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Fターム[5G301DA39]の内容

導電材料 (28,685) | 非導電材料中に分散された導電物質の組成 (13,462) | 非導電材料 (5,040) | 無機物 (1,093) | 酸化物 (994) | ガラス (808) | アルカリを含む金属酸化物 (38)

Fターム[5G301DA39]に分類される特許

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【課題】焼成時の雰囲気制御を行なわなくとも高い密着力が得られ、耐メッキ性が良好な銅導体膜を形成できる銅導体ペーストを提供する。
【解決手段】銅導体ペーストのガラスフリットとして、第1及び第2のホウケイ酸亜鉛系ガラスフリットを含有する。
第1のガラスフリットは、(1)軟化点が700℃以下、銅粉から形成される膜に対する接触角が60度以下。(2)SiO3〜10質量%、B25〜35質量%、ZnO50〜65質量%、Al0〜5質量%、NaO+LiO+KO1〜5質量%。
第2のガラスフリットは、(3)軟化点が700℃以下、濃度硫酸水溶液に対する溶解度が1mg/cm・hr以下。(4)SiO30〜45質量%、B7〜15質量%、ZnO20〜30質量%、CaO0〜5質量%、Al0〜5質量%、TiO0〜5質量%、ZrO3〜10質量%、NaO+LiO+KO8〜15質量%。 (もっと読む)


【課題】導電フィラーとして銅粉を使用した導電ペーストにおいて,導電ペーストの焼結に至るまでの間の脱バインダー工程で銅粉が酸化するのを防止すると同時に,焼成された焼結体の品質を改善する。
【解決手段】導電ペーストの導電フィラーに用いる銅粉において,5重量%以下のSiを含有し,そのSiの実質上全てがSiO2系ゲルコーティング膜として銅粒子表面に被着しており,このSiO2系ゲルコーティング膜に少なくとも1種のガラス形成性成分が含まれていることを特徴とする耐酸化性および焼結性に優れた導電ペースト用銅粉である。 (もっと読む)


【課題】セラミック多層基板の表層導体部分におけるビア導体部分の凸状の突き出し量を小さくする。
【解決手段】金属粉末およびガラス粉末を含有する導体ペーストであって、金属粉末のタップ密度が1.3〜2.4g/cm、平均粒径が1.0〜2.0μmであり、金属粉末の質量とガラス粉末の質量の合計を100質量部として金属粉末の質量割合が97質量部以下である導体ペースト。導体ペーストがビア形成用孔に充填されたセラミックグリーンシート積層体を焼成してセラミック多層基板を製造する方法であって、導体ペーストが前記導体ペーストであるセラミック多層基板製造方法。 (もっと読む)


【目的】400℃以上の熱処理工程を経ても密着性に優れる、はんだペーストとそれを用いた導電体パターンを提供すること。
【構成】本発明のはんだペーストは、(A)低融点ガラスフリット、(B)はんだ粉末、(C)有機バインダー、(D)有機溶剤を含有することを特徴としている。
また、好ましい態様として、本発明は、低融点ガラスフリット(A)の配合量を、前記はんだ粉末(B)100質量部に対して0.1〜14質量部とする。 (もっと読む)


【課題】焼結収縮の抑制効果が高く、例えば、積層セラミック電子部品の内部電極の形成に用いた場合に、内部電極とセラミック層との収縮差によるクラックの発生を抑制し、かつ、内部電極の焼結収縮による製品の厚みの増大を抑制、防止することが可能な導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】卑金属粉末と、セラミック粉末と、有機ビヒクルとを含有する組成とし、かつ、セラミック粉末として、Ba、Ca、およびSrの少なくとも1種と、TiおよびZrの少なくとも1種とを含む酸化物粉末であって、表面がSi、Cr、Mn、Ti、Vの少なくとも1種の酸化物で被覆されたセラミック粉末を用いる。
上記酸化物粉末に、希土類およびMgの少なくとも1種を含有させる。
希土類として、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、およびYの少なくとも1種を用いる。 (もっと読む)


【課題】銀を含む配線部を有する回路基板において、高温雰囲気にて電圧を印加したとき、水や水蒸気の存在の有無に関わらず生じる配線部間の絶縁抵抗の劣化を好適に抑制できるようにする。
【解決手段】アルミナ基板1上に、導体ペースト組成物を印刷焼成することで配線部2を形成し回路基板10を得る。導体ペースト組成物は、銀を含む導電性金属粉末と有機ビヒクルとからなり、無機結合剤を含まない。この導体ペースト組成物は、基板上に印刷され乾燥処理によって有機ビヒクルを揮発させた後に焼成される。従って、焼成時に、銀のみが蒸発し始めアルミナ基板1上に孤立した銀の状態にて付着する。この様に銀が孤立した状態にある配線部分に電圧と温度を加えても銀は導電性化しないので、配線部間の絶縁性低下を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】銀を含む配線部を有する回路基板において、高温雰囲気にて電圧を印加したとき、水や水蒸気の存在の有無に関わらず生じる配線部間の絶縁抵抗の劣化を好適に抑制できるようにする。
【解決手段】アルミナ基板1上に、導体ペースト組成物を印刷焼成することで配線部2を形成し回路基板10を得る。導体ペースト組成物は、銀を含む導電性金属粉末と無機結合剤とを有機ビヒクル中に分散させてなる。無機結合剤は、ガラスフリット及びビスマス酸化物の少なくとも一方からなり、その含有量が導電性金属粉末100重量部に対して45重量部以上である。ペースト中の無機結合剤の含有量を多くして銀濃度を小さくすることで、導体ペースト組成物焼成時に絶縁基板上に蒸発し付着する銀の付着量を少なくして、導電化を引起こす反応物の発生を抑制し、配線部間の絶縁性低下を抑制する。 (もっと読む)


【課題】感光性テープオン基板(PTOS)の適用例で有用な、厚膜導体組成物を提供すること。
【解決手段】本発明は、厚膜組成物全体に対し、(a)1種または複数の電気的機能性粉末を70から98重量%、(b)ガラスフリットを0.5から10重量%、(c)無機ホウ化物を0.5から6重量%、およびこれらを分散させた(d)有機媒体を含む、厚膜導体組成物を対象とする。この組成物は、PTOS適用例において、ビア充填剤および/または内層導体組成物として有用である。 (もっと読む)


【課題】鉛を含むことなしに、優れた電気性能を提供する導電体組成物の提供。
【解決手段】(a)アルミニウム含有粉末と;(b)少なくとも1つのガラスフリット組成物と;(c)有機媒質とを含み、成分(a)および(b)が成分(c)中に分散され、ガラスフリット組成物(b)は焼成時に再結晶プロセスを受けてガラスおよび結晶相の両方を遊離させ、再結晶プロセスにおいて発生するガラス相はガラスフリット組成物(b)の当初軟化点よりも低い軟化点を有するガラスを含むことを特徴とする厚膜導電体組成物。この厚膜導電体組成物は、太陽電池の裏面電極を形成することにおいて有用である。 (もっと読む)


【課題】 導電性が高く且つ明度および黄色度の低い黒色導電厚膜を形成するためのディスプレイ電極形成用感光性黒色導電ペースト、ディスプレイ電極形成用黒色導電厚膜、およびディスプレイ電極用黒色導電厚膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 黒色導電厚膜40を形成するための感光性黒色導電ペーストにおいて、導電性成分として含まれる銀粉末は比表面積が1.0或いは2.0(m2/g)程度と微細であり、黒色顔料46は比表面積が3〜13(m2/g)程度の範囲内のCo3O4粉末から構成されるため、高い感光性延いては高い解像性を有すると共に、その感光性黒色導電ペーストから形成される黒色導電厚膜40には銀44とCo3O4から成る黒色顔料46とがガラス48で結合されて構成されるため、導電性が十分に高く且つ明度および黄色度が十分に低い黒色導電厚膜が得られる。 (もっと読む)


【課題】Pbフリーのシステムを提供し、かつ電気性能およびはんだ接着性を維持する半導体デバイスを製造する、新規な組成物および方法を提供する。
【解決手段】導電性銀粉末と、亜鉛含有添加剤と、鉛フリーであるガラスフリットとが、有機媒体中に分散されている、厚膜導電性組成物。さらに、上記組成物から形成された電極であって、有機分散媒を除去しかつ前記ガラス粒子を焼結して前記組成物が焼成された電極を、対象とする。さらに、p−n接合を有する半導体と、この半導体の主要面上に形成された絶縁膜とからなる構造要素から半導体デバイスを製造する方法を対象とし、この方法は、絶縁膜上に、厚膜組成物を付着させるステップと、前記半導体、絶縁膜、および厚膜組成物を焼成して、電極を形成するステップとを含む。上記詳述された方法によって形成された半導体デバイスと、厚膜導電性組成物から形成された半導体デバイスとを対象とする。 (もっと読む)


【課題】黒色導電性組成物と、そのような組成物から作製された黒色電極と、そのような電極を形成する方法を提供すること。
【解決手段】詳細には、本発明は、交流ディスプレイパネルの適用例も含めたフラットパネルディスプレイの適用例を対象とする。さらに本発明は、Ba、Ru、Ca、Cu、Sr、Bi、Pb、および希土類金属から選択された、2種以上の元素の酸化物から選択された導電性金属酸化物と、光架橋性ポリマーとを利用する組成物を対象とする。これらの組成物は、フラットパネルディスプレイの適用例に用いられる光画像形成可能な黒色電極を作製する際に、特に有用である。 (もっと読む)


【課題】電気的性能とはんだの接着性の両方を改善する半導体デバイスを製造する、新規な組成物および方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、(a)導電性銀粉末と、(b)Mn含有添加剤と、(c)軟化点が300から600℃の範囲内にあるガラスフリットとが、(d)有機媒体中に分散されている、厚膜導電性組成物を対象とする。
本発明はさらに、半導体デバイスと、p−n接合を有する半導体およびこの半導体の主要面上に形成された絶縁膜からなる構造要素から半導体デバイスを製造する方法とを対象とし、この方法は、(a)前記絶縁膜上に、上述の厚膜組成物を付着させるステップと、(b)前記半導体、絶縁膜、および厚膜組成物を焼成して、電極を形成するステップとを含むものである。 (もっと読む)


【課題】電気的性能とはんだの接着性との両方が改善された半導体デバイスを製造する、新規な組成物および方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、(a)導電性銀粉末と、(b)粒径が7ナノメートルから100ナノメートル未満の範囲内にあるZn含有添加剤と、(c)軟化点が300から600℃の範囲内にあるガラスフリットとが、(d)有機媒体中に分散されている、厚膜導電性組成物を対象とする。
本発明はさらに、半導体デバイスと、p−n接合を有する半導体およびこの半導体の主要面上に形成された絶縁膜からなる構造要素から半導体デバイスを製造する方法とを対象とし、この方法は、(a)前記絶縁膜上に、上述の厚膜組成物を付着させるステップと、(b)前記半導体、絶縁膜、および厚膜組成物を焼成して、電極を形成するステップとを含むものである。 (もっと読む)


【課題】 所望の抵抗値を示すとともに、優れたTCR特性等を実現する抵抗体を形成可能とする。
【解決手段】 導電性材料及びガラス組成物を含有する抵抗体組成物が有機ビヒクル中に分散されてなる抵抗体ペーストであって、前記抵抗体組成物がアルカリ金属を含む複合酸化物を含有する。前記複合酸化物は、アルカリ金属と、Nb、Ta、Tiから選ばれる少なくとも1種とを含む。前記複合酸化物は、LiNbO、LiTaO、LiTiO、NaNbO、NaTaO、NaTiO、NaTi、KNbO、KTaO、KTiOから選択される少なくとも1種である。前記導電性材料としてペロブスカイト型結晶構造を持つ化合物を含有する。導電性材料としての前記化合物がCaRuO、SrRuO、BaRuOから選ばれる少なくとも1種である。前記抵抗体組成物が添加物としてペロブスカイト型結晶構造を持つ化合物を含有する。添加物としての前記化合物がアルカリ土類金属とTiとを含む複合酸化物である。 (もっと読む)


【課題】 所望の抵抗値を示すとともに、優れたTCR特性等を実現する抵抗体を形成可能とする。
【解決手段】 Ru複合酸化物及びガラス組成物を含有する抵抗体組成物が有機ビヒクル中に分散されてなる抵抗体ペーストであって、前記抵抗体組成物がアルカリ金属酸化物を含有する。前記ガラス組成物の成分として前記アルカリ金属酸化物を含有することが好ましい。前記アルカリ金属酸化物がLi酸化物、K酸化物、Na酸化物から選ばれる少なくとも1種であり、前記ガラス組成物における前記アルカリ金属酸化物の含有量が、LiO、KO又はNaOに換算して、0〜20モル%(ただし0は含まず。)である。 (もっと読む)


【課題】 半田食われが少なく、かつ、鉛を含有しない厚膜導体形成用組成物を提供する。
【解決手段】 導電粉末と、酸化物粉末と、有機ビヒクルとからなり、該酸化物粉末が、SiO2−B23−Al23−CaO−Li2O系ガラス粉末と、Al23粉末とを含む厚膜導体形成用組成物を用いる。SiO2−B23−Al23−CaO−Li2O系ガラス粉末の組成比は、SiO2:20〜60質量%、B23:2〜25質量%、Al23:2〜25質量%、CaO:20〜50質量%、およびLi2O:0.1〜10質量%であり、導電粉末100質量部に対し、SiO2−B23−Al23−CaO−Li2O系ガラス粉末が0.1〜15質量部、Al23粉末が0.1〜8質量部である。 (もっと読む)


【課題】 変色に対する優れた抵抗性を有する厚膜導電体組成物の提供。
【解決手段】 厚膜組成物であって:(a)導電性金属と、(b)1つまたは複数の無機結合剤と、(c)アンチモン、アンチモン酸化物、焼成の際にアンチモン酸化物を形成することが可能なアンチモン含有化合物と、(d)有機媒体とを含み;(a)、(b)および(c)は(d)に分散されることを特徴とする厚膜組成物。 (もっと読む)


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