【課題】焼成時の収縮挙動を抑制しつつ、誘電特性を従来と比べて飛躍的に向上させることができ、しかも信頼性を確保できるようにした。
【解決手段】セラミック組成物は、Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−ＭＯ系ガラス組成物（ただし、ＭはＣａ、Ｍｇ、Ｓｒ、及びＢａの中から選択された少なくとも１種を示し、Ｂ_２Ｏ_３：４〜１７．５重量％、ＳｉＯ_２：２８〜５０重量％、Ａｌ_２Ｏ_３：０〜２０重量％、ＭＯ：３６〜５０重量％である。）を２６〜６０重量％含有すると共に、ＳｒＴｉＯ_３及びＣａＴｉＯ_３のうちの少なくとも１種を３０〜６５重量％含有し、かつ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｚｎ、及びＣａの中から選択された少なくとも１種を含む金属酸化物が１０重量％以下（ただし、０重量％を含む。）に調製されている。このセラミック組成物を焼成してセラミック焼結体２を作製し、該セラミック焼結体２を有する複合ＬＣ部品２０を得る。 （もっと読む）

【課題】結晶化度が高いにもかかわらず、緻密な焼結体を得ることが可能な配線基板用ガラスセラミックス組成物及びガラスセラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】焼成すると主結晶としてディオプサイド（ＣａＭｇＳｉＯ_６）、コージェライト（Ｍｇ_２Ａｌ_４Ｓｉ_５Ｏ_１８）、又はフォルステライト（Ｍｇ_２ＳｉＯ_４）を析出する性質を有する結晶性ガラス粉末を含む配線基板用ガラスセラミックス組成物であって、ガラス組成中にアニオン成分としてフッ素（Ｆ）を０．１〜３モル％含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子トンネリングを防止するのに十分な厚さにおいても、要求されるキャパシタンス値を満たすことができる高誘電率の誘電定数を有し、誘電損失が非常に低く、常誘電特性を示す線形的なＢＳＴＯ誘電体薄膜組成物を提供する。
【解決手段】（Ｂａ、Ｓｒ）ＴｉＯ_３（ＢＳＴＯ）誘電体薄膜に錫酸化物（ＳｎＯ_２）が連続組成拡散法によって添加され、一般式Ｂａ_{（１−ｘ）}Ｓｒ_ｘＴｉ_{（１−ｙ）}Ｓｎ_ｙＯ_３（式中、モル分率ｘは０．０６≦ｘ≦０．８２の範囲であり、モル分率ｙは０．０５≦ｙ≦０．２８の範囲である）（ＢＳＴＳＯ）である誘電体薄膜組成物とする。これにより、電界によるキャパシタンスの変化がほとんどなく、要求されるキャパシタンス値を示し誘電損失は非常に低く、既存の誘電体素材であるＳｉＯ_２のような常誘電（paraelectric）特性を示す。 （もっと読む）

【課題】低温焼結が可能で、強度が高く、高周波領域における誘電損失が低く、高精度な温度特性の制御が可能なセラミック組成物及びセラミック焼結体を提供する。
【解決手段】（ａ）固相反応法により合成されたディオプサイド結晶粉末と、（ｂ）チタン酸ストロンチウム粉末及び／又はチタン酸カルシウム粉末と、（ｃ）アルカリ化合物、アルカリ土類化合物、ホウ素化合物、遷移金属化合物、リン化合物、亜鉛化合物から選ばれた、リチウム化合物及びホウ素化合物を含む２種以上の化合物の粉末を含有するセラミック組成物を成形し、焼結してセラミック焼結体を得る。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミック層の厚みを１μｍ未満と薄くしても、高い絶縁性および寿命特性の維持を可能とする。
【解決手段】誘電体セラミック層２の厚みをｔとし、誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックの結晶粒子の平均粒径をｒとしたとき、Ｎ＝ｔ／ｒ−１で定義される平均粒界個数Ｎを０＜Ｎ≦２とするとともに、誘電体セラミックの組成を、ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａ、またはＢａならびにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含む。Ｂは、Ｔｉ、またはＴｉならびにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含む。）で表されるペロブスカイト型化合物を主成分とし、かつＭｎおよびＶを副成分とし、主成分１００モル部に対して、Ｍｎを０．０５〜０．７５モル部、Ｖを０．０５〜０．７５モル部それぞれ含有し、ＭｎおよびＶの合計で０．１０〜０．８０モル部含有する。 （もっと読む）

【課題】誘電体磁器組成物において所定の材料組成をとることにより、−２５〜１０５℃の温度範囲において、２５℃における静電容量を基準とした静電容量変化率が、２５℃における静電容量を基準とした容量温度特性を示す傾きａを有する直線に対して、−１５〜＋５％の範囲内にある誘電体磁器組成物であって、前記傾きａが−７０００〜−３０００ｐｐｍ／℃であることを特徴とする誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ} Ｓｒ_ｘ Ｃａ_ｙ ）_ｍ （Ｔｉ_１−ｚ Ｚｒ_ｚ ）Ｏ_３ の一般式で表される主成分と、Ｍｇの酸化物から成る第１副成分と、ＭｎまたはＣｒから選択される少なくとも１種の酸化物から成る第２副成分と、Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、ＨｏおよびＹｂから選択される１種以上）から成る第３副成分と、Ｓｉを含む酸化物から成る第４副成分とを、有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】誘電特性は改質前と同等以上で、ペロブスカイト型複合酸化物を改質する被覆成分からの被覆成分の溶出も実質的になく、ペロブスカイト型複合酸化物の比表面積の経時変化及びＡサイト金属の溶出を効果的に抑制すると共に、解砕性の良好な改質ペロブスカイト型複合酸化物を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型複合酸化物の粒子表面を、ＳｉＯ₂と、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｄ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ及びＳｍの群から選択される少なくとも１種とで被覆した改質ペロブスカイト型複合酸化物であって、前記被覆が、加水分解性ＴｉＯ₂前駆体と、Ｎｄ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ及びＳｍの群から選択される少なくとも１種の塩とを加水分解した後、焼成することにより形成されたものであることを特徴とする改質ペロブスカイト型複合酸化物である。 （もっと読む）

【課題】熱衝撃に対する耐性が高く、それゆえ、大容量化のために薄層化された積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を形成するために用いるのに適した誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト型化合物を主成分とする誘電体セラミックであって、ＡＢＯ_３がたとえばＢａＴｉＯ_３であるとき、その結晶粒子は、主成分からなるＢａＴｉＯ_３結晶粒子１１を含むとともに、二次相として、少なくともＭｇ、ＮｉおよびＴｉを含む結晶性酸化物からなるＭｇ−Ｎｉ−Ｔｉ−Ｏ系結晶性酸化物粒子１２と、少なくともＢａおよびＳｉを含む結晶性酸化物からなるＢａ−Ｓｉ−Ｏ系結晶性酸化物粒子１３とを含むようにする。 （もっと読む）

【課題】誘電特性は改質前と同等以上で、ペロブスカイト型複合酸化物を改質する被覆成分からの被覆成分の溶出も実質的になく、ペロブスカイト型複合酸化物の比表面積の経時変化及びＡサイト金属の溶出を効果的に抑制すると共に、解砕性の良好な改質ペロブスカイト型複合酸化物を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型複合酸化物の粒子表面を少なくともＡｌ₂Ｏ₃を含む被覆層で１次被覆し、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂及びＮｄ₂Ｏ₃からなる群から選択される少なくとも１種で２次被覆した改質ペロブスカイト型複合酸化物であって、前記１次被覆が、加水分解性Ａｌ₂Ｏ₃前駆体の加水分解生成物を焼成することにより形成されたものであり、且つ前記２次被覆が、加水分解性ＳｉＯ₂前駆体、加水分解性ＴｉＯ₂前駆体、加水分解性ＺｒＯ₂前駆体及び加水分解性Ｎｄ₂Ｏ₃前駆体の群から選択される少なくとも１種の加水分解生成物を焼成することにより形成されたものであることを特徴とする改質ペロブスカイト型複合酸化物である。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が低く作製が容易かつ低コストの低温焼成セラミック組成物を製造することを課題とする。
【解決手段】 目標組成となるように原料粉末を秤量、混合して得られる混合粉末を、前記混合粉末の溶融温度以下の温度で仮焼し、微粉砕して得られた低温焼結化材と、比誘電率が６以下の無機フィラーとの混合比率が、低温焼結化材と無機フィラーの合計に対して１５体積％より大きく４０体積％より小さくなるように混合して作製した粉末を用いることを特徴とするガラスセラミック基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】２２０ＭＰａ以上の強度値、０．１％以下の低誘電損失と高品質係数を有し、誘電率が６〜１０、共振周波数の温度係数が−５０〜＋５０ｐｐｍ／℃で可変性を持っている低温焼成用低誘電率誘電体セラミック組成物を提供する
【解決手段】低温焼成用低誘電率誘電体セラミック組成物は、ホウケイ酸塩系ガラスフリットと、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、コーディエライト、ムライト、ＭｇＡｌ₂Ｏ₄、ＺｎＡｌ₂Ｏ₄、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄、ＺｒＳｉＯ₄、ＭｇＴｉＯ₃、ＭｇＳｉＯ₃、ＣａＳｉＯ₃及びＺｎ₂ＳｉＯ₄とからなる単一酸化物と複合酸化物の中から選択された少なくとも１種の充填材と、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃及びＢａＴｉＯ₃の中から選択された少なくとも１種のセラミックと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ガラス成分の含有量を比較的に減らしつつ、低温（たとえば９５０℃以下）での焼結を可能とし、しかも良好な特性（比誘電率、ｆ・Ｑ値、絶縁抵抗）を示し、異材質同時焼成をも可能とする誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分として、Ｚｎの酸化物単独ならびにＭｇの酸化物およびＺｎの酸化物から選ばれる１つと、Ｃｕの酸化物と、Ｓｉの酸化物と、副成分として、Ｓｉの酸化物、Ｚｎの酸化物、Ｂａの酸化物、Ｃａの酸化物、Ｓｒの酸化物およびＬｉの酸化物から選ばれる少なくとも１つと、Ｂの酸化物と、を含み、ガラス軟化点が７５０℃以下であるガラス成分と、を含有し、前記ガラス成分の含有量が、前記主成分１００重量％に対して、１．５〜１５重量％である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】高周波領域における低い誘電損失と高い熱伝導率を有する低損失緻密質誘電体材料、その製造方法及び部材を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素を主体とし、アルカリ土類金属元素化合物、周期律表第３ａ族化合物、及び不純物的酸素を含有する窒化ケイ素質焼結体からなり、該焼結体の粒界が結晶化され、かつ２ＧＨｚと３ＧＨｚにおける誘電損失が５×１０^−４以下であり、熱伝導率が５０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上であり、気孔率が３％未満の高周波用低損失緻密質誘電体材料、その製造方法及び部材。
【効果】半導体ないし液晶製造装置において、主にマイクロ波などの高周波を使用してプラズマを発生させる装置に用いられる高熱伝導・低誘電損失の高周波用緻密質誘電体材料及び部材を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】保存性の良好な安定性の高い塗布液であって、無機ＥＬ素子に用いる誘電体層等に好適な、平坦性に優れ、空隙の少ない緻密な表面を有する誘電体層を得ることができる誘電体膜形成用塗布液の製造方法を提供する。
【解決手段】アルコール類、エステル類及びカルボン酸からなる混合溶剤中に、少なくとも１種の金属元素を含む有機酸塩と、チタン、スズ及びジルコニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む金属アルコキシドを含有する前駆体溶液中に、特定の種類である有機溶媒、特定の種類であって特定の平均分子量を有する高分子樹脂、及び特定の種類であって特定の粘度を有する粘度調整液を含む希釈液を添加し、希釈後の前駆体溶液中の金属元素濃度を０．２〜０．５ｍｏｌ／Ｌに調整することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より低温で焼成を行っても所望の比誘電率やＱ値を得ることができ、かつ焼成後の機械的強度が良好な高周波用誘電体磁器組成物、及び低温焼成と電極の密着強度の両立が可能な誘電体部品を実現する。
【解決手段】高周波用誘電体磁器組成物は、主成分が、一般式ｘＭｇＯ・ｙＳｉＯ_２（ただし、ｘはＭｇＯのモル数、ｙはＳｉＯ_２のモル数を示す。）で表されると共に、前記ｘとｙの比ｘ／ｙが、１．８≦ｘ／ｙ＜２．０を満足し、かつ、Ｂａ及びＳｒのうちの少なくともいずれか一方が、前記主成分１００重量部に対し、炭酸塩に換算して総計で３．０重量部を超え、かつ１０．０重量部以下の含有量で含まれている。また、誘電体部品としての誘電体アンテナは、磁器素体１が高周波用誘電体磁器組成物で形成され、また電極部２はめっき形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ［（ＣａＳｒ）Ｏ］_ｍ［（ＴｉＺｒＨｆＭｎ）Ｏ_２］系の誘電体磁器組成物が有する優れた諸特性を有しつつ、誘電体層の厚みを薄く、たとえば２μｍ以下にしても、クラックの発生を防止できる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】〔（Ｃａ_１−ｘＳｒ_ｘ）Ｏ〕_ｍ〔（Ｚｒ_{１−ｙ−ｚ−α}Ｔｉ_ｙＨｆ_ｚＭｎ_α）Ｏ_２〕ただし、０．９９１≦ｍ≦１．０１０、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦０．１、０＜ｚ≦０．０２、０．００２＜α≦０．０５で示される組成の誘電体酸化物を含む主成分と、
主成分１００モル部に対して、
０．１〜０．５モル部のＡｌ_２Ｏ_３、および
０．５〜５．０モル部のＳｉＯ_２を含む誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 直径１０ｍｍ、厚み５ｍｍのサイズの成形体を焼成して得られた焼結体からなる試料において、誘電体磁器のサイズが大きい場合でも、優れた誘電特性を有する誘電体磁器が要求されており、この要求を満たすことができるか不明であった。
【解決手段】 誘電体磁器４内部のＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で０．００７質量％以下（ゼロを含まず。）含有し、内部におけるＡｌの濃度を１としたとき、誘電体磁器４の表面近傍におけるＡｌの濃度の比が０．５〜２であり、かつ平均気孔径が８μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】測定周波数１ＭＨｚ〜ＧＨｚ帯における誘電正接を小さくできるアルミナ質焼結体および半導体製造装置用部材ならびに液晶パネル製造装置用部材を提供する。
【解決手段】ＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で９９．３質量％以上、ＳｉをＳｉＯ_２換算で０．０５〜０．３質量％、ＳｒをＳｒＯ換算で０．０１〜０．１６質量％含有するとともに、アルミナ結晶粒子１を主結晶粒子とし、該アルミナ結晶粒子１で構成される３重点２にＳｉ、Ａｌ、ＳｒおよびＯの各元素を含有する結晶相が存在し、かつアルミナ結晶粒子１の平均粒径が１０μｍ以上である。これにより、Ｓｉ、Ａｌ、ＳｒおよびＯの各元素を含む低損失の結晶相が存在するため、またアルミナ結晶粒子１の平均粒径が１０μｍ以上であるため粒界の数が少なくなり、周波数１ＭＨｚ〜８．５ＧＨｚにおける誘電正接を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】静電容量の容量変化率（ΔＣ／Ｃ）が広い温度域において小さく、比誘電率が大きく、誘電損失が小さい、鉛を含有しないニオブ酸系の誘電体磁器組成物、その製造方法、及びその誘電体磁器組成物を用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】一般式［Ｎａ_１−ｘＫ_ｘ］_１−ｙＬｉ_ｙ［Ｎｂ_１−ｚＴａ_ｚ］Ｏ_３(但し、ｘ、ｙ、ｚは、０≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦０．３０、０≦ｚ≦０．４０)で示される主成分と、副成分として、主成分に対するモル％で１．０〜８．０モル％のＮｂ_２Ｏ_５、１．０〜８．０モル％のＭｇＯ、３．０〜１６．０％のＲＯ（但しＲはＣａ、Ｓｒ、Ｂａの内、少なくとも１種）を含む誘電体磁器組成物である。また、同様の組成の粉末を焼成することによる誘電体磁器組成物の製造方法であり、その誘電体磁器組成物よりなる誘電体を有する誘電体磁器コンデンサである。 （もっと読む）

【課題】高い誘電率と共振周波数を有しつつ、共振周波数の温度係数を低い値に調整できる誘電体組成物および材料を得ること。
【解決手段】ａＡＴｉＯ_３−ｂＮａＮｂＯ_３（ＡはＣａ、Ｓｒのいずれか１種または２種）で表され、前記ａおよびｂが０．０３０≦ａ≦０．１７０かつ０．８３０≦ｂ≦０．９７０かつａ＋ｂ＝１を満足する磁器組成物を主材料系として、それに誘電率などを高く保ったまま共振周波数の温度係数を低くするための組成物と混合して、焼結体または混合物を得ることにより解決した。 （もっと読む）