【課題】コストの低減を図りつつ、かつ、精度よく基準電流を生成することが可能な半導体装置、光ディスク装置及び半導体装置のテスト方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、基準電流を生成する電流生成回路と、記生成された基準電流をテスタ３００へ出力する外部端子Ｔ１と、基準電流の電流値を制御するための電流制御データを、外部端子Ｔ１から出力された基準電流に応じてテスタ３００により設定される外部端子Ｔ２と、テスタ３００により設定された電流制御データにしたがって、電流生成回路により生成される基準電流が所定値となるように調整する電流制御部１４と、を備える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップ参照電源回路の応答を速くすること。
【解決手段】温度係数が正の絶対温度比例電流を生成する絶対温度比例電流生成回路と、前記絶対温度比例電流のミラー電流を生成するミラー電流生成部と、前記ミラー電流に基づいて生成される温度係数が正の絶対温度比例電圧及び係数が負の相補的電圧から温度係数の絶対値が前記絶対温度比例電圧より小さいバンドギャップ参照電圧を生成するバンドギャップ参照電圧生成部とを有し、前記ミラー電流生成部と前記バンドギャップ参照電圧生成部の間の接続ノードから共通の出力ノードに接続され、当該出力ノードから前記バンドギャップ参照電圧を出力する複数のバンドギャップ参照電圧出力回路とを有し、前記複数のバンドギャップ参照電圧出力回路のうちの一部の回路は、前記ミラー電流生成部と前記接続ノードの間及びバンドギャップ参照電圧生成部と前記接続ノードの間それぞれに設けられた１及び第２のスイッチ回路を有すること。 （もっと読む）

【課題】低消費電流で電源電圧の状態に関係なく安定した動作を確保することができる起動回路を提供する。
【解決手段】本発明は、低電源電位を基準として動作するバイアス回路の電流源（電源電圧ＶＥ）と並列に配置されて起動電流を流すためのＰチャネルトランジスタＭＰ１と、ＰチャネルトランジスタＭＰ１のゲートと高電位電源との間に配置された第１のスイッチＳ１と、ＰチャネルトランジスタＭＰ１のゲートと低電位電源との間に直列に配置された抵抗Ｒ３と第２のスイッチＳ２と、を備え、第１のスイッチＳ１は定電流源のバイアス電圧でオン／オフし、第２のスイッチＳ２はシステム電源の起動に関する電源起動信号でオン／オフする。 （もっと読む）

【課題】基準電圧立ち上がり時間の短縮が図れ、起動時間の遅延を防止することができるバンドギャップ基準電圧装置の提供。
【解決手段】バンドギャップ基準電圧装置は、出力端子３００ａより所定の基準電圧ＶＲＥＦを出力するバンドギャップ回路１０と、バンドギャップ回路１０に電流を供給して該バンドギャップ回路１０を起動させる定電流源１１と、バンドギャップ回路１０の起動時に、出力端子３００ａからバンドギャップ回路１０に電流を供給する電流供給部と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップ基準電圧回路１００を確実に起動させることができる。
【解決手段】電源電圧がｐＭＯＳトランジスタＰ１のゲート電圧の閾値に到達する前には、ｐＭＯＳトランジスタＰ６により電源ＶｄｄとｐＭＯＳトランジスタＰ４のソース端子との間を開放させている。このため、電源電圧がｐＭＯＳトランジスタＰ１のゲート電圧の閾値に到達する前に、抵抗素子Ｒ３ａによってコンデンサＣ１から電荷を放出させて、コンデンサＣ１のプラス電極の電位をｐＭＯＳトランジスタＰ４のゲート端子の電位の閾値よりも低くすることができる。電源電圧が上昇してｐＭＯＳトランジスタＰ６が電源ＶｄｄとｐＭＯＳトランジスタＰ４のソース端子との間を接続すると、ｐＭＯＳトランジスタＰ４がオンして、電源ＶｄｄからｐＭＯＳトランジスタＰ６、Ｐ４を通してスタートアップ電流をｎＭＯＳトランジスタＮ１、Ｎ２のゲート端子に流すことができる。 （もっと読む）

【課題】電源瞬停時に出力ノードの電圧が低電位電源端子の電圧よりも大きく低下することを防止する。
【解決手段】基準電流発生回路１０と、該基準電流発生回路１０で発生した基準電流を基準電圧に変換して出力ノードＮ１から出力する電流電圧変換回路２０とを備えた定電圧出力回路において、出力ノードＮ１と低電位電源端子２との間に、アノードが低電位電源端子１に接続されカソードが出力ノードＮ１に接続されるダイオードＤ１を接続する。 （もっと読む）

【課題】何れかのバンドギャップ電圧基準回路内のバイポーラ素子に格子欠陥等の不具合が発生しても、基準電流の供給先の回路を安定に動作させることができる電流源回路を得ることを目的とする。
【解決手段】シリコンＳｉのバンドギャップ電圧を利用して、基準電流Ｉｒｅｆ１，Ｉｒｅｆ２を出力するバンドギャップ電圧基準回路２，４と、バンドギャップ電圧基準回路２，４から出力された基準電流Ｉｒｅｆ１，Ｉｒｅｆ２の総和を基準電流Ｉｒｅｆとして出力する電流出力回路５とを備える。 （もっと読む）

【課題】温度に対し高精度なリファレンス電圧の発生を実現する。
【解決手段】ダイオード接続されたトランジスタのベース−エミッタ間電圧を用いた、温度に対して負の特性を持つ電圧に、絶対温度に比例する正の特性を持つ電圧を加えて１次の温度補償を行うとともに、さらに前記トランジスタのベース−エミッタ間電圧に含まれる例えば２次の温度特性成分を打ち消す温度補償信号を発生するＮ次温度補償信号発生回路１０５を設け、ベース−エミッタ間電圧に、Ｎ次温度補償信号発生回路１０５からの温度補償信号Ｖｃｏｍｐを加えることにより、ベース−エミッタ間電圧に含まれる２次の温度特性成分による変動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】安定起動と低消費電力とを両立させた定電圧回路を提供すること。
【解決手段】バイポーラトランジスタのバンドギャップ電圧を利用して基準電圧を生成する第１の基準電圧発生部（２）と、電界効果トランジスタを用いて基準電圧を生成する第２の基準電圧発生部（３）と、第１の基準電圧発生部（２）の出力電圧、または第２の基準電圧発生部（３）の出力電圧のいずれかを参照して定電圧を生成する定電圧生成部（４）と、第１の基準電圧発生部（２）、第２の基準電圧発生部（３）、および定電圧生成部（４）を制御する制御部（５）と、を備え、起動初期期間において第１の基準電圧発生部（２）と第２の基準電圧発生部（３）とを動作させ、その後の動作期間において第１の基準電圧発生部（２）を停止させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の増大を抑制等しつつ、コア面積が小さいスタートアップ回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるスタートアップ回路は、基準電圧Ｖｏｕｔを発生する基準電圧発生部２０に対して電源電圧供給開始時にスタートアップ電流Ｉｓｒｔｕｐを供給し、基準電圧Ｖｏｕｔを安定化させるスタートアップ回路１０であって、基準電圧Ｖｏｕｔを検出し、検出結果に応じた制御電圧Ｖｓｔを出力するモニタ回路１３と、電源電圧ＶＤＤに応じた電圧レベルの中間電圧Ｖｎを生成し出力するレベルシフタ１１と、中間電圧Ｖｎに応じたスタートアップ電流Ｉｓｒｔｕｐを、基準電圧発生部２０に対して供給するか否かを制御電圧Ｖｓｔに基づいて制御するスイッチ回路１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基準電流の大きさを温度勾配を維持したまま調整することができる基準電流出力装置を提供する。
【解決手段】基準電圧・電流出力回路１２により基準電流ｉ３’を出力し、変換出力回路１４により、基準電圧・電流出力回路１２から出力された基準電圧を調整用電流ｉ４に変換して出力し、重畳出力部１６により、基準電流ｉ３’に調整用電流ｉ４を重畳して重畳電流ｉ６を出力する。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップ型基準電圧発生回路において、高温における寄生ダイオードのリーク電流の影響を制御して、基準電圧の温度特性の向上を図る。
【解決手段】ＮＰＮ型ＢＩＰトランジスタＱ_１の寄生ダイオードＤ_１とは別に、ｉ個（ｉは１以上の自然数）の温度特性制御ダイオードＤ_３１〜Ｄ_３ｉをＮＰＮ型ＢＩＰトランジスタＱ_１のコレクタに接続する。温度特性制御ダイオードＤ_３１〜Ｄ_３ｉは、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタＭ_１，Ｍ_２からなるカレントミラー回路を介して、寄生ダイオードＤ_２１〜Ｄ_２Ｋのリーク電流の増加による基準電圧Ｖrefへの影響をキャンセルするように作用する。 （もっと読む）

【課題】抵抗を使用せずナノアンペアレベルの電流で動作可能なＢＧＲ回路及びサブＢＧＲ回路を提供する。
【解決手段】電流源回路１０は所定の電流を発生し、電圧発生回路２０は、ＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１を含み、電流源回路１０からの電流に基づいて、半導体素子のバンドギャップ電圧に基づいた負の温度特性を有するＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１のベースエミッタ間電圧Ｖ_ＢＥを出力し、温度特性制御回路３０は、電流源回路１０からの電流に基づいてベースエミッタ間電圧Ｖ_ＢＥの負の温度特性を実質的に相殺する正の温度特性を有する電圧Ｖ_ＧＧを発生し、ベースエミッタ間電圧Ｖ_ＢＥに電圧Ｖ_ＧＧを加算して出力電圧Ｖ_ＲＥＦ１を出力する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】ＰＮ接合を有する第１半導体素子と、ＰＮ接合を有する第２半導体素子と、第１半導体素子と第２半導体素子とを構成要素として含む回路と、を有し、回路から、第１半導体素子のＰＮ接合に生じる第１順方向電圧と、第２半導体素子のＰＮ接合に生じる第２順方向電圧とが加算された加算信号が出力される半導体装置であって、第１半導体素子と第２半導体素子とが直列接続されており、第１半導体素子及び第２半導体素子それぞれの実使用温度域において、回路が第２半導体素子を構成要素として含まない場合に、回路から出力される第１信号の温度特性と、回路が第１半導体素子を含まない場合に、回路から出力される第２信号の温度特性と、が反転している。 （もっと読む）

【課題】温度変化に対して定電圧および定電流を発生しつつ、回路面積を削減することが可能な定電圧定電流発生回路を提供する。
【解決手段】定電圧定電流発生回路は、第１のトランジスタと、第１の端子と第２の電位との間に接続された第１の抵抗と、第１の抵抗と直列に接続された第１のダイオードと、第１のトランジスタの制御端子に第１の制御信号を出力する第１のオペアンプと、を備える。定電圧定電流発生回路は、第１の制御信号に応じて、定電流を電流出力端子から出力する電流出力回路と、第１のトランジスタに流れる第１の電流をミラーした第２の電流が流れる第２のトランジスタと、電圧出力端子と第２の電位との間に接続された第２の抵抗と、を備える。定電圧定電流発生回路は、電圧出力端子に電流を出力し、温度の変化に対して負の電流特性を有する電流源と、参照電圧を参照電圧端子から出力する参照電圧出力回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】素子ばらつきの影響を受けずに高精度な基準電圧を発生する回路を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体接合に異なる電流密度の電流を流す手段と、その差電圧に比例する電圧を複数の容量の並列接続に充電する手段と、次にかかる容量を直列接続につなぎ変えて電圧を発生する手段と、必要に応じ、半導体接合の電圧を複数の容量の直列接続に充電する手段と、次にかかる容量を並列接続につなぎ変えて、半導体接合の電圧に比例する電圧を発生させる手段と、かかる電圧と上記電圧を加算する手段を有する。上記差電圧として、複数の半導体接合もしくは複数の定電流源を有し、第一の個数並列接続したときの電圧を充電する手段と、第二の個数並列接続したときの電圧との差とし、必要に応じ第一もしくは第二の個数選択の際に複数の組み合せを順次選択する。 （もっと読む）

【課題】トリミングデータによって調整可能な基準電圧発生回路を備えた半導体装置において、電源が立上がるまでの基準電圧のばらつきの影響を受けないようにする。
【解決手段】半導体装置１０において、基準電圧生成部１は、外部電源電圧ＶＣＣに基づいて、トリミングデータＴＲＭ１に応じて調整された第１の基準電圧Ｖ１＊およびこのトリミングデータＴＲＭ１に依存しない第２の基準電圧Ｖ２を生成する。不揮発性メモリ３は、第１の基準電圧Ｖ１＊に基づく電圧によって動作し、上記のトリミングデータＴＲＭ１を記憶する。パワーオンリセット回路５は、電源立上げ時に外部電源電圧ＶＣＣが第２の基準電圧Ｖ２の定数倍に達したときにリセット信号の論理レベルを切替える。制御回路６は、リセット信号の論理レベルの切替に応答して、不揮発性メモリ３に記憶された上記のトリミングデータＴＲＭ１を基準電圧生成部１に読込ませる。 （もっと読む）

【課題】電流の方向に関係なく負荷回路を接続でき、ブラックボックス回路として容易に取り扱える基準電流生成回路、及びこれを含む情報処理装置を提供する。
【解決手段】基準電圧に基づく基準電流を出力する第１トランジスタと第２トランジスタの制御端子にそれぞれ供給される第１及び第２バイアス電圧を生成するバイアス電圧生成部と、制御端子に第１バイアス電圧、第２バイアス電圧が印加されると基準電流に基づく電流を出力する第１導電型の第１電流出力用トランジスタ、第２導電型の第２電流出力用トランジスタと、第１電流出力用トランジスタと第２電流出力用トランジスタとの間に一端が接続されるとともに他端が負荷回路に接続され、負荷回路への電流の流し込み、又は負荷回路から電流の引き込みを行う入出力部と、入出力部の電圧値に基づき第１電流出力用トランジスタと第２電流出力用トランジスタのオン／オフを切替る切り替え部とを含む。 （もっと読む）

【課題】寄生素子の動作を起因とする不安定動作を防ぐことができる、半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】入出力を異なる電流値にする入出力比特性を有するカレントミラーを構成する一対のトランジスタ（６３，６５）と、前記カレントミラーの出力電流に応じて基準電圧を生成する出力トランジスタとを備える半導体集積回路であって、一対のトランジスタ（６３，６５）のうち前記電流値が小さい方のトランジスタ６３側のコレクタ領域８５Ａの総面積と一対のトランジスタ（６３，６５）のうち前記電流値が大きい方のトランジスタ６５側のコレクタ領域８２と８８とを合わせた総面積とが等しくなるように構成されたことを特徴とする、半導体集積回路。 （もっと読む）

【課題】制御端子に印加される制御信号に応答して負荷電流を供給するように構成される一次ワイドバンドギャップバイポーラパワースイッチングデバイスおよび制御信号を生成するように構成されるドライバデバイスを含む電子回路を提供する。
【解決手段】一次スイッチングデバイスあるいはドライバデバイスのうち少なくとも１つが、光学的に起動するスイッチングデバイスを含むことができる。個別ワイドバンドギャップ半導体デバイスが、制御電流の印加で伝導状態と不伝導状態との間を切替えるように構成される一次バイポーラデバイス段、および制御電流を生成し、かつ一次バイポーラデバイス段に制御電流を供給するように構成されるバイポーラドライバ段を含む。一次バイポーラデバイス段およびバイポーラドライバ段のうち少なくとも１つが、光学的に起動するワイドバンドギャップスイッチングデバイスを含むことができる。 （もっと読む）