【課題】高温での誘電損失の低減化を可能にし、かつ薄膜化が可能である高誘電性フィルム形成用のコーティング組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）フィルム形成樹脂、（Ｂ）高誘電性無機粒子および（Ｃ）溶剤を含むコーティング組成物であって、（Ａ）がセルロース系樹脂のみからなり、（Ｂ）が、Ｍ_aＴｉ_bＯ_c（Ｍは周期表の第２周期から第５周期までの２族金属元素；ａは０．９〜１．１；ｂは０．９〜１．１；ｃは２．８〜３．２）で示される複合酸化物粒子、Ｍ¹_aＭ²_bＯ_c（Ｍ¹とＭ²は異なり、Ｍ¹は周期表の２族金属元素、Ｍ²は周期表の第５周期の金属元素；ａは０．９〜１．１；ｂは０．９〜１．１；ｃは２．８〜３．２）で示される複合酸化物粒子、および周期表の２族金属元素および４族金属元素よりなる群から選ばれる少なくとも３種の金属元素を含む複合酸化物粒子よりなる群れから選ばれた少なくとも１種である高誘電性フィルム形成用コーティング組成物。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、１０００℃以下でも焼成可能であるとともに、１００ＭＨｚにおける比透磁率および比誘電率を高くできる磁性体と誘電体との複合焼結体およびそれを用いたＬＣ複合電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】 Ｙ型六方晶Ｂａフェライトを主結晶とし、Ｍ型六方晶Ｂａフェライト、ＳｒＴｉＯ_３結晶、ＢａＴｉＯ_３結晶、ＢａＴｉ_５Ｏ_１１結晶およびＢｉを含む磁性体と誘電体との複合焼結体であって、前記複合焼結体の結晶中のＹ型六方晶ＢａフェライトおよびＭ型六方晶Ｂａフェライトの合量の割合が６７．２〜７２．８質量％であり、ＳｒＴｉＯ_３結晶、ＢａＴｉＯ_３結晶およびＢａＴｉ_５Ｏ_１１結晶の合量の割合が２７．２〜３１．６質量％であるとともに、前記複合焼結体にＢｉがＢｉ_２Ｏ_３換算で５．７〜１２．０質量％含まれている磁性体と誘電体との複合焼結体を用いる。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミック層が薄層化されても、静電容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足し、高温での絶縁抵抗が高く、高温負荷寿命特性が良好な誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１において、誘電体セラミック層２を、次の誘電体セラミックから構成する。すなわち、ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａを必ず含み、さらにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含むことがある。Ｂは、Ｔｉを必ず含み、さらにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含むことがある。）を主成分とし、副成分として、ＶならびにＭｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｎｉ、ＣｒおよびＣｏから選ばれる少なくとも１種を含む。そして、この誘電体セラミック中における上記Ｖの平均価数を４．２〜４．９とする。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で誘電体の焼結が可能であり、さらに高誘電率でありながら比較的温度特性がよく、さらには誘電損失が低い上に絶縁抵抗が高く、かつ交流破壊電圧が高い誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ} Ｃａ_ｘ Ｓｒ_ｙ ）_ｍ （Ｔｉ_１−ｚ Ｚｒ_ｚ ）Ｏ_３ の一般式で表される主成分と、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選択される少なくとも１種の元素の化合物から成る第１副成分と、ＳｉおよびＡｇから選択される少なくとも１種の元素の化合物から成る第２副成分とを有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率εｒが高く、Ｑ×ｆ値が大きな誘電体磁器を実現でき、低温焼成が可能な誘電体磁器組成物及び誘電体磁器を提供すること。
【解決手段】 下記組成式（１）で表される酸化物誘電体を主成分とし、ホウ素酸化物及びガラス組成物から選ばれる少なくとも１種を副成分として含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。
ａ・ＣａＯ−ｂ・ＬｉＯ_１／２−ｃ・ＢｉＯ_３／２−ｄ・ＲＥＯ_３／２−ｅ・ＴｉＯ_２…（１）
［但し、上記式（１）中、ＲＥは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｙｂ及びＹからなる群より選ばれる少なくとも１種を表す。また、ａ〜ｅは、各成分の比率（モル％）を表し、
２６＜ａ≦４５、
０＜ｂ≦１２、
０≦ｃ≦（ａ＋ｄ）／４、
０≦ｄ≦１２．５、
５０≦ｅ≦６０、
０．６５≦ｂ／（ｃ＋ｄ）＜１．０、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００
となる関係を満たす値である。］ （もっと読む）

【課題】 Ｑ×ｆ値を向上するとともに、十分に高い比誘電率εｒを得ることも可能な誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 本発明の誘電体磁器組成物は、下記組成式（１）で表される酸化物誘電体からなるものである。
ａ・ＣａＯ−ｂ・ＬｉＯ_１／２−ｃ・ＢｉＯ_３／２−ｄ・ＲＥＯ_３／２−ｅ・ＴｉＯ_２…（１）
［但し、上記式（１）中、ＲＥは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｙｂ及びＹからなる群より選ばれる少なくとも１種を表す。また、ａ〜ｅは、各成分の比率（モル％）を表し、
２６＜ａ≦４５、
０＜ｂ≦１２、
０＜ｃ≦（ａ＋ｄ）／４、
０≦ｄ≦１２．５、
５０≦ｅ≦６０、
０．６５≦ｂ／（ｃ＋ｄ）＜１．０、
（ａ＋ｂ＋ｄ）／ｅ＜１．０、
ｄが０でない場合、ｂ≧０．９×ｄ、
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００
となる関係を満たす値である。］ （もっと読む）

【課題】 比較的小さな印加電圧で大きな変位量を得ることのできる誘電材料、およびアクチュエータを提供する。
【解決手段】 誘電材料を、エラストマーと、該エラストマー中に分散されている強誘電無機微粒子と、を含んで構成する。該強誘電無機微粒子の表面は、カップリング処理されている。また、アクチュエータ１を、該誘電材料からなる誘電膜２０と、誘電膜２０を介して配置されている複数の電極２１ａ、２１ｂと、を備えて構成する。 （もっと読む）

【課題】有害な鉛を含まず、誘電率が低く、軟化点が低く、ガラス転移点が高く、基板との熱膨張係数のマッチングが良く、耐水性の高い、信頼性の高いディスプレイパネルを作製可能とするガラス組成物を提供する。
【解決手段】酸化物ガラスであって、その組成比が、Ｂ_２Ｏ_３が６２重量％以上７８重量％未満、Ｒ_２Ｏ（ＲはＬｉ、Ｎａ、Ｋの一種類以上）が６重量％以上１６重量％以下、ＭＯ（ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａの一種類以上）が１重量％以上１７重量％未満、ＳｉＯ_２が０重量％以上１５重量％以下、ＺｎＯが１５重量％を越え、３０重量％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】諸特性のフレキシブルな微調整が可能でしかもその安定性に優れたコンポジットセラミック誘電体層、その製造方法およびそれを用いたセラミック電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】モル比ｍおよびＹが異なる２種類以上の（Ｓｒ_1-YＣａ_Y）_mＴｉＯ_2+m（但し、０．２≦Ｙ≦０．５かつ０．９９４≦ｍ≦１．００６）系固溶体を含み、２種類以上の（Ｓｒ_1-YＣａ_Y）_mＴｉＯ_2+m系固溶体は、均一に分散しているコンポジットセラミック誘電体層１３であることを特徴とし、そのコンポジットセラミック誘電体層１３を積層体１１として用いる。 （もっと読む）

【課題】Ａｇ系金属の融点より低い温度で焼成することが可能であり、且つ低い焼成温度であっても十分な抗折強度を得ることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の誘電体磁器組成物は、主成分として、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４を含み、副成分として、亜鉛酸化物、ホウ素酸化物、アルカリ土類金属酸化物、銅化合物、及びリチウム化合物を含む。 （もっと読む）

【課題】 誘電特性を損なうことなく、焼成温度を低下しうる誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る誘電体磁器組成物の製造方法は、
組成式〔（Ｃａ_ｘＳｒ_１−ｘ）Ｏ〕_m〔（Ｔｉ_ｙＺｒ_{１−ｙ−ｚ}Ｈｆ_ｚ）Ｏ_２ 〕（式中、ｘ、ｙ、ｚ、ｍは、それぞれ０．５≦ｘ≦１．０、０．０１≦ｙ≦０．１０、０＜ｚ≦０．２０、０．９０≦ｍ≦１．０４である）で示される誘電体酸化物を調製する工程、
該誘電体酸化物１００重量部に対し、
焼結助剤を１〜１０重量部および
必要に応じナトリウム化合物を、Ｎａ_２Ｏ換算で０．１〜０．５重量部の混合する工程、および
得られた混合物を焼成する工程を含む誘電体磁器組成物の製造方法であって、
前記焼結助剤が、焼結助剤の全量１００重量％中に、
マンガン化合物を、ＭｎＯ換算で３０〜６９重量％、
酸化アルミニウムを、Ａｌ_２Ｏ_３換算で１〜２０重量％、
酸化ケイ素を、ＳｉＯ_２換算で３０〜５０重量％含んでなることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】鉛を含まず、広い周波数領域において誘電損失を低減し、容量温度特性および誘電率に優れる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分として、ＳｒＴｉＯ_３を２８〜５５重量％、ＢａＴｉＯ_３を３〜３０重量％、ＣａＴｉＯ_３を３〜１８重量％、Ｂｉ_２Ｏ_３を１１〜２０重量％、ＴｉＯ_２を５〜１６重量％含有し、主成分１００重量％に対して、副成分として、ＭｎＯおよび／またはＣｒＯ_３／２を、０重量％超０．３５重量％以下、ＦｅＯ_３／２、ＣｏＯ_４／３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯから選ばれる１つ以上を、０重量％超０．３５重量％以下、希土類酸化物から選ばれる１つ以上を、ＲＯ_３／２（ＲはＬａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙから選ばれる１つ以上）、ＣｅＯ_２、ＰｒＯ_１１／６、ＴｂＯ_７／４換算で、０重量％超０．４重量％以下含有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、樹脂とフィラーとを含む誘電性組成物に関する。
【解決手段】フィラーは、誘電性を上昇させるために使用され、その上に表面不動態化コーティングを有する。 （もっと読む）

【課題】高周波用電子部品材料として十分な誘電特性を有するとともに、必要に応じて環境への影響を配慮しつつ優れた難燃性を付与できる誘電性エラストマー組成物、および該組成物を成形してなる高周波用電子部品材料を提供する。
【解決手段】エラストマーに、誘電性セラミックスおよび金属水酸化物から選ばれた少なくとも一つを配合し、かつカーボンブラックを配合してなる高誘電性エラストマー組成物であって、上記カーボンブラックは平均粒子径が 50〜200 nm であり、上記エラストマー 100 重量部に対して、5〜40 重量部配合し、周波数 400 MHz および温度 30℃において、上記誘電性エラストマー組成物の比誘電率が 3 以上、誘電正接が 0.01 以下であり、高周波用電子部品材料は上記誘電性エラストマー組成物を成形してなる。 （もっと読む）

【課題】 チタン酸バリウム系の積層セラミックコンデンサと同等以上の高温加速寿命特性を有し、温度特性がＸ５Ｒ特性を示すチタン酸ストロンチウム系の積層セラミックコンデンサを得る。
【解決手段】 ＳｒＴｉＯ_３を主相とし、ＳｒＴｉＯ_３ １００ｍｏｌに対してＭｇ成分を、０．２〜５．０ｍｏｌ、Ｍｎ及びＶから選ばれる金属元素を０．１〜１．０ｍｏｌ、Ｒｅ成分（ＲｅはＳｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ及びＹから選ばれる１種または２種以上の金属元素）を０．３〜５．０ｍｏｌ、ＳｉＯ_２またはＳｉを含むガラス成分を０．１５〜１０ｍｏｌの割合で含有する誘電体セラミックスであり、前記誘電体セラミックスを構成するセラミック粒子がコアシェル構造を有している。 （もっと読む）

本発明は、ガラスフリットまたは誘導体セラミック組成物が核形成剤を含むことで、特定の結晶構造をなし、低い誘電率、低い誘電損失、高いＱ値と、高い強度を有する、ガラスフリット及び充填材が所定の成分比で含有される誘電体セラミック組成物に関する。本発明による高強度及び高Ｑ値を有する低温焼成用誘電体セラミック組成物は、サイズを増大でき、低温焼成用多層基板の製造を向上でき、衝撃耐久性が優れた電子部品のモジュール化を可能とする。
（もっと読む）

【課題】 室温における比誘電率が２００以上で、かつ温度１２５℃における誘電損失が１５％以下の誘電体磁器およびこれを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】 ＳｒＴｉＯ_３を主結晶相とし、ＭｇＴｉ_２Ｏ_５を含み、Ｘ線回折における前記ＳｒＴｉＯ_３の（１１０）面のピーク強度をI_Ａ、前記ＭｇＴｉ_２Ｏ_５の（１０１）面のピーク強度をＩ_Ｂとしたとき、ピーク強度比（I_Ｂ／Ｉ_Ａ）が０．０５〜１．５である。 （もっと読む）

【課題】薄層化しても、高い比誘電率および良好な温度特性を有し、かつ、ＣＲ積、破壊電圧、ＤＣバイアス特性、高温加速寿命が良好な誘電体磁気組成物を提供すること。
【解決手段】主成分としてＢａＴｉＯ_３系誘電体材料を有し、副成分としてＭｇ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｒ（ＲはＹ、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｙｂから選ばれる１つ以上）、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗから選ばれる１つ以上の元素の酸化物を有し、焼結助剤を有し、針状結晶が存在しており、一般式ＡＢＯ_３で表した場合、Ａ元素がＢａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｒからなる群から選ばれ、Ｂ元素がＴｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗからなる群から選ばれ、０．９８５≦Ａ／Ｂ＜０．９９７であり、２０００倍で、５０×５０μｍを１視野としてＳＥＭ観察したときに、３視野に存在する針状結晶２０の合計個数が１０〜５０個である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】良好な分散状態または溶解状態を確保することができ、印刷特性に優れ、しかも、焼成後には、焼成体に良好な表面状態を付与することのできるペースト組成物およびその焼成体を提供すること。
【解決手段】炭素数が４〜６のアルキレン基を有するポリオキシアルキレングリコールと、ジイソシアネートとの反応により得られるポリウレタン樹脂と、溶剤と、粉末とを配合してペースト組成物を調製する。これを焼成することにより、誘電体層、封止体、隔壁、蛍光体および電子エミッタなどのフラットパネルディスプレイ用部品を製造する。 （もっと読む）

【課題】エポキシ樹脂系フィルムを用いながら、周波数 100 MHz 以上の高周波帯で高温での使用時においても誘電正接を低く維持できる誘電性エラストマー積層体および高周波用電子部品を提供する。
【解決手段】周波数 100 MHz 以上の高周波帯で電気信号を取り扱うための高周波用電子部品に使用される誘電性エラストマー積層体であって、エラストマーに誘電性セラミックス粉末を配合してなる複合材シートの表面に、上記高周波用電子部品の使用温度領域の上限値よりも 20℃ 以上高いガラス転移点を有するエポキシ樹脂系フィルムを積層させてなり、上記使用温度領域は−10℃〜70℃であり、この使用温度領域で周波数 400 MHz の測定において、比誘電率が 3〜20、誘電正接が 0.01 以下である。 （もっと読む）