【課題】 樹脂材料本来の特長である加工性や成形性を維持できるようにフィラーの添加率を抑制した、高誘電率樹脂複合材料を提供する。
【解決手段】 本発明は、粒子直径が１ｎｍ以上５００ｎｍ以下の球状、断面直径が１ｎｍ以上５００ｎｍ以下の繊維状、または厚さが１ｎｍ以上５００ｎｍ以下の板状の炭素材料からなる導電性超微粉末に、絶縁性金属酸化物又はその水和物からなる絶縁皮膜を設けてなる絶縁化超微粉末、及びこれを用いた高誘電率樹脂複合材料である。
樹脂材料本来の優れた成形性や加工性および軽量性を維持したまま高誘電率、さらには電波吸収能を発現する。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が高く、絶縁抵抗の寿命を維持でき、容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内）を満足し、還元性雰囲気中での焼成が可能であるとともに、ＩＲ温度依存性が改善され、しかも高温加速寿命に優れた誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムを含む主成分と、ＭｇＯを含む第１副成分と、ＭｎＯまたはＣｒ_２ Ｏ_３ を含む第７副成分と、Ａｌ_２ Ｏ_３ を含む第８副成分と、その他の所定の副成分（第２、第３、第４、第５副成分）と、を有し、主成分１００モルに対し、第１副成分：０．２〜０．７５モル、第７副成分：０．１〜０．３モル（但し、第７副成分のモル数は、Ｍｎ元素またはＣｒ元素換算での比率である）、第８副成分：０．５〜４モル（但し、４モルを除く）であり、前記第１副成分に含まれるＭｇ元素と、前記第７副成分に含まれるＭｎ元素、Ｃｒ元素とが、モル比で、０．３≦（Ｍｎ＋Ｃｒ）／Ｍｇ≦０．５の関係にある誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、３００℃以下の低温で結晶質誘電体薄膜を形成することのできる結晶質誘電体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による結晶質誘電体薄膜の製造方法は、基板上に非晶質誘電体薄膜を形成する段階と、上記非晶質誘電体薄膜を水中に浸漬して水熱処理する段階とを含む。上記非晶質誘電体薄膜を形成する段階は、非晶質誘電体ゾルを基板上にコーティングする段階と、コーティングされた晶質誘電体ゾルをベーキングする段階とを含む。ベーキング後にはベーキング処理された結果物を乾燥する段階をさらに含むことができる。所望の厚さの薄膜を得るために、コーティングとベーキングは多数回繰り返すことができる。 （もっと読む）

【課題】 積層セラミックコンデンサを更に小型化、大容量化しても、高周波交流高電圧下あるいは直流高電圧下での使用における発熱が小さく、また高温における絶縁抵抗率が高く、しかも誘電率も従来と比較して劣ることがない誘電体セラミック組成物、及びそれを用いた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 一般式：（Ｂａ_1-xＣａ_x）_mＴｉＯ₃−ｔ（Ｂａ_1-xＣａ_x）_mＺｒＯ₃（ただし、０≦ｘ≦０.２０、０.９９≦ｍ≦１.０５、０.２＜ｔ≦０.４）で表される化合物を主成分とし、前記主成分における（Ｂａ_1-xＣａ_x）_mＴｉＯ₃１００モル部に対し、Ｍｎを０.５〜３.５モル部、Ｒｅ（ＲｅはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選ばれる少なくとも１種の元素）を３〜１２モル部、Ｍｇを１〜７モル部含み、かつ、前記主成分における（Ｂａ_1-xＣａ_x）_mＴｉＯ₃１００重量部に対し、ＳｉＯ₂を０.８〜５重量部含み、さらに、Ｓｒを実質的に含有しない。 （もっと読む）

【課題】誘電率が高く、かつ緻密性の高い焼成体を低温焼成で得られるようにする。
【解決手段】モル％表示で、ＳｉＯ_２ １５〜４０％、Ｂ_２Ｏ_３ ５〜３７％、Ａｌ_２Ｏ_３ ２〜１５％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ １〜２５％、ＭｇＯ ０〜７％、ＢａＯ ５〜２５％、ＺｎＯ ０〜３５％、ＴｉＯ_２ ３〜１５％、ＺｒＯ_２＋ＳｎＯ_２ ０〜１０％、ＳｉＯ_２＋Ａｌ_２Ｏ_３ ２５〜５０％、Ｂ_２Ｏ_３＋ＺｎＯ １５〜４５％である無鉛無アルカリガラス。質量％で、前記ガラスの粉末３０〜７０％と、ＢａとＴｉを含有しモル比（Ｔｉ／Ｂａ）が３．０〜５．７であるＢａ−Ｔｉ化合物の粉末３０〜７０％とからなるガラスセラミックス組成物。前記ガラスセラミックス組成物を焼成して得られる誘電体。 （もっと読む）

【課題】誘電体用ガラスフリット、誘電体セラミック組成物、積層セラミックキャパシタとその製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体用ガラスフリットであって、ａＳｉＯ_２‐ｂＢ_２Ｏ_３‐ｃＬｉ_２Ｏ‐ｄＫ_２Ｏ‐ｅＣａＯ‐ｆＡｌ_２Ｏ_３‐ｇＴｉＯ_２‐ｈＺｒＯ_２から組成され、上記ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＝１００で、上記２０≦ａ≦３５、２０≦ｂ≦３５、２０≦ｃ≦３０、３≦ｄ≦５、２≦ｅ≦１２、２≦ｆ≦１０、１≦ｇ≦１２、１≦ｈ≦７を満足するものである。 （もっと読む）

【課題】 少ないガラス量で低温焼成できる磁器組成物及びその製法並びに電子部品を提供する。
【解決手段】 本組成物は、フィラー及びガラスを含有し、フィラーは組成式［ｘＣａＯ・ｙＭ^１Ｏ・ｚＳｉＯ_２］（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００モル％）で表した場合に条件（１）及び（２）を満たすフィラーを主成分とし、且つ、ガラスは、少なくともＢａ、Ｚｎ、Ｂ及びＳｉを含有し、各元素の酸化物換算合計で、Ｂａを２５〜５５質量％、Ｚｎを５〜３０質量％、Ｂを１５〜３５質量％、Ｓｉを５〜３０質量％含有する。条件（１）；Ｍ^１はＭｇ及びＺｎのうちの少なくとも１種。条件（２）；ｘ、ｙ及びｚは三角図を用いて表した場合に図１における辺ＡＢ、辺ＢＣ、辺ＣＤ及び辺ＤＡの領域内（各辺は全て含む）にある。本電子部品は、本組成物からなる誘電体磁器部と、その表面及び／又は内部に配設され且つ同時焼成された導体部を備える。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が高く、容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内）を満足するとともに、ＴＣバイアス特性（直流電圧印加時の容量温度特性）、および絶縁抵抗の高温加速寿命が向上でき、しかも、直流電界下での容量の経時変化の小さい誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 所定組成を有する誘電体磁器組成物であって、前記誘電体磁器組成物を構成する焼結後の誘電体粒子の平均結晶粒径が、０．１５〜０．６μｍであり、かつ、前記誘電体粒子の５０％相当径であるＤ５０径と、１００％相当径であるＤ１００径との差（Ｄ１００−Ｄ５０）である粒径の粒度分布が、０．３〜０．９μｍである誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が高く、目的とする温度特性を満足し、還元性雰囲気中での焼成が可能であるとともに、高温加速寿命に優れ、しかも容量不良率（容量が規格値以下となってしまった製品の割合）の改善された誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムを含む主成分と、ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯおよびＳｒＯから選択される少なくも１種を含む第１副成分と、Ａｌ_２ Ｏ_３ ，Ｌｉ_２ ＯおよびＢ_２ Ｏ_３ から選択される少なくとも１種を含む第２副成分と、Ｖ_２ Ｏ_５ ，ＭｏＯ_３ およびＷＯ_３ から選択される少なくとも１種を含む第３副成分と、Ｒ１の酸化物（ただし、Ｒ１はＳｃ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）を含む第４副成分と、ＣａＺｒＯ_３ またはＣａＯ＋ＺｒＯ_２ を含む第５副成分と、を少なくとも有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】温度特性が平滑で、誘電率が高く、自己発熱が低い等の全ての特性を満足して、鉛を含有しないチタン酸バリウムを主成分とする誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】本発明の誘電体磁器組成物は、チタン酸バリウムを主成分とする、ペロブスカイト型構造を形成する固溶体組成において、BiMnO₃成分を1.0モル％〜2.0モル％、Ba_1/2NbO₃またはBa_1/2TaO₃成分を0.3モル％〜1.2モル％、およびBi_2/3TiO₃成分を9.0モル％〜15.0モル％を含有する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも更に低温焼成可能で、且つ高い比誘電率を有する誘電体セラミック材料とすることができる誘電体セラミック形成用組成物およびそれを用いた誘電体セラミック材料を提供すること。
【解決手段】平均粒径が０．０１〜０．５μｍのペロブスカイト（ＡＢＯ₃）系セラミック原料粉末と平均粒径が０．１〜５μｍのガラス粉末を含有し、且つ前記ガラス粉末の配合量が３〜１２重量％であることを特徴とする誘電体セラミック形成用組成物である。ペロブスカイト（ＡＢＯ₃）系セラミック原料粉末は、湿式反応により得られるペロブスカイト（ＡＢＯ₃）系セラミック原料粉末であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率εｒが１５０以上で、誘電率の温度特性τεが２００ｐｐｍ／Ｋ以下で、Ｑ特性にも優れた誘電体磁器組成物を実現する。
【解決手段】 基本組成成分が、ａＢａＴｉＯ_３−ｂＳｒＴｉＯ_３−ｃＣａＴｉＯ_３−ｄＬｉ_１／２ＲＥ_１／２ＴｉＯ_３−ｅＬｉ_１／２Ｎｄ_１／２ＴｉＯ_３［ただし、ＲＥはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒから選択される少なくとも１種を表し、ａ〜ｅは各成分の配合比率（モル％）を表す。］で表される誘電体磁器組成物である。各成分の組成は、０≦ａ≦５、１≦ｂ≦３０、５≦ｃ≦３０、１≦ｄ≦２０、４５≦ｅ≦７５、２０≦ａ＋ｂ＋ｃ＜３５、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００である。配合比率ｄ，ｅは、ｄ：ｅ＝１：２〜１：１０であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 インプリント特性、耐還元性に優れた強誘電体膜を作製する方法を提供する。また、このような強誘電体膜を用いた強誘電体メモリを提供する。
【解決手段】 Ｐｂ(Ｚｒ，Ｔｉ)Ｏ₃
で表される組成の強誘電体膜の作製方法において、Ｐｂの１０〜１５％、より好ましくは１１％から１３％をＣａで置換する。強誘電体メモリの作製において、半導体基板上のトランジスタに電気的に接続する下部電極を形成する。下部電極上に、一般式Ｐｂ_xＣａ_y(Ｚｒ_z，Ｔｉ_1-z)
Ｏ₃ で表され、Ｃａの組成ｙがＰｂの１０〜１５％を置換した範囲である強誘電体膜をゾルゲル法で形成し、この強誘電体膜上に上部電極を形成する。上部電極、強誘電体膜、および下部電極を加工して、トランジスタに接続するキャパシタを形成する。 （もっと読む）

【課題】 積層セラミックコンデンサの誘電体層などとして用いられる誘電体磁器組成物において、より低温で焼結可能であり、かつ、比誘電率が高く、ＩＲ寿命に優れた誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）を含む第２副成分を、少なくとも有する誘電体磁器組成物の製造方法であって、焼成後に前記Ｒの酸化物となる原料のうち少なくとも一部として、Ｒのハロゲン化物を使用することを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 誘電体セラミックスが有する高い比誘電率εｒを十分に反映させることができ、これまでにない高い比誘電率εｒを実現することができ、しかも高いＱを有する低損失な複合誘電体材料を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミックスと有機高分子材料とを含有する複合誘電体材料である。誘電体セラミックスとして、一般式Ａｇ（Ｎｂ_１−ｘＴａ_ｘ）Ｏ_３（ただし、０．１０≦ｘ≦０．９０である。）で表される組成を有する酸化物からなる第１の誘電体セラミックスと、Ｑ≧１０００の第２の誘電体セラミックスとを含有する。この場合、第１の誘電体セラミックスを一般式Ａｇ（Ｎｂ_１−ｘＴａ_ｘ）Ｏ_３（ただし、０．１０≦ｘ≦０．４５である。）で表される組成を有し比誘電率の温度変化係数が正である酸化物とし、第２の誘電体セラミックスの比誘電率の温度変化係数を負とすることで、複合誘電体材料全体の比誘電率の温度変化が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】 誘電率や静電容量の温度特性などの各種電気特性を維持しつつ、ＩＲ寿命に優れ、かつ、広い温度範囲（たとえば、−５５〜１５５℃の範囲）において誘電損失を低く抑えることができ、信頼性の高い積層セラミックコンデンサなどの電子部品を提供すること。
【解決手段】 誘電体層を有する電子部品であって、前記誘電体層は、少なくともＭｎ元素を含有し、かつ、複数のセラミック粒子と、隣り合う前記セラミック粒子間に存在する結晶粒界と、を有しており、前記誘電体層を構成する全ての元素に対する前記セラミック粒子内におけるＭｎ元素の含有割合（α）と、前記誘電体層を構成する全ての元素に対する前記結晶粒界におけるＭｎ元素の含有割合（β）と、の比であるＭｎ元素比（β／α）が、１より大きく、３．１以下であることを特徴とする電子部品。 （もっと読む）

【課題】高誘電率で、かつ薄型化が可能な絶縁性複合材料、当該複合材料を成膜した複合材料膜、および当該複合材料膜をゲート絶縁膜として使用した、軽量、薄型で、柔軟性に優れ、高い飽和ドレイン電流を示す薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】体積累積分布における５０％径が１００ｎｍ以下で、比誘電率が５０以上の粒子と、絶縁性の樹脂とを含むことを特徴とする複合材料、複合材料膜およびこれを用いた薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】特許文献１に記載の複合誘電体シート及び特許文献２に記載のエポキシ組成物の場合にはいずれも誘電率を高めるために誘電体セラミックや無機質粉末をフィラーとして混合しているが、これらの場合には耐電圧は樹脂だけの場合と比較して低下し、高い誘電率を得ることができず、しかも耐電圧が低く実用できでない。
【解決手段】本発明の複合誘電体材料は、エポキシ変性ポリブタジエン樹脂及びポリビニルフェノールを含有する樹脂成分と、常誘電体セラミックと、を含有し、且つ、上記常誘電体セラミックは、硬化後の上記樹脂成分と上記常誘電体セラミックとの合計に対して、４０ｖｏｌ％以下の割合で含有されている。 （もっと読む）

【課題】スピンコート法、ＭＯＤ法などの塗布法において、焼成工程における昇温速度を適切にして、クラックを発生させずに強誘電体薄膜を膜厚１μｍ以上成膜することを可能にする。
【解決手段】基板１上に任意量の強誘電体原料溶液を塗布し乾燥する工程を１回又は複数回行い、得られた薄膜を６００℃以上の加熱処理により焼成して薄膜を一度に結晶化する塗布法による強誘電体薄膜の製造方法において、上記６００℃以上の加熱処理により焼成するときの加熱開始から６００℃に到達する間の昇温速度の平均を２．０℃／分以下に設定し、所望の厚さの強誘電体薄膜３が得られるまで、上記塗布・乾燥工程と結晶化の焼成工程を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ電極などの卑金属電極に対応する耐還元性誘電体磁器組成物を得る場合に、組成物中に、環境や人体に有害な鉛を含むことなく比誘電率を向上させ、かつ比誘電率の温度変化率を小さくさせることができる耐還元性誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 主成分の組成式を、α（Ｓｒ_ＸＣａ_ＹＢａ_{１−Ｘ−Ｙ}）（Ｔｉ_１−ＷＭ_Ｗ）Ｏ_３＋（１−α）（（Ｂｉ_１−Ｚｎ＊Ａ_Ｚ）_２Ｏ_３＋βＴｉＯ_２）、ただしＭはＺｒ，Ｍｇの中から選ばれる少なくとも１種類以上、ＡはＬｉ，Ｋ，Ｎａの中から選ばれる少なくとも１種類以上、と表した場合に、主成分の全体に対する（Ｓｒ_ＸＣａ_ＹＢａ_{１−Ｘ−Ｙ}）（Ｔｉ_１−ＷＭ_Ｗ）Ｏ_３のモル比αと、（Ｂｉ_１−Ｚｎ＊Ａ_Ｚ）_２Ｏ_３が１モルに対するＴｉのモル比βとが、０．６０＜α＜０．８５， １．５＜β＜４．０の範囲にある。 （もっと読む）