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Fターム[5G303CB39]の内容

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Fターム[5G303CB39]に分類される特許

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【課題】所望の誘電率20〜30を有するCaZrOの低損失特性を維持しつつ低温焼成化が可能な誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】誘電体磁器組成物は、主成分として、組成式CaZrOで表される成分を93.8〜98.6重量%含み、主成分に対する副成分として、Biを1〜5重量%、LiOを0.4〜1.2重量%の範囲で含む。また、電子部品は、上記誘電体磁器組成物と内部配線とを含む。 (もっと読む)


【課題】高い誘電率及び高い破壊強度、さらには良好な機械的強度及び加工性を有するポリマー複合材料を提供する。
【解決手段】本明細書に開示されているのは、ポリマー材料前駆体とナノ粒子とを混合し、それぞれのナノ粒子が基材及び基材上に配置されるコーティング組成物を含むようにすることと、ポリマー材料前駆体を重合してポリマー材料を形成し、ナノ粒子をポリマー材料内に分散させてポリマー組成物を形成することとを含む、ポリマー組成物を形成する方法である。 (もっと読む)


【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した形成用組成物等を提供する。
【解決手段】一般式:(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(0.9<x<1.3、0≦y<0.1、0≦z<0.9)の複合金属酸化物Aに、一般式Cn2n+1COOH(但し、3≦n≦7)で、かつ、上記金属に配位したときに式(1)の構造をとり得る、カルボン酸Bが混合した液状組成物であり、酸化物A構成原料並びにカルボン酸Bがモル比0<B/A<0.2になるように溶解している有機金属化合物溶液からなる。


但し、式中、上記一般式Cn2n+1COOHのnを満たす範囲内で、R1,R2,R3,R4,R5,R6は水素、メチル基又はエチル基を示し、MはPb,La,Zr又はTiを示し、mはMの価数を示す。 (もっと読む)


本発明は、下記化学式1で表されるチタン酸バリウム系粉末に関する。
[化学式1]
(Bar1r2)(Tir3r4)O
(前記Rは、イットリウム(Y)、ランタン族元素からなる群から選択される1種以上であり、前記Rは、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)からなる群から選択される1種以上であり、前記Rは、リン(P)及びニオブ(Nb)からなり、前記Rは、アルミニウム(Al)、バナジウム(V)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、コバルト(Co)、ジルコニウム(Zr)、タンタル(Ta)からなる群から選択される1種以上であり、前記rとrは、互いに独立して0より大きく0.05以下の実数であり、前記rとrは、互いに独立して0より大きく0.1以下の実数であり、(x+r+r)/(y+r+r)は、0.85以上1.15以下である実数である。) (もっと読む)


【課題】 誘電率の温度係数が正でありながら、誘電率の高い、温度補償用セラミックコンデンサに好適な誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】 SnmNb26(0.7≦m≦1.3)を主成分とする。 (もっと読む)


【課題】高機能であるBST(チタン酸バリウムストロンチウム)系の誘電体単結晶薄膜などの単結晶薄膜を容易にかつ安価に製造することができるとともに、製造されるBST系の誘電体単結晶薄膜などの単結晶薄膜における組成の調整を容易に行うことができる、単結晶薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】たとえば、MgO(100)基板のMgO(100)面上に形成されたBaZrO3の薄膜上に、(BaxSryCaz)TiO3(ただし、x+y+z=1.0)の単結晶薄膜の原料となる化学溶液をスピンコートし、そのスピンコートされた化学溶液を配向が起こるような温度で熱処理することによって、(BaxSryCaz)TiO3の単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる。 (もっと読む)


【課題】ABO(Aは、Baを必ず含み、さらにCaおよびSrの少なくとも一方を含むことがある。Bは、Tiを必ず含み、さらにZrおよびHfの少なくとも一方を含むことがある。)を主成分とし、副成分として、Siを含む、誘電体セラミックについて、その誘電率を高める。
【解決手段】誘電体セラミック11は、ABO系の主成分からなる主相粒子12と、主相粒子12とは異なる組成を有する二次相粒子13とを含む。この誘電体セラミック11中のSiの全含有量に対する、二次相粒子13中のSi含有量の割合を40%以上とし、Siの分布を二次相粒子13により多く集中させる。二次相粒子中のSi含有量は30モル%以上であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】従来よりもさらに優れた耐熱性を有する難燃性組成物を提供すること。
【解決手段】シラン架橋ポリオレフィンと、ポリオレフィンと、金属水和物と、フェノール系酸化防止剤と、硫黄系酸化防止剤と、金属酸化物と、銅害防止剤とを含有する難燃性組成物とする。前記硫黄系酸化防止剤としてはベンズイミダゾール系化合物が好ましく、前記金属酸化物としては酸化亜鉛が好ましい。前記シラン架橋ポリオレフィンは密度が0.880〜0.910g/cmの範囲内にあるポリエチレンをシラン架橋したものが好ましく、前記ポリオレフィンは密度が0.880〜0.910g/cmの範囲内にあるポリエチレンもしくは融点が140℃以上のオレフィン系エラストマーが好ましい。 (もっと読む)


【課題】800℃〜950℃の低温焼成が可能であり、4.5〜6.0(1MHz)の低い誘電率及び低い誘電損失率を有する低温焼成用低誘電率セラミック誘電体組成物及びこれを低温で焼成して製造した低誘電率セラミック誘電体を提供する。
【解決手段】低温焼成用低誘電率セラミック誘電体組成物において、SiO、B、Al、アルカリ土類酸化物及びアルカリ金属酸化物を含有するホウケイ酸塩ガラスフリット44重量%〜65重量%、充填材34重量%〜55重量%、及びZrO、TiO、La及びWOの中から選択された1種又は2種以上の核形成剤0.1重量%〜5重量%とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】電極材料との接着力が大きく、且つ膜強度が大きい誘電体組成物を構成するコア−シェル構造粒子、これを用いた組成物、誘電体組成物及びキャパシタを提供する。
【解決手段】ペロブスカイト系結晶構造を有する高誘電率無機粒子を含有するコアと、(a)重合性基を有する樹脂を含有するシェルを有するコア−シェル構造粒子であって、シェルの平均厚さが1nm以上50nm以下であるコア−シェル構造粒子。 (もっと読む)


【課題】高比誘電率かつ低誘電正接であり、比誘電率の温度変化が小さく、しかも耐熱性、及び冷熱衝撃試験での耐クラック性に優れた積層体の製造に有用な、重合性組成物及びプリプレグ、該積層体、並びに該積層体を用いてなる誘電体デバイスを提供すること。
【解決手段】シクロオレフィンモノマー、重合触媒、架橋剤、架橋助剤、及びジルコン酸化物とチタン酸化物との組み合わせからなる高誘電フィラーを含有してなる重合性組成物、前記重合性組成物を強化繊維に含浸させた後に重合してなるプリプレグ、前記プリプレグと、当該プリプレグ及び/又は他の材料とを積層した後、硬化してなる積層体、並びに該積層体を用いてなる誘電体デバイス。 (もっと読む)


【課題】高比誘電率かつ低誘電正接であり、比誘電率の温度変化が小さく、しかも耐熱性、及び冷熱衝撃試験での耐クラック性に優れた積層体の製造に有用な、重合性組成物及びプリプレグ、並びに該積層体、さらに該積層体を用いてなる誘電体デバイスを提供すること。
【解決手段】シクロオレフィンモノマー、重合触媒、架橋剤、架橋助剤、及び比誘電率が15以上で、かつ比誘電率の温度変化率が正である無機充填剤を含有してなる重合性組成物、前記重合性組成物を強化繊維に含浸させた後に重合してなるプリプレグ、前記プリプレグと、当該プリプレグ及び/又は他の材料とを積層した後、硬化してなる積層体、並びに該積層体を用いてなる誘電体デバイス。 (もっと読む)


【課題】900℃以下での低温焼成が可能であると共に、高周波帯(マイクロ波やミリ波帯)での誘電特性に優れ、吸湿性が低く、且つ銀系導体ペーストと同時焼成した際に反りや皺が小さい低温焼成セラミック基板を与えるグリーンシート用セラミック粉末を提供する。
【解決手段】ガラス粉末とアルミナ粉末とを含有するグリーンシート用セラミック粉末であって、前記ガラス粉末が、35〜39重量%のSiOと、9〜17重量%のAlと、21〜40重量%のBと、10〜20重量%のR’O(但し、R’は、Mg、Ca及びBaからなる群より選択された少なくとも1種である)と、0.2〜2重量%のLiOと、0.5〜2重量%のMO(但し、Mは、Ti及びZrからなる群から選択される少なくとも1種である)とを含み、全体で100重量%であり、前記アルミナ粉末の中心粒子径が、1.3μm以上5μm以下である。 (もっと読む)


【課題】 積層セラミックコンデンサに用いられるBaTiO3系誘電体材料に関し、誘電率が高く、温度特性が良好で、かつ信頼性の高い、誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、上述の誘電体セラミックに適したセラミック粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 一般式ABO3で表されるペロブスカイト型化合物(AはBaを必ず含み、Ba、Ca、Srから選ばれる少なくとも1種を含む。BはTiを必ず含み、Ti、Zr、Hfから選ばれる少なくとも1種を含む。モル比A/Bは0.95〜0.98である)を主成分とする組成を有し、かつ、個数割合にして50%以上の粒子が単結晶である、主成分粉末を用意する第1の工程と、前記主成分粉末の粒子の表面に、少なくともBa化合物を担持させる第2の工程と、前記粒子の表面にBa化合物を担持させた主成分粉末を熱処理する第3の工程と、
を備える製造方法によって得られたセラミック粉末を用いて、積層セラミックコンデンサを作製する。 (もっと読む)


【課題】誘電体磁器組成物において所定の材料組成をとることにより、−25〜105℃の温度範囲において、25℃における静電容量を基準とした静電容量変化率が、25℃における静電容量を基準とした容量温度特性を示す傾きaを有する直線に対して、−15〜+5%の範囲内にある誘電体磁器組成物であって、前記傾きaが−7000〜−3000ppm/℃であることを特徴とする誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】(Ba1−x−y SrCa(Ti1−z Zr)Oの一般式で表される主成分と、Mgの酸化物から成る第1副成分と、MnまたはCrから選択される少なくとも1種の酸化物から成る第2副成分と、Rの酸化物(ただし、Rは、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、HoおよびYbから選択される1種以上)から成る第3副成分と、Siを含む酸化物から成る第4副成分とを、有する誘電体磁器組成物。 (もっと読む)


【課題】積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミック層の厚みを1μm未満と薄くしても、高い絶縁性および寿命特性の維持を可能とする。
【解決手段】誘電体セラミック層2の厚みをtとし、誘電体セラミック層2を構成する誘電体セラミックの結晶粒子の平均粒径をrとしたとき、N=t/r−1で定義される平均粒界個数Nを0<N≦2とするとともに、誘電体セラミックの組成を、ABO(Aは、Ba、またはBaならびにCaおよびSrの少なくとも一方を含む。Bは、Ti、またはTiならびにZrおよびHfの少なくとも一方を含む。)で表されるペロブスカイト型化合物を主成分とし、かつMnおよびVを副成分とし、主成分100モル部に対して、Mnを0.05〜0.75モル部、Vを0.05〜0.75モル部それぞれ含有し、MnおよびVの合計で0.10〜0.80モル部含有する。 (もっと読む)


【課題】熱衝撃に対する耐性が高く、それゆえ、大容量化のために薄層化された積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を形成するために用いるのに適した誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】ABOで表されるペロブスカイト型化合物を主成分とする誘電体セラミックであって、ABOがたとえばBaTiOであるとき、その結晶粒子は、主成分からなるBaTiO結晶粒子11を含むとともに、二次相として、少なくともMg、NiおよびTiを含む結晶性酸化物からなるMg−Ni−Ti−O系結晶性酸化物粒子12と、少なくともBaおよびSiを含む結晶性酸化物からなるBa−Si−O系結晶性酸化物粒子13とを含むようにする。 (もっと読む)


【課題】誘電特性は改質前と同等以上で、ペロブスカイト型複合酸化物を改質する被覆成分からの被覆成分の溶出も実質的になく、ペロブスカイト型複合酸化物の比表面積の経時変化及びAサイト金属の溶出を効果的に抑制すると共に、解砕性の良好な改質ペロブスカイト型複合酸化物を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型複合酸化物の粒子表面を、SiO2と、Al、Ti、Zr、Nd、La、Ce、Pr及びSmの群から選択される少なくとも1種とで被覆した改質ペロブスカイト型複合酸化物であって、前記被覆が、加水分解性TiO2前駆体と、Nd、La、Ce、Pr及びSmの群から選択される少なくとも1種の塩とを加水分解した後、焼成することにより形成されたものであることを特徴とする改質ペロブスカイト型複合酸化物である。 (もっと読む)


【課題】誘電特性は改質前と同等以上で、ペロブスカイト型複合酸化物を改質する被覆成分からの被覆成分の溶出も実質的になく、ペロブスカイト型複合酸化物のAサイト金属の溶出を効果的に抑制すると共に、解砕性の良好な改質ペロブスカイト型複合酸化物を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型複合酸化物の粒子表面をTiO2、Al23、ZrO2及びNd23の群から選択される少なくとも1種で被覆した改質ペロブスカイト型複合酸化物であって、前記被覆が、加水分解性TiO2前駆体、加水分解性Al23前駆体、加水分解性ZrO2前駆体及び加水分解性Nd23前駆体の群から選択される少なくとも1種を加水分解した後、700℃〜1200℃で焼成することにより形成されたものであることを特徴とする改質ペロブスカイト型複合酸化物である。 (もっと読む)


【課題】高温負荷寿命およびDCバイアス特性が良好な誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】BaTiOと副成分としてBaZrOと希土類(R)酸化物とを含む誘電体磁器組成物が、非拡散相と拡散相とからなる表面拡散粒子を有している。拡散相内の微小領域に対して、ZrおよびRの濃度を測定し、R濃度がZr濃度以上である微小領域の集合を第1領域、Zr濃度がR濃度よりも大きい微小領域の集合を第2領域とする。第1領域において、Zr濃度が1.0原子%以上2.0原子%未満、R濃度が2.0原子%以上3.5原子%未満である領域を第1拡散相、第2領域において、Zr濃度が2.0原子%以上4.0原子%未満、R濃度が1.0原子%以上2.0原子%未満である領域を第2拡散相とすると、第1拡散相20b〜24bは、第2拡散相20c〜24cよりも非拡散相20a〜24aの近傍に存在している。 (もっと読む)


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