【課題】誘電体磁器組成物において所定の材料組成をとることにより、−２５〜１０５℃の温度範囲において、２５℃における静電容量を基準とした静電容量変化率が、２５℃における静電容量を基準とした容量温度特性を示す傾きａを有する直線に対して、−１５〜＋５％の範囲内にある誘電体磁器組成物であって、前記傾きａが−７０００〜−３０００ｐｐｍ／℃であることを特徴とする誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ} Ｓｒ_ｘ Ｃａ_ｙ ）_ｍ （Ｔｉ_１−ｚ Ｚｒ_ｚ ）Ｏ_３ の一般式で表される主成分と、Ｍｇの酸化物から成る第１副成分と、ＭｎまたはＣｒから選択される少なくとも１種の酸化物から成る第２副成分と、Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、ＨｏおよびＹｂから選択される１種以上）から成る第３副成分と、Ｓｉを含む酸化物から成る第４副成分とを、有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミック層の厚みを１μｍ未満と薄くしても、高い絶縁性および寿命特性の維持を可能とする。
【解決手段】誘電体セラミック層２の厚みをｔとし、誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックの結晶粒子の平均粒径をｒとしたとき、Ｎ＝ｔ／ｒ−１で定義される平均粒界個数Ｎを０＜Ｎ≦２とするとともに、誘電体セラミックの組成を、ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａ、またはＢａならびにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含む。Ｂは、Ｔｉ、またはＴｉならびにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含む。）で表されるペロブスカイト型化合物を主成分とし、かつＭｎおよびＶを副成分とし、主成分１００モル部に対して、Ｍｎを０．０５〜０．７５モル部、Ｖを０．０５〜０．７５モル部それぞれ含有し、ＭｎおよびＶの合計で０．１０〜０．８０モル部含有する。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が低く作製が容易かつ低コストの低温焼成セラミック組成物を製造することを課題とする。
【解決手段】 目標組成となるように原料粉末を秤量、混合して得られる混合粉末を、前記混合粉末の溶融温度以下の温度で仮焼し、微粉砕して得られた低温焼結化材と、比誘電率が６以下の無機フィラーとの混合比率が、低温焼結化材と無機フィラーの合計に対して１５体積％より大きく４０体積％より小さくなるように混合して作製した粉末を用いることを特徴とするガラスセラミック基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
高誘電率かつ安定な比誘電率の温度特性を示す誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】
チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子と、該結晶粒子間に形成された粒界相とを有する誘電体磁器であって、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム１モルに対してマグネシウム、ガドリニウム，テルビウム，ディスプロシウム，ホルミウム，エルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素（ＲＥ）、マンガンを酸化物換算で所定の割合で含有するとともに、チタン酸バリウム１００質量部に対して、ルテチウムを酸化物換算で所定の割合で含有し、結晶粒子の平均粒径が０．０５〜０．２μｍである。また、上記誘電体磁器を誘電体層として適用することにより、高容量かつ容量温度特性の安定なコンデンサを形成できる。 （もっと読む）

【課題】
高誘電率かつ安定な比誘電率の温度特性を示す誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】
チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子と、該結晶粒子間に形成された粒界相とを有する誘電体磁器であって、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム１モルに対してマグネシウム、ガドリニウム，テルビウム，ディスプロシウム，ホルミウム，エルビウムおよびイッテルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素（ＲＥ）、マンガンを酸化物換算で所定の割合で含有するとともに、チタン酸バリウム１００質量部に対してタンタルを酸化物換算で所定の割合で含有し、結晶粒子の平均粒径が０．０５〜０．２μｍである。また、上記誘電体磁器を誘電体層として適用することにより、高容量かつ容量温度特性の安定なコンデンサを形成できる。 （もっと読む）

【課題】
高誘電率かつ安定な比誘電率の温度特性を示す誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】
チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子と、該結晶粒子間に形成された粒界相とを有する誘電体磁器であって、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム１モルに対してマグネシウム、ガドリニウム，テルビウム，ディスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素（ＲＥ）、マンガンを酸化物換算で所定の割合で含有するとともに、チタン酸バリウム１００質量部に対して、イッテルビウムを酸化物換算で所定の割合で含有し、結晶粒子の平均粒径が０．０５〜０．２μｍである。また、上記誘電体磁器を誘電体層として適用することにより、高容量かつ容量温度特性の安定なコンデンサを形成できる。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率かつ誘電損失が小さく、比誘電率の温度変化がＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性を満足し、印加する電圧が低い場合にも高い絶縁抵抗が得られる誘電体磁器と、このような誘電体磁器を誘電体層として備え、高温負荷試験での寿命特性に優れる積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体磁器がチタン酸バリウムを主成分として、バナジウム、マグネシウム、マンガンおよび希土類元素を所定量含み、正方晶系のチタン酸バリウムを示す（００４）面の回折強度が立方晶系のチタン酸バリウムを示す（００４）面の回折強度よりも大きく、結晶粒子の平均粒径が０．２１〜０．２８μｍである。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率かつ安定な比誘電率の温度特性を示すとともに、誘電分極が小さく、かつ耐熱衝撃性の良い積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 積層セラミックコンデンサを溶解して求められる元素の含有量が、バリウム１モルに対して、イットリウムをＹＯ_３／２換算で０．００１４〜０．０３モル、マンガンをＭｎＯ換算で０．０００２〜０．０４５モル、マグネシウムをＭｇＯ換算で０．００７５〜０．０４モル、イッテルビウムをＹｂＯ_３／２換算で０．０２５〜０．１８モルであり、誘電体層５が、チタン酸バリウムを主成分とする結晶相を主たる結晶相とし、該結晶相が立方晶系を主体とする結晶構造を有し、結晶粒子の平均粒径が０．０５〜０．２μｍであるとともに、内部電極層７を部分的に貫通する誘電体結合材８が前記誘電体層５を構成する誘電体磁器の主たる結晶相と同じ成分を有する誘電体磁器からなる。 （もっと読む）

【課題】 ［（ＣａＳｒ）Ｏ］_ｍ［（ＴｉＺｒＨｆＭｎ）Ｏ_２］系の誘電体磁器組成物が有する優れた諸特性を有しつつ、誘電体層の厚みを薄く、たとえば２μｍ以下にしても、クラックの発生を防止できる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】〔（Ｃａ_１−ｘＳｒ_ｘ）Ｏ〕_ｍ〔（Ｚｒ_{１−ｙ−ｚ−α}Ｔｉ_ｙＨｆ_ｚＭｎ_α）Ｏ_２〕ただし、０．９９１≦ｍ≦１．０１０、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦０．１、０＜ｚ≦０．０２、０．００２＜α≦０．０５で示される組成の誘電体酸化物を含む主成分と、
主成分１００モル部に対して、
０．１〜０．５モル部のＡｌ_２Ｏ_３、および
０．５〜５．０モル部のＳｉＯ_２を含む誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率かつ安定な比誘電率の温度特性を示す誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 チタン酸バリウムを構成するバリウム１モルに対して、イットリウムをＹＯ_３／２換算で０．００１４〜０．０３モル、マンガンをＭｎＯ換算で０．０００２〜０．０４５モル、マグネシウムをＭｇＯ換算で０．００７５〜０．０４モル、イッテルビウムをＹｂＯ_３／２換算で０．０２５〜０．１８モル含有するとともに、前記マグネシウムが前記結晶粒子の内部よりも表層部に多く存在し、前記結晶粒子の表面から２０ｎｍの深さにおける前記マグネシウムの濃度が０．２原子％以下であり、前記結晶粒子の平均粒径が０．０５〜０．２μｍで、かつ前記結晶相が立方晶を主体とする結晶構造を有する。 （もっと読む）

【課題】測定周波数１ＭＨｚ〜ＧＨｚ帯における誘電正接を小さくできるアルミナ質焼結体および半導体製造装置用部材ならびに液晶パネル製造装置用部材を提供する。
【解決手段】ＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で９９．３質量％以上、ＳｉをＳｉＯ_２換算で０．０５〜０．３質量％、ＳｒをＳｒＯ換算で０．０１〜０．１６質量％含有するとともに、アルミナ結晶粒子１を主結晶粒子とし、該アルミナ結晶粒子１で構成される３重点２にＳｉ、Ａｌ、ＳｒおよびＯの各元素を含有する結晶相が存在し、かつアルミナ結晶粒子１の平均粒径が１０μｍ以上である。これにより、Ｓｉ、Ａｌ、ＳｒおよびＯの各元素を含む低損失の結晶相が存在するため、またアルミナ結晶粒子１の平均粒径が１０μｍ以上であるため粒界の数が少なくなり、周波数１ＭＨｚ〜８．５ＧＨｚにおける誘電正接を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】温度特性を損なうことなく高誘電率を維持し、かつ所望の信頼性やＡＣ電界特性を確保することができるようにする。
【解決手段】本発明の誘電体セラミックは、結晶粒子１と結晶粒界２とを備えている。そして、任意の断面で観察したとき、７０％以上の結晶粒子１が、ＢａＴｉＯ_３を主成分とする第１の領域３と、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３を主成分とする第２の領域４とを有する。さらに、第１の領域３の結晶粒界２への露出部分の周縁長Ｌ１が、第２の領域４の結晶粒界２への露出部分の周縁長Ｌ２よりも長く形成されている。第２の領域４が第１の領域３で取り囲まれている。必要に応じ、副成分としてＳｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、及びＶの群から選択された少なくとも１種の元素、更にはＳｍ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｙ、及びＺｒの群から選択された少なくとも１種の元素を添加するのも好ましい。 （もっと読む）

【課題】 優れた高温負荷寿命および容量温度特性を有するとともに、電歪現象が抑制された誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムを含む主成分と、ＭｇＯを含む第１副成分と、ＳｉＯ_２ 系の焼結助剤を含む第２副成分と、Ｖ_２ Ｏ_５ 、Ｎｂ_２ Ｏ_５ およびＷＯ_３ の少なくとも一つを含む第３副成分と、Ｒ^Ａの酸化物（ただし、Ｒ^Ａは、Ｔｂ、ＧｄおよびＤｙから選ばれる少なくとも１種）を含む第４Ａ副成分と、Ｒ^Ｂの酸化物（ただし、Ｒ^Ｂは、Ｈｏ、ＹおよびＹｂから選ばれる少なくとも１種）を含む第４Ｂ副成分と、ＭｎＯまたはＣｒ_２ Ｏ_３ を含む第５副成分とを、有する誘電体磁器組成物である誘電体磁器組成物。
（もっと読む）

【課題】強誘電特性の劣化を引き起こすことなく、効率的にリーク電流を抑制する新たな強誘電体材料を提供する。
【解決手段】薄膜化させるターゲット材料として、Bi：Nd：Fe：Mn＝1.0：0.05：0.97：0.03組成を有する焼結ターゲットを用い、パルスレーザ照射によりターゲットから射出されたアブレーション粒子を、STO基板(1d)上にPt(1c)をPLA堆積させたPt/STO基板上に堆積することにより、BFOのBiサイト及びFeサイトの両方のサイトを元素置換したBNFM(1b)の強誘電体材料の薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミック層が薄層化されても、静電容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足し、高温での絶縁抵抗が高く、高温負荷寿命特性が良好な誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１において、誘電体セラミック層２を、次の誘電体セラミックから構成する。すなわち、ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａを必ず含み、さらにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含むことがある。Ｂは、Ｔｉを必ず含み、さらにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含むことがある。）を主成分とし、副成分として、ＶならびにＭｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｎｉ、ＣｒおよびＣｏから選ばれる少なくとも１種を含む。そして、この誘電体セラミック中における上記Ｖの平均価数を４．２〜４．９とする。 （もっと読む）

【課題】薄層化した場合であっても、高い比誘電率を示しつつ、良好な温度特性を有し、かつ、ＣＲ積、破壊電圧、ＤＣバイアス特性、高温加速寿命等の特性が良好な誘電体磁気組成物を提供すること。
【解決手段】 主成分としてＢａＴｉＯ_３を有し、主成分１００モルに対し、副成分として、各酸化物または複合酸化物換算で、ＭｇＯ：０．５０〜３．０モル、ＭｎＯ：０．０５〜０．５モル、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄからなる群から選ばれる元素の酸化物（ＲＥ^１_２Ｏ_３）、Ｔｂ、Ｄｙからなる群から選ばれる元素の酸化物（ＲＥ^２_２Ｏ_３）、Ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｌｕからなる群から選ばれる元素の酸化物（ＲＥ^３_２Ｏ_３）、ＢａＺｒＯ_３：０．２０〜１．０モル、およびＶ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれる元素の酸化物：０．０５〜０．２５モル、を含み、前記ＲＥ^１_２Ｏ_３、ＲＥ^２_２Ｏ_３およびＲＥ^３_２Ｏ_３の含有量が、ＲＥ^１_２Ｏ_３＜ＲＥ^２_２Ｏ_３および（ＲＥ^１_２Ｏ_３＋ＲＥ^２_２Ｏ_３）≦ＲＥ^３_２Ｏ_３を満たす誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも高温負荷寿命等の信頼性を示す特性が良好であり、誘電率の温度特性がＸ６Ｓ特性を満足し、誘電率が７５０〜１５００である誘電体セラミックス及び積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 ＡＢＯ_３＋ａＧｄ＋ｂＲｅ＋ｃＭ＋Ｚｒ酸化物（ただし、ＡＢＯ_３はチタン酸バリウム系固溶体をペロブスカイト構造を示す一般式で表したもの、ＧｄはＧｄの酸化物、ＲｅはＤｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ及びＹから選ばれる少なくとも１種類の金属酸化物、ＭはＭｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＶから選ばれる金属元素の酸化物であり、ａ、ｂ、ｃはそれぞれの酸化物を金属元素が１元素含まれる化学式に換算したときの、ＡＢＯ_３１ｍｏｌに対するｍｏｌ数を示す）で表記したとき、１．１００≦Ｂａ／Ｔｉ≦１．７００、０．００８≦ａ≦０．０４、０．００８≦ｂ≦０．０４、０．０１≦ｃ≦０．０５の範囲である。 （もっと読む）

【課題】定格電圧が高い中高圧用途に用いられ、誘電率が高く、ＤＣバイアス特性、電歪特性、高温負荷寿命特性に優れた誘電体磁器組成物と、電子部品を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウム１００モルに対して、各副成分の酸化物または複合酸化物換算での比率が、ＢａＺｒＯ３：９〜１３モル、希土類Ｒの酸化物：４．５〜５．５モル、Ｍｇの酸化物：２．７〜５．７モル、Ｍｎの酸化物：０．５〜１．５モル、Ｓｉの酸化物：３．０〜３．９モルであり、誘電体磁器組成物が、中心部と、中心部の周囲に存在し、少なくともＺｒ、ＭｇおよびＲが含まれる拡散相と、からなる表面拡散粒子を有する。表面拡散粒子の個数割合が６０％以上であり、拡散相におけるＺｒの濃度をｘ（ａｔｏｍ％）、Ｒの濃度をｙ（ａｔｏｍ％）、Ｍｇの濃度をｚ（ａｔｏｍ％）とした場合に、ｘ、ｙ、ｚが、点Ａ、Ｂ、Ｃを頂点とする三角形に囲まれた領域内（線上を含む）にある。 （もっと読む）

【課題】主成分粉末及び副成分粉末が均一に分散された誘電体セラミックス材料の製造方法を提供する。
【解決手段】複数種の副成分粉末の混合物を仮焼成する仮焼成工程と、仮焼成された前記副成分粉末を粉砕する粉砕工程と、粉砕された前記副成分粉末をプラズマにより微粒化するプラズマ処理工程と、プラズマにより微粒化された前記副成分粉末を、主成分粉末に添加する工程と、を備えており、前記粉砕工程において粉砕された後の前記副成分粉末の粒度分布は、Ｄ９０／Ｄ５０＜３．０であるようにした。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率で、比誘電率の温度変化率が小さく、かつ電界−誘電分極特性におけるヒステリシスの小さい誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体磁器が、結晶粒子として、チタン酸バリウムを主体とし、マグネシウム、イットリウム、マンガンおよびイッテルビウムを含み、イッテルビウムの濃度が０．５原子％以下の結晶粒子１ａからなる第１の結晶群と前記イッテルビウムの濃度が１原子％以上の結晶粒子１ｂからなる第２の結晶群とを有し、かつ前記第１の結晶群を構成する結晶粒子はさらにカルシウムを含み、前記結晶粒子１ａおよび前記結晶粒子１ｂの平均結晶粒径が０．１〜０．２５μｍであり、前記第１の結晶群を構成する結晶粒子の面積をａ、第２の結晶群を構成する結晶粒子の面積をｂとしたときに、ａ／（ａ＋ｂ）が０．１〜０．４である。 （もっと読む）