【課題】製造コストの低減および信号品質の向上に適した光トランシーバモジュールおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】光トランシーバモジュール１は、光を発光するＶＣＳＥＬ１３と、ＶＣＳＥＬ１３上に設けられ、上記光を透過させる熱可塑性樹脂層２２と、熱可塑性樹脂層２２中に設けられ、上記光を通過させる開口部２１ａを有する銅箔２１と、熱可塑性樹脂層２２の、ＶＣＳＥＬ１３と反対側の面に存在する窪み部２２ａと、窪み部２２ａ内に設けられたレンズ１１と、を備えている。窪み部２２ａは、開口部２１ａの上部に位置している。 （もっと読む）

【課題】 レーザアレイまたは光波長変換素子の位置あわせに要する時間を短縮する。
【解決手段】 構造部材２０に半導体レーザアレイ３０、光波長変換素子４０および反射ミラー５０が配置される。第１ないし第３の度当たり部２２Ｐ，６０Ｐにより３軸方向についての半導体レーザアレイ３０の位置決めがなされる。第１の度当たり部２２Ｐによりレーザ光源の並びの方向であるｙ軸方向についての位置決めがなされ、第２の度当たり部によりｚ軸方向（後述するｘ軸方向とｙ軸方向とに垂直な方向）についての位置決めがなされ、第３の度当たり部によりレーザ光の出射方向であるｘ軸方向についての位置決めがなされる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光モジュール製造方法及び製造装置に関し、光モジュールが小型化されても所望の性能及び高い信頼性を有する光モジュールを製造可能とすることを目的とする。
【解決手段】基板面に複数の端子パッド及び複数の着地パッドを有する基板に対し、端子パッドに半田材料を塗布し、複数の端子と平坦な上面を有する光学素子パッケージを、着地パッドを用いて上面が該基板面と略平行となるように、且つ、光学素子パッケージの底面と基板面との間に間隙が形成されるように基板上に搭載する搭載ステップと、光学素子パッケージの搭載と同時に、着地パッドを予備加熱し、半田材料を溶融させた後に硬化させて端子パッドと光学素子パッケージの対応する端子を電気的に接続するように構成する。 （もっと読む）

【課題】複数の光素子アレイを用いて多チャンネル化すると共に、全ての光素子のピッチを一定にできるようにした光モジュールを提供する。
【解決手段】本発明の光モジュール１Ａは、複数の発光素子２０が並列された複数のレーザアレイ２と、複数の光ファイバ３０が並列されたファイバアレイ３と、レーザアレイ２が実装される実装基板４と、レーザアレイ２とファイバアレイ３を結合する光導波路５とを備える。隣接するレーザアレイ２は、発光素子２０の並列する長手方向に交した短手方向に位置をずらして実装され、レーザアレイ２同士の長手方向の端面を接触させることなく、隣接するレーザアレイ２の端部に位置する発光素子２０の間隔を、他の発光素子２０と等間隔で配置されるように位置調芯して、複数のレーザアレイ２が実装される。 （もっと読む）

【課題】光学系の調節の負担を従来よりも軽減することが可能な半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】例えば、１．３μｍ帯等の所定の通信波長帯の光を送信光として出射する半導体レーザ１と、半導体レーザ１を冷却する冷却手段２ａ、２ｂと、パッケージを構成するステム３及びキャップ４と、半導体レーザ１から出射した送信光が入射する結合レンズ５と、端面に結合レンズ５が融着し結合レンズ５を介して送信光が光学的に結合して伝播していく光ファイバ８と、少なくとも結合レンズ５又は光ファイバ８の一部を固定して支持するレンズ台６と、光ファイバ８を保持する光ファイバホルダ７と、冷却手段２ａ、２ｂ及びレンズ台６が配置される台座基板９と、を備え、結合レンズ５が、半導体レーザ１の開口数ＮＡｌの１．４倍以上の開口数の第１のＧＲＩＮレンズ部５ａと、ＳＭＦ８と同程度の開口数の第２のＧＲＩＮレンズ部５ｂとからなる構成を有している。 （もっと読む）

【課題】多機能を有するスペーサにより光モジュールの組み立て作業性を向上し、接続信頼性をアップさせた光モジュールを提供する。
【解決手段】回路基板１１と、その回路基板１１に搭載され、電気信号を光信号に、または光信号を電気信号に変換する複数個の光素子を有すると共に、その各光素子の光信号を波長多重する光合波器、または各光素子に入力される光信号を波長分離する光分波器を有する光アセンブリ１２と、その光アセンブリ１２に接続されて光合波器からの光信号、または光分波器への光信号を伝送する光ファイバ１７とを備えた光モジュール１において、回路基板１１と光アセンブリ１２間に介在され、光アセンブリ１２を載置する構造である光アセンブリ用スペーサ１を備え、回路基板１１の側部にスリット４１を形成し、そのスリット４１上に光アセンブリ用スペーサ１を介して光アセンブリ１２を搭載したものである。 （もっと読む）

【課題】 半導体レーザ素子で発生する熱を充分に放熱することができ、製造工程が簡易で、かつ光路長の調整が可能な半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 レーザチップ３はブロック２と、平板１とを介してハウジング８に接合されているので、レーザチップ３はハウジング８の歪みによる影響を受けない。また平板１はブロック２と平板１との接合面から一部露出しており、ハウジング８に設置される際には、レーザチップ３およびブロック２はハウジング８の外側から内側へ挿入され、平板１はハウジング８の外側に露出している。レーザチップ３から発生する熱はブロック２および平板１を介してハウジング８外側へと効率よく放熱される。またレーザチップ３の出射光の光軸はハウジング８の接地面に対して平行であるので、レーザ光の発光位置から照射位置までの光路長を調整することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】ガタ付きを抑えてＦＯＴの位置を安定させ、これにより回路基板に対する作業性の向上を図ることを可能とする光モジュールを提供する。
【解決手段】光モジュールは、ＦＯＴ６と、このＦＯＴ６を保持するＦＯＴケース３２と、これらを覆いシールドを施すシールドケース３３とを備える。シールドケース３３は、上壁４４及び下側開口部４０を有する構造とする。また、シールドケース３３は、下側開口部４０から上壁４４へ向けてＦＯＴケース３２を差し込み覆う構造とする。さらに、シールドケース３３の両側壁４５には、先端が上壁４４側を向き且つ内側へ折れ曲がる斜め片４９を形成する。斜め片４９は、「く」字状片４８を構成する。一方、ＦＯＴケース３２の両側壁３９には、斜め片４９の斜面が接触して離脱方向の付勢力を受ける凹部３８を形成する。 （もっと読む）

【課題】光の吸収損失がなく、発振特性が安定で、製造コストの低い発光素子を提供する。
【解決手段】位相制御領域を持たない半導体光増幅器（ＳＯＡ）４と、リング共振器型波長可変フィルター部５とを備える。リング共振器型波長可変フィルター部５は、光路長のわずかに異なる複数のリング共振器６及びリング共振器の温度を制御するヒーター電極７などから構成されている。また、リング共振器型波長可変フィルター部５の接続導波路８の上に、押さえ治具３を用いて固定された圧電素子１を新たに備える。圧電素子１が接続導波路８に応力を印加し、印加された応力により、接続導波路８の屈折率及び物理長を変化させる。 （もっと読む）

【課題】確実に光ファイバの端面を位置決めでき、不良品となることを防いで光デバイスを製造する際の歩留まりを向上できる光デバイスおよび光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１には、光素子アレイ２０と光ファイバ７０の端面１０Ｔとの間の位置に、光素子アレイ２０に平行になるように先行形成溝４００，７００が設けられ、しかも先行形成溝の一部を含む領域を光素子アレイ２０に平行になるようにスリット３５が設けられることで、基板１１の搭載面２２から下がる傾斜面５００が光素子アレイ２０側から光ファイバ７０の端面１０Ｔ側に形成されており、傾斜面５００に続くスリット３５の内壁３６は、光ファイバ７０の端面１０Ｔを突き当てて位置決めする突き当たり部分６００である。 （もっと読む）

【課題】受光素子及び増幅演算回路を一体的に内蔵した受光素子基板（ＰＤＩＣ）を用いて集積化した光デバイスにおいて、半導体レーザ及び増幅演算回路からの発熱を効率よく放熱できるようにし、また、半導体レーザ及び受光素子の位置関係を容易に高精度に維持することができるようにする。
【解決手段】サブマウント１と受光素子基板１８とを、同一の半導体ウエハ３０上において作製し、切断分離させ、サブマウント１、光路変換ミラー３及び受光素子基板１８を配線基板２４上に搭載して、光デバイスを製造する。 （もっと読む）

【課題】光学装置の小型化および光軸合わせの高精度化を図ること。
【解決手段】本発明は、光学素子であるレーザチップ１１を搭載する搭載部１２を備え、このレーザチップ１１のヒートシンクとなるとともにパッケージの外観の一部を構成するステム（基台）１０と、レーザチップ１１の光軸方向を基準としてステム１０の前面１０ａおよび下面１０ｂに設けられる基準部とを備える光学装置１である。また、この光学装置１とともに受光素子を備える別の光学装置を実装基板に実装することで光学モジュールを構成するものである。 （もっと読む）

【課題】光ファイバと光半導体素子の高い位置合わせ精度が確保され、しかも組み立て作業を効率よく行える構成を備えた光リンクモジュールおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】光リンクモジュール１は、プリモールドケース２０とキャップ部材２とを備えている。プリモールドケース２０は、ケース本体部に光半導体素子を備えた素子搭載部と、素子搭載部における光半導体素子の外側に配置され、キャップ部材２が載置される載置受部とを有し、キャップ部材２は光ファイバを挿入可能に形成されたファイバガイド部４と、載置受部に載置可能でファイバガイド部４の裏面側に配置された載置部とを有している。そして、光リンクモジュール１は、載置受部に載置部を載置したままプリモールドケース２０上におけるキャップ部材２の位置を変えるための位置変更用スペース部１０がプリモールドケース２０とキャップ部材２との間に確保されている。 （もっと読む）

【課題】気密性を損なわない構造を有し、外部の光回路との光学的な結合効率を向上させる。
【解決手段】１または複数の光素子３５の受発光面が第１の面に固定され、光素子３５と結合する光を第１の面と対向する第２の面に透過する蓋３３と、筐体３２とにより光素子３５を封止した光モジュール３１において、蓋３３の内部に蓋の屈折率より高い屈折率を有するコアが形成され、光素子３５の受発光面と光学的に結合し、光素子３５と結合する光を第２の面に透過する１または複数の光導波路４０を備えた。 （もっと読む）

【課題】組み立てがより容易となり、かつ部品間の位置ズレによる光結合効率の低下を抑制する。また、パッケージ材料の選択の範囲を広げることができる光モジュールの構成を提供する。
【解決手段】光モジュール用の樹脂パッケージ４を、光ファイバの一端を支持する光プラグが載置される搭載面４２と、この搭載面と９０度以下のなす角で交差する斜面４７と、この斜面４７に形成されたパラボラ型反射レンズ４８と、このレンズと光素子との間の開口部４９とで構成する。この樹脂パッケージ４の搭載面４２に光プラグを搭載し、開口部４９の下に光素子を配置し、光ファイバ、パラボラ型反射レンズ４８および光素子の光路を確保する。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンク上の所定の位置にＬＤ素子を設置する作業を、作業効率よく、かつ、高精度で行うことができる方法であって、ＬＤ素子の高さ方向の位置をも正確に制御することができる方法を提供する。
【解決手段】ヒートシンク上にＬＤ素子を搭載する方法であって、ＬＤ素子を搭載するヒートシンクの表面をｘｙ平面とし、ｘｙ平面に垂直な方向をｚ方向とした場合に、ＬＤ素子のｚ方向の位置を決める下部ガイド、および、ＬＤ素子のｘｙ平面上の位置を決める側部ガイドを、ヒートシンク上に形成する工程、ヒートシンク上のＬＤ素子を搭載する箇所にはんだ層を形成する工程、および、下部ガイドおよび側部ガイドに沿わせてＬＤ素子をヒートシンク上に搭載し、はんだ付けする工程、を有するヒートシンク上へのＬＤ素子の搭載方法。 （もっと読む）

【課題】レーザダイオードを保持して冷却することができるとともに、保持されているレーザダイオードを簡単に交換することができる、レーザダイオード冷却装置を提供する。
【解決手段】レーザダイオード冷却装置１０は、固定手段によって一列に配列した状態で固定される同一構造の複数の冷却モジュール１２、１２、・・を含む。冷却モジュール１２は、合成樹脂からなるモジュール本体１４を含む。モジュール本体１４には、収納部１６、冷却部１８、流入側通路２０および流出側通路２２が形成されている。モジュール本体１４には、ステンレスからなる磨耗防止片２４、ゴムからなるＯリング２６、金属板からなるカソード端子２８およびアノード端子３０が形成される。モジュール本体１４には、蓋体３８が着脱可能に設けられる。 （もっと読む）

【課題】光サブアセンブリと回路基板とをＦＰＣで接続する際に、高精度に位置決め可能で、更にそのＦＰＣを簡便に且つ安価に製造することが可能な光トランシーバを提供する。
【解決手段】光トランシーバ１は、光サブアセンブリ（ＯＳＡ）２１，２２と、回路基板２３と、ＯＳＡ２１，２２及び回路基板２３を電気的に接続するＦＰＣ１０とを備える。ＦＰＣ１０は、回路基板２３との接続用のパッド（図示せず）と、そのパッドの近傍に１つ以上の位置決め用の穴１４ａ〜１４ｃとを有する。位置決め用の穴１４ａ〜１４ｃは、回路基板２３上に配置された所定の実装部品２４ａ〜２４ｃに嵌め合うような形状及び配置で形成されている。 （もっと読む）

構成要素、サブアセンブリ、および／またはアセンブリを自己整合する方法、装置、およびシステムであって、適した整合がもたらされるように構成要素、サブアセンブリ、および／またはアセンブリを物理的に移動するためにアクチュエータが用いられる。整合の効率が出力信号の定性的測定（例えば、ビット誤り率、光強度、等）に対して決定され得る。
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【課題】金属パッケージに代わって樹脂製又は非金属製パッケージを採用して、表面実装型光結合器の信頼性を向上し製造コストを大幅に下げる。
【解決手段】Ｖ字溝１４が設けられたシリコン基板１２に高精度実装した光半導体デバイス１０と、Ｖ字溝の長さより短い短尺ベアファイバ３８をＶ字溝に実装し光結合させる。光半導体デバイスと、短尺ベアファイバとをＶ字溝へ整列後、上部から封止カバー４０で同カバーに形成した半田又は低融点ガラス４２によりシリコン基板と熱圧着固定する。封止カバーから突出した短尺ベアファイバの一部とピグテールベアファイバ１６とは、同じＶ字溝上の封止カバーの外部で直接光結合される。 （もっと読む）