【課題】高誘電率、低誘電損失または０に近い誘電率温度係数を実現することができる誘電体セラミックを提供すること。
【解決手段】本発明の誘電体セラミックは、ＳｒＯおよびＢａＯを含むホウケイ酸ガラスと、Ｂａ_６−３ａＲ_８＋２ａＴｉ_１８Ｏ_５４（Ｒ：希土類元素、０≦ａ≦１）から組成されており前記ホウケイ酸ガラスに混入されているフィラーとを備えている。前述した組成のホウケイ酸ガラスとフィラーであれば、誘電率を低下させる析出物セルシアンの生成を防ぐことができ、気孔率も低下するので、所望の誘電率を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】粒径を増大させることなく、不純物質が有効に低減された誘電性セラミックスを含有する電子部品用樹脂組成物、その製造方法および電子部品を提供すること。
【解決手段】アルカリ土類金属の炭酸塩と酸化チタンとの固相反応により誘電性セラミックスを合成する工程；該誘電性セラミックスを酸洗浄する工程；および酸洗浄された誘電性セラミックスを樹脂中に配合させる工程を含む電子部品用樹脂組成物の製造方法、該方法で製造された電子部品用樹脂組成物、および該樹脂組成物を用いて形成された電子部品。 （もっと読む）

【課題】
高い誘電率を保ちつつ、高容量であり、均一で所望の絶縁性を有する誘電体薄膜を得ることが可能な複合誘電体用液状組成物および誘電体ならびに複合誘電体液状組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】
無機誘電体とフッ素化芳香族ポリマーを含有する複合誘電体用液状組成物であって、液状組成物中の無機誘電体の平均粒子径Ｄｍが７００ｎｍ以下である。また、該複合誘電体用液状組成物を用いてなる複合誘電体、及び、該複合誘電体を構成部位として含む電気回路基板。 （もっと読む）

【課題】軽量、且つ、ノイズ抑制効果の厚み依存性が少ないノイズ抑制樹脂複合材料を提供する。
【解決手段】誘電特性を用いたノイズ抑制樹脂複合材料であって、厚みt(mm)、複素比誘電率の実部εr’、複素比誘電率の虚部εr”が以下の式を満たす、ノイズ抑制材料。
εr’・t≦300(mm)
εr’’・t≧3(mm) （もっと読む）

【課題】低温焼結が可能で、強度が高く、デラミネーションが発生しにくい、高周波領域において低誘電損失となるセラミック配線基板を得ることができるセラミック組成物及びセラミック配線基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ_２ ５３．５〜６２質量％、ＭｇＯ １２〜２２質量％、ＣａＯ ２１〜３２質量％からなる主成分１００質量部に対し、ビスマス成分を酸化物換算で０．０１〜２０質量％含有し、かつ、ホウ素成分を含有しないセラミック組成物を焼結して形成されたセラミックス層と、前記セラミックス層に積層された、導電性部材で形成された配線層を備えているセラミック配線基板。 （もっと読む）

【課題】低温焼結が可能で、強度が高く、デラミネーションが発生しにくい、高周波領域において低誘電損失となるセラミック配線基板を得ることができるセラミック組成物及びセラミック配線基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ_２ ５３．５〜６２質量％、ＭｇＯ １２〜２２質量％、ＣａＯ ２１〜３２質量％からなる主成分１００質量部に対し、リチウム成分、ナトリウム成分、カリウム成分から選ばれる１種以上を０．１〜２０質量部含有し、かつ、ホウ素成分を含有しないセラミック組成物を焼結して形成されたセラミックス層と、前記セラミックス層に積層された、導電性部材で形成された配線層を備えているセラミック配線基板。 （もっと読む）

【課題】 常誘電性を有するとともに、比誘電率が１５０以上で、かつ測定周波数１００Ｈｚ、温度１００℃における誘電損失が１％以下の誘電体磁器およびこれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 金属元素として、Ｂａのみ、ＢａおよびＳｒの組合せ、またはＢａ、ＳｒおよびＣａの組合せと、Ｔｉ、ＮｂおよびＹとを含有するとともに、モル比による組成式を（Ｓｒ_{１−ｕ−ｖ}Ｂａ_ｕＣａ_ｖ）（Ｔｉ_{１−ｘ−ｙ}Ｎｂ_ｘＹ_ｙ）Ｏ_３と表したとき、０．３≦ｕ≦１、０≦ｖ≦０．３、ｕ＋ｖ≦１、０．０５≦ｘ≦０．２、０．０５≦ｙ≦０．２の範囲とすることにより、常誘電性を有するとともに、室温での比誘電率が１５０以上、測定周波数１００Ｈｚにおける１００℃での誘電損失が１％以下である誘電体磁器を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高い比誘電率を示し、かつ低誘電正接を有するアンテナなどに使用できる高誘電性有彩色エラストマー組成物およびこの高誘電性有彩色エラストマー組成物を用いる電子部品を提供する。
【解決手段】エチレンプロピレンゴムに、誘電性セラミックスおよび有彩色顔料を分散媒体に分散させてペースト化したペースト顔料を配合してなり、配合量はエラストマー 100 質量部に対し、固形分換算で、1〜20 質量部であり、 周波数 400MHz、25 ℃で測定されるエラストマー組成物の比誘電率が 4〜20、誘電正接が 0.02 以下である。 （もっと読む）

【課題】ＵＨＦアンテナやモノリシックセラミック部品において使用可能な誘電体セラミック組成物を提供する。
【解決手段】誘電体セラミック組成物は、１ＭＨｚにおいて、少なくとも２００の誘電率（Ｋ）と、０．０００６以下の誘電損失（ＤＦ）を有する。誘電体セラミック組成物は、雰囲気制御せずに空気中で焼成して焼結させることによって形成される。誘電体セラミック組成物は、９２．４９〜９７．５ｗｔ％の主要成分として、６０．１５〜６８．２ｗｔ％のチタン酸ストロンチウム、１１．０２〜２３．５９ｗｔ％のチタン酸カルシウム、および、７．１１〜２１．３２ｗｔ％のチタン酸バリウムを含み、２．５０〜７．５１ｗｔ％の微量成分として、１．１８〜３．５５ｗｔ％のジルコン酸カルシウム、０．５０〜１．５４ｗｔ％の三酸化ビスマス、０．２〜０．５９ｗｔ％のジルコニア、０．０２〜０．０７ｗｔ％の二酸化マンガン、０．１２〜０．３５ｗｔ％の酸化亜鉛、０．１２〜０．３５ｗｔ％の無鉛ガラスフリット、０．２４〜０．７１ｗｔ％のカオリン粘土、および、０．１２〜０．３５ｗｔ％の酸化セリウムを含む。 （もっと読む）

【課題】安価で誘電特性、耐衝撃性、柔軟性および加工性に優れ、800〜960 MHz であるＵＨＦ帯で使用可能な高誘電性エラストマー成形体および高周波用電子部品材料を提供する。
【解決手段】高誘電性エラストマー成形体は、エラストマーに誘電性セラミックス粉末を配合した高誘電性エラストマー組成物を成形してなる高誘電性エラストマー成形体であって、該成形体の引張り伸びが 250％以上、硬さが 70 以下で、周波数 950 MHｚ の測定において比誘電率が 4〜10、誘電正接が 0.02 以下であり、高周波用電子部品材料は上記高誘電性エラストマー成形体を用いてなる。 （もっと読む）

【課題】誘電率を高くしながら、tanδを低く抑えた、誘電体セラミック粉末を充填した複合誘電体シートとその利用を提供する。
【解決手段】本発明によれば、一般式（Ｉ）
【化１】


(式中、ｍ及びｎはそれぞれ繰り返し単位中のキノンジイミン構造単位及びフェニレンジアミン構造単位のモル分率を示し、０≦ｍ≦１、０≦ｎ≦１、ｍ+ｎ＝１である。)
を繰り返し単位として有するポリアニリンに誘電体セラミック粉末を分散させてなる複合誘電体が提供される。 （もっと読む）

【課題】１０００℃以下の低温で焼成することができ、ＡｇやＣｕとの共焼結が可能であり、誘電率が低く、Ｑ値が高く、高周波用途に適した焼結体を得ることを可能とする絶縁体セラミック組成物の提供。
【解決手段】スピネル（ＭｇＡｌ₂Ｏ₄）を含むセラミック粉末と、酸化ケイ素をＳｉＯ₂換算で３０〜６０モル％および酸化マグネシウムをＭｇＯ換算で２０〜５５モル％含むガラス粉末と、を含有する絶縁体セラミック組成物であって、絶縁体セラミック組成物はさらにセラミック粉末中に、酸化チタン、酸化銅を含有し、ガラス粉末には、酸化ホウ素、ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯおよびＺｎＯからなる群から選択された少なくとも１種の酸化物、酸化アルミニウム、Ｌｉ₂Ｏ，Ｋ₂ＯおよびＮａ₂Ｏからなる群から選択された少なくとも１種のアルカリ金属酸化物が、添加物として添加される場合には一定量以下添加されていることを特徴とする絶縁体セラミック組成物。 （もっと読む）

【課題】ガラス成分等の含有量を比較的に減らすことで薄層化に対応可能としつつ、良好な特性（比誘電率、損失Ｑ値、絶縁抵抗）を示す誘電体磁器組成物およびこの誘電体磁器組成物から構成されている誘電体層を有する積層型フィルタなどの複合電子部品あるいは積層セラミックコンデンサを提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムおよびチタン酸カルシウムから選ばれる少なくとも１つを含む主成分と、副成分として、Ｂの酸化物を含むガラス成分と、を含有する誘電体磁器組成物であって、前記ガラス成分の含有量が、前記主成分１００重量％に対して、２〜７重量％であること。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ペロブスカイト型誘電体セラミックを主成分とする耐還元性誘電体磁器組成物において、絶縁抵抗（ＩＲ）の高温加速寿命（ＨＡＬＴ）および破壊電圧（ＶＢ）の向上を達成することを目的としている。
【解決手段】 本発明に係る誘電体磁器組成物は、
一般式ＡＢＯ_３（ただし、式中、Ａは、Ｂａ、Ｃａ、ＳｒおよびＭｇから選択される１種以上の元素であり、Ｂは、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆから選択される１種以上の元素であり、［Ａ］／［Ｂ］（モル比）が、０．９９０≦［Ａ］／［Ｂ］＜１．０３である）で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する化合物を含む主成分と、
ＭｇＯ等の第１副成分と、焼結助剤である第２副成分と、希土類Ｒの酸化物（ただし、ＲはＹ、Ｄｙ、Ｔｂ、ＧｄおよびＨｏから選択される少なくとも一種）を含む第３副成分と、ＭｎＯを含む第４副成分と、Ｒｅ（レニウム）の酸化物である第５副成分とを含み、
前記主成分１００モルに対し、各副成分の比率が、
第１副成分：０．１〜３モル、第２副成分：０．１〜１２モル、第３副成分：０．０１〜１０モル、第４副成分：０．０５〜１．０モル、第５副成分：０．０１〜１．０モルであることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】常誘電性を有するとともに、比誘電率が２５０以上で、測定周波数１００Ｈｚ温度１００℃における誘電損失が１％以下の誘電体磁器及び電子部品を提供する。
【解決手段】金属元素としてＢａ、又はＳｒ及びＢａと、Ｔｉ、Ｎｂ及びＺｎとを含有するとともに、モル比による組成式を（Ｓｒ_１−ｘＢａ_ｘ）（Ｔｉ_１−ｙＮｂ_２／３ｙＺｎ_１／３ｙ）Ｏ_３と表したとき、ｙ≦０．３１４ｘ＋０．０１６で、かつ０＜ｘ≦１、ｙ≧０．０５の条件式を満足することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄層化に対応可能としつつ、良好な特性（比誘電率、損失Ｑ値、絶縁抵抗）を示す低温焼結誘電体磁器組成物およびこの誘電体磁器組成物から構成されている誘電体層を有する積層型フィルタなどの複合電子部品あるいは積層セラミックコンデンサを提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムおよびチタン酸カルシウムから選ばれる少なくとも１つを含む主成分と、副成分として、Ｂｉの酸化物と、Ｂの酸化物と、Ｃｕの酸化物と、を含有する誘電体磁器組成物であって、主成分１００重量％に対して、Ｂｉの酸化物の含有量が、Ｂｉ_２Ｏ_３換算で、０．５〜１０重量％であり、Ｂの酸化物の含有量が、Ｂ_２Ｏ_３換算で、０．５〜１．５重量％であり、Ｃｕの酸化物の含有量が、ＣｕＯ換算で、０．５〜１０重量％である。 （もっと読む）

【課題】燃焼合成により低コストで得られるＬｉを構成元素として含む高誘電性セラミックス粉末を配合した高誘電性エラストマー組成物において、その比誘電率を向上させ得る製造方法を提供する。
【解決手段】Ｌｉを構成元素として含む高誘電性セラミックス粉末とエラストマーとからなる高誘電性エラストマー組成物の製造方法であって、発熱源となる金属粉末と、酸素供給源となる物質と、Ｌｉを含む物質とを少なくとも含む反応原料をそれぞれ所定割合で混合する混合工程と、上記所定割合で混合された混合物を燃焼合成法により反応させる反応工程と、該反応工程で得られた反応生成物を仮焼する仮焼工程と、仮焼済みの反応生成物を乾式粉砕により粉砕して高誘電性セラミックス粉末とする乾式粉砕工程と、該高誘電性セラミックス粉末をエラストマーに配合する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 Ｍｇ_２ＳｉＯ_４（フォルステライト）を主成分とする誘電体磁器組成物の抗折強度を向上する。
【解決手段】 Ｍｇ_２ＳｉＯ_４を主成分とするとともに、ＺｎＯ、Ｂ_２Ｏ_３、ＣｕＯ及びＲＯ（ただし、Ｒはアルカリ土類金属を表す。）を副成分として含む。Ｍｇ_２ＳｉＯ_４の質量をａ、ＺｎＯの質量をｂ、Ｂ_２Ｏ_３の質量をｃ、ＣｕＯの質量をｄ、ＲＯの質量をｅとしたときに、全体の質量（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）に対するＺｎＯの質量ｂの比率ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）が８％〜２０％、Ｂ_２Ｏ_３の質量ｃの比率ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）が３％〜１０％、ＣｕＯの質量ｄの比率ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）が２％〜８％、ＲＯの質量ｅの比率ｅ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ）が１％〜４％である。 （もっと読む）

【課題】 高い誘電率と高い絶縁性を兼ね備えた誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】 誘電体薄膜３２は、一般式Ｂａ_xＳｒ_yＴｉＯ₃で表わされ前記ｘおよびｙがｘ＋ｙ＜１を満たす主成分と、前記主成分１００ｍｏｌに対して３ｍｏｌ以下（０ｍｏｌを含まない）のＣｅと、を含有する。これにより、ＣｅがＡサイトに優先的に固溶して、高い誘電率を維持しつつ高い絶縁性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも高温負荷寿命等の信頼性を示す特性が良好であり、誘電率の温度特性がＸ６Ｓ特性を満足し、誘電率が８００〜１８００である誘電体セラミックス及びＮｉ内部電極積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 ＡＢＯ_３＋ａＲｅ＋ｂＭ＋Ｚｒ酸化物（ただし、ＡＢＯ_３はチタン酸バリウム系固溶体をペロブスカイト構造を示す一般式で表したもの、ＲｅはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ及びＹから選ばれる少なくとも１種類の金属酸化物、ＭはＭｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＺｎから選ばれる金属元素の酸化物を示す）で表記したとき、１．１００≦Ｂａ／Ｔｉ≦１．７００、０．０２≦ａ≦０．１０、０．０１≦ｂ≦０．０５の範囲であり、Ｚｒ酸化物は、Ｔｉに対するＺｒの比率で表記したとき、Ｔｉ：Ｚｒ＝９５：５〜６０：４０の範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）