【課題】発変電所の恒久的設備を変更することなくこれら設備の挙動に与える影響を最小限に止めつつ、地絡事故発生時の感電事故の未然防止、及び、短絡事故発生時の現に稼動中の重要な制御回路への短絡事故の影響を与えないこと。
【解決手段】直流電源遮断装置３００は、発変電所内の制御用直流電源装置１００と負荷装置２００との間に付加接続される。直流電源遮断装置３００は、地絡事故が発生したとき、制御用直流電源装置１００の直流地絡過電圧継電器２の動作前に、地絡検出回路３１の地絡検出信号eに基づき遮断器入切回路３５により負荷遮断器３４を遮断状態に切替え、かつ、短絡事故、過負荷又は過電流が発生したとき、制御用直流電源装置１００の過電流継電器３の動作前に、過電流検出回路３３の短絡等検出信号fに基づき遮断器入切回路３５により負荷遮断器３４を遮断状態に切替える。 （もっと読む）

【課題】センスＦＥＴの出力側からの接続ラインの断線異常を検出することが可能な電力供給制御装置を提供する。
【解決手段】電力供給制御装置１０は、センスＭＯＳＦＥＴ１６のソース電位Ｖｓ２がパワーＭＯＳＦＥＴ１５のソース電位Ｖｓ１に対して低下して電位差が生じた場合に、異常検出回路１３から異常信号が出力され、電流異常が生じたときと同様、外部端子Ｐ５に連なるプルアップ抵抗５４を利用して外部回路（例えば警告ランプ等）に異常を示す信号を出力するとともに、パワーＭＯＳＦＥＴ１５に遮断動作をさせる。 （もっと読む）

【課題】シンプルな構成で保護対象となる回路を電源電圧の変動から確実に保護することができる保護回路を提供する。
【解決手段】エミッタに電源ライン１が接続され、コレクタに前記電源ライン１の電圧を電源電圧として動作する回路を含む需要回路２が接続されるＰＮＰトランジスタＴｒと、前記電源ライン１の電圧が基準電圧よりも小さいときはロウレベルの電圧を前記ＰＮＰトランジスタＴｒのベースに印加し、前記電源ライン１の電圧が基準電圧よりも大きいときはハイレベルの電圧を前記ＰＮＰトランジスタＴｒのベースに印加する比較器３とを含む保護回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】正常時におけるドレイン電流ＩＤと、過電流判定を検出する電流との差を小さくし、且つ正常時に生じる大電流に対して過電流と誤判定することを防止できる過電流検出装置を提供する。
【解決手段】
バッテリＶＢと負荷１との間に設けた半導体スイッチ（ＦＥＴ１）により、負荷１の駆動、停止を制御するようにした負荷回路の、過電流を検出する過電流検出装置であり、半導体スイッチ（ＦＥＴ１）の両端に生じる電圧（Ｖ１−Ｖ２）と、半導体スイッチ（ＦＥＴ１）と負荷１とを接続する銅箔配線パターン３が有するインダクタンスＬｐに起因して電流変化時に生じる電圧（Ｖ３−Ｖ２）とを加算した加算電圧（Ｖ１−Ｖ３）を生成し、該加算電圧と予め設定した過電流判定電圧（Ｖ１−Ｖ４）とを比較する比較器ＣＭＰ１を備え、比較器ＣＭＰ１にて加算電圧が過電流判定電圧を上回ったときに、過電流が発生したものと判定する。 （もっと読む）

【課題】 過電流保護回路からの平均モータ電流を感知する方法及び装置を提供する。
【解決手段】 瞬時ｄｃリンク過電流保護に使用される増幅器及びフィルタ段の出力から直接的にモータ平均電流を測定するのを許す方法及び装置。従って、モータ平均電流及び瞬時ｄｃリンク過電流保護の両方を与えるのに、１つの増幅器及びフィルタ段のみで充分である。本発明は、ｄｃリンク電流から直接的にモータ平均電流を導出するのに通常使用される増幅器及びフィルタ段の抑制を許す。 （もっと読む）

【課題】電源装置と負荷を接続する接続線に放電が生じた場合に、この放電を良好に検出することができる画像形成装置を提供する。
【解決手段】電源回路１００は、帯電装置３０と帯電接続線１１０で、現像装置３４と現像接続線１１２で、転写装置３６と転写接続線１１４で接続される。帯電接続線１１０、現像接続線１１２、又は転写接続線１１４に短絡等を原因として火花放電等が生じると、これをコイル１１６が検知し、コントローラ１２０が、電源回路１００から帯電装置３０、現像装置３４、及び転写装置３６への電力供給を停止させると共に、画像形成装置１０を停止させる。 （もっと読む）

【課題】 入出力電圧変換比が切り替え可能な直流電源回路を備えた電源装置において、交流電源電圧が該直流電源回路の入出力電圧変換比とマッチングしない場合でも、過電圧となる前に負荷への電源供給を停止することができるようにする。
【解決手段】 電源装置１１は、入出力電圧変換比が切り替え可能な直流電源回路１５と、直流電源回路１５の交流入力側に設けられたトライアック１４と、平滑コンデンサ１７ａ及び１７ｂの直列回路の端子間電圧を検出する電圧検出部１９と、制御部２０とを備えており、制御部２０は、トライアック１４がオンされた時点から電圧検出部１９による検出電圧と予め設定された誤設定判定用基準電圧とを比較し、前記検出電圧が誤設定判定用基準電圧を超えたときにトライアック１４をオフする。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗Ｒonが小さい場合でも、比較器ＣＭＰ１０１のオフセット電圧Ｖoffの影響を低減して高精度な過電流検出が可能な過電流検出装置を提供する。
【解決手段】
スイッチング用のＦＥＴ（Ｔ１）のソースに接続された銅箔パターン４の所定点Ｐ２と、該ＦＥＴ（Ｔ１）のドレインＰ１との間の電圧（Ｖ１−Ｖ２）を過電流判定電圧として、比較器ＣＭＰ１の入力端子に供給し、基準電圧Ｖ３と比較する。この際、銅箔パターン４が有する抵抗Ｒｐによる電圧降下分が存在するので、電圧（Ｖ１−Ｖ２）はＦＥＴ（Ｔ１）の端子間電圧ＶDSよりも大きくなり、結果として、比較器ＣＭＰ１が有するオフセット電圧Ｖoffによる影響を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 外部回路やパワーＦＥＴを保護することが可能な電力供給制御装置を提供する。
【解決手段】 短絡電流Ｉｓ１が流れ続けると、ＲＣ並列回路１２が次第に高変換率状態となり、通電時間がｔ１になったときに、端子電圧Ｖｏが閾値電圧Ｖｒを超えてコンパレータ３２から異常信号Ｓ２が出力される。この異常信号Ｓ２を受けて保護用論理回路４０のＲＳ−ＦＦ６６はセット状態となってハイレベルの制御信号Ｓ４を出力して、パワーＭＯＳＦＥＴ１５及びセンスＭＯＳＦＥＴ１６に自己復帰不能な遮断動作をさせる。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗Ｒonが小さい場合でも、比較器のオフセット電圧Ｖoffの影響を低減して高精度な過電流検出が可能な過電流検出装置を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ（Ｔ１）のプラス側端子電圧Ｖ１と基準電圧Ｖ３との差（Ｖ１−Ｖ３）に比例する電流Ｉ２（＝Ｉ１）を生成するカレントミラー回路３と、ＦＥＴ（Ｔ１）のマイナス側端子電圧Ｖ２と基準電圧Ｖ３との差（Ｖ２−Ｖ３）に比例する電流Ｉ５（＝Ｉ３）を生成するカレントミラー回路４と、この電流Ｉ５と等しい電流Ｉ４を生成するカレントミラー回路５とを備える。そして、抵抗Ｒ１６に電流（Ｉ２−Ｉ４）を流すことにより、Ｖ１−Ｖ２（＝ＶDS）に比例した大きさの電圧Ｖ１６を発生させ、この電圧Ｖ１６と（Ｖ１−Ｖ２）を足し合わせた電圧Ｖ５を、比較器ＣＭＰ１に供給して、過電流判定電圧Ｖ４との比較を行う。その結果、比較器ＣＭＰ１のオフセット電圧Ｖoffの影響を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、平滑回路のコイルを小型化することである。
【解決手段】電圧検出部１４は、電源ライン間の電源電圧が所定電圧以上か否かを検出し、電源電圧が所定値以上のときには、入力遮断部１３をオフ状態にして負荷１２に過電圧が印加されないようにする。これにより平滑回路のコイルＬ１に最大電流定格の小さい小型のコイルＬ１を使用することができる。 （もっと読む）

【課題】過渡電流および外来ノイズなどに起因する過電流に因っては動作せずに、必要な時に確実に過電流を検出して保護対象への電流を遮断する過電流保護装置を提供する。
【解決手段】過電流保護装置は、電源２と負荷３とを接続する線路１４の近傍の線路温度を検出する温度検出部２０と、上記線路１４の間に接続され、上記電源２から上記負荷３への電力の供給を開閉する半導体スイッチと、上記線路温度が予め定める閾値を超えたとき上記半導体スイッチを遮断する制御回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 過電流状態を検出して保護可能な降圧型スイッチングレギュレータの制御回路を提供する。
【解決手段】 ドライバ回路１０は、スイッチングレギュレータの出力電圧Ｖｏｕｔが所定の基準電圧に近づくように、そのデューティ比が制御されるパルス幅変調信号Ｖｐｗｍにもとづき、スイッチングトランジスタＭ１および同期整流用トランジスタＭ２のゲートに印加すべき第１、第２ゲート電圧Ｖｇ２を生成する。比較部３０は、スイッチングトランジスタＭ１の両端の電圧ΔＶと所定のしきい値電圧Ｖｔｈを比較し、スイッチングトランジスタＭ１の両端の電圧ΔＶが所定のしきい値電圧Ｖｔｈを上回ると、所定レベルの比較信号を出力する。ラッチ回路４０は、比較部３０から出力される比較信号Ｖｃｍｐをラッチする。ドライバ回路１０は、ラッチ回路４０において比較信号Ｖｃｍｐがハイレベルにラッチされる期間、スイッチングトランジスタＭ１を強制的にオフする。 （もっと読む）

【課題】過電流保護動作時に耳障りな音が発生するのを防止するとともに、定格負荷時と出力ショート時との電流ピークの差を抑制する。
【解決手段】過電流保護装置の動作時にスイッチング周波数の増大を防止するスイッチング周波数増大防止手段１８を備えている。スイッチング素子ＳＷ２，ＳＷ４に流れる電流が電流検出回路１６により検出される。第１のレベルの過電流が検出されると、制御装置１５により電源のプラス端子側に接続されたスイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ３への駆動信号がオフ状態とされる。第２のレベルの過電流が検出されると、制御装置１５により残りのスイッチング素子ＳＷ２，ＳＷ４への駆動信号もオフ状態とされる。第１のレベルは、インバータ装置の定格の出力レベルに対応する値であり、第２のレベルは、出力端子がショートしたときにスイッチング素子が破壊されないレベルである。 （もっと読む）

【課題】 過電流状態を検出して保護可能な降圧型スイッチングレギュレータの制御回路を提供する。
【解決手段】 降圧型スイッチングレギュレータ２００の制御回路１００において、ドライバ回路１０は、デューティ比が制御されるパルス幅変調信号Ｖｐｗｍにもとづき、第１、第２ゲート電圧Ｖｇ１、Ｖｇ２を生成する。比較部３０は、スイッチングトランジスタＭ１の両端の電圧ΔＶと所定のしきい値電圧Ｖｔｈを比較し、スイッチングトランジスタＭ１の両端の電圧がしきい値電圧を上回ると、所定レベルの比較信号ＳＩＧ１を出力する。第１保護回路である強制オフトランジスタ４０は、比較部３０から所定レベルの比較信号ＳＩＧ１が出力される期間、スイッチングトランジスタＭ１を強制的にオフする。第２保護回路５０は、比較信号ＳＩＧ１をモニタし、所定の第１期間継続して所定レベルが出力されると、制御回路１００を停止状態とする。 （もっと読む）

【課題】
電子機器の電源入力部に設けられているエネルギー蓄積用のコンデンサの放電防止回路を小形化する。
【解決手段】コンデンサ２１の放電電流Ｉｃがカレントトランス２３で検出されたとき、ＭＯＳＦＥＴ２５がオフ状態となるので、同コンデンサ２１と給電ライン２との接続状態がオフ状態となる。このため、カレントトランス２３は、瞬時電流のみ流れ、定常的に流れる直流重畳分を考慮する必要がなく、小型のもので良い。また、メインの電流ラインに挿入される部品がないので、全体の損失が少ない。 （もっと読む）

【課題】過電流判定回路を半導体集積回路で構成し、しかもパワースイッチング素子の接合部温度の変化に伴なう過電流検出値の変動を抑制した電力変換装置を提案する。
【解決手段】パワースイッチング素子のセンス電流を受けてセンス電圧を発生する電流検出抵抗と、センス電圧を受けて過電流検出信号を発生する過電流判定回路とを有し、過電流判定回路を半導体集積回路で構成するとともに、パワースイッチング素子の接合部温度の変化に依存した温度変化を受ける負の抵抗温度特性を有するサーミスタを、電流検出抵抗と並列に接続し、電流検出抵抗とサーミスタを半導体集積回路の外部回路に配置した。 （もっと読む）

【課題】 スイッチング周波数を変化させる必要なく，かつ，十分な過電流防止効果が得られる過電流防止機能付き電源装置を提供すること。
【解決手段】 出力トランジスタＱ２と並列に検出用トランジスタＱ１を設け，検出用トランジスタＱ１の電流経路には抵抗Ｒ１を設けた。また，出力トランジスタＱ２がオンするのに先立ち，検出用トランジスタＱ１がオンされるようにした。さらに，検出用トランジスタＱ１の電流により電圧降下を起こす抵抗Ｒ２と，その電圧降下による電圧を定電圧Ｂ１と比較するコンパレータ１６と，コンパレータ１６の出力が反転するとＱ端子出力を反転させるラッチ１４とを設けた。これにより，検出用トランジスタＱ１のオンにて過電流が検出されると，出力トランジスタＱ２がオンされないようにした。 （もっと読む）

【課題】 過電圧から負荷を保護するために遮断ユニットを別個設ける必要ある。
【解決手段】 直流電源装置ＰＳと接続し、この直流電源装置からの電力を複数の負荷Ｌ１〜Ｌｎに分配供給するための複数の出力端子Ａ１，Ｂ１〜Ａｎ，Ｂｎを備えた端子台ユニット１Ａであって、出力端子毎に設け、直流電源装置及び出力端子間の電圧を検出する電圧検出部４３と、出力端子毎に設け、直流電源装置及び出力端子間の接続を切断するスイッチ部４１と、電圧検出部にて検出した現在の電圧値に基づき、電圧情報に関わる通報信号を出力すると共に、スイッチ部の接続切断動作を実行すべく、スイッチ部を制御する制御部３６とを有している。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成で確実に異常を検出することができ、装置の小型化、低コスト化を図った異常検出装置を提供する。
【解決手段】電圧電流変換回路１１がＭＯＳＦＥＴＱ２のドレイン−ソース間電圧に応じた、つまり、負荷電流ＩＬに応じた電流ＩＳを出力する。コンデンサＣ１が、電圧電流変換回路１１からの電流ＩＳによって充電される。カレントミラー回路１２が、コンデンサＣ１に蓄積された電荷を放電する。コンパレータＣＰ１が、コンデンサＣ１の両端電圧が基準電圧Ｖref1を超えたとき、異常を検出する。また、互いに寄生ダイオードの向きが対向するように直列接続されたＭＯＳＦＥＴＱ１及びＱ２がバッテリ−負荷１０間に設けられて、バッテリの逆接保護が図られている。 （もっと読む）