【課題】 高誘電率で、比誘電率の温度変化率が小さく、かつ電界−誘電分極特性におけるヒステリシスの小さい誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体磁器が、結晶粒子として、チタン酸バリウムを主体とし、マグネシウム、イットリウム、マンガンおよびイッテルビウムを含み、イッテルビウムの濃度が０．５原子％以下の結晶粒子１ａからなる第１の結晶群と前記イッテルビウムの濃度が１原子％以上の結晶粒子１ｂからなる第２の結晶群とを有し、かつ前記第１の結晶群を構成する結晶粒子はさらにカルシウムを含み、前記結晶粒子１ａおよび前記結晶粒子１ｂの平均結晶粒径が０．１〜０．２５μｍであり、前記第１の結晶群を構成する結晶粒子の面積をａ、第２の結晶群を構成する結晶粒子の面積をｂとしたときに、ａ／（ａ＋ｂ）が０．１〜０．４である。 （もっと読む）

【課題】破壊電圧を良好にすることができ、定格電圧の高い（たとえば１００Ｖ以上）中高圧用途に好適に用いることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３とＢａＺｒＯ_３とを有する誘電体磁器組成物であって、該誘電体磁器組成物は、複数の誘電体粒子２０と粒界相３０とから構成されており、ＢａＴｉＯ_３を主成分とする誘電体粒子２０を第１誘電体粒子２１とし、ＢａＺｒＯ_３を主成分とする誘電体粒子２０を第２誘電体粒子２２とし、第１誘電体粒子２１の平均結晶粒子径をＤ１とし、第２誘電体粒子２２の平均結晶粒子径をＤ２とした場合に、Ｄ１に対するＤ２の比である（Ｄ２／Ｄ１）が０．０４〜０．３３であり、Ｄ２が０．０２〜０．２５μｍであり、第１誘電体粒子２１の合計個数に対する第２誘電体粒子２２の合計個数の比が０．１０〜２であることを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】誘電体層が薄い場合においても、電気特性に優れ、ショート率の低い積層セラミックコンデンサを製造することができる誘電体材料を提供する。
【解決手段】チタン酸バリウムからなる１次原料粉末を粉砕処理して、２次原料粉末を得る工程を備えており、前記１次原料粉末の比表面積が、６．１〜１１．０ｍ^２／ｇであり、前記２次原料粉末の粒度分布のＤ９９値が、０．３５μｍ以下であり、前記１次原料粉末に対する前記２次原料粉末の比表面積の増加量が、５．０ｍ^２／ｇ以下であるようにした。 （もっと読む）

【課題】諸特性のフレキシブルな微調整が可能でしかもその安定性に優れたコンポジットセラミック誘電体層、その製造方法およびそれを用いたセラミック電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】モル比ｍおよびＹが異なる２種類以上の（Ｓｒ_1-YＣａ_Y）_mＴｉＯ_2+m（但し、０．２≦Ｙ≦０．５かつ０．９９４≦ｍ≦１．００６）系固溶体を含み、２種類以上の（Ｓｒ_1-YＣａ_Y）_mＴｉＯ_2+m系固溶体は、均一に分散しているコンポジットセラミック誘電体層１３であることを特徴とし、そのコンポジットセラミック誘電体層１３を積層体１１として用いる。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率で、比誘電率の温度変化率が小さく、かつ電界−誘電分極特性におけるヒステリシスの小さい誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体磁器が、結晶粒子として、チタン酸バリウムを主体とし、イッテルビウムの濃度が０．５原子％以下の結晶粒子１ａからなる第１の結晶群と前記イッテルビウムの濃度が１原子％以上の結晶粒子１ｂからなる第２の結晶群とを有し、マグネシウム、イットリウム、マンガンおよびイッテルビウムを含み、前記結晶粒子１ａおよび前記結晶粒子１ｂの平均結晶粒径が０．１〜０．２５μｍであり、前記第１の結晶群を構成する結晶粒子の面積をａ、第２の結晶群を構成する結晶粒子の面積をｂとしたときに、ａ／（ａ＋ｂ）が０．１〜０．４である。 （もっと読む）

【課題】 誘電特性を損なうことなく、焼成温度を低下しうる誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る誘電体磁器組成物の製造方法は、
組成式〔（Ｃａ_ｘＳｒ_１−ｘ）Ｏ〕_m〔（Ｔｉ_ｙＺｒ_{１−ｙ−ｚ}Ｈｆ_ｚ）Ｏ_２ 〕（式中、ｘ、ｙ、ｚ、ｍは、それぞれ０．５≦ｘ≦１．０、０．０１≦ｙ≦０．１０、０＜ｚ≦０．２０、０．９０≦ｍ≦１．０４である）で示される誘電体酸化物を調製する工程、
該誘電体酸化物１００重量部に対し、
焼結助剤を１〜１０重量部および
必要に応じナトリウム化合物を、Ｎａ_２Ｏ換算で０．１〜０．５重量部の混合する工程、および
得られた混合物を焼成する工程を含む誘電体磁器組成物の製造方法であって、
前記焼結助剤が、焼結助剤の全量１００重量％中に、
マンガン化合物を、ＭｎＯ換算で３０〜６９重量％、
酸化アルミニウムを、Ａｌ_２Ｏ_３換算で１〜２０重量％、
酸化ケイ素を、ＳｉＯ_２換算で３０〜５０重量％含んでなることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】低温焼結が可能でありながら高温絶縁抵抗特性を向上させ、さらにＸ５Ｒ特性を満たすことが出来る低温焼成及び高温絶縁抵抗強化用誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックキャパシタが提案される。
【解決手段】本発明による誘電体組成物は、主成分としてＢａＴｉＯ_３を含み、副成分として、主成分のモル数を１００としたとき、０．５モル乃至２．０モルのＭｇＯ、０．３モル乃至２．０モルのＲｅ_２Ｏ_３、０．０５モル乃至０．５モルのＭｎＯ、０．０１モル乃至０．５モルのＶ_２Ｏ_５、０．３モル乃至２．０モルのＢａＯ、０．１モル乃至２．０モルのＳｉＯ_２及び０．５モル乃至３．０モルのホウケイ酸塩系ガラスを含み、ＲｅはＹ、Ｈｏ及びＤｙで構成された群から選択された少なくとも一つであることを特徴とする誘電体組成物が提供される。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率かつ電界−誘電分極特性におけるヒステリシスの小さい誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを構成するバリウム１モルに対して、マグネシウムをＭｇＯ換算で０．０１〜０．０６モルの割合で、イットリウムをＹＯ_３／２換算で０〜０．０３モルの割合で、マンガンをＭｎＯ換算で０．００５〜０．０３モルの割合で、およびルテチウムをＬｕＯ_３／２換算で０．０４５〜０．２モルの割合で含有するとともに、Ｃｕｋα線を用いたときの誘電体磁器のＸ線回折チャートにおいて、２θが４４．７〜４５．５°の範囲に現れる回折ピークの２５℃における半値幅（ｄ_２５）と１５０℃における半値幅（ｄ_１５０）との差（ｄ_２５−ｄ_１５０）が０．００５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率かつ電界−誘電分極特性におけるヒステリシスの小さい誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを構成するバリウム１モルに対して、マグネシウムをＭｇＯ換算で０．０１〜０．０６モルの割合で、イットリウムをＹＯ_３／２換算で０〜０．０３モルの割合で、マンガンをＭｎＯ換算で０．００５〜０．０３モルの割合で、およびタンタルをＴａＯ_５／２換算で０．１〜０．３モルの割合で含有するとともに、Ｃｕｋα線を用いたときの誘電体磁器のＸ線回折チャートにおいて、２θが４４．７〜４５．５°の範囲に現れる回折ピークの２５℃における半値幅（ｄ_２５）と１５０℃における半値幅（ｄ_１５０）との差（ｄ_２５−ｄ_１５０）が０．００５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 チタン酸バリウム系の積層セラミックコンデンサと同等以上の高温加速寿命特性を有し、温度特性がＸ５Ｒ特性を示すチタン酸ストロンチウム系の積層セラミックコンデンサを得る。
【解決手段】 ＳｒＴｉＯ_３を主相とし、ＳｒＴｉＯ_３ １００ｍｏｌに対してＭｇ成分を、０．２〜５．０ｍｏｌ、Ｍｎ及びＶから選ばれる金属元素を０．１〜１．０ｍｏｌ、Ｒｅ成分（ＲｅはＳｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ及びＹから選ばれる１種または２種以上の金属元素）を０．３〜５．０ｍｏｌ、ＳｉＯ_２またはＳｉを含むガラス成分を０．１５〜１０ｍｏｌの割合で含有する誘電体セラミックスであり、前記誘電体セラミックスを構成するセラミック粒子がコアシェル構造を有している。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率かつ電界−誘電分極特性におけるヒステリシスの小さい誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを構成するバリウム１モルに対して、マグネシウムをＭｇＯ換算で０．０１〜０．０６モルの割合で、イットリウムをＹＯ_３／２換算で０〜０．０３モルの割合で、マンガンをＭｎＯ換算で０．００５〜０．０３モルの割合で、ニオブをＮｂＯ_５／２換算で０．０７〜０．３モルの割合で含有するとともに、Ｃｕｋα線を用いたときの誘電体磁器のＸ線回折チャートにおいて、２θが４４．７〜４５．５°の範囲に現れる回折ピークの２５℃における半値幅（ｄ_２５）と１５０℃における半値幅（ｄ_１５０）との差（ｄ_２５−ｄ_１５０）が０．０５以下である。 （もっと読む）

【課題】薄層化した場合であっても、高い比誘電率を示しつつ、良好な温度特性を有し、かつ、ＣＲ積、破壊電圧、ＤＣバイアス特性、高温加速寿命等の特性が良好な誘電体磁気組成物を提供すること。
【解決手段】主成分としてＢａＴｉＯ_３を有し、主成分１００モルに対し、副成分として、各酸化物または複合酸化物換算で、ＭｇＯ：０．５０〜２．５０モル、ＭｎＯ：０．０５〜０．３５モル、Ｒ_２Ｏ_３（ただし、ＲはＧｄ以外の希土類元素）：０．４０〜１．５０モル、Ｇｄ_２Ｏ_３：０．０３〜０．１０モル（ただし、０．１０モルは除く）、ＢａＺｒＯ_３：０．２０〜０．７０モル、およびＶ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物：０．０２〜０．１５モルを含む誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】ＩＲ寿命に優れ、定格電圧の高い（たとえば１００Ｖ以上）中高圧用途に好適に用いることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３と、ＢａＺｒＯ_３と、Ｒ酸化物（Ｒは希土類元素）とを有する誘電体磁器組成物であって、ＢａＴｉＯ_３ １００モルに対して、ＢａＺｒＯ_３の含有量をＡモル、Ｒ酸化物の含有量をＣモルとした場合に、４０≦Ａ≦６５モル、４≦Ｃ≦１５モルで、かつ、式（１）および（２）を同時に満足する誘電体磁器組成物。式（１）…０．００３８Ａ−０．１４７≦Ｂ≦０．００４Ａ＋０．０４（Ｂは、ＢａＴｉＯ_３のＸ線最大ピーク強度に対するＢａＺｒＯ_３のＸ線最大ピーク強度の比）、式（２）…０．００４１Ｃ−０．０１１５≦Ｄ≦０．００４６Ｃ＋０．０８４（Ｄは、ＢａＴｉＯ_３のＸ線最大ピーク強度に対するＲ酸化物のＸ線最大ピーク強度の比） （もっと読む）

【課題】 高誘電率かつ電界−誘電分極特性におけるヒステリシスの小さい誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを構成するバリウム１モルに対して、マグネシウムをＭｇＯ換算で０．０１〜０．０６モルの割合で、イットリウムをＹＯ_３／２換算で０〜０．０３モルの割合で、マンガンをＭｎＯ換算で０．００５〜０．０３モルの割合で、イッテルビウムをＹｂＯ_３／２換算で０．０４５〜０．２モルの割合で含有するとともに、Ｃｕｋα線を用いたときの誘電体磁器のＸ線回折チャートにおいて、２θが４４．７〜４５．５°の範囲に現れる回折ピークの２５℃における半値幅（ｄ_２５）と１５０℃における半値幅（ｄ_１５０）との差（ｄ_２５−ｄ_１５０）が０．０５以下である。 （もっと読む）

【課題】薄層化しても、高い比誘電率および良好な温度特性を有し、かつ、ＣＲ積、破壊電圧、ＤＣバイアス特性、高温加速寿命が良好な誘電体磁気組成物を提供すること。
【解決手段】主成分としてＢａＴｉＯ_３系誘電体材料を有し、副成分としてＭｇ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｒ（ＲはＹ、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｙｂから選ばれる１つ以上）、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗから選ばれる１つ以上の元素の酸化物を有し、焼結助剤を有し、針状結晶が存在しており、一般式ＡＢＯ_３で表した場合、Ａ元素がＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｒからなる群から選ばれ、Ｂ元素がＴｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれ、０．９８５≦Ａ／Ｂ＜０．９９７であり、２０００倍で、５０×５０μｍを１視野としてＳＥＭ観察したときに、３視野に存在する針状結晶２０の合計個数が１０〜５０個である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率で比誘電率の温度変化がＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足し、印加する電圧が低い場合にも高い絶縁抵抗が得られる誘電体磁器と、このような誘電体磁器を誘電体層として備え、高温負荷試験での寿命特性に優れる積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 Ｃａ濃度の異なるチタン酸バリウムを主体とする誘電体磁器であって、該誘電体磁器を構成するバリウム１００モルに対して、バナジウムをＶ_２Ｏ_５換算で０．０５〜０．３モル、マグネシウムをＭｇＯ換算で０〜１モル、マンガンをＭｎＯ換算で０〜０．５モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる希土類元素（ＲＥ）をＲＥ_２Ｏ_３換算で０．４〜１．５モル含み、誘電体磁器のＸ線回折チャートにおいて、正方晶系のチタン酸バリウムを示す（００４）面の回折強度が、立方晶系のチタン酸バリウムを示す（４００）面の回折強度よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率で比誘電率の温度変化がＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性を満足し、印加する電圧が低い場合にも高い絶縁抵抗が得られる誘電体磁器と、このような誘電体磁器を誘電体層として備え、高温負荷試験での寿命特性に優れる積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 カルシウム濃度が０．４原子％以上のチタン酸バリウムを主体とする誘電体磁器であって、該誘電体磁器を構成するバリウム１００モルに対して、バナジウムをＶ_２Ｏ_５換算で０．０５〜０．３モル、マグネシウムをＭｇＯ換算で０〜０．１モル、マンガンをＭｎＯ換算で０〜０．５モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の希土類元素をＲＥ_２Ｏ_３換算で０．５〜１．５モル含み、誘電体磁器のＸ線回折チャートにおいて、正方晶系のチタン酸バリウムを示す（００４）面の回折強度が、立方晶系のチタン酸バリウムを示す（４００）面の回折強度よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】低温焼結が可能で、強度が高く、デラミネーションが発生しにくい、高周波領域において低誘電損失となるセラミック配線基板を得ることができるセラミック組成物及びセラミック配線基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ_２ ５３．５〜６２質量％、ＭｇＯ １２〜２２質量％、ＣａＯ ２１〜３２質量％からなる主成分１００質量部に対し、リチウム成分、ナトリウム成分、カリウム成分から選ばれる１種以上を０．１〜２０質量部含有し、かつ、ホウ素成分を含有しないセラミック組成物を焼結して形成されたセラミックス層と、前記セラミックス層に積層された、導電性部材で形成された配線層を備えているセラミック配線基板。 （もっと読む）

【課題】ＣａＺｒＯ_３を主成分とする誘電体磁器を用い、内部電極としてＣｕを用いた積層セラミックコンデンサの寿命特性を改善する誘電体器及びそれを用いた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】Ｃａ_ｘＺｒＯ_３＋ａＭｎ＋ｂＬｉ＋ｃＢ＋ｄＳｉで表され、Ｃａ_ｘＺｒＯ_３（但し、１．００≦ｘ≦１．１０）１００ｍｏｌに対して、０．５≦ａ≦４．０ｍｏｌ、６．０≦（ｂ＋ｃ＋ｄ）≦１５．０ｍｏｌを含有し、０．１５≦（ｂ／（ｃ＋ｄ））≦０．５５、０．２０≦（ｄ／ｃ）≦３．３０であることを特徴とする誘電体磁器である。また、それを用いた積層セラミックコンデンサである。 （もっと読む）

【課題】低温焼結が可能で、強度が高く、デラミネーションが発生しにくい、高周波領域において低誘電損失となるセラミック配線基板を得ることができるセラミック組成物及びセラミック配線基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ_２ ５３．５〜６２質量％、ＭｇＯ １２〜２２質量％、ＣａＯ ２１〜３２質量％からなる主成分１００質量部に対し、ビスマス成分を酸化物換算で０．０１〜２０質量％含有し、かつ、ホウ素成分を含有しないセラミック組成物を焼結して形成されたセラミックス層と、前記セラミックス層に積層された、導電性部材で形成された配線層を備えているセラミック配線基板。 （もっと読む）