【課題】均質なｎ型導電性のＩＩＩ族窒化物半導体層を含むＩＩＩ族窒化物半導体膜およびかかるＩＩＩ族窒化物半導体膜を含むＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物半導体膜２０は、主面２０ｍ，２１ｍ，２２ｍが（０００１）面２０ｃに対して０°より大きく１８０°より小さいオフ角θを有し、ｎ型導電性を実質的に決定するドーパントが酸素であるＩＩＩ族窒化物半導体層２１，２２を少なくとも１層含む。また、本ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスは、上記のＩＩＩ族窒化物半導体膜２０を含む。 （もっと読む）

【課題】結晶成長を中断してウェハを外部に出すことなく、電流狭窄層を形成でき、電流狭窄効果が高い半導体レーザ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電流狭窄層を有する半導体レーザ１であって、前記電流狭窄層は、ｎ型不純物原子がドープされたn++接合層１９、絶縁層１７、及びｐ型不純物原子がドープされたp++接合層１５から構成され、前記p++接合層１５は、その周辺部１５ｂよりも厚い中央部１５ａを備え、前記n++接合層１９は、前記中央部１５ａにおいて前記p++接合層１５と接してトンネル接合を形成し、前記絶縁層１７は、前記周辺部１５ｂにおいて、前記n++接合層１９とp++接合層１５とを隔てることを特徴とする半導体レーザ１。 （もっと読む）

【課題】ｐ型III族窒化物半導体の電気特性を向上できるIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体領域１５及び窒化ガリウム系半導体領域１９は、基板１３の主面１３ａ上に設けられる。窒化ガリウム系半導体領域１９は、ｐ型ドーパントとしてマグネシウムを含むIII族窒化物半導体膜２１を有しており、III族窒化物半導体膜２１は、III族構成元素としてアルミニウムを含む。III族窒化物半導体膜２１の酸素濃度は、１．０×１０^１７ｃｍ^−３以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜２１の酸素濃度は、１．５×１０^１８ｃｍ^−３以下の範囲にある。また、III族窒化物半導体膜２１の水素濃度は１．０×１０^１７ｃｍ^−３以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜２１の水素濃度は１．５×１０^１８ｃｍ^−３以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上に、下部半導体ＤＢＲ、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層及び上部半導体ＤＢＲを順次積層形成する成膜工程と、前記下部半導体ＤＢＲ、前記下部スペーサ層、前記活性層、前記上部スペーサ層及び前記上部半導体ＤＢＲの一部を除去することにより分離溝を形成する分離溝形成工程と、前記分離溝の側面にＧａのイオン注入を行なうＧａイオン注入工程と、を有することを特徴とする面発光レーザ素子の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体基板を用いた半導体装置の製造においてフォトリソグラフィ工程でのパターン精度を向上させる。
【解決手段】一の面から入射した光を吸収する吸収部３０１が少なくとも一部分に設けられたIII 族窒化物半導体基板３００における前記一の面の上に、III 族窒化物よりなる半導体層３１２を形成する。半導体層３１２の上にレジスト膜３１３を形成する。開口部を有するフォトマスク３６０を介してレジスト膜３１３に、III 族窒化物半導体基板３００に吸収されず且つ吸収部３０１に吸収される露光光を照射する。レジスト膜３１３を現像することによって、レジストパターンを形成し、当該レジストパターンをマスクとして半導体層３１２に対してエッチングを行なう。 （もっと読む）

【課題】窓領域形成と、窓領域に対応する半導体層の高抵抗化とを実現できる半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】窓領域を有する半導体レーザ素子の製造方法であって、ｐ−コンタクト層１８表面のうち非窓領域に対応する領域に第１の誘電体膜を形成する第１の誘電体膜形成工程と、ｐ−コンタクト層１８表面のうち窓領域に対応する領域に、熱処理が行なわれた場合に直下の半導体層内部の不純物を拡散させる作用を有する第２の誘電体膜を形成する第２の誘電体膜形成工程と、第２の誘電体膜下部のｐ−コンタクト層１８の不純物を第１の誘電体膜下部のｐ−コンタクト層１８の不純物よりも多く拡散させて、第２の誘電体膜下部の半導体層の少なくとも一部領域が混晶化した窓領域を形成する熱処理工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】精度良く加工された窒化物半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、基板１０１の上に形成された第１の窒化物半導体層１０７と、第１の窒化物半導体層１０７の上に形成された欠陥導入層１０８と、欠陥導入層１０８の上に接して形成され、欠陥導入層１０８を露出する開口部を有する第２の窒化物半導体層１０９とを備えている。欠陥導入層１０８は、第１の窒化物半導体層１０７及び第２の窒化物半導体層１０９と比べて結晶欠陥密度が大きい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、必要最小限の不純物量で不純物拡散を制御し、プロセスコストを低減することが可能な半導体レーザ装置、半導体レーザ装置の製造方法、および不純物拡散方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による半導体レーザ装置は、半導体基板８０１上に形成されたダブルへテロ構造を有し、ダブルへテロ構造は、半導体基板８０１上に形成された第一導電型クラッド層８０２と、第一導電型クラッド層８０２上に形成された、ウェル層とバリア層との積層を含む活性層８０３と、活性層８０３上に形成された第二導電型クラッド層８０４とを備え、活性層８０３の光の出射端面の近傍に不純物拡散領域８０９を形成し、不純物拡散領域８０９の半導体基板８０１側の輪郭形状は、複数の山を有する波形形状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内に原料供給管が設置される気相成長装置において、ｐ型不純物のメモリー効果を抑えるとともに、不純物ドーピングを確実に行える気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバー本体３と、チャンバー蓋５と、チャンバー本体３内に設置されて薄膜が成長する基板９が載置されるサセプタ１１と、サセプタ１１に対向配置される対向面部材１３とを備え、サセプタ１１に基板９を載置した状態で基板９を加熱し、対向面部材１３とサセプタ１１とで形成される反応室に気相原料を導入する複数の原料導入流路３７、３９、４１とを備えた気相成長装置であって、複数の原料導入流路の少なくとも一つの流路３９をドーピング原料が供給されるドーピング原料導入流路とし、該ドーピング原料導入流路の流路壁に隣接させて熱媒体を通流させる熱媒体ジャケット４３を設けると共に熱媒体の温度を制御する温度制御装置を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】不純物ドーピングによる結合伸長効果に立脚した、直接遷移型半導体と同等レベルの強発光や強吸収を有する半導体材料を提供する。
【解決手段】四面体結合構造をなして結合した構成原子を含む母体半導体と、母体半導体に添加された異種原子Ｚとを有し、前記異種原子Ｚは結合間に導入されて結合長を伸長させたbond-center構造を形成し、前記異種原子Ｚに対して前記bond-center構造が１％以上含まれることを特徴とする半導体材料。 （もっと読む）

【課題】 Ruドーピング半絶縁半導体層を用いた埋め込み型光半導体素子の実用化のため、水素の大量に存在する成長環境下においても、より絶縁性の高いRuドーピング半絶縁半導体層を再現よく、容易に形成する。
【解決手段】 Ruドーピング半絶縁半導体層の成長時に、化合物半導体の原料ガス、キャリアガスとは別に、ハロゲン原子を含有するガスを水素と同時に添加することで、Ruと水素との結合を抑制することで実現する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体からなるアクセプタドープ層を含む積層体を形成する場合に、アクセプタ元素の濃度を低下させずに、アクセプタドープ層又はアクセプタドープ層以降の層の平坦性が悪くなるのを抑制することができるＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板１上にｎ型Ｍｇ_ＺＺｎＯ層２、アンドープＭｇＺｎＯ層３、ＭＱＷ活性層４、アンドープＭｇ_ＸＺｎＯ層５、アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ層６が順に積層されている。アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ（０≦Ｙ＜１）層６は、アクセプタ元素を少なくとも１種類含んでおり、この層に接してアンドープＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ（０＜Ｘ＜１）層５が形成されている。このため、アクセプタドープ層にアクセプタ元素を十分取り込むことができるとともに、アクセプタドープ層の表面平坦性は良くなる。 （もっと読む）

本発明は、ナノワイヤ型半導体を備える光電子デバイスの製造方法に関連し、ナノワイヤ２が基板１上に形成され、該ナノワイヤは光ビームを放射することができ、第１の電気的接触ゾーンが前記基板上に形成され、第２の電気的接触ゾーンが前記ナノワイヤ上に形成され、前記第２の電気的接触ゾーンは、前記ナノワイヤ２の端部に、該ナノワイヤと直接接触して、前記ナノワイヤの所定の高さｈにわたって、且つ前記基板とは反対側にある端部の近く、及びナノワイヤ間に設けられ、前記ナノワイヤの上側表面２０は露出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エピダウン実装の場合に半導体レーザ素子のキャパシタの電気容量を低減すること。
【解決手段】半絶縁性ＩｎＰ埋め込み領域１６及び半絶縁性ＩｎＰ埋め込み領域１８ａと、半導体領域５とは、ＩｎＰクラッド層２２からＩｎＰ領域３ａに延びており、半導体領域５は、半絶縁性ＩｎＰ埋め込み領域１６及び半絶縁性ＩｎＰ埋め込み領域１８ａに挟まれており、半導体領域５の複数の層は、第２の表面２２ｂの法線方向に堆積されており、ＩｎＰクラッド層２２、ＩｎＰ領域３ａ及びＩｎＰ領域３ｂ、ＩｎＰクラッド層２０は同じ導電型を有している。 （もっと読む）

【課題】高出力で且つ低コストなモノリシック型の二波長又はそれ以上の多波長レーザ装置レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ装置は、第１の半導体レーザ素子１２及び第２の半導体レーザ素子１３を備えている。第１の半導体レーザ素子１２は、端面の近傍に形成された第１の不純物を含む領域である第１の端面窓構造４１を有し、第２の半導体レーザ素子は、端面の近傍に形成された第２の不純物を含む領域である第２の端面窓構造４２を有し、第１の活性層２３の下端から第１の端面窓構造４１の下端までの距離は、第２の活性層３３の下端から第２の端面窓構造４２の下端までの距離よりも短い。 （もっと読む）

【課題】有機金属化合物のＩＩＩ族原料とヒドラジン誘導体を含むＶ族原料とを用いた低抵抗なｐ型窒化物系半導体層を含む窒化物系半導体積層構造の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族原料としてのＴＭＧａと、Ｖ族原料としてのヒドラジン誘導体と、ｐ型不純物原料とを用いてＧａＮ基板１２上にｐ型ＧａＮ層１４を成長させる工程を有するＧａＮ積層構造１０の製造方法であって、この工程において、水素化合物としてのアンモニアガスを同時に添加することにより半導体層中にＣとＨの取り込みを実質的に防止し、低抵抗なｐ型層を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 赤外レーザの動作電流の増大、ｎ型クラッド層によるＡｌＧａＡｓ活性層の欠陥の発生、さらに、Ｚｎの固相拡散による窓領域形成時のクラッド層から活性層へのＩｎ拡散などの問題を解消することができる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】 半導体レーザ素子は、第１導電型クラッド層が、ＡｌＧａＡｓから形成され、活性層が、ＧａＡｓおよびＡｌＧａＡｓのうちの少なくともいずれかから形成される （もっと読む）

【課題】ガリウム窒化物化合物半導体の結晶中におけるドーパント元素のドーピング濃度を容易に最適化でき、効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｇａ元素を含有するＧａターゲット４７ａとドーパント元素からなるドーパントターゲット４７ｂとを用い、前記Ｇａターゲット４７ａをスパッタにより励起させるとともに、前記ドーパントターゲット４７ｂをビーム状とした荷電粒子により励起させて、半導体層の少なくとも一部を形成するＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＰ基板を用いたＢｅ含有ＩＩ−ＶＩ族半導体レーザが、結晶の変質無く、室温連続発振するための積層構造を実現すること。
【解決手段】ＩｎＰ基板上にＢｅを含む格子整合系ＩＩ−ＶＩ族半導体を用いて半導体レーザの基本構造を構成し、活性層へのキャリアの注入効率を高めるため、タイプＩ型のバンドラインナップを有するダブルヘテロ構造で活性層、クラッド層を構成し、活性層への光の閉じ込めを増強することができる活性層、クラッド層を構成し、ｐ型クラッド層のＭｇ組成比をＭｇ＜０．２とすること。 （もっと読む）

【課題】電極間隔を狭く保ちつつ、イオン注入や分離溝による反射波の影響を抑え、電極分離抵抗を増大する半導体導波路素子を提供することにある。
【解決手段】下部クラッド１と、下部クラッド１より屈折率が大きい光導波路層１５と、光導波路層１５より屈折率が小さい上部クラッド４とをそれぞれ１層以上含む光導波路が、二つ以上導波路方向に直列に結合されてなる半導体光導波路素子であって、前記光導波路にそれぞれ独立して電流を供給する電極７，８と、上部クラッド層４における隣接する電極間に設けられたイオン注入領域１６を有し、この領域１６の導波路方向に交差する少なくとも１つ面が、導波路方向に直交する方向に対して傾斜を有するようにした。 （もっと読む）