【課題】 比誘電率が高く、絶縁抵抗の寿命、ＤＣバイアス特性を維持でき、容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性を満足し、還元性雰囲気中での焼成が可能であるとともに、ＴＣバイアス特性およびＩＲ温度依存性が改善された誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 所定の主成分、およびＡの酸化物（ただし、Ａは６配位時の有効イオン半径が０．０６５ｎｍ〜０．０８５ｎｍの範囲にある陽イオン元素群から選択される少なくとも１種）を含む第５副成分を有する誘電体磁器組成物であって、前記誘電体磁器組成物は、Ｃａ元素を含有する複数の結晶粒子から構成されており、前記各結晶粒子の粒子内全体におけるＣａ濃度の平均値を、粒内Ｃａ濃度とした場合に、前記結晶粒子の相互間における前記粒内Ｃａ濃度に、少なくともばらつきが存在し、ＣＶ値で、５％以上であることを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

フォルステライトにルチル型酸化チタンを１５重量％以上３５重量％以下の割合で添加することにより、焼成温度を約１２００℃にまで低下させることができる。また、このような低温で焼成を行うことによって、フォルステライトとルチル型酸化チタンとがそれぞれの結晶相を保持しつつ焼結した焼結体を得ることができる。このような焼結体は、フォルステライトに由来する高い品質係数Ｑ・ｆの値が殆ど損われることなく、かつ、ルチル型酸化チタンによって温度係数τｆの絶対値が３０ｐｐｍ／℃以下に制御された、優れた高周波用磁器組成物となる。
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【課題】 焼成時の耐還元性に優れ、焼成後に優れた容量温度特性及び誘電特性を有するとともに、絶縁抵抗の寿命が高められた、耐還元性誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】 （ＢａＯ）_m・ＴｉＯ₂（ここで、ｍは、０．９９０〜０．９９4である）１００重量％に対して、
Ｙ₂Ｏ₃を０．６〜１．２重量％、
ＭｇＯを０．６〜１．５重量％、
ＢａＳｉＯ₃を０．６〜２．０重量％、
ＷＯ₃を０．０２〜０．２重量％、
ＭｎＣＯ₃を０．１〜０．４重量％、および
ＭｏＯ₃を０．０２〜０．２重量％
で含む、耐還元性誘電体磁器組成物である。 （もっと読む）

【課題】 還元雰囲気中１１８０℃以下で焼成でき、比誘電率が２，４００以上で、Ｘ５Ｒ特性を満たし、加速寿命も長い誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサを提供する。
【解決手段】 本発明に係る誘電体磁器組成物は、主成分としてＢａ、Ｃａ、及びＴｉの酸化物を、副成分としてＲｅ（ＲｅはＹ、Ｄｙ、Ｓｍ、Ｙｂ及びＨｏからなる群から選択される少なくとも１種以上の希土類元素）の酸化物及びＭｇの酸化物を、含有してなる焼結体であって、前記主成分は、組成式（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３ （ｘ：０〜０．１０、（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）／Ｔｉ比：１．００５〜１．０３０）で表される化合物であり、この化合物１００ｍｏｌ部に対し、Ｒｅ酸化物をＲｅ換算にて０．５〜３．０ｍｏｌ部、Ｍｇ酸化物をＭｇ換算にて０．５〜３．０ｍｏｌ部の割合で含み、さらに前記化合物１００重量部に対して焼結助剤を０．２〜１．０重量部の割合で含有。 （もっと読む）

【課題】 還元雰囲気中１２００℃以下で焼成でき、比誘電率が２，４００以上で、Ｘ５Ｒ特性を満たし、加速寿命も長い誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサを提供する。
【解決手段】 本発明に係る誘電体磁器組成物は、主成分としてＢａ、Ｃａ、及びＴｉの酸化物を、副成分としてＣｒ、Ｍｇ、及びＭｎの酸化物を、含有してなる焼結体であって、前記主成分は、組成式（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３ （ｘ：０．００５〜０．１０、（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）／Ｔｉ比：１．００３〜１．０３０）で表される化合物であり、この化合物１００ｍｏｌ部に対し、Ｃｒ酸化物をＣｒ換算にて０．０３〜１．５ｍｏｌ部、Ｍｇ酸化物をＭｇ換算にて０．１〜３．０ｍｏｌ部、Ｍｎ酸化物をＭｎ換算にて０．０１〜１．０ｍｏｌ部、の割合で含み、さらに前記化合物１００重量部に対する焼結助剤を０．２〜１．２重量部の割合で含有。 （もっと読む）

【課題】 高い誘電率と良好な温度特性を確保し、しかもＩＲ温度依存性が改善された積層セラミックコンデンサを提供すること。
【解決手段】 誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層２と、内部電極層３とが交互に積層してあるコンデンサ素子本体１０を有する積層セラミックコンデンサ１であって、前記誘電体磁器組成物が、複数の結晶粒２ａを含んで構成され、前記結晶粒２ａには、少なくとも前記Ｃａが該結晶粒の表面から内部に向けて拡散したＣａ拡散領域２５ａが形成してあり、平均粒径Ｄ５０の値を示す結晶粒２ａを対象とした場合に、前記Ｃａ拡散領域２５ａの平均深さＴが、前記Ｄ５０の１０〜３０％の範囲に制御されている誘電体磁器組成物で構成されている。
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【課題】 低温で焼成することができ、且つ十分な誘電特性を有する誘電体磁器組成物及びそれを用いたセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】 本発明の誘電体磁器組成物は、ａＢｉ_２（Ｚｎ_１／３Ｔａ_２／３）_２Ｏ_７−ｂＢｉ_２（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）_２Ｏ_７−ｃＢｉ_２Ｓｎ_２Ｏ_７（ａ、ｂ及びｃはモル％であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００モル％である。）により表し、且つａ、ｂ及びｃの各々の相関を三角図を用いて表した場合に、ａ、ｂ及びｃは、各々に対応する値が、図１における特定の領域内にあることを特徴とする。また、本発明のセラミック電子部品は、上記の誘電体磁器組成物からなる未焼成セラミック基体が焼成されてなるセラミック基体と、その内部及び／又は表面に設けられた未焼成導体層が未焼成セラミック基体と同時焼成されてなる導体層（Ａｇ等を主成分とする。）と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低温焼成が可能で、マイクロ波やミリ波などの高周波領域で使用しても、高い比誘電率と、高いＱ値を有し、また共振周波数の温度係数（τ_f）の絶対値が小さい高周波用誘電体磁器組成物、それを用いた誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および通信機装置を提供する。
【解決手段】少なくとも希土類（Ｌｎ）、Ａｌ、Ｃａ、Ｔｉ，Ｍ１，Ｍ２およびＷを含有する組成物を主成分とし、Ｍ１がＺｎおよびＭｇのうち少なくとも１種、Ｍ２がＮｂおよびＴａのうち少なくとも１種であり、組成式を（１−ｙ）ｘＣａＴｉ_aＯ_1+2a−（１−ｙ）（１−ｘ）Ｃａ｛（Ｍ１）_1/3（Ｍ２_1-zＷ_z）_2/3｝_bＯ_1+2b−ｙＬｎＡｌ_cＯ_(3+3c)/2としたとき、
０．５６≦ｘ≦０．８
０．０８≦ｙ≦０．１８
０．０５≦ｚ≦０．５
（１−ｙ）ｘ≦０．６６０
０．９８５≦ａ≦１．０５
０．９≦ｂ≦１．０２
０．９≦ｃ≦１．０５
を満足するようにする。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性や温度特性を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】組成式（ＢａＯ）_ｍ ＴｉＯ_２ で表され、式中のｍが１．０２〜１．０３であるチタン酸バリウムとガラス成分と添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、組成式（ＢａＯ）_ｍ’・ＴｉＯ_２ で表され、式中のモル比ｍ’がモル比ｍに対して、ｍ’＜ｍの関係を満足し、かつ窒素吸着法により測定した比表面積（ＳＳＡ）が１０〜５０ｍ^２ ／ｇのチタン酸バリウム原料とモル比ｍ’をｍ’＝ｍに調製可能な量のＢａ化合物を含む添加物成分原料とガラス成分原料とを準備する工程と、前記チタン酸バリウム原料に前記ガラス成分原料及び添加物成分原料を混合し、最終組成の誘電体原料を得る工程とを有する誘電体磁器組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率の温度係数が小さく、比誘電率が高く、リーク特性が良好で、さらに製造容易な誘電体薄膜を提供することを目的とすること。
【解決手段】 本発明は、組成式が（Ｂａ_１−ｘＳｒ_ｘ）_ｙＴｉＯ_３（０．１８≦ｘ≦０．４５、０．９６≦ｙ≦１．０４）で表され、Ｘ線回折チャートにおける（１００）面の回折線のピーク強度をＩ（１００）とし、（１１０）面の回折線のピーク強度をＩ（１１０）としたとき、ピーク強度比Ｉ（１００）／Ｉ（１１０）を０．０２〜２．０とする誘電体薄膜である。この発明により、比誘電率温度係数の絶対値が６００ｐｐｍ／℃以内、２５℃における比誘電率が２００以上、２５℃におけるリーク電流密度が１×１０^−６Ａ／ｃｍ^２以下という特性が実現される。 （もっと読む）

【課題】ＢａＯ、希土類酸化物及びＴｉＯ₂が主成分として含有された組成系であっても、Ａｇ又はＡｇを主成分とする合金等の導体を内部導体として確実に使用できるように、低温での焼結性をより安定・確実なものとした誘電体磁器組成物を提供する。さらには、誘電損失が小さく、温度変化による共振周波数の変化が小さく、しかもＢａＯ−希土類酸化物−ＴｉＯ₂系誘電体磁器組成物の比誘電率より低い比誘電率を有する誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】誘電体磁器組成物の主成分としてＢａＯ、Ｎｄ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ及びＳｉＯ₂を所定の比率で含有し、前記誘電体磁器組成物の副成分としてＺｎＯ、Ｂ₂Ｏ₃及びＣｕＯを所定の比率で含有させるように構成する。 （もっと読む）

［（Ｃａ_ｘＳｒ_１−ｘ）Ｏ］_ｍ［（Ｔｉ_ｙＺｒ_{１−ｙ−ｚ}Ｈｆ_ｚ）Ｏ_２］で示される組成の誘電体酸化物を含む主成分と、Ｍｎ酸化物および／またはＡｌ酸化物を含む第１副成分と、ガラス成分とを少なくとも含む誘電体磁器組成物である。主成分に含まれる式中の組成モル比を示す記号ｍ、ｘ、ｙおよびｚが、０．９０≦ｍ≦１．０４、好ましくは１．００５≦ｍ≦１．０２５、０．５≦ｘ＜１、好ましくは０．６≦ｘ≦０．９、０．０１≦ｙ≦０．１０、好ましくは０．０２≦ｙ≦０．０７、０＜ｚ≦０．２０、好ましくは０＜ｚ≦０．１０の関係にある。
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【課題】ＢａＯ、希土類酸化物及びＴｉＯ₂が主成分として含有された組成系であっても、Ａｇ又はＡｇを主成分とする合金等の導体を内部導体として確実に使用できるように、低温での焼結性をより安定・確実なものとし、さらには、温度変化による共振周波数の変化が小さく、ＢａＯ−希土類酸化物−ＴｉＯ₂系誘電体磁器組成物の比誘電率より低い比誘電率を有し、しかも誘電損失が改善された誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】誘電体磁器組成物の主成分としてＢａＯ、Ｎｄ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ及びＳｉＯ₂を所定の比率で含有し、前記誘電体磁器組成物の副成分としてＺｎＯ、Ｂ₂Ｏ₃及びＣｕＯを所定の比率で含有し、さらに副成分としてマンガン酸化物（ＭｎＯ）を含有させるように構成する。 （もっと読む）

【課題】従来の黒色石英ガラスは添加物の影響やボイドの発生による光散乱、迷光、色むらがあり、光学分析用部材に用いた際に分析精度が低下するなどの問題があった。また、添加剤を入れることでさらに強度が下がり、わずかな振動や衝撃によって破損が発生するなどの問題があった。
【解決手段】コーディエライトを主成分とし、Ｍｎを除く遷移金属元素群を少なくとも１種類以上含み、且つ−３０℃〜６０℃の熱膨張係数が−０．２〜０．６×１０^−６／℃であることを特徴とするセラミックス焼結体とする。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波、ミリ波などの高周波用誘電体材料としての用途の拡大を図るべく、共振周波数の温度係数(τｆ)の絶対値を簡易な方法でかつ確実に小さな値（より零ｐｐｍ／℃に近づく小さな値）とでき、Ｑ・ｆ値の向上が図れる誘電体磁器組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系の誘電体磁器組成物の製造方法であって、Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系の誘電体磁器組成物を製造する原料を準備する原料準備工程と、準備された原料を混合する原料混合工程と、混合された原料を使用し成形した後、成形物を１３００℃以上の温度で焼成する焼成工程と、焼成後の成形物を９２０〜１１７０℃の温度で熱処理するアニ−ル工程とを含み、アニール工程におけるアニール時間は、２時間を越える時間で、アニール時間零におけるＱ・ｆの初期値をＮ₀とした場合に、アニール後のＱ・ｆの値が０．９Ｎ₀以上の値が得られるアニール時間とする。 （もっと読む）

【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性（例えば高い誘電率、ＣＲ積、ＩＲ寿命など）や温度特性（例えばＸ５Ｒを満足するなど）を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムと、ガラス成分と、添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、Ｘ線源にＣｕ−Ｋα線を用いたＸ線回折において、（１１１）面の回折ピークが観察され、該回折ピークの半値幅が０．２°以下に制御されたチタン酸バリウム原料を用いて、前記誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。
（もっと読む）

【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性（例えば高い誘電率、ＣＲ積、ＩＲ寿命など）や温度特性（例えばＸ５Ｒを満足するなど）を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムと、ガラス成分と、添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、ＩＣＰ法により測定した不純物としてのＳｉＯ_２ の存在量が６０ｐｐｍ以下に制御されたチタン酸バリウム原料を用いて、前記誘電体磁器組成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。
（もっと読む）

【課題】 静電容量の温度特性に優れ、ＩＲ温度依存性が低く、信頼性の高いセラミック電子部品およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 誘電体層を有するセラミック電子部品であって、前記誘電体層が、組成式Ｂａ_ｍ ＴｉＯ_２＋ｍ （ｍが０．９９５≦ｍ≦１．０１０であり、ＢａとＴｉとの比が０．９９５≦Ｂａ／Ｔｉ≦１．０１０）で表される主成分と、Ａｌの酸化物と、Ｓｉの酸化物またはＲの酸化物（ただし、ＲはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）と、を副成分として含有し、前記Ａｌの酸化物の少なくとも一部と、前記Ｓｉの酸化物または前記Ｒの酸化物の少なくとも一部とは、主として前記主成分から構成される主相とは異なる２次相が含まれていることを特徴とするセラミック電子部品。 （もっと読む）

【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性（たとえばＤＣバイアス特性）や温度特性（たとえばＸ５Ｒを満足するなど）を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムと、ＳｉＯ_２ 及びＣａＯを主成分とするガラス成分と、添加物成分とを有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、前記チタン酸バリウムの原料と前記ガラス成分の原料を湿式混合し、かさ密度が３ｇ／ｃｍ^３ 以下の仮焼前体を準備する工程と、準備された仮焼前体を、９５０℃未満で２時間超の時間、仮焼きして仮焼済体を得る工程と、得られた仮焼済体に前記添加物成分の原料を混合し、最終組成の誘電体原料を得る工程とを、有する誘電体磁器組成物の製造方法。
（もっと読む）

【課題】 高い誘電率と良好な温度特性を確保し、しかもＴＣバイアス特性が改善された積層セラミックコンデンサを提供すること。
【解決手段】 誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層２と、内部電極層３とが交互に積層してあるコンデンサ素子本体１０を有する積層セラミックコンデンサ１であって、前記誘電体磁器組成物が、実質的に主成分で構成されたコア２２ａの周囲に、副成分が主成分に拡散されたシェル２４ａを持つ複数の誘電体粒子２ａを有する誘電体磁器組成物であって、平均粒径の値を示す誘電体粒子を対象とした場合に、前記シェル２４ａの最大厚みｔ１と最小厚みｔ２の差（ｔ１−ｔ２）が、前記誘電体粒子の半径Ｒの６〜６０％に制御されている誘電体磁器組成物で構成されている積層セラミックコンデンサ１。
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