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Fターム[5G303AA05]の内容

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Fターム[5G303AA05]に分類される特許

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【課題】 本発明は、優秀なマイクロ波誘電特性を持つ非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記の課題を達成するための本発明による誘電体セラミックス組成物は、次の組成式で表現される組成物を含むことを特徴とする誘電体セラミックス組成物であって、
2+4+
但し、MはBa、Ca及びSrの中のいずれか一つであり、NはSn、Zr及びTiの中のいずれか一つであり、
前記誘電体セラミックス組成物の前記Nサイトを、前記Sn、Zr及びTiの中の互いに異なる2個で複数置き換えてM2+(N1−y4+4+)B(但し、0<y<1)の組成式で
表現される組成物を含む。 (もっと読む)


【課題】硬化後の硬化物の熱伝導性が高く、硬化物の吸水率が低く、かつ硬化物の弾性率が低く、更に該硬化物の冷熱サイクル特性に優れている絶縁材料及び積層構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る絶縁材料は、重量平均分子量が10000以上であるポリマーと、硬化性化合物と、硬化剤と、フィラーとを含む。該硬化剤は、主鎖にポリエーテル結合を有しかつ主鎖の末端に1級アミノ基を有する。本発明に係る積層構造体1は、熱伝導率が10W/m・K以上である熱伝導体2と、熱伝導体2の少なくとも一方の表面に積層された絶縁層3と、絶縁層3の熱伝導体2が積層された表面とは反対側の表面に積層された導電層4とを備える。絶縁層3は、上記絶縁材料を硬化させることにより形成されている。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、優秀なマイクロ波誘電特性を持つ非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記の課題を達成するための本発明による誘電体セラミックス組成物は、次の組成式で表現される組成物を含むことを特徴とする誘電体セラミックス組成物であって、
2+4+
但し、MはBa、Ca及びSrの中のいずれか一つであり、NはSn、Zr及びTiの中のいずれか一つであり、
前記誘電体セラミックス組成物の前記Mサイトを、前記Ba、Ca及びSrの中の互いに異なる2個で複数置き換え、また前記誘電体セラミックス組成物の前記Nサイトを、前記Sn、Zr及びTiの中の互いに異なる2個で複数置き換えて(M1−x2+2+)(N1−y4+4+)B(但し、0<x<1及び0<y<1)の組成式で表現される組成物を含む。 (もっと読む)


【課題】ホウケイ酸ガラス粉末を原料とするガラスセラミック誘電体用材料であって、グリーンシート成形時において、スラリーの粘度変化が生じにくく、かつ、流動性が高くレベリング性に優れたガラスセラミック誘電体用材料を提供する。
【解決手段】ホウケイ酸ガラス粉末を49.9〜89.9質量%、アルミナ粉末および/または石英粉末を10〜50質量%、ならびに、ホウ酸アルミニウム粉末および/またはホウ酸シリカ系化合物粉末を0.1〜4質量%含有することを特徴とするガラスセラミック誘電体用材料。 (もっと読む)


【課題】内部の気孔を低減し得るとともに、高性能な高周波回路に十分対応可能な低誘電損失特性を有するガラスセラミック複合材料を提供する。
【解決手段】ガラス組成として、質量%で、SiO 30〜60%、BaO 10〜40%、CaO 0〜30%、MgO 0〜30%を含有し、質量比で、1<SiO/BaO<3の関係を満たすガラス粉末と、Al成分を含有するセラミック粉末と、を含有するガラスセラミック複合材料であって、熱処理によって、主結晶としてセルジアン結晶を析出することを特徴とするガラスセラミック複合材料。 (もっと読む)


【課題】絶縁性及び熱放散性に優れた熱伝導性絶縁シート、金属ベース基板及び回路基板を提供する。
【解決手段】六方晶窒化ホウ素2が厚さ方向に配向している1又は複数の縦配向シート4上に、六方晶窒化ホウ素2が幅方向又は長さ方向に配向している1又は横配向シート3を積層し、熱伝導性絶縁シート1とする。その際、縦配向シート4の総厚が、横配向シート3の総厚よりも厚くなるようにする。また、金属ベース材上に、熱伝導性絶縁シート1と導体層とをこの順に、かつ横配向シート3が導体層側になるように積層して金属ベース基板とする。更に、金属ベース基板の導体層を加工して、金属ベース回路基板とする。 (もっと読む)


【課題】熱伝導率が10W/m・K以上である熱伝導体を導電層に接着するために用いられ、硬化後の硬化物の放熱性及び加工性が高い絶縁材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る絶縁材料は、熱伝導率が10W/m・K以上である熱伝導体2を導電層4に接着するために用いられる。本発明に係る絶縁材料は、エポキシ基又はオキセタニル基を有する硬化性化合物と、硬化剤と、ケイ砂とを含む。 (もっと読む)


【課題】多数回の重ね塗りを行っても厚膜高精細パターンが実現可能な絶縁パターンを形成する方法を提供すること。
【解決手段】絶縁ペーストを基板上にパターン印刷して露光する工程を2回以上繰り返した後、焼成する工程を含む絶縁パターンの形成方法であって、絶縁ペーストが絶縁性の無機粉末および感光性有機成分を含み、該絶縁ペースト中の有機溶剤の含有量が5質量%以下であることを特徴とする絶縁パターンの形成方法とする。 (もっと読む)


【課題】極めて微細な中空シリカ粒子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】〔1〕レーザ回折/散乱法によって測定される体積平均粒子径が0.05〜0.45μmで、最大粒子径が体積平均粒子径の5倍以内であり、空孔率が20〜70体積%、BET比表面積が30m2/g未満、98質量%以上がSiO2である中空シリカ粒子、及び〔2〕疎水性有機化合物(a)と、第四級アンモニウム塩(b)、及び加水分解によりシラノール化合物を生成するシリカ源(c)を含有する水溶液を調製する工程(I)、得られた水溶液を10〜100℃の温度で撹拌して、シリカから構成される外殻を有し、かつ核に疎水性有機化合物(a)を有するコアシェル型シリカ粒子の水分散液を調製する工程(II)、得られたコアシェル型シリカ粒子を分離し、950℃以上の温度で焼成して、中空シリカ粒子を得る工程(III)を有する中空シリカ粒子の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】 磁性体の混合濃度を比較的大きくすることなく、透磁率増加の効果を得ることができ、これによって得られた磁性体含有絶縁体を回路基板に適用することで、特性インピーダンスを向上することができ、低消費電力化の効果を得ることができる磁性体含有絶縁体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 樹脂ワニスと磁性体を溶剤に分散したスラリーを混合し、塗布、乾燥、焼成を行うことによって得られる磁性体含有絶縁体の製造方法であって、
前記スラリーの製造工程は、溶剤に界面活性剤を添加した分散溶剤を製造する工程と、該分散溶剤に磁性体微粉を混合する工程、とからなり、前記磁性体微粉を混合する工程は、前記スクリュー攪拌を行う工程と、100kHz未満の周波数の超音波を照射する工程と、100kHz以上の周波数の超音波を照射する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】 絶縁耐力が高く、優れた放熱特性および機械的特性を有する窒化珪素質焼結体およびこれを用いた回路基板ならびに電子装置を提供する。
【解決手段】 窒化珪素を主成分とし、マグネシウム,希土類金属,アルミニウムおよび硼素を酸化物換算でそれぞれ2質量%以上6質量%以下,12質量%以上16質量%以下,0.1質量%以上0.5質量%以下,0.06質量%以上0.32質量%以下含んでなり、β−Siを主結晶相と、組成式がRESi(REは希土類金属)として示される成分を含む粒界相とにより構成され、X線回折法によって求められる、回折角27°〜28°におけるβ−Siの第1のピーク強度Iに対する、回折角30°〜35°におけるRESiの第1のピーク強度Iの比率(I/I)が20%以下(但し、0%を除く)の窒化珪素質焼結体である。 (もっと読む)


【課題】熱伝導率が10W/m・K以上である熱伝導体を導電層に接着するために用いられ、硬化後の硬化物の弾性率が低く、かつ硬化物の耐熱性及び耐電圧性が高い絶縁シートを提供する。
【解決手段】本発明に係る絶縁シートは、熱伝導率が10W/m・K以上である熱伝導体を導電層に接着するために用いられる。本発明に係る絶縁シートは、ビニル化合物と共役ジエン化合物とのブロック共重合体と、エポキシ基又はオキセタン基を有する硬化性化合物と、硬化剤と、フィラーとを含む。 (もっと読む)


【課題】高強度で熱伝導率やヤング率も高く、且つ緻密であると同時に、1000℃以下の低温での焼成によって製造することができ、Cu、Ag、Au、Al等の低抵抗導体から成る配線層を表面或いは内部に備えた絶縁基板として有用な低温焼成セラミック焼結体を得る。
【解決手段】結晶相として、(a)ガーナイト結晶相および/またはスピネル結晶相、(b)アスペクト比が3以上の針状晶を含むセルシアン結晶相、及び(c)AlN、Si、SiC、Al、ZrO、3Al・2SiO及びMgSiOの群から選ばれる少なくとも1種の結晶相、を含有しており、且つ開気孔率が0.3%以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】より低い焼成温度で焼結が可能であり、焼成工程にかかるコストを低減でき、かつ耐電圧特性に優れるアルミナ質焼結体を実現する。
【解決手段】アルミナ質焼結体は、アルミナ結晶を主相と非晶質の粒界相を有する。非晶質の粒界相は、SiOにCaOおよびMgOの少なくとも一方を添加したガラス成分中に、希土類元素および周期律表第4族元素から選ばれる少なくとも1種の酸化物を特定成分として含む粒界ガラス相であり、主相と粒界ガラス相の組成比を、アルミナ:ガラス成分:特定成分=a:b:c(a+b+c=100重量%)とした時に、これら成分を頂点とする三角座標において、点(a、b、c)が、A(98.0、1.0、1.0)、B(90.0、5.0、5.0)、C(93.5、5.0、1.5)、D(97.8、2.0、0.2)の4点で囲まれる範囲内にある。 (もっと読む)


【課題】低誘電正接で、かつ高強度のアルミナ質焼結体を提供する。
【解決手段】1〜10MHzにおける誘電正接が10×10−4以下、3点曲げ強度が400MPa以上であって、SiOを0.08〜0.8質量%含み、かつ実質的にコーディエライト相を含まないことを特徴とするアルミナ質焼結体。XRDピーク強度により算出される結晶配向度O:I300/(I300+I104)のうち、鋳込み成形の着肉方向に垂直な面41の結晶配向度O1と、鋳込み成形の着肉方向に平行な面42の結晶配向度O2との差:O2−O1が、0.12〜0.18である。 (もっと読む)


【課題】ゼロ膨張係数で、高強度、低誘電率の、低温で焼結したβ−ユ−クリプタイトセラミックスを提供する。
【解決手段】β−ユ−クリプタイトセラミックスの組成の原料粉末を十分混合し、低温で仮焼して、焼結助剤を加えると共に、微粉砕することによって、ゼロ膨張係数で、高強度、低誘電率のβ−ユ−クリプタイトセラミックス焼結体。 (もっと読む)


【課題】 高周波領域での電気特性に優れ製造が容易な高周波用誘電体磁器およびその製造方法を提供する。また、そのような高周波用誘電体磁器を構成部材として用いた電気特性に優れた高周波回路素子を提供する
【解決手段】 組成式
a(Sn,Ti)O−bMgSiO−cMgTi−dMgSiO
で表され、前記組成式におけるa、b、c、及びd(ただし、a、b、c、及びdはモル%である)がそれぞれ4≦a≦37、34≦b≦92、2≦c≦15、及び2≦d≦15の範囲内にあり、ここでa+b+c+d=100である主成分と、ZrOからなる添加成分とを含んでなり、該添加成分は前記主成分100重量部に対して3.0〜12.0重量部添加されていることを特徴とする高周波用誘電体磁器ならびに、それを構成部材とする高周波回路素子 (もっと読む)


【課題】色素増感太陽電池等に代表される電子材料基板用の絶縁性被覆材料、電極保護被覆材料及び封着材料として用いられる絶縁被覆用無鉛低融点ガラスペーストを提供すること
【解決手段】質量%でSiOを0〜7、Bを10〜20、ZnOを7〜30、Biを35〜80含有するガラスフリットが、有機成分を必須成分とするガラスペースト中に95〜50質量%含有されることを特徴とする絶縁被覆用無鉛低融点ガラスペースト。 (もっと読む)


【課題】本発明は、低温同時焼成セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明による低温同時焼成セラミック基板は、ディオプサイド系結晶化ガラスを有する第1誘電体層が1つ以上積層されたセラミック本体と、前記セラミック本体の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成され、前記第1誘電体層の焼成温度で前記第1誘電体層とともに焼結され、10wt%以上の非晶質を含む第2誘電体層と、を含む。本発明による低温同時焼成セラミック基板は、ディオプサイド系結晶化ガラスを含むため、高周波帯域において誘電損失が小さく、第2誘電体層がディオプサイド系結晶を形成する第1ガラス粉末の急激な結晶化による流動性を補充する。これによって、均一な表面を有し、且つ反り現象が発生しない低温同時焼成セラミック基板を製造することができる。 (もっと読む)


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