【課題】比誘電率が高く、絶縁抵抗の加速寿命に優れ、定格電圧の高い（たとえば１００Ｖ以上）中高圧用途に好適に用いることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、ＢａＺｒＯ_３ を含む第１副成分と、Ｍｇの酸化物を含む第２副成分と、Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、等から選択される）を含む第３副成分と、Ｍｎ、Ｃｒ、等から選択される元素の酸化物を含む第４副成分と、Ｓｉ、Ｌｉ、等から選択される元素の酸化物を含む第５副成分と、Ｖ、ＮｂおよびＴａから選択される元素の酸化物を含む第６副成分と、を有し、前記主成分１００モルに対する、比率が、第１副成分：９〜１３モル、第２副成分：２．７〜５．７モル、第３副成分：４．５〜５．５モル、第４副成分：０．５〜１．５モル、第５副成分：３．０〜３．９モル、第６副成分：０．０３〜０．３モルである誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

Ｘ８Ｒ要求を満たし、ニッケル及びニッケル合金などの非貴金属が内部及び外部電極に使用できるように還元雰囲気の焼結条件に合致する積層セラミックチップコンデンサが、本発明に従って作られる。前記コンデンサは、望ましい誘電特性（大容量、低散逸率、高絶縁抵抗）、高加速寿命試験における優れた性能、及び、絶縁破壊に対する卓越した耐性を示す。前記誘電体層は、ＢａＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ＳｉＯ_２、ＭｇＯ、ＭｎＯ、ＭｏＯ_３、ＣａＯ、Ｌｕ_２Ｏ_３、Ｙｂ_２Ｏ_３、又はＷＯ_３などの他の金属酸化物を様々な組み合わせでドープしたチタン酸バリウム基板を含む。

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【課題】絶縁抵抗の加速寿命に優れ、中高圧用途に好適に用いることができる誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】チタン酸Ｂａを含む主成分、ＢａＺｒＯ_３ を含む第１副成分、Ｍｇ酸化物を含む第２副成分、Ｒ酸化物（ただし、Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選択される少なくとも１種）を含む第３副成分、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅから選択される少なくとも１種の元素酸化物を含む第４副成分、Ｓｉ、Ｌｉ、Ｇｅ、Ｂから選択される少なくとも１種の元素酸化物を含む第５副成分、Ａｌ酸化物を含む第６副成分、を有し、前記主成分１００モルに対する各副成分比率が、第１副成分９〜１３モル、第２副成分２．７〜５．７モル、第３副成分４．５〜５．５モル、第４副成分０．５〜１．５モル、第５副成分３．０〜３．９モル、第６副成分０．５〜１．５モルである誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】絶縁抵抗の加速寿命に優れ、中高圧用途に好適に用いることができる誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】組成式（ＢａＯ）_ｍ ・ＴｉＯ_２ 複合酸化物を含む主成分、組成式（ＢａＯ）_ａ ・（Ｚｒ_ｘ Ｈｆ_１−ｘ ）Ｏ_２ 複合酸化物（ただし、０．９５≦ｘ≦１．００）を含む第１副成分、Ｍｇ酸化物を含む第２副成分、Ｒ酸化物を含む第３副成分、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅから選択される少なくとも１種の元素酸化物を含む第４副成分、Ｓｉ、Ｌｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｂから選択される少なくとも１種の元素酸化物を含む第５副成分を所定量含有し、前記ｍの値０．９８０≦ｍ≦１．０００、前記ａの値０．９９０≦ａ≦１．０１０、前記（ＢａＯ）_ｍ ・ＴｉＯ_２ および前記（ＢａＯ）_ａ ・（Ｚｒ_ｘ Ｈｆ_１−ｘ ）Ｏ_２ のＢａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆの各元素量を合計した場合におけるＢａ／（Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ）比であるｂの値が０．９８０≦ｂ≦１．０００である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】低温で焼成可能、十分な誘電特性を有する誘電体磁器組成物及びそれを用いたセラミック電子部品の提供。
【解決手段】誘電体磁器組成物は、ａＢｉ_２Ｏ_３−ｂＺｎＯ−ｃＴａ_２Ｏ_５−ｄＮｂ_２Ｏ_５−ｅＺｒＯ_２（ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅはモル比を示す。）との組成式で表記され、３９．５≦ａ≦４２．５、１８．５≦ｂ≦２８．０、０≦ｃ≦２８、０≦ｄ≦２８、０＜ｅ≦２３で示され、また、酸化ビスマス、酸化亜鉛、酸化タンタル、酸化ニオブ及び酸化ジルコニアよりなる組成物を、ｘＢｉ_２（Ｚｎ_１／３Ｔａ_２／３）_２Ｏ_７−ｙＢｉ_２（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）_２Ｏ_７−ｚＢｉ_２Ｚｒ_２Ｏ_７（ただし、ｘ、ｙ及びｚはモル比を示す。）と表し、前記ｘ、ｙ及びｚの各々の相関を三角図を用いて示した場合に、特定の領域にあり、セラミック電子部品は、前記誘電体磁器組成物を焼成してなるセラミック基体と、その内部及び／又は表面に設けられた未焼成導体層が誘電体磁気組成物と同時焼成されてなる導体層とを備える。 （もっと読む）

【課題】耐電圧特性に優れたアルミナ複合焼結体及びその製造方法、並びにこのようなアルミナ複合焼結体を用いたスパークプラグを提供すること。
【解決手段】アルミナを主成分とするアルミナ複合焼結体であって、アルミナと、ムライトと、ジルコンと、ジルコニアと、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、アクチノイドを除く３族元素から少なくとも１つ以上を選択する元素の酸化物である特定金属酸化物とからなり、ムライトとジルコンとジルコニアの合計が０.５〜１０重量部、上記特定金属酸化物が合計０.５〜１０重量部、残部が実質的にアルミナであり、全体の合計が１００重量部である。内燃機関用のスパークプラグ１は、このアルミナ複合焼結体を絶縁碍子２として用いている。 （もっと読む）

本発明は、低温焼結が可能な非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス及びその製造方法に関するものであって、本発明による非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックスは、Ｍ^２＋Ｎ^４＋Ｂ_２Ｏ_６（但し、ＭはＢａ、ＣａまたはＳｒであり、ＮはＳｎ、ＺｒまたはＴｉである。）の組成物を含む。また、前記Ｍサイトを、前記Ｂａ、Ｃａ及びＳｒの中の互いに異なる２個で複数置き換えて（Ｍ_１−ｘ^２＋Ｍ_ｘ^２＋）Ｎ^４＋Ｂ_２Ｏ_６（この時、０＜ｘ＜１）になる組成物と、前記Ｎサイトを、前記Ｓｎ、Ｚｒ及びＴｉの中の互いに異なる２個で複数置き換えてＭ^２＋（Ｎ_１−ｙ^４＋Ｎ_ｙ^４＋）Ｂ_２Ｏ_６（但し、０＜ｙ＜１）になる組成物と、前記Ｍサイトを、前記Ｂａ、Ｃａ及びＳｒの中の互いに異なる２個で複数置き換え、また前記Ｎサイトを、前記Ｓｎ、Ｚｒ及びＴｉの中の互いに異なる２個で複数置き換えて（Ｍ_１−ｘ^２＋Ｍ_ｘ^２＋）（Ｎ_１−ｙ^４＋Ｎ_ｙ^４＋）Ｂ_２Ｏ_６の組成式で表現される組成物とを全て含む。また、本発明による非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックスは、前記誘電体セラミックス組成物にβＣｕＯ＋γＢｉ_２Ｏ_３（但し、０．５５≦β≦０．９６であり、０．４０≦γ≦０．４５である。）になる焼結剤を１〜７ｗｔ％添加し、これによって最下８７５℃まで焼結温度を低下させ低温塑性が可能である。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が小さくフォトリソグラフィーによりキャパシタ用の層間絶縁膜を容易にパターン形成できる感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】分散液と樹脂溶液とが混合された感光性樹脂組成物であって、分散液が（ａ）平均粒子径が０．０６μｍ以上０．４μｍ以下であるペロブスカイト型結晶構造あるいは複合ペロブスカイト型結晶構造を有する高誘電率無機粒子、（ｂ）リン酸化合物、（ｃ）有機溶剤を混合し、分散メディアとして金属、セラミックス、ガラスのいずれかの種類から選択される平均粒子径０．０２ｍｍ以上０．１ｍｍ以下のビーズを用いて、前記無機粒子を分散させて得られるものであり、樹脂溶液が（ｄ）ポリイミドと（ｅ）不飽和結合含有重合性化合物を有している感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】燃焼合成により低コストで得られ、粒子径分布を広くすることができ、高充填化することができる優れた誘電特性を有する高誘電性セラミックスを配合した高誘電性エラストマー組成物およびその製造方法、並びにこの材料を用いた高周波用電子部品を提供する。
【解決手段】エラストマーに、少なくともＳｒ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｏ、Ｎｄを構成元素として含む高誘電性セラミックスを配合してなる高誘電性エラストマー組成物であり、上記高誘電性セラミックスが、モル組成比で ＳｒＯ：16 、Ｌｉ₂Ｏ：ｘ 、Ｎｄ₂Ｏ₃：ｙ 、Ｒｅ₂Ｏ₃：（12−ｙ）、ＴｉＯ₂：63 （ＲｅはＮｄ以外の希土類元素、8 ≦ｘ≦ 14、 10 ≦ｙ≦ 12 ）であって、比表面積が 0.01〜2 m²/g のＴｉ粉末と、イオン結合性物質と、ＳｒＣＯ₃ と、Ｌｉ₂ＣＯ₃ と、Ｎｄ₂Ｏ₃ とを少なくとも含む反応原料を用いて、断熱火炎温度が 1500℃以上である燃焼合成法により得られる。 （もっと読む）

【課題】耐湿性に優れるとともに誘電率が低く、さらに耐薬品性の良好な高熱膨張の低温焼成磁器およびその製造方法、ならびに配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、３０〜５０質量％のクォーツと、５〜４０質量％のエンスタタイトと、１〜１５質量％のフォルステライトと、５〜１５質量％のガーナイトと、０．５〜５質量％のジルコニアと、０．０１〜２質量％のチタニアと、５〜３０質量％のガラス相とからなり、前記ガラス相１００質量％のうちの１０〜３０質量％がＣａＯであることを特徴とする低温焼成磁器である。 （もっと読む）

【課題】良好な印刷性が得られる粘度を保持したまま無機微粒子の分散性に優れるとともに、低温雰囲気下であっても脱脂処理が可能な無機微粒子分散ペースト組成物を提供する。
【解決手段】（メタ）アクリル樹脂と、無機微粒子と、有機溶剤とを含有する無機微粒子分散ペースト組成物であって、前記（メタ）アクリル樹脂は、一部にジメチルシロキサン官能基を有し、かつ、ポリスチレン換算による数平均分子量が３０００〜５万である無機微粒子分散ペースト組成物。 （もっと読む）

【課題】塗布法で形成した場合でもムラができず、均一な厚みの強誘電体層が形成できる強誘電体塗布用組成物を提供する。
【解決手段】オクチル酸金属化合物を主成分とする、強誘電体塗布用組成物であって、
バインダーと、少なくとも１種以上の溶媒とを含んでなり、前記オクチル酸金属化合物の金属が、Ｚｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｌａ、およびＰｂの群から選択される少なくとも２種以上のものであり、前記強誘電体塗布用組成物全体に対して、１〜１０重量％含む。 （もっと読む）

【課題】製造過程で体積の収縮がほとんど起らず意図した形状、寸法を有し、強度も良好な無機成形体を容易に製造することができる製造方法、及び該方法で得られる無機成形体を提供する。
【解決手段】固体状シリコーンからなるマトリックスと該マトリックス中に分散した無機フィラーとからなるシリコーン系成形物を、非酸化性雰囲気下、４００〜１５００℃において加熱することにより該固体状シリコーンを無機セラミックス化することを特徴とする、無機セラミックスからなるマトリックスと該マトリックス中に分散した無機フィラーとからなる無機成形体の製造方法、及びこの方法で得られる無機成形体。 （もっと読む）

【課題】焼成後の組成ばらつきが少ないばかりでなく、焼結体の曲げ強度が高く、かつマイクロ波帯でのＱ値が高い、誘電体セラミック組成物を提供する。
【解決手段】たとえば、多層セラミック基板１の誘電体セラミック層２を構成するために用いられる誘電体セラミック組成物であって、Ｓｉ成分をＳｉＯ_２に換算して２５〜５５重量％、Ｂａ成分をＢａＣＯ_３に換算して２０〜５０重量％、Ａｌ成分をＡｌ_２Ｏ_３に換算して１１〜２５重量％、Ｃａ成分および／またはＺｒ成分を、Ｃａ成分についてはＣａＣＯ_３に換算して、およびＺｒ成分についてはＺｒＯ_２に換算して、０．３〜３重量％、ならびに、Ｍｎ成分をＭｎＣＯ_３に換算して５〜２０重量％含み、かつＣｒを実質的に含まない。 （もっと読む）

【課題】誘電体磁器組成物の製造工程において、原料中に不純物元素を含有している場合であっても、比誘電率の最大値、ＩＲ、ＩＲ寿命、破壊電圧等の特性を向上させることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分が組成式｛Ｂａ_{（１−ｘ）}Ｃａ_ｘ｝_Ａ｛Ｔｉ_{（１−ｙ）}Ｚｒ_ｙ｝_ＢＯ_３（ただし、Ａ，Ｂ，ｘ，ｙが、０．９９５≦Ａ／Ｂ≦１．０２０、０≦ｘ≦０．２５、０≦ｙ≦０．３）で表され、副成分として、ＮａおよびＨｆを含有する誘電体磁器組成物であって、前記誘電体磁器組成物中に含まれるＮａおよびＨｆの比率が、モル比で、０．６＜Ｎａ／Ｈｆ＜３．３であることを特徴とする誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】高誘電性でかつ低誘電損失で、薄膜化が可能であり、しかも巻付き性（可撓性）にも優れたフィルムコンデンサの高誘電性フィルムとして好適なフィルムを提供する。
【解決手段】（Ａ）熱可塑性の非フッ素系ポリマー、（Ｂ）無機強誘電体粒子、（Ｃ）カップリング剤、界面活性剤またはエポキシ基含有化合物の少なくとも１種からなる親和性向上剤、ならびに（Ｄ）溶剤を含むコーティング組成物。 （もっと読む）

【課題】誘電率が比較的高く、積層コンデンサの誘電体層を形成するのに適した、樹脂セラミック複合材料を提供する。
【解決手段】６０〜７０％の体積割合でセラミック粒子が樹脂の中に分散している、樹脂セラミック複合材料であって、隣り合う第１および第２のセラミック粒子１，２が互いに接触する部分での径を２ａとし、第１のセラミック粒子１の径を２Ｒとしたとき、ａ／Ｒが０．３以上である状態を、ネッキングしていると定義した場合、セラミック粒子が他のセラミック粒子とネッキングしている個数割合が４０％以上となるようにし、かつ、任意の断面上での１μｍ角の面素において、セラミック粒子の占める面積割合が４０％以上である面素の個数割合が９０％以上となるようにする。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の焼成温度依存性が抑制され、かつ機械的強度を向上することのできる誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】図１に示すＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２及びＴｉＯ_２の三元組成図において、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅ、点Ｆで囲まれる領域の組成を主成分とし、この主成分に対して、ＺｎＯ：０．５〜５ｗｔ％、ＮｉＯ：０．１〜３ｗｔ％、ＳｉＯ_２：０．００８〜１．５ｗｔ％を含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。前記主成分に対して、Ｎｂ_２Ｏ_５：０．２ｗｔ％以下、Ｋ_２Ｏ：０．０３５ｗｔ％以下含有することができる。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の焼成温度依存性が抑制され、かつ機械的強度を向上することのできる誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】図１に示すＺｒＯ_２，ＳｎＯ_２及びＴｉＯ_２の三元組成図において、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅ、点Ｆで囲まれる領域の組成を主成分とし、この主成分に対する副成分として、ＺｎＯ：０．５〜５ｗｔ％、ＮｉＯ：０．１〜３ｗｔ％、ＳｉＯ_２：０．００８〜１．５ｗｔ％を含有する誘電体磁器組成物であって、主成分の原料粉末に対して、副成分を、ＺｎＯ粉末、ＮｉＯ粉末及びＳｉＯ_２粉末として添加して得る。 （もっと読む）

【課題】１５以上の高い比誘電率と、０．３％以下の低い誘電損失とを有し、また、ガラス移転点（Ｔｇ）も低くて、高周波回路素子、ディスプレイ等の電子回路用基板や誘電材料の形成に好適に適用できるガラスを提供すること。
【解決手段】酸化物基準の質量％で、Ｂｉ_２Ｏ_３を２０〜９０％含有するガラスであって、１ＭＨｚでの比誘電率が１５以上で、誘電損失が０．３％以下である。また、好ましくは、ガラス転移点（Ｔｇ）が５００℃以下である。 （もっと読む）