層中間層は、前記下地層と前記機能層との間に設けられる。前記積層中間層は、ＡｌＮ中間層と、ＡｌＧａＮ中間層と、ＧａＮ中間層と、を含む。前記ＡｌＧａＮ中間層は、前記ＡｌＮ中間層に接する第１ステップ層を含む。前記第１ステップ層におけるＡｌ組成比は、前記ＡｌＮ中間層から前記第１ステップ層に向かう方向において、ステップ状に減少している。 （もっと読む）

【課題】発光効率に優れた窒化物半導体レーザ素子を得ること課題とする。
【解決手段】窒化物半導体レーザ素子１００は、ｎ側領域１０、活性領域２０及びｐ側領域３０を順に備える。ｎ側領域１０は、ホールをブロックすることが可能なホールブロック層１１を有し、ｐ側領域３０は、電子をブロックすることが可能な電子ブロック層３１を有する。また、ホールブロック層１１は、電子ブロック層３１よりもバンドギャップエネルギーが大きくなるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】共振器端面でＣＯＤが起こりにくい、高出力かつ長寿命の窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層２０と、窒化物半導体層２０に設けられた共振器と、共振器の互いに向かい合う端面に形成された端面コート膜１８、１９とを備えた窒化物半導体レーザ素子１０において、少なくともレーザ光出射側の端面に形成された端面コート膜１８の窒化物半導体層２０に接する層は膜密度が２．８３ｇ／ｃｍ³以上のＡｌＮからなる。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子、ウェーハ、半導体発光素子の製造方法及びウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形の第１層と、ｐ形の第２層と、第１層と第２層との間に設けられた発光部と、第１層と発光部との間に設けられた第１積層構造体と、第１層と第１積層構造体との間に設けられた第２積層構造体と、を含む半導体発光素子が提供される。発光部は、複数の障壁層と、複数の障壁層の間に設けられた井戸層と、を含む。第１積層構造体は、窒化物半導体を含む複数の第３層と、複数の第３層と交互に積層され井戸層の厚さよりも薄いＧａＩｎＮを含む複数の第４層と、を含む。第２積層構造体は、第３層の組成とは異なる組成を有する窒化物半導体を含む複数の第５層と、複数の第５層と交互に積層され井戸層の厚さよりも薄いＧａＩｎＮを含む複数の第６層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体素子、ウェーハ、半導体素子の製造方法及びウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体を含むｎ形の第１層と、窒化物半導体を含むｐ形の第２層と、発光部と、第１積層体と、を含む半導体素子が提供される。発光部は。第１層と第２層との間に設けられる。発光部は、複数の障壁層と、複数の障壁層の間に設けられた井戸層と、を含む。第１積層体は、第１層と発光部との間に設けられる。第１積層体は、ＡｌＧａＩｎＮを含む複数の第３層と、複数の第３層と交互に積層されＧａＩｎＮを含む複数の第４層と、を含む。第１積層体は、第１積層体の発光部側の面に設けられた凹部を有する。凹部の少なくとも一部に発光部の一部及び第２層の一部が埋め込まれている。第２層の一部は、埋め込まれた発光部の一部の上にある。 （もっと読む）

【課題】第２ミラー層の電気抵抗の低減と反射率の向上とを両立する。
【解決手段】半導体発光素子は、ｎ型の下部ＤＢＲ層と、電流の供給によって光を発する共振部と、ｐ型の上部ＤＢＲ層とが半導体基板上に順に積層された半導体発光素子であって、上部ＤＢＲ層には、第１屈折率を有する第１半導体層１４１と、第１屈折率よりも大きい第２屈折率を有する第２半導体層１４２とが、中間層１４３を介在して積層方向に交互に配置され、中間層１４３および第１半導体層１４１はＡｌを含み、中間層１４３のＡｌ組成比は、第２半導体層１４２側の面から第１半導体層１４１側の面に向かって増加し、第１半導体層１４１のＡｌ組成比は、一方の中間層１４３Ｂ側の面および中間層１４３Ａ側の面から厚み方向の中心に向かって増加する。 （もっと読む）

【課題】 リッジ部への応力の集中を避けることが可能であると共に傾くことを抑制可能なIII族窒化物半導体レーザを提供する。
【解決手段】 III族窒化物半導体レーザ１は、リッジ部２４を含むIII族窒化物半導体積層２０と、III族窒化物半導体積層２０の上に設けられた絶縁膜６０と、リッジ部２４の上面２４ａと接合を成すｐ電極７１と、絶縁膜６０及びｐ電極７１の上に設けられたｐパッド電極７２と、絶縁膜６０の上に設けられた第１の擬似パッド８１及び第２の擬似パッド８２とを備える。III族窒化物半導体積層２０は、順に配列された第１の部分２１、第２の部分２２及び第３の部分２３を有する。第２の部分２２は前記リッジ部２４を含む。第１の擬似パッド８１は第１の部分２１の上に設けられ、第２の擬似パッド８２は第３の部分２３の上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】半極性面を用いたＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子の作製方法であって、発振しきい値電流の低減が可能な共振器ミラーを安定して供給する。
【解決手段】押圧方向ＰＲと支持板Ｈの表面Ｈａとが直交している状態から、ｃ−ｍ面において、ｍ軸から押圧方向ＰＲとａ軸とによって規定される基準面Ａｂに向かって角度ＴＨＥＴＡの傾斜を支持板Ｈに施し、更に、ブレード５ｇの位置決めを、複数のスクライブマーク５ｂのうち最も端にあるスクライブマーク５ｂ１と基板生産物５の表面５ａとの交差部Ｐ１を含んでおり押圧方向ＰＲに沿って延びる面に重なるように行う。角度ＡＬＰＨＡは、７１度以上７９度以下の範囲と１０１度以上１０９度以下の範囲との何れかの範囲にある場合に、角度ＴＨＥＴＡが１１度以上１９度以下の範囲となるので、押圧方向ＰＲに沿って延びる基準面Ａｂは、ｃ軸に直交するｃ面に沿って延びる。 （もっと読む）

【課題】半極性面上への良好な電極形成と良好なリッジ形成との両方を可能にする、窒化物半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】リッジ形状を規定するパターンを有するハードマスク４４を形成する。このマスク４４は、摂氏３００度以下の成膜温度で成膜されたチタン層と摂氏３００度以下の成膜温度で成膜された酸化シリコン層との多層構造を有する。マスク４４と下地との間で安定した密着性を得る。このエッチングは、ＩＣＰ−ＲＩＥ法で摂氏３００度以下の基板温度で行われる。基板主面１２ａ及び半極性主面１４ａは基準軸Ｃｘに直交する面から６３度以上８０度以下の範囲の角度で傾斜する。この角度範囲では半極性主面１４ａは酸化されやすいステップを有する。ハードマスク４４を用いて半導体積層１４及び金属層３４のエッチングを行い、半導体リッジ５０を含む窒化物半導体領域４８と電極層４６とを形成する。 （もっと読む）

【課題】半極性面を用いたＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子の作製方法であって、発振しきい値電流の低減が可能な共振器ミラーを安定して供給する。
【解決手段】ブレード５ｇを第１領域ＥＲ１に押し当てて、第１領域ＥＲ１の端面ＥＧ１における半極性主面ＳＦが第２領域ＥＲ２における半極性主面ＳＦから撓み角ＴＨＥＴＡの傾きを成すまで、第１領域ＥＲ１を、保護シートＴＦに含まれ第１領域ＥＲ１に接している部分と共に、支持部材Ｈ２と可動部材Ｈ１との間に押し込んだ状態を維持しつつ、この状態で可動部材Ｈ１を用いて、保護シートＴＦに含まれ第１領域ＥＲ１に接している部分に生じる張力を増加させ、ブレード５ｇが第１領域ＥＲ１に押し当てられる方向と逆向きの作用を第１領域ＥＲ１に生じさせる。例えば、角度ＡＬＰＨＡは７１度〜７９度であり、且つ、撓み角ＴＨＥＴＡは１１度〜１９度にある。 （もっと読む）

【課題】窓領域への電流注入及び窓領域における自由キャリア吸収損失を効果的に抑制しうる光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１のクラッド層と、第１のクラッド層上に形成された活性層と、活性層上に形成された第２導電型の第２のクラッド層とを有し、対向する一対の端部に不純物の添加によって活性層のエネルギーバンドギャップが広げられた窓領域が形成された積層構造体を有し、第１のクラッド層及び第２のクラッド層のうちの一方は、第１の層と、活性層と第１の層との間に設けられ、第１の層よりもキャリア濃度の低い第２の層とを有し、窓領域が設けられた部分の第２の層の導電型が窓領域を形成する不純物によって反転している。 （もっと読む）

【課題】残渣による回折格子パターンの形成不良を低減可能な、半導体光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】凹凸部４６ｂを設ける回折格子エリアは分離エリアに囲まれているので、回折格子エリア上の樹脂は分離エリアにおける平坦化樹脂層４８より厚くなる。このように厚さむらの平坦化樹脂層４８に起因して大きなパターン依存性を示さないように樹脂エッチングの条件を設定する必要があり、この場合において、厚さむらに起因する樹脂残渣が生成されるやすい。樹脂残渣の除去において、流量比Ｒ（フッ素系炭素の流量）／（酸素の流量）が１以下の範囲であるとき、ＳｉＮのエッチングレートは小さく、流量比Ｒが１より大きい流量比の範囲であるとき、ＳｉＮのエッチングレートは大きい。流量比Ｒが１以下の範囲であるとき、残渣処理における絶縁膜マスクの形状変化が小さい。 （もっと読む）