【課題】小規模の付加回路により、基準電圧の温度特性を簡易な調整によって十分に改善することができる基準電圧発生回路を提供する
【解決手段】バイポーラトランジスタ１０６、バイポーラトランジスタ１０６と並列に接続されるバイポーラトランジスタ１０７、バイポーラトランジスタ１０７のエミッタに一端が接続される抵抗素子１０４、バイポーラトランジスタ１０６のベース電位と、バイポーラトランジスタ１０７のベース電位との差分によって生じる差電圧を発生させる抵抗素子１０９、バイポーラトランジスタ１０６のエミッタ電位と抵抗素子１０４の他端の電位とが等しくなるように動作する演算増幅器１０５によって基準電圧発生回路を構成し、抵抗素子１０９が生成する差電圧が、温度によって変化する。 （もっと読む）

【課題】出力電圧における温度補償をする際の抵抗のばらつきの影響を低減する。
【解決手段】基準電圧（Ｖｒｅｆ）を生成して出力端から出力するバンドギャップリファレンス回路（１）と、基準電圧の分割電圧（ノードＡの電圧）とダイオード（３６）の順方向電圧との差電圧に応じて差電圧を電流に変換する電圧電流変換回路（３に相当）と、を備え、電圧電流変換回路は、変換された電流（１９）を出力端にフィードバックする。 （もっと読む）

【課題】温度依存性が少ない低電圧（１．２５Ｖ以下）の定電圧を発生する、基準電圧回路を提供すること。
【解決手段】二つのＰＮ接合を有し、いずれかのＰＮ接合に基づいた電圧Ｖｋと、二つのＰＮ接合の電圧の差に基づいた電流Ｉｋと、を出力するバンドギャップ電圧発生回路と、電圧Ｖｋを分圧する分圧回路と、を備え、分圧回路は入力する電流Ｉｋにより分圧電圧を補正して、基準電圧として出力する、構成とした。 （もっと読む）

【課題】温度特性の校正に必要なパラメータの可変範囲を小さくすることが可能な基準信号発生回路を提供する。
【解決手段】第１の基準電圧を発生する第１の非線形素子１と、第２の基準電圧を発生する第２の非線形素子２と、出力電圧Ｖｏに基づいて第１の非線形素子１および第２の非線形素子２に流れる電流を制御する電流制御回路３と、電流制御回路３の出力電圧Ｖｏの温度特性を別個に調整する温度特性調整素子６−１、６−２とを備える。 （もっと読む）

【課題】低電圧までの広い電圧範囲で動作可能で、バイアス電流の温度係数を設定可能なバイアス回路及び増幅回路を提供する。
【解決手段】電流生成回路と、電圧生成回路と、を備えたことを特徴とするバイアス回路が提供される。前記電流生成回路は、接合部の面積の異なる２つのＰＮ接合の順方向電圧の電圧差に基づいて第１の電流を生成し、前記２つのＰＮ接合のうちの接合部の面積の小さいＰＮ接合の順方向電圧に基づいて前記第１の電流の温度係数と異なる極性の温度係数を有する第２の電流を生成する。前記電圧生成回路は、前記第１の電流と前記第２の電流とを合成した電流から基準電圧を生成する。 （もっと読む）

【課題】動作の信頼性の向上を図る。
【解決手段】定電流源回路は、複数のＰＭＯＳトランジスタを含む第１カレントミラー回路１１、複数のＮＭＯＳトランジスタを含む第２カレントミラー回路１２を備え、正の温度特性を有する第１電流を発生する第１電流発生回路１０と、前記複数のＮＭＯＳトランジスタの閾値電圧に依存し、負の温度特性を有する第１電圧が入力され、前記第１電圧と等しい第２電圧を出力するフィードバック回路２１を備え、前記第２電圧に基づいて負の温度特性を有する第２電流を発生する第２電流発生回路２０と、前記第１電流と前記第２電流とを加算することで、任意の温度特性を有する定電流を発生する電流合成回路３０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ゲート容量が大きなトランジスタを有する増幅器に接続しても発振を防止できる定電圧回路及び増幅回路を提供する。
【解決手段】定電圧回路４０は、所定の電圧が印加される第１の入力端子４４と、出力端子４６に接続された第２の入力端子とを備えた差動増幅部４１と、ソースが接地され、ドレインが出力端子４６に接続され、ゲートに差動増幅部４１の出力が与えられるトランジスタＴ46を備えたソース接地型増幅器４２とを有する。そして、トランジスタＴ46のゲートとドレインとの間には、抵抗４７とコンデンサ４８とが直列に接続されている。定電圧回路４０から出力される電圧Ｖｇは、増幅器２０のバイアス端子２６ｂからバイアス給電用インダクタ２５ａ，２５ｂを介してトランジスタＴ3，Ｔ4に供給される。 （もっと読む）

【課題】低電圧で動作する参照回路を提供すること。
【解決手段】低電圧参照回路は、一対の半導体装置を有し得る。各半導体装置は、ｎ型半導体領域と、ｎ型半導体領域におけるｎ＋領域と、メタルゲートと、ゲート絶縁体とを有し得る。ゲート絶縁体は、メタルゲートとｎ型半導体領域との間に挿入され、メタルゲートとｎ型半導体領域とを通りキャリアはトンネリングする。メタルゲートは、ｐ型ポリシリコンの仕事関数と整合する仕事関数を有し得る。ゲート絶縁体は、約２５オングストロームより薄い厚さを有し得る。メタルゲートは、第一の端子を半導体装置に対して形成し得る。ｎ＋領域およびｎ型半導体領域は、第二の端子を半導体装置に対して形成し得る。第二の端子は、接地に結合され得る。バイアス回路は、異なる電流を半導体装置に供給するために第一の端子を用い得、対応する参照出力電圧を１ボルト未満の値で提供し得る。 （もっと読む）

【課題】ダイオードのアノード側電圧を用いて出力電圧を生成する基準電圧回路において、ダイオード温度非直線性を補正し、基準電圧回路の出力電圧の温度係数を小さくすること。
【解決手段】温度補償型基準電圧回路は、ダイオードのアノード側の電圧に基づいて出力電圧を生成する基準電圧回路と、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタから成る差動対を有する温度補償回路とを備え、第１のトランジスタは定電流源とダイオードのアノード端子との間に接続され基準電圧回路の第１のノードの電圧をゲート電極に受け、第２のトランジスタは定電流源と基準電位点との間に接続され記基準電圧回路の第２のノードの電圧をゲート電極に受け、第１のノードの電圧の温度依存性は第２のノードの電圧の温度依存性よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】従来技術の低ドロップアウト電圧調整器が所望の調整電圧を正確に維持する能力は、減少してしまう。
【解決手段】電圧調整回路の装置および関連される動作方法が提供された。例示的電圧調整回路は電圧調整構成を含み、該電圧調整構成は、入力電圧基準に基づく調整された出力電圧と、電圧調整構成の位相マージンとを増加するように構成され、電圧調整構成に接続された位相補償構成、位相補償構成に接続された検出回路を備えられる。検出回路は、閾値を満たさない出力電流を検出することに応答して、位相補償構成を無効化するように構成される。 （もっと読む）

【課題】新規な出力論理を有するコンパレータを提供する。
【解決手段】コンパレータ１００は、入力電圧Ｖ_ＩＮを基準電圧Ｖ_ＲＥＦと比較する。差動増幅回路１０は、その制御端子に基準電圧Ｖ_ＲＥＦが印加された第１入力トランジスタＭｉ１と、その制御端子に入力電圧Ｖ_ＩＮが印加された第２入力トランジスタＭｉ２を含む。出力段２０は、差動増幅回路１０の出力信号Ｖ_ｘを受け、それに応じた信号を比較結果を示す出力信号Ｓ_ＯＵＴとして出力する。フィードバック回路３０は、出力段２０の出力信号Ｓ_ＯＵＴを受け、出力信号Ｓ_ＯＵＴが第１レベルから第２レベルに遷移すると、出力信号Ｓ_ＯＵＴが第２レベルに戻るように、差動増幅回路１０または出力段２０にフィードバックする。 （もっと読む）

【課題】回路面積が小さな電流源回路を提供する。
【解決手段】この電流源回路では、直流電圧Ｖ１に応じた値の参照電流Ｉ１を生成し、その電流Ｉ１のうちの電流ＩｒをダイオードＤ１に流し、残りの電流Ｉ１−ＩｒをダイオードＤ２に流し、ダイオードＤ１，Ｄ２のアノードの電圧ＶＲ１，ＶＲ２を差動増幅回路のトランジスタＱ１，Ｑ２のベースに与える。また、直流電圧Ｖ２に応じた値の参照電流Ｉ２を生成し、その電流Ｉ２を差動増幅回路の駆動電流とする。トランジスタＱ１のコレクタに流れる定電流Ｉｏ＝Ｉｒ・（Ｖ２／Ｖ１）が電流源回路の出力電流Ｉｏとなる。したがって、外付け用の端子および外部抵抗器が不要となる。 （もっと読む）

【課題】 安定した基準電位を供給し得る基準電位生成装置を提案する。
【解決手段】 基準電位生成装置１は、基準とすべき位置の周りに回転対称に配されるｍ個（ｍは４以上の偶数）の電極２１Ａ〜２１Ｄと、基準とすべき位置を含む近傍範囲での強度が所定値未満となる電荷を、ｍ個の電極２１Ａ〜２１Ｄに印加する印加手段と、当該範囲に配される複数の導体３１Ａ、３１Ｂと、複数の導体３１Ａ、３１Ｂから得られる信号の差分を増幅する増幅手段３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】負荷回路を一次電池で間欠的に駆動する場合でも一次電池の電池容量の低減を抑制する。
【解決手段】電池容量特性が放電電流ＩＢに対してピークＰを有する一次電池１１を設け、定電流回路１２により、一次電池１１からの放電電流ＩＢを、ピークＰの際の最適放電電流ＩＢｓ以下に制限して出力し、容量素子１３により、定電流回路１２から出力された放電電流ＩＢを充電し、負荷回路２０を駆動するための駆動電流ＩＬとして供給する。 （もっと読む）

【課題】０ＶからＶＤＤの範囲でダイナミックに変化する差動入力電圧の全ての入力電圧範囲において出力電流を変化させることができる電圧電流変換回路を提供する。
【解決手段】電圧電流変換回路は、第１および第２の負荷抵抗と第１の電流源との間に接続された第１および第２のＭＯＳトランジスタと、第１および第２の負荷抵抗と第２の電流源との間に接続された第３および第４のＭＯＳトランジスタとを備える。第１および第４のＭＯＳトランジスタのゲートには差動入力電圧の一方および他方が入力され、第２および第３のＭＯＳトランジスタのゲートにはバイアス電圧が入力される。バイアス電圧は、差動入力電圧のいずれかが電源電圧のときを除いて第２および第３のＭＯＳトランジスタの両方がオンする電圧に設定されている。 （もっと読む）

【課題】スタート信号を用いて起動を行う基準電圧発生回路において、起動時に基準電圧発生回路の動作を適切に安定化する。
【解決手段】この基準電圧発生回路は、第１の電源電位及び第２の電源電位が供給されて基準電圧を発生する基準電圧発生回路であって、基準電流制御信号を生成して制御ノードに出力する第１の回路と、制御ノードにおける基準電流制御信号に従って電流を流すことにより、出力端子に基準電圧を出力する第２の回路と、スタート信号が活性化されたときに、制御ノードにおける基準電流制御信号を初期化する第３の回路とを具備し、第３の回路が、第２の電源電位と制御ノードとの間に直列に接続された第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを含み、第１のトランジスタのゲートに、スタート信号が印加され、第２のトランジスタのゲートに、第２の回路が流す電流に基づく負帰還信号が印加される。 （もっと読む）

【課題】電流の方向に関係なく負荷回路を接続でき、ブラックボックス回路として容易に取り扱える基準電流生成回路、及びこれを含む情報処理装置を提供する。
【解決手段】基準電圧に基づく基準電流を出力する第１トランジスタと第２トランジスタの制御端子にそれぞれ供給される第１及び第２バイアス電圧を生成するバイアス電圧生成部と、制御端子に第１バイアス電圧、第２バイアス電圧が印加されると基準電流に基づく電流を出力する第１導電型の第１電流出力用トランジスタ、第２導電型の第２電流出力用トランジスタと、第１電流出力用トランジスタと第２電流出力用トランジスタとの間に一端が接続されるとともに他端が負荷回路に接続され、負荷回路への電流の流し込み、又は負荷回路から電流の引き込みを行う入出力部と、入出力部の電圧値に基づき第１電流出力用トランジスタと第２電流出力用トランジスタのオン／オフを切替る切り替え部とを含む。 （もっと読む）

【課題】高精度な出力電流を出力できる出力端子の動作電圧範囲を大幅に拡大することができると共に、効率を高めることができる定電流回路及び定電流回路を使用した発光ダイオード駆動装置を得る。
【解決手段】第１定電流ｉ１と同じ電流値の第４定電流ｉ４を生成してＮＭＯＳトランジスタＭ１と同一導電型のＮＭＯＳトランジスタＭ１６に供給し、ＮＭＯＳトランジスタＭ１６における第４定電流ｉ４が入力されるドレインの電圧をレベルシフトさせてＮＭＯＳトランジスタＭ１６のゲートに入力して得られたＮＭＯＳトランジスタＭ１６のドレイン電圧を基準電圧とし、電圧調整回路４を構成するＮＭＯＳトランジスタＭ１４と定電流源２との接続部の電圧と該基準電圧との電圧を誤差増幅回路ＯＰ１で比較して該比較結果を示す信号Ｄｏｕｔを出力するようにした。 （もっと読む）

【課題】高電圧電源に接続される基準電圧回路であって、当該基準電圧回路が生成する基準電圧より高くて電圧変動の小さいクランプ電圧を電源電圧とするともに、当該クランプ電圧を小規模な回路で実現する基準電圧回路を提供することにある。
【解決手段】この基準電圧回路１００は電流供給回路３と定電圧回路１およびクランプ回路２で構成され、クランプ回路２のＰＭＯＳＦＥＴ９のゲートに基準電圧Ｖｒｅｆを入力してＰＭＯＳＦＥＴ９をソースフォロア回路として動作させることで、ソース電圧をクランプ電圧にクランプし、このソースと接続する定電圧回路１の電源端子８の電圧はこのクランプ電圧に決められる。 （もっと読む）