説明

光モジュールおよびその製造方法

【課題】気密性を損なわない構造を有し、外部の光回路との光学的な結合効率を向上させる。
【解決手段】1または複数の光素子35の受発光面が第1の面に固定され、光素子35と結合する光を第1の面と対向する第2の面に透過する蓋33と、筐体32とにより光素子35を封止した光モジュール31において、蓋33の内部に蓋の屈折率より高い屈折率を有するコアが形成され、光素子35の受発光面と光学的に結合し、光素子35と結合する光を第2の面に透過する1または複数の光導波路40を備えた。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、光モジュールおよびその製造方法に関し、より詳細には、機能素子が形成されたPLCとともに実装ボードに実装され、光送受信器を構成する光モジュールおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、光ファイバ伝送の普及に伴い、多数の光素子を高密度に集積する技術が求められており、その一つとして、平面光波回路(以下、PLC:Planar Lightwave Circuitという)が知られている。PLCは、シリコン基板または石英基板上に、光導波路からなる光素子を集積した光回路であり、生産性、信頼性が高く、集積化、高機能化の点で優れている。
【0003】
伝送端局における光送受信器には、LDなどの発光素子、PDなどの受光素子と、合分波器、分岐・結合器、光変調器などの機能素子が形成されたPLCとが実装されている。このようなPLCと受発光素子との間には、PLCの一領域から光波の一部または全部を取り出して、PDによって受光したり、またはLDからの出力光をPLCに入力させるための結合が必要になる。このような光素子とPLCとの光結合構造として、PLCの導波路端部の微小部位に、光路を変換するための光路変換ミラーを設け、回路面と垂直方向に光を入出力する垂直入出力構造が知られている(例えば、特許文献1,2参照)。
【0004】
また、その他の光結合構造として、発光素子モジュールおよび/または受光素子モジュール(以下、光モジュールという)とPLCとを、光ディスクリート部品によって光学的に結合させたり、直接接合することが行われている。図1に、従来の光モジュールとPLCとを直接接合する方法を示す。光モジュール11は、一例として、発光面または受光面(以下、受発光面)を有する発光素子または受光素子(以下、光素子という)15を備えている。光素子15は、箱型の筐体12と、受発光面14への光信号の入出力を可能にするサファイアガラスからなる蓋13とにより封止されている。筐体12と蓋13とは、金属半田により接合され、高い気密性を有していることから、外部環境から保護され、光素子15の信頼性を確保している。光素子15は、受発光面を蓋13に対向させ、蓋13に金属半田等により固定されている。光素子15は、蓋13の金属パターン17に接続され、外部の回路と電気的に接続される。
【0005】
一方、PLC21は、シリコン基板22上に形成された光導波路24を有している。PLC21に形成されている光導波路24と、光素子15の受発光面とが光学的に結合するように配置される。補強板としてのやとい23がPLC21上に接合され、PLC21の光導波路24の端面を含む面において、光モジュール11の蓋13に接合される。光モジュール11とPLC21との接合には、UV硬化性接着剤等が用いられる。
【0006】
【特許文献1】特開平9−318850号公報
【特許文献2】特開平11−84183号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
光モジュールは、気密封止構造となっていることから、光素子15の受発光面と光導波路24の端面との間には、蓋13の厚さに相当する距離が生じる。従って、図1に示したように、光導波路24の端面から出射された光信号は、蓋13の内部で拡散し、受光素子として光素子15で受光する場合、受光面では一部の光信号しか受光できない。発光素子として光素子15の発光面から出射された光信号は、蓋13の内部で拡散し、光導波路24では一部の光信号しか受光できない。従って、受光素子の場合は受光感度が劣化し、発光素子の場合は結合効率が劣化するという問題があった。
【0008】
また、光素子15で受光されなかった光信号成分、または光導波路24で結合されなかった光信号成分は、他の光素子、PLCへの迷光となって伝搬し、クロストークの劣化などを引き起こすという問題もあった。
【0009】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、気密性を損なわない構造を有し、外部の光回路との光学的な結合効率を向上させた光モジュールおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、1または複数の光素子の受発光面が第1の面に固定され、前記光素子と結合する光を前記第1の面と対向する第2の面に透過する蓋と、筐体とにより前記光素子を封止した光モジュールにおいて、前記蓋の内部に前記蓋の屈折率より高い屈折率を有するコアが形成され、前記光素子の受発光面と光学的に結合し、前記光素子と結合する光を前記第2の面に透過する1または複数の光導波路を備えたことを特徴とする。
【0011】
一実施態様において、前記光導波路は、前記第1の面におけるコア径と前記第2の面におけるコア径とが異なり、または、前記第1の面における屈折率と前記第2の面における屈折率とが異なり、前記光素子と結合する光の伝搬方向に沿って変化させることもできる。また、前記光導波路は、前記第1の面において隣接する導波路の間隔と前記第2の面において隣接する導波路の間隔とが異なるようにしてもよい。さらに、前記光導波路のコアの領域は、前記第1の面および前記第2の面から1μm以上離れていることが好ましい。
【0012】
さらにまた、前記蓋の前記第1の面に、前記光素子と電気的に結合する金属パターンと、前記光導波路の前記第1の面における中心を規定するマーカとなる金属パターンとが形成されていることを特徴とする。
【0013】
請求項7に記載の発明は、1または複数の光素子の受発光面が第1の面に固定され、前記光素子と結合する光を前記第1の面と対向する第2の面に透過する蓋と、筐体とにより前記光素子を封止した光モジュールの製造方法において、前記第1の面に、前記光素子と電気的に結合する金属パターンを形成する第1工程と、前記蓋の内部に前記蓋の屈折率より高い屈折率を有するコアを形成する第2工程と、前記蓋を温度150℃以上で熱処理を行う第3工程と、前記1または複数の光素子の受発光面を前記第1の面に固定し、前記金属パターンと電気的に接続する第4工程と、前記蓋に前記筐体を接合して前記光素子を封止する第5工程とを備えたことを特徴とする光モジュールの製造方法。
【0014】
前記第1工程は、前記光導波路の前記第1の面における中心を規定するマーカとなる金属パターンを形成することもできる。
【0015】
一実施態様において、前記第2工程は、パルス幅100fs〜10psのレーザ光を集光して前記蓋の屈折率を変化させ、前記レーザ光の集光点を移動して前記光導波路を形成する。このとき、前記レーザ光のパルスエネルギーを変えて、前記光導波路の屈折率を変化させることができる。また、前記レーザ光の集光点の移動速度を変えて、前記光導波路の伝搬モードのフィールド径を変化させることもできる。
【0016】
一実施態様において、前記第2工程は、前記レーザ光の入射面と対向する面から前記コアを形成する。前記コアは、前記レーザ光の入射面および前記対向する面から1μm以上離れていることが好ましい。
【発明の効果】
【0017】
以上説明したように、本発明によれば、蓋の内部に、蓋の屈折率より高い屈折率を有するコアが形成され、光素子の受発光面と光学的に結合し、光素子と結合する光を第2の面に透過する1または複数の光導波路を備えたので、気密性を損なわない構造を有し、外部の光回路との光学的な結合効率を向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0018】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。
図2および図3に、本発明の第1の実施形態にかかる光モジュールを示す。図2は斜視図であり、図3は断面図である。光モジュール31は、一例として、発光面または受光面(以下、受発光面)を有する発光素子または受光素子(以下、光素子という)35を備えている。光素子35は、箱型の筐体32と、受発光面34への光信号の入出力を可能にするパイレックス(登録商標)からなる蓋33とにより封止されている。筐体32の金属パターン38と蓋33の金属パターン39とは、金属半田により接合される。光素子35は、受発光面34を蓋33の金属パターンが形成された面(第1の面)に固定され、蓋33に金属半田等により固定されている。光素子35は、金属パターン37aに直接接続され、ボンディングワイヤ36により蓋33の金属パターン37bに接続され、それぞれ外部の回路と電気的に接続される。さらに、蓋33には、光素子35の受発光面34と光学的に結合するように光導波路40が形成され、光素子35と結合する光を、第1の面と対向する第2の面に透過する。
【0019】
図4に、本発明の第2の実施形態にかかる光モジュールを示す。光モジュール51は、一例として、4つの発光素子または受光素子(以下、光素子という)55a〜55dを含み、箱型の筐体52パイレックス(登録商標)からなる蓋53とにより封止されている。蓋53には、光素子55a〜55dの受発光面のそれぞれと光学的に結合するように、光導波路60a〜60dが形成されている。
【0020】
次に、光導波路40,60について詳しく説明する。光導波路40,60は、パイレックス(登録商標)からなる蓋33,53の内部に、屈折率の異なる領域を、5μm角の四角柱の形状となるように形成したコアからなる。クラッドとなるパイレックス(登録商標)の屈折率は1.472(波長600nm)であり、コアとなる領域の屈折率は1.480(波長600nm)であり、光閉じ込め型の光導波路を構成する。このようにして、光モジュール31,51と結合されるPLC、光ファイバブロックなどの外部の光回路から出射された光信号を拡散することなく、光素子35,55で受光することができ、または光素子35,55から出射された光信号を拡散することなく、光回路に結合することができる。
【0021】
図5に、本発明の第3の実施形態にかかる光モジュールを示す。光モジュール71は、一例として、受発光面を有する光素子75を備え、箱型の筐体72と、受発光面への光信号の入出力を可能にする蓋73とにより封止されている。蓋73には、光素子75の受発光面と光学的に結合するように、光導波路80が形成されている。
【0022】
光導波路80は、光素子75の受発光面と結合する端面(第1の面)のコア径(10μm角)と、外部の光回路と結合する端面(第2の面)のコア径(4μm角)とが異なり、光信号の伝搬方向に沿ってテーパ状の形状を有している。第3の実施形態によれば、光素子75の受発光面のフィールド径と、外部の光回路の端面におけるフィールド径とに、それぞれ適合せることにより、結合面における損失を低減できるとともに、結合面における放射光を抑制することができる。
【0023】
図6に、本発明の第4の実施形態にかかる光モジュールを示す。光モジュール91は、一例として、受発光面を有する光素子95を備え、箱型の筐体92と、受発光面への光信号の入出力を可能にする蓋93とにより封止されている。蓋93には、光素子95の受発光面と光学的に結合するように、光導波路100が形成されている。
【0024】
光導波路100は、光素子95の受発光面と結合する端面の屈折率(1.472)と、外部の光回路と結合する端面の屈折率(1.480)とが異なり、光信号の伝搬方向に沿って段階的に変化している。第4の実施形態によっても、光素子95の受発光面の伝搬モードのフィールド径と、外部の光回路の端面における伝搬モードのフィールド径とに、それぞれ適合せることにより、結合面における損失を低減できるとともに、結合面における放射光を抑制することができる。
【0025】
図7に、本発明の第5の実施形態にかかる光モジュールを示す。光モジュール111は、一例として、受発光面114を有する3つの光素子115a〜115cを備え、箱型の筐体112と、受発光面114への光信号の入出力を可能にする蓋113とにより封止されている。蓋113には、光素子115a〜115cの受発光面114と光学的に結合するように、光導波路120a〜120cが形成されている。
【0026】
光導波路120a〜120cは、光素子115a〜115cの受発光面114と結合する端面の間隔(250μmピッチ)と、外部の光回路121と結合する光導波路124a〜124cの間隔(125μmピッチ)とが異なり、光信号の伝搬方向に沿って屈曲している。第5の実施形態によれば、光素子115の受発光面114のピッチと、外部の光回路121の光導波路124のピッチとに、それぞれ適合せることにより、ピッチ変換用の光回路を付加することなく結合させることができる。
【0027】
図8に、本発明の第6の実施形態にかかる光モジュールを示す。光モジュール131は、一例として、受発光面134を有する5つの光素子135を備え、箱型の筐体132と、受発光面134への光信号の入出力を可能にする蓋133とにより封止されている。蓋133には、光素子135の受発光面134と光学的に結合するように、光導波路140が形成されている。第4の実施形態と同様に、光素子135の受発光面134の配列と、外部の光回路141の光導波路144の配列とに、それぞれ適合せることにより、2次元のピッチ変換を行う光回路を付加することなく結合させることができる。
【実施例】
【0028】
上述した光モジュールの作製方法について説明する。光モジュールは、図4の第2の実施形態と同様に、複数(8個)の受光素子を内蔵し、箱型の筐体と光を透過する蓋とにより封止する。蓋の材質として、パイレックス(登録商標)を用いるが、光導波路を形成することができる石英系ガラス等を使用することもできる。筐体の材質として、例えば、アルミナ系セラミックスが使用される。
【0029】
図9に、パイレックス(登録商標)基板に形成されたパターンを示し、図10に、受光素子を接合する部分の拡大図を示す。最初に、蓋となるパイレックス(登録商標)基板201に、受光素子用の金属パターン211a,211bを形成する。パイレックス(登録商標)基板201に、金属パターン211a,211bに応じたマスクを形成し、Auを蒸着した後、マスクをリフトオフする。このとき、同時に位置合わせマーカ212a〜212dも形成しておく。マーカ212a〜212dは、受光素子の受光面の中心と、パイレックス(登録商標)基板201に形成される光導波路の中心とを示すものであれば、どのような形状であってもよい。
【0030】
次に、筐体を接合するための金属パターン214を、筐体の周縁の形状に応じて、金属蒸着によって形成する。なお、金属パターン214と金属パターン211a,211bとが重なる部分は、SiN等の絶縁層でコーティングしておく。筐体と蓋とを接合するための接合剤は、金属半田が用いられる。さらに、受光素子を固定するための半田を、受光素子を接合する部分の金属パターン213に形成する。ここでは、AuおよびSnを蒸着する。
【0031】
図11に、パイレックス(登録商標)基板に形成されたパターンの別の例を示す。図9,10で示した金属パターンのうち、受光素子を外部の回路と電気的に接続するための金属パターン211a、受光素子を接合する部分の金属パターン213、およびマーカ212を、一つの金属パターン215として形成する。金属パターン215は、受光素子のアース端子としての役割のほか、遮光膜として役割を果たす。
【0032】
例えば、図5の第3の実施形態を参照すると、蓋73と外部の光回路の結合面における放射光は、蓋73の端面から光導波路80が形成されていないクラッド部分を通過して、蓋73と光素子75の受発光面との結合面に達する。このような光信号成分は、同じ光モジュール内の他の光素子への迷光となって伝搬し、クロストークを劣化させる。そこで、金属パターン215により、光導波路80を通過しないで伝搬する迷光を遮断することにより、クロストークの劣化を防ぐことができる。
【0033】
図12に、パイレックス(登録商標)基板に光導波路を形成するための装置を示す。波長800nm、パルス幅200fs、繰り返し周波数100kHz、パルスエネルギー200nJのフェムト秒パルスレーザ221から出射されたレーザ光を、ミラー222と20倍のレンズ223とを介して、パイレックス(登録商標)基板201に集光する。
【0034】
図13(a)を参照して、光導波路を形成する方法を説明する。レーザ光を集光する点は、レーザ光の入射面233(第1の面)とは反対側のパイレックス(登録商標)基板201の底面232(第2の面)から、光導波路231の光信号の伝搬方向に沿って、移動する。このとき、集光点のX,Y軸方向の開始位置は、マーカ212a〜212dで規定される中心位置に、CCDカメラ224を用いて位置合わせを行う。レーザ光の集光点は、100μm/sの速度で、所望の導波路の形状に移動させる。
【0035】
集光点のZ軸方向の開始位置は、底面232から5μmの間隔を空けた位置とする(図13(b)参照)。これは、レーザ光の照射によって基板端面に光学的損傷が生じるためであり、レーザ光のパワーに応じて間隔を空けることにより、基板端面の品質劣化を防ぐ。同様に、集光点のZ軸方向の終了位置は、入射面233から5μmの間隔を空けた位置とする。なお、この間隔は、レーザ光のパワーにより異なり、1μm以上空けることが望ましい。
【0036】
導波路を描画する際に、レーザ光のバワーを変化させることにより、屈折率を変化させることができる。例えば、パルス幅を100fs〜10ps、パルスエネルギーを100〜200nJの間で変化させると、屈折率を1.472〜1.476の間で変化させることができる。また、移動速度を変化させることにより、伝搬モードのフィールド径を変化させることができる。例えば、移動速度を10〜100μm/sの間で変化させると、フィールド径を10〜30μmの間で変化させることができる。導波路を描画した後、150℃で1時間程度熱処理を行う。熱処理により光導波路の屈折率が安定し、信頼性が向上するからである。
【0037】
図14に、光モジュールを切り出す方法を示す。パイレックス(登録商標)基板201の金属パターン213に受光素子を接合し、受光素子と金属パターン211aとを、ワイヤーボンディングにより配線する。次に、蓋となるパイレックス(登録商標)基板201に、筐体241を金属半田により接合する。なお、接合剤は、金属半田のみならず、樹脂、低温ガラス等を使用してもよい。最後に、ダイシングソーにより個々の光モジュールを切り出すことにより、光モジュールが完成する。
【0038】
光モジュールは、筐体と蓋とにより高い気密性を有していることから、外部環境から保護され、受光素子の信頼性を確保することができる。また、蓋の内部に光素子の受発光面と外部の光回路とを光学的に結合する光閉じ込め型の光導波路を形成したので、光学的な結合効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0039】
【図1】従来の光モジュールとPLCとを直接接合する方法を示す図である。
【図2】本発明の第1の実施形態にかかる光モジュールを示す斜視図である。
【図3】本発明の第1の実施形態にかかる光モジュールを示す断面図である。
【図4】本発明の第2の実施形態にかかる光モジュールを示す斜視図である。
【図5】本発明の第3の実施形態にかかる光モジュールを示す断面図である。
【図6】本発明の第4の実施形態にかかる光モジュールを示す断面図である。
【図7】本発明の第5の実施形態にかかる光モジュールを示す断面図である。
【図8】本発明の第6の実施形態にかかる光モジュールを示す断面図である。
【図9】パイレックス(登録商標)基板に形成されたパターンを示す斜視図である。
【図10】パイレックス(登録商標)基板に形成されたパターンの受光素子を接合する部分の拡大図である。
【図11】パイレックス(登録商標)基板に形成されたパターンの別の例を示す図である。
【図12】パイレックス(登録商標)基板に光導波路を形成するための装置を示す図である。
【図13】光導波路を形成する方法を示す図である。
【図14】光モジュールを切り出す方法を示す図である。
【符号の説明】
【0040】
11,31,51,71,91,111,131 光モジュール
12,32,52,72,92,112,132,241 筐体
13,33,53,73,94,113,133 蓋
15,35,55,75,95,115,135 光素子
21,121,141 PLC
22 シリコン基板
23 やとい
24,40,60,80,100,120,124,140,144 光導波路
34,114,134 受発光面
36 ボンディングワイヤ
17,37,38,39,77,97,211,213〜215 金属パターン
201 パイレックス(登録商標)基板
212 マーカ
221 フェムト秒パルスレーザ
222 ミラー
223 レンズ
224 CCDカメラ

【特許請求の範囲】
【請求項1】
1または複数の光素子の受発光面が第1の面に固定され、前記光素子と結合する光を前記第1の面と対向する第2の面に透過する蓋と、筐体とにより前記光素子を封止した光モジュールにおいて、
前記蓋の内部に前記蓋の屈折率より高い屈折率を有するコアが形成され、前記光素子の受発光面と光学的に結合し、前記光素子と結合する光を前記第2の面に透過する1または複数の光導波路を備えたことを特徴とする光モジュール。
【請求項2】
前記光導波路は、前記第1の面におけるコア径と前記第2の面におけるコア径とが異なり、前記光素子と結合する光の伝搬方向に沿って変化していることを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。
【請求項3】
前記光導波路は、前記第1の面における屈折率と前記第2の面における屈折率とが異なり、前記光素子と結合する光の伝搬方向に沿って変化していることを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。
【請求項4】
前記光導波路は、前記第1の面において隣接する導波路の間隔と前記第2の面において隣接する導波路の間隔とが異なることを特徴とする請求項1、2または3に記載の光モジュール。
【請求項5】
前記光導波路のコアの領域は、前記第1の面および前記第2の面から1μm以上離れていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の光モジュール。
【請求項6】
前記第1の面に、前記光素子と電気的に結合する金属パターンと、前記光導波路の前記第1の面における中心を規定するマーカとなる金属パターンとが形成されていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の光モジュール。
【請求項7】
1または複数の光素子の受発光面が第1の面に固定され、前記光素子と結合する光を前記第1の面と対向する第2の面に透過する蓋と、筐体とにより前記光素子を封止した光モジュールの製造方法において、
前記第1の面に、前記光素子と電気的に結合する金属パターンを形成する第1工程と、
前記蓋の内部に前記蓋の屈折率より高い屈折率を有するコアを形成する第2工程と、
前記蓋を温度150℃以上で熱処理を行う第3工程と、
前記1または複数の光素子の受発光面を前記第1の面に固定し、前記金属パターンと電気的に接続する第4工程と、
前記蓋に前記筐体を接合して前記光素子を封止する第5工程と
を備えたことを特徴とする光モジュールの製造方法。
【請求項8】
前記第1工程は、前記光導波路の前記第1の面における中心を規定するマーカとなる金属パターンを形成することを特徴とする請求項7に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項9】
前記第2工程は、パルス幅100fs〜10psのレーザ光を集光して前記蓋の屈折率を変化させ、前記レーザ光の集光点を移動して前記光導波路を形成することを特徴とする請求項7または8に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項10】
前記第2工程は、前記レーザ光のパルスエネルギーを変えて、前記光導波路の屈折率を変化させることを特徴とする請求項9に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項11】
前記第2工程は、前記レーザ光の集光点の移動速度を変えて、前記光導波路の伝搬モードのフィールド径を変化させることを特徴とする請求項9に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項12】
前記第2工程は、前記レーザ光の入射面と対向する面から前記コアを形成することを特徴とする請求項9、10または11に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項13】
前記第2工程は、前記コアは、前記レーザ光の入射面および前記対向する面から1μm以上離れていることを特徴とする請求項12に記載の光モジュールの製造方法。

【図1】
image rotate

【図2】
image rotate

【図3】
image rotate

【図4】
image rotate

【図5】
image rotate

【図6】
image rotate

【図7】
image rotate

【図8】
image rotate

【図9】
image rotate

【図10】
image rotate

【図11】
image rotate

【図12】
image rotate

【図13】
image rotate

【図14】
image rotate


【公開番号】特開2008−15434(P2008−15434A)
【公開日】平成20年1月24日(2008.1.24)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−189409(P2006−189409)
【出願日】平成18年7月10日(2006.7.10)
【出願人】(000004226)日本電信電話株式会社 (13,992)
【Fターム(参考)】