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Fターム[5F173ME15]の内容

半導体レーザ (89,583) | パッケージ、光モジュールの構成 (7,460) | ベース、ステム、台座等の形状、構造 (355)

Fターム[5F173ME15]に分類される特許

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【課題】放熱経路の熱抵抗を小さくすることで良好な放熱特性を有する光モジュール等を提供する。
【解決手段】TO−CAN型パッケージ30は、光軸をレセプタクル60の中心軸に合わせた状態でレセプタクル60に結合され、レセプタクル60は筐体20に固定されている。第1金属ブロック36は、中央の穴にTO−CAN型パッケージ30のステムを嵌め込む。コの字形の第2金属ブロック37の互いに平行な面の間に第1金属ブロック36を嵌め込み、第1金属ブロック36と第2金属ブロック37とを接触させた状態で、第2金属ブロック37を筐体20に近接させる。第2金属ブロック37と筐体20は、接着剤38で固定する。この構成により、TO−CAN型パッケージ30のステムから、第1金属ブロック36、第2金属ブロック37、接着剤38を経由して筐体20に繋がる放熱経路が確保されることとなる。 (もっと読む)


【課題】電子部品収納用パッケージにおいて、枠体が複数の板状部材を組み合わせてなる場合、枠体の耐久性および気密性が低下する可能性があった。
【解決手段】本発明の一つの態様に基づく電子部品収納用パッケージは、電子部品が載置される載置領域を上面に有する基板と、基板の上面に載置領域を囲むように設けられた、それぞれが側壁を成すように互いに接合部材を介して接合された複数の板状部材を具備する枠体とを備え、複数の板状部材が、第1の板状部材、第1の板状部材と隣り合い、第1の板状部材の載置領域側の側面に端面が前記接合部材で接合された第2の板状部材を具備しており、第2の板状部材が上面と第1の板状部材に接合された端面との間に切欠き部を有し、接合部材が切欠き部を埋めていることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】 赤色レーザダイオードと赤外レーザダイオードからなる2波長レーザと青紫レーザダイオードを横に並べて3波長半導体レーザ装置を構成する場合、2波長レーザの2つのレーザの発光点間の距離には制約があるためチップサイズが大きくなる。また、2波長レーザと青紫レーザを縦に積層した場合には、アセンブリプロセスが複雑になり、製造コストが高くなる。
【解決手段】 複数のブロック上にそれぞれレーザダイオードを載置し、各レーザ光の出射方向が所定の同一方向となるようにステム上にブロックを配置して多波長半導体レーザ装置を構成する。複数のレーザダイオードの発光点間の光学設計を容易にし、且つ製造が容易な多波長半導体レーザ装置を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】実装面積を小さくでき、かつ、放熱性の良好な光送受信器を提供する。
【解決手段】回路基板6の裏面Rにコネクタ5と光変調器3を、表面Fに受光素子4を、表裏面にその他の発熱電子部品を搭載し、他方、回路基板6の表面F側の筐体9に放熱フィン13を形成し、波長可変レーザモジュール2を放熱フィン13が形成された筐体9の上壁9aに熱的に密接するように設け、かつ、回路基板6の表面Fに搭載された受光素子4と発熱電子部品を筐体9の上壁9aに熱的に密接するように設け、回路基板6の裏面Rに搭載された発熱電子部品を、熱伝導部材14を介して筐体9の上壁9aに熱的に接合したものである。 (もっと読む)


【課題】温度変化による補正を容易に行うことができるファイバレーザ発振器を提供する。
【解決手段】発熱部品である励起用レーザダイオード11aを当接配置するベース部31aと該ベース部31aから延設されて筐体17外部に取り出される放熱部31bとを備えて筐体17よりも熱伝導率の高い材質からなる熱交換部31と、熱交換部31に取り付けられる温度センサと、温度センサからの温度情報に基づいて励起用レーザダイオード11aの駆動電流を補正する温度出力補正部とを備える。 (もっと読む)


【課題】 良好な冷却とRF特性を得る光通信モジュールを提供する。
【解決手段】 光通信モジュール100は、半導体レーザ12とSOA14とが集積化されたLDチップ11と、上面にLDチップ11を搭載するTEC60と、LDチップ11に変調信号を入力するための入力端子72と、LDチップ11およびTEC60を収容し、光出力側の側壁77と対向する側壁71に入力端子72が設けられたパッケージ70と、を備え、TEC60は、光出力方向(Y軸方向)に沿った長さが、それに直交する方向(X軸方向)の長さに比べて大きく、LDチップ11は、TEC60のY軸方向の長さの中心よりも入力端子72側に配置されている。 (もっと読む)


【課題】放熱性が改善され、照明装置などへの実装が容易な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置10は、第1および第2の凸状電極26,34と、半導体レーザ素子52と、透光性枠部40と、を有する。第1の凸状電極は、第1の凸部と、第1の段差面26aと、第1の面26bとを有し、第1の段差面は第1の金属板24からなり、第1の面のうち平面視で第1の凸部を含む領域は第2の金属板20からなり、第1の凸部は第2の金属板の組成と同じ第3の金属板22からなり、第2の凸状電極は、第2の凸部34aと、第1の金属板の組成と同じ第2の段差面34bとを有し、半導体レーザ素子は、第1および第2の凸部との間に設けられる。透光性枠部は、第1および第2の凸部と、半導体レーザ素子と、を囲み、第1および第2の段差面と接着され、第2の金属板の熱伝導率は第1の金属板の熱伝導率よりも高い。 (もっと読む)


【課題】リードピンを効率的に矯正できるリードピン矯正装置、及び、リードピンの矯正方法を提供すること。
【解決手段】リードピン矯正装置は、テーパー状の上面と、前記上面から連続する円筒状の側面とを有する第1部材と、前記第1部材の外径に対応した内径を有する円筒状の第2部材であって、リードピンを有する電子部品を内部に収納した状態で、前記第1部材に被せられる第2部材と、前記リードピンを有する電子部品を前記第2部材の内部に収納して前記リードピンを前記第1部材の上面に当接させた状態で、前記第2部材の頂部側から前記電子部品を前記第1部材に押圧する押圧部材とを含み、前記押圧部材で前記電子部品を前記第1部材に押圧した後に、前記第2部材を前記第1部材に押圧することで、前記電子部品のリードピンの形状を矯正する。 (もっと読む)


【課題】半導体レーザ素子の高出力化を行っても、小型化することができると共に、小型化しても、半導体レーザ素子の出力ダウンを回避できる半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】搭載部1aの横方向側の端面には、横方向に向かって突出し、且つ、タイバーの一部からなる左側突起部6a・右側突起部6bと、半導体レーザ素子5の横方向に沿った位置を決めるために左側突起部6a・右側突起部6bをそれぞれ挟んで配置された前方向左側側面1d・後方向左側側面7a、及び前方向右側側面1g・後方向右側側面7bが形成されている。 (もっと読む)


【課題】筒状の固定部材における貫通孔の軸方向のずれが抑制されることによって光半導体素子の作動性を向上させることが可能な光半導体素子収納用パッケージを提供する。
【解決手段】光半導体素子収納用パッケージ1においては、光ファイバ保持部材9が、開口部に挿入された筒状の本体部および本体部の下方に位置して、枠体7に囲まれた領域の内側において下端が基体5の上面に接合部材によって接合された複数の本体支持部を有している。そして、本体支持部の下端における貫通孔の貫通方向に垂直な方向の幅が、本体部における貫通孔の貫通方向に垂直な方向の幅よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】デジタル回路から発生するノイズがレーザモジュールに影響を与えることにより、レーザモジュールの出力レーザ光のスペクトル線幅が増大すること。
【解決手段】レーザモジュールと、レーザモジュールを駆動するアナログ回路と、レーザモジュールのレーザ出力を制御するデジタル回路と、アナログ回路およびデジタル回路が実装され、レーザモジュールに接続される基板とを備え、基板は、基板内においてアナログ回路に対向して設けられるアナログ用グランドパターンと、基板内においてデジタル回路に対向して設けられるデジタル用グランドパターンと、基板内に設けられ、レーザモジュールに接続されるレーザ用グランドパターンとを有するレーザ装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】外力によるパッケージの変形を抑制することができる面発光レーザモジュールを提供する。
【解決手段】 面発光レーザモジュール10は、フラットパッケージ20、金属リング30、キャップ、及び面発光レーザアレイチップ60を有している。金属リング30は、フラットパッケージ20に、キャビティ領域を取り囲んで固着されている。キャップは、キャップ本体41及びガラス板42を有している。キャップ本体41は、立ち上がり部と、フランジ部と、傾斜部とを有している。フランジ部と金属リング30とはシーム溶接されている。 (もっと読む)


【課題】伝搬特性の劣化が少なく、低コスト化及び組立作業の簡易化を実現する高周波モジュール及びその高周波線路の接続方法を提供する。
【解決手段】ステム43を貫通するガラスフィードスルー44aと、高周波光デバイス42を搭載するキャリア基板49と、ガラスフィードスルー44aとキャリア基板49の中心導体53aとを中継する中継基板48とを備えた高周波モジュール41において、中継基板48の中心導体51がマイクロストリップ線路構造であり、キャリア基板49の中心導体53aがグランデッドコプレーナ線路構造であり、中継基板48の中心導体51とキャリア基板49の中心導体53aとを対向して配置すると共に、中継基板48と対向するキャリア基板49の側面に、キャリア基板49裏面のグランド面と中心導体53a脇のグランド面53bとを短絡する側面メタライズ53cを設けた。 (もっと読む)


【課題】安価なステムを用いつつ、良好な周波数特性を実現できる光モジュールを得る。
【解決手段】ステム1を信号ピン2が貫通し、両者の間を絶縁性ガラス3が埋めている。ステム1の主面にグランドピン4が溶接されている。グランドピン4の根本に溶接部5が存在する。溶接部5は、グランドピン4よりも幅が大きい。ステム1にフレキシブル基板13が取り付けられている。フレキシブル基板13のスルーホール14に信号ピン2が貫通し、スルーホール15にグランドピン4が貫通する。フレキシブル基板13の上面に配線パターン18が設けられ、下面に接地導体19が設けられている。配線パターン18は信号ピン2に接続され、接地導体19はステム1に接続される。フレキシブル基板13のスルーホール15の周辺部分が溶接部5に沿って褶曲されている。信号ピン2の周辺においてフレキシブル基板13の下面の接地導体19がステム1の主面に密着している。 (もっと読む)


【課題】パッケージの反りによる光学部品間の角度変動が抑制されたレーザモジュールを提供する。
【解決手段】レーザ光を出力するレーザモジュールであって、光学部品と、光学部品を格納するパッケージと、パッケージの内壁に設置されるベース部と、ベース部の表面に設置され、光学部品を載置する載置部と、ガラス転移温度がレーザモジュールの使用温度の下限値より低く、ベース部および載置部を接着する接着部とを備えるレーザモジュール。 (もっと読む)


【課題】光電気複合ケーブルの接合が可能であり、小型化が可能な光モジュールを提供する。
【解決手段】基板11と、基板11の第1主面11A側に備えられた光素子21と、基板11に設けられる基板11の第2主面11B側から光芯線23を挿入するための貫通孔12とを備える光モジュール10を構成する。光モジュール10は、第2主面11B側から電気芯線24を接続するための第1電極18と、第1主面11A側に形成される光素子21と接続する第2電極14と、基板11の側面11Cに設けられる第2電極14と電気的に接続する第3電極15とを備える。 (もっと読む)


【課題】 光モジュールにおける高速変調動作の信頼性を高め、送信器(送受信器)に組み込まれた際のビット誤り率を低減する。
【解決手段】 出力光を表面出射するテーパーミラーと、光変調素子と、光変調用駆動回路とを備え、前記光変調素子と前記光変調用駆動回路とでテーパーミラーを挟み込むように配置する。 (もっと読む)


【課題】チャンバ内に内蔵されている2つのレーザ加工用のレーザダイオードを適正に冷却することができ、レーザダイオードのレーザ光の発振効率を高く維持することができ、利用可能な環境温度も高く設定することのできるレーザ加工用のレーザダイオードユニットを提供する。
【解決手段】箱型に形成されているチャンバ17内の底板17aの上面にペルチェ素子25を積層し、当該ペルチェ素子25の上部にレーザダイオード9a、9bを積層して配置し、底板17aの下面にヒートシンク27を取付けたレーザダイオードユニット7において、チャンバ17の底板17a部分から上部に熱が伝達されることを阻止する断熱層28を設けたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】従来とは異なる新たな小型の光源装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体レーザ装置を組み合わせた光源本体と、前記光源本体の各半導体レーザ装置から出射する光をそれぞれ略平行光にする複数のコリメータレンズと、前記複数のコリメータレンズからそれぞれ出射する光を集光する集光レンズと、を備えた光源装置である。前記半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子と、ステムとキャップとを有するI字状のパッケージと、を備え、前記光源本体は、前記集光レンズから見たときに、前記集光レンズの光軸方向に垂直な第1方向においては隣接する半導体レーザ装置のステムがみかけ上連なるように、前記光軸方向と前記第1方向との双方に垂直な第2方向においては、隣接する半導体レーザ装置のステムが重なるように、前記複数の半導体レーザ装置を配置したものである。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体レーザ素子をOpen−Airパッケージで動作させた場合においても、電圧上昇を引き起こすことなく、安定に長時間動作することができる窒化物半導体発光素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板であるn型GaN基板101と、n型GaN基板101上に形成されたp型窒化物半導体層を含む窒化物半導体層とを備え、p型AlGaInNコンタクト層108と、p型AlGaInNコンタクト層108の下のp型AlGaInNクラッド層107と、p型AlGaInN層106からなるp型窒化物半導体層に形成された電流注入領域の上方に、窒化シリコン膜から構成される保護膜113が形成されている。 (もっと読む)


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