説明

Fターム[5G004EA01]の内容

非常保護回路装置(単入力保護リレー) (4,199) | 遮断方式 (266) | 無接点スイッチによるもの (202)

Fターム[5G004EA01]に分類される特許

81 - 100 / 202


【課題】フューズを模擬したスイッチ回路を用いることにより、電線の細経化を可能とする負荷回路の保護装置を提供する。
【解決手段】負荷回路に用いられる電線の許容温度よりも低い温度に閾値温度を設定する。そして、周囲温度、負荷電流、及び負荷電流が流れる時間に基づいて、電線温度を推定し、推定した温度が閾値温度に達した場合に、半導体リレーS1を遮断する。その結果、過電流の発生等に起因して電線温度が上昇した場合には、電線温度が許容温度に達する前の時点で確実に回路を保護することができる。このため、従来より使用しているフューズが不要となる。 (もっと読む)


トランジスタと、トランジスタに結合される受動ヒューズと、受動ヒューズ及びトランジスタの両方に結合される制御ロジックとを備えるシステム。制御ロジックは、受動ヒューズの両端での電圧降下を検知することによって、受動ヒューズの中に流れる電流を判断し、受動ヒューズの中に流れる電流が所定の値を超える場合には、トランジスタに信号を送り、オフにする。 (もっと読む)


【課題】過電流保護機能の精度を向上させる。
【解決手段】被保護回路を流れる電流を電圧として検出する検出抵抗と、前記被保護回路を流れる設定電流と、前記設定電流に対応して前記検出抵抗に発生する実測電圧と、に基づいて、前記被保護回路を過電流から保護するための基準電圧の値を補正する補正回路と、前記実測電圧と前記基準電圧とを比較し、前記実測電圧が前記基準電圧を超えたか否かを検出する過電流検出回路と、前記過電流検出回路において前記実測電圧が前記基準電圧を超えた場合、前記被保護回路を過電流から保護するべく制御する制御回路と、を備える保護回路。 (もっと読む)


【課題】ヒューズに代えてパワーMOSFET等のトランジスタを用いることによって、さらなる電気接続箱の小型軽量化を図るとともに、トランジスタによる電気負荷への電流の誤遮断防止を実現すること。
【解決手段】制御IC15は、計時を開始する始点である第1の時点と、計時を終了する終点以前の点である第2の時点までの少なくとも一時点と、の各々において、FET11に流れる電流値に基づいて該FET11に発生するジュール熱を算出し、それぞれの前記ジュール熱を加算したジュール熱の総量が積算ジュール熱閾値以上である場合、電気負荷31、33、35への電力供給が遮断されるようにFET11を制御する。 (もっと読む)


【課題】 最終段のシリーズレギュレータの出力側で地絡による過電流が生じてもすべてのシリーズレギュレータを保護することができる過電流保護装置および電子機器を提供する。
【解決手段】 過電流保護装置1は、2つの過電流保護回路11,12を含んで構成される。過電流保護回路11は、コンパレータ114によって、抵抗素子111の下流側の電位と、抵抗素子112によって生成される基準電位とを比較し、抵抗素子111の下流側の電位が基準電位よりも低いと、過電流であると判断し、シリーズレギュレータ91を流れる電流を遮断する。抵抗素子112の抵抗値が過電流保護回路12の抵抗素子122の抵抗値よりも大きく、たとえば抵抗素子122の抵抗値の1.2倍であるので、過電流保護回路11は、下流側のシリーズレギュレータ92が過電流保護回路12によって遮断される電流の1.2倍の電流値で、シリーズレギュレータ91を流れる電流を遮断する。 (もっと読む)


【課題】起動・安定化のフェーズにおいて、トランジスタ形式の静的出力を、その出力を流れる電流の増加によって生じる強い電流から保護する。
【解決手段】システムは、負荷抵抗R10と、電気負荷Cが負荷抵抗R10と直列に給電される通電状態と遮断状態とのスイッチングができるMOSスイッチングトランジスタT10とを有するスイッチ装置10と、抵抗R10の端子電圧を所定の最大値に制限する制限装置20と、所定の時間経過にわたって負荷抵抗R10を通る電流が所定の閾値を越えるときに、スイッチングトランジスタT10を遮断状態にスイッチングできる遮断装置30と、を備える。 (もっと読む)


【課題】各需要家において、商用電源に接続される主幹漏電ブレーカと負荷との間に介設され、漏電検出機能を有し、壁面埋込みのコンセント、テーブルタップ型のコンセント、或いは電気機器に内蔵のコンセントなどとして実現される配線器具において、主幹漏電ブレーカの遮断による全停電を未然に防止して、タイマ負荷や冷蔵庫の停止を防止する。
【解決手段】前記漏電検出を、漏電電流を検出する零相変流器25と、その出力を電圧変換する抵抗32と、前記抵抗32からの電圧信号が入力され、サージ等の高周波成分をカットするLPF33と、前記LPF33からの出力を所定の閾値と比較する閾値判定部34と、前記閾値判定部34で所定時間に亘って閾値を超えている場合、漏電が発生していると判定し、開閉部へトリップ信号を出力する漏電判定部35とによって行うことで、主幹漏電ブレーカの検知よりも早く検知を行う。 (もっと読む)


【課題】突入電流防止回路の動作完了後に負荷を起動し負荷異常時の過電流を保護する。
【解決手段】入力コンデンサ15と、MOSFET8と、直流入力電源1の+端子と−端子間電圧を分圧し時定数を設けて出力する分圧抵抗2、3及び第1のコンデンサ4を有する時定数回路を備え、MOSFET8のゲートは時定数回路2、3、4の出力に接続され、MOSFET8のゲートに一端が接続された定電圧素子5と、定電圧素子5の他端とMOSFET8のソースとの間に接続された抵抗6と、コレクタが起動信号端子13に接続されエミッタがMOSFET8のソースに接続されベーが定電圧素子5と抵抗6の接続点に接続されたバイポーラトランジスタ7と、過電流検出回路16と、過電流検出回路16で過電流を検出すると、これをラッチし、スイッチ(トランジスタ)18をオンさせ、MOSFET8をカットオフし過電流保護を行うラッチ回路17と、を備える。 (もっと読む)


【課題】従来例に比べて製造コストの低減と小型化を図ることのできる過電圧保護回路を提供する。
【解決手段】電源ライン上にスイッチ素子としてのFET131を配置し、FET131のオン・オフ状態を切り換えるスイッチ素子駆動部120を設け、電圧検出部110によって出力端子103bの電圧を検出し、サージ電圧等の過電圧が出力端子103bに発生して検出電圧が第1閾値電圧を超えたとき、FET131をオフ状態にし、検出電圧が第1閾値電圧よりも低い第2閾値電圧以下になったときにFET131をオン状態にし、検出電圧が第1閾値電圧以下に収束するまでの間、FET131のオン・オフ動作を繰り返すことによって、第1閾値電圧を超えた過電圧が電子機器104に印加されないようにする。 (もっと読む)


【課題】分散分電盤の内器を設置するスペースを減少させることなく異常電流等に対する保護が行える直流配電システムを提供する。
【解決手段】例えば、分散分電盤PB21の分岐回路に接続されている負荷若しくは配電路が故障して異常電流が流れるかあるいは出力電圧V2が異常に上昇した場合、制御部21ではコンパレータCP1,CP2の出力に基づいてコンバータ回路20の出力電流又は出力電圧V2に異常が生じたと判定し、フォトカプラPC1を介して駆動部20aに制御信号を伝送する。駆動部20aが当該制御信号に応じてコンバータ回路20を停止すれば、他の分散分電盤PB2や主分電盤PB1に影響を与えることなしに事故のおきた分散分電盤PB21のみを遮断できる。しかも、保護用の回路遮断器(主開閉器)を分散分電盤PB2n内部に収納する必要が無いから内器を設置するスペースが減少しない。 (もっと読む)


【課題】本発明は、低消費電流かつ省面積でありながら、異常温度状態と低電圧状態を監視して異常保護信号を生成することが可能な異常保護装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る異常保護回路15は、温度に応じた電圧信号Vaを生成する温度検出部151と、電源電圧Vccに応じた電圧信号Vbを生成する低電圧検出部152と、電圧信号Va、Vbの一方と所定の閾値電圧Vcを比較して異常保護信号S2を生成するコンパレータ153と、を有して成る構成とされている。 (もっと読む)


【課題】出力短絡時のスイッチング素子の信頼性を改善する。
【解決手段】スイッチ出力回路100は、メイン電源端子104と出力端子102に設けられるハイサイドトランジスタMHを含む。短絡検出回路20は、出力端子102が、第1電源電圧Vdd1と対をなす接地電圧の印加された接地端子108と短絡した状態を検出する。ドライバ10は、ハイサイドトランジスタMHにゲート電圧VgHを供給し、そのオン、オフを切りかえる。ドライバ10は、ハイサイドトランジスタMHのオン状態において短絡状態が検出されると、ハイサイドトランジスタMHのゲートソース間電圧Vgsを非短絡時よりも小さく設定し、オンの程度を弱める。 (もっと読む)


【課題】電圧検出集積回路を用いた過電圧保護回路において、被保護回路に対して過電圧が供給されることを確実に防止する。
【解決手段】過電圧保護回路は、所定の被保護回路に対して許容電圧値よりも大きい電圧が供給されることを防止する。入力端11には、外部から電圧が印加される。ツェナーダイオード13は、カソード端子が入力端11に接続される。第1抵抗素子14は、ツェナーダイオード13のアノード端子と接地端子との間に接続される。電圧検出集積回路15は、ツェナーダイオード13の両端間の電圧を検出し、検出電圧が許容電圧値よりも大きいか否かを示す検出信号を出力する。MOSFET16は、検出電圧が許容電圧値以下であることを検出信号が示す場合、入力端11に印加される電圧を被保護回路へ供給し、検出電圧が許容電圧値よりも大きいことを検出信号が示す場合、入力端11に印加される電圧が被保護回路へ供給されることを停止する。 (もっと読む)


【課題】 より正確に過電流を検出できるボルテージレギュレータの過電流保護回路を提供する。
【解決手段】 出力トランジスタ10及びNMOS54のドレイン電流が瞬間的に遮断されても、抵抗R1によってNMOS54〜55が遮断領域で動作せずに線形領域または飽和領域で動作し続けるので、NMOS54〜55が遮断領域に移行した後に線形領域または飽和領域に復帰するという動作がなくなる。よって、過電流保護回路50は、高速で動作できるので、より正確に過電流を検出できる。 (もっと読む)


【課題】半導体スイッチを過電流及び過熱から保護しながら効率良く使うことが可能な電源供給装置及び電源供給方法を提供する。
【解決手段】負荷10に電線11を介して電流を流す半導体スイッチ12と、電線11に流れる負荷電流を検出する電流検出回路13と、検出した電流値から2乗電流値を演算して出力する電流変換回路14と、電流変換回路14から2乗電流値を入力して半導体スイッチ12の温度相当値を演算して出力する熱等価回路15と、熱等価回路15から出力された半導体スイッチ12の温度相当値が、半導体スイッチ12の限界温度に基づき設定された第1異常判定値を超えた場合に異常と判定する異常判定回路16とを備え、異常と判定された場合に半導体スイッチ12をFET駆動回路17によりオフにする。 (もっと読む)


【課題】電子部品に過電流を供給せず、電子部品の発煙や発火を回避することができる携帯電子機器を提供すること。
【解決手段】短絡保護回路53は、電子部品40aに対する給電が抑制され、制御部51による所定の動作制御が抑制されているときに、電子部品40aに給電が行われた場合、当該給電される電流値が所定の電流値を超えたか否かを電流検出回路55から供給される検出値に基づいて判断し、所定の電流値を超えていると判断したときに電子部品40aへの給電経路をスイッチ部52により遮断する。 (もっと読む)


【課題】 複数の負荷回路に対して、1つの検出手段にて過電流異常を検出する場合に於いて、短絡などによる異常発生負荷を容易に特定可能とし、且つ、安価に製作可能な過電流検出方式を提供する。
【解決手段】 複数の負荷回路4−1〜4−nと、負荷回路4−1〜4−nへの給電路に設けられた1つの過電流検出回路2と、負荷回路4−1〜4−nと過電流検出回路2の間に設けられた負荷回路4−1〜4−n毎のスイッチング回路3−1〜3−nから構成され、給電開始時にスイッチング回路3−1〜3−nを順次ONし、スイッチング毎に過電流検出回路2から出力される異常検出信号をモニタすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】スイッチトランジスタとしてNチャンネルMOSFETを利用する。
【解決手段】スイッチトランジスタM1はNチャンネルMOSFETであって、入力端子102と出力端子104の間に設けられる。チャージポンプ回路10は、複数の昇圧率αが切りかえ可能に構成され、入力電圧Vdcを設定された昇圧率αで昇圧し、スイッチトランジスタM1のゲートに出力する。過電圧監視部20は、入力電圧Vdcを所定の過電圧しきい値電圧Vovpと比較し、入力電圧Vdcが過電圧しきい値電圧Vovpより低いとき、チャージポンプ回路10に昇圧動作を指示する。昇圧率設定部30は、入力電圧Vdcを複数の昇圧率αに応じて定められた複数の基準電圧Vrefと比較し、入力電圧Vdcのレベルに応じてチャージポンプ回路10の昇圧率αを設定する。 (もっと読む)


【課題】スイッチトランジスタとしてNチャンネルMOSFETを利用した過電圧保護回路を提供する。
【解決手段】スイッチトランジスタM1は、NチャンネルMOSFETであり入力端子102と出力端子104の間に設けられる。クランプ回路40は、入力電圧Vdcを所定のクランプ電圧Vcl以下にクランプする。チャージポンプ回路10は、クランプ回路40の出力電圧Vdc2を昇圧し、スイッチトランジスタM1のゲートに出力する。過電圧監視部20は、入力電圧Vdcを所定の過電圧しきい値電圧Vovpと比較し、入力電圧Vdcが過電圧しきい値電圧Vovpより低いとき、チャージポンプ回路10に昇圧動作を指示する。 (もっと読む)


【課題】出力電圧を安定化可能な過電圧保護回路を提供する。
【解決手段】入力端子102には、外部から入力電圧Vdcが入力される。入力端子102と出力端子104の間には、NチャンネルMOSFETの出力トランジスタ10が設けられる。チャージポンプ回路14は、入力電圧Vdcを昇圧する。誤差増幅器12は、チャージポンプ回路14により昇圧された電圧Vcpを電源として受け、出力端子104の出力電圧Voutに応じた帰還電圧Vfbと所定の基準電圧Vrefの誤差電圧を、出力トランジスタ10のゲートに出力する。制御部16は、入力電圧Vdcを所定のしきい値電圧Vthと比較し、入力電圧がしきい値電圧より高いとき、出力トランジスタ10を強制的にオフさせる。 (もっと読む)


81 - 100 / 202