【課題】性能のばらつきが小さな半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、ノードＮ１，Ｎ２間に直列接続された第１のスイッチング素子（高耐圧のトランジスタＱ１）および第２のスイッチング素子（抵抗素子Ｒ１および低耐圧のトランジスタＱ２）と、第２のスイッチング素子に並列接続された第３のスイッチング素子（低耐圧のトランジスタＱ３）とを含む。トランジスタＱ２をオンさせるとトランジスタＱ１がオンし、さらにトランジスタＱ３をオンさせるとノードＮ１，Ｎ２間が導通状態になる。したがって、オン抵抗値の高い第１のスイッチング素子をオンさせて高耐圧のトランジスタＱ１をオンさせるので、ターンオン時間のばらつきが小さくなる。 （もっと読む）

【課題】
回路基板からの空間伝播する電磁ノイズの影響を抑え、寄生インダクタンスを低減したフィルタ回路を備え、十分にノイズ低減された電圧を出力することができる電子装置を提供する。
【解決手段】
上記課題を解決するために、本発明は、筐体１０１と、筐体内に設けられた回路基板１３２と、筐体に設けられた貫通孔を貫通し、回路基板の出力を外部に出力する出力端子１２２と、を備えた電子装置において、フィルタコンデンサ１４２ａを有するフィルタ手段１４２と、出力端子と、筐体と、それらを接続する配線１４２ｂ、１４２ｃで構成されるループを構成し、筐体に接続する配線１４２ｃを、出力端子に近い位置に接続することで、ループが小さくなるような構造とする。また、フィルタ手段と回路基板との間に、シールド１０２を設ける。 （もっと読む）

【課題】回路規模が小さくて遅延が少なく且つ特性に与える素子バラツキの影響が小さいDC-DCコンバータの異常電流防止回路を提供する。
【解決手段】電流検出抵抗12を流れる電流を所定の基準電流と比較して過電流の有無を判定する電流コンパレータ30を備える。検出抵抗12の電圧は通常時(正常時)には負電圧であるが異常時に逆電流が生じた場合には正電圧が現れるようになる。電流コンパレータ30は検出抵抗12の電圧を監視し、検出抵抗12の電圧が負電圧の間はハイ出力をラッチ10を介してＡＮＤ回路20に送ってPWM比較器9の出力信号がローサイド側スイッチ素子14,19に伝わるようにし、検出抵抗12の電圧が正電圧になると電流コンパレータ30の出力電圧はローになり、ローサイド側スイッチ素子14,19を強制的にOFFにする。 （もっと読む）

【課題】ＤＣ−ＤＣコンバータ装置において、スイッチング素子の冷却は放熱プレートへの放熱手段のみで、発熱量の大きいパワーＭＯＳＦＥＴなどを並べて配置する場合は効率よく放熱するためには熱抵抗の低減や水冷装置の冷却経路の複雑化などの課題があった。
【解決手段】ＤＣ−ＤＣコンバータ装置の電圧変換するためのインダクタ素子に流れる電流を制御する複数のスイッチング素子を金属製のケースよりも伝熱特性が良い金属製の放熱体に伝熱性を有する絶縁材を介して金属製のケースに固定する。隣接するスイッチング素子との間で熱の流れが交錯するのが少なくなって熱干渉が少なくなることで、熱拡散が良くなりスイッチング素子冷却効率をより高めることができる。 （もっと読む）

【課題】発電源から出力される変動幅の大きな電圧に対処し得るスイッチング電源および風力発電装置を提供する。
【解決手段】スイッチング電源１Ａは、変圧器２４と、変圧器２４に生じた電圧波形を整流平滑する整流平滑回路２５と、それぞれの一方の端が変圧器２４の捲線比が異なる位置に接続された複数のインダクタを含む直列インダクタ２３と、交流入力電圧を直流入力電圧に変換する三相整流ダイオード２１と、直流入力電圧に対して並列に接続されるとともに、複数のインダクタの他方の端にそれぞれ接続された複数のコンバータを含む順次制御型ブリッジコンバータ２２と、交流入力電圧の実効値に応じた制御信号を出力する入力電圧検出部３１と、入力電圧検出部３１から出力された制御信号に応じて複数のコンバータをスイッチング動作させるゲート順次制御部３２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチング回路全体の導通損失を低減しつつ、スイッチング回路を構成するスイッチング素子の損傷を防止する。
【解決手段】スイッチング制御装置１０は、ハイ側スイッチング回路２１又はロー側スイッチング回路２２を非導通状態から導通状態に遷移させる際には、ユニポーラ型半導体素子をオフからオンに切り替えた後にバイポーラ型半導体素子をオフからオンに切り替え、導通状態から非導通状態に遷移させる際には、バイポーラ型半導体素子をオンからオフに切り替えた後にユニポーラ型半導体素子をオンからオフに切り替える。ハイ側スイッチング回路２１又はロー側スイッチング回路２２の導通状態において、ユニポーラ型半導体素子（ＳｉＣ）の温度検出値ＴＳｉＣが高温判定閾値Ｔｈ以上である場合には、バイポーラ型半導体素子をオンに維持しつつユニポーラ型半導体素子をオンからオフに切り替える。 （もっと読む）

【課題】力率を改善するため、オン抵抗が小さく、スイッチング速度が速いスイッチング素子を用いた電源装置において、スイッチング素子のソース−ドレイン間に寄生容量があると、スイッチング損失が発生する。スイッチング損失がない、効率を改善した電源装置を提供する。
【解決手段】電源装置は、整流回路に接続されるインダクタと正極端子との間に接続される第１整流素子と、前記第１整流素子の入力端子と負極端子との間に接続される第１スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子に並列に接続される第２スイッチング素子及びトランスと、前記第２スイッチング素子と前記トランスの接続部と、前記正極端子との間に接続され、前記接続部から前記正極端子に向かう整流方向を有する第２整流素子と、前記トランスと前記正極端子との間に接続され、前記トランスから前記正極端子に向かう整流方向を有する第３整流素子を有する。 （もっと読む）

【課題】損失を抑制すると共により迅速に昇圧を行なう。
【解決手段】チャージポンプ２０からの出力電圧ＶＣがトリガ電圧を超えると、スイッチ７０がオンし、クロック信号供給回路３０は出力電圧ＶＣの振幅のクロック信号ＣＫｍｏｓ，ＣＫＢｍｏｓをチャージポンプ２０に出力し、クロック信号供給回路４０は出力電圧ＶＣの振幅のクロック信号ＣＫｍｏｓを用いてクロック信号ＣＫｃａｐ，ＣＫＢｃａｐを生成してチャージポンプ２０に出力し、チャージポンプ２０では、各トランジスタのゲートへ出力電圧ＶＣの振幅のクロック信号ＣＫｍｏｓ，ＣＫＢｍｏｓが供給され、各キャパシタの他端へ立ち上がり時間の小さいクロック信号ＣＫｃａｐ，ＣＫＢｃａｐが供給される。これにより、昇圧回路１０全体の損失を抑制すると共により迅速に出力電圧ＶＣを目標出力電圧に昇圧することができる。 （もっと読む）

【課題】より軽量化できるバスバーモジュールと、該バスバーモジュールを用いた電力変換装置を提供する。
【解決手段】バスバーモジュール１は、導体からなる複数のバスバー２と、複数のバスバー２の一部を封止してこれらを一体化する封止部材３とからなる。バスバー２は、封止部材３に封止された被封止部２２と、被封止部２２から延出し封止部材３から露出した露出部２０と、パワー端子に接続される端子接続部２１とを備える。露出部２０の延出方向（Ｙ方向）と封止部材３の長手方向（Ｘ方向）とは直交している。被封止部３は屈曲形成され、被封止部２２の一部２２２は、Ｘ方向に延びている。封止部材３は、複数の被封止部２２がＹ方向に重ならないように、複数のバスバー２を封止している。 （もっと読む）

【課題】体格及びコストの増大が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】直流電源とグランドとの間に直列接続された２つの単位回路と、単位回路を制御する制御部と、を備え、２つの単位回路の中点に誘導性負荷が接続された半導体装置であって、２つの単位回路それぞれは、第１スイッチ素子と、第１スイッチ素子と逆並列接続された還流ダイオードと、還流ダイオードと第１スイッチ素子それぞれと並列接続されたバイパス部と、を有し、バイパス部は、直列接続された第２スイッチ素子及び抵抗を有し、制御部は、２つの単位回路の第１スイッチ素子をＯＦＦ状態にするデッド期間を挟んで、２つの第１スイッチ素子を交互にＯＮ状態とし、デッド期間において、一方の第１スイッチ素子がＯＦＦ状態からＯＮ状態に移行するまで、一方の第１スイッチ素子と並列接続された第２スイッチ素子をＯＮ状態にする。 （もっと読む）

【課題】並列接続されたスイッチング素子に均等に損失と発熱を分散させることができるスイッチング素子の駆動方法を提供すること。
【解決手段】スイッチング素子のスイッチング損失の異状増加をもたらす状態変化を検出するステップと、前記状態変化が検出されない場合に、前記各スイッチング素子の内の第１のスイッチング素子のオフタイミングと残る第２のスイッチング素子のオフタイミングとが一致するように前記第１、第２のスイッチング素子を駆動するステップと、前記状態変化が検出された場合に、前記第１のスイッチング素子と前記第２のスイッチング素子とを、それらの一方のオフタイミングが他方のオフタイミングよりも早くなるように駆動するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】並列接続されたスイッチング素子に均等に損失と発熱を分散させることができるスイッチング素子の駆動方法を提供すること。
【解決手段】スイッチング素子のスイッチング損失の異状増加をもたらす状態変化が検出されない場合、第１のスイッチング素子のオフタイミングと残る第２のスイッチング素子のオフタイミングとが一致するように第１、第２のスイッチング素子を駆動する第１の駆動ステップと、状態変化が検出された場合に、第１のスイッチング素子のオフタイミングと第２のスイッチング素子のオフタイミングとがずれるように第１、第２のスイッチング素子を駆動する第２の駆動ステップでは、第１のスイッチング素子が第２のスイッチング素子よりも早くオフする状態と、第２のスイッチング素子が第１のスイッチング素子よりも早くオフする状態とが前記周期ごとに交互に実現される。 （もっと読む）

【課題】スイッチング時の電流の急激な変化を抑制しオン状態でのオン抵抗を抑制する。
【解決手段】電源回路内の第１のノードと第２のノードとの間に設けられるスイッチング回路装置であって，前記第１または第２のノードにインダクタが接続され，第１のノードと第２のノードとの間に設けられ第１のゲート幅を有する第１のトランジスタと，第１のノードと第２のノードとの間に第１のトランジスタに並列に設けられ第１のゲート幅より大きい第２のゲート幅を有する第２のトランジスタと，電源回路の出力電圧に応じて生成される制御信号に応答して，第１のトランジスタをオン，オフに駆動する第１の駆動信号と，第２のトランジスタをオン，オフに駆動する第２の駆動信号とを，時間的にずらして出力する駆動信号生成回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】クロスポイントの高いパワー半導体素子を使用して低電流駆動する場合に、その損失をより低減することが可能なパワーモジュールを得る。
【解決手段】パワーモジュール（１４）は、パワー半導体素子（３ａ、４ａ、３ｂ、４ｂ）と、パワー半導体素子の温度を調整する温度調整装置（７）と、パワー半導体素子の駆動電流を検知する電流検知装置（９）と、電流検知装置（９）によって検知された前記駆動電流に基づいて、温度調整装置（７）を制御する制御装置（１１）と、を備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】ターンオン時間のばらつきが小さな半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、ノードＮ１，Ｎ２間に直列接続された高耐圧、高ＧｍのトランジスタＱ１および低耐圧、低ＧｍのトランジスタＱ２と、トランジスタＱ２に並列接続された低耐圧、高ＧｍのトランジスタＱ３とを含む。トランジスタＱ２をオンさせるとトランジスタＱ１がオンし、さらにトランジスタＱ３をオンさせるとノードＮ１，Ｎ２間が導通状態になる。したがって、低耐圧のトランジスタＱ２をオンさせて高耐圧のトランジスタＱ１をオンさせるので、ターンオン時間のばらつきが小さくなる。 （もっと読む）

【課題】ターンオン時間のばらつきが小さな半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、ノードＮ１，Ｎ２間に直列接続された高耐圧、高ＧｍのトランジスタＱ１および低耐圧、低ＧｍのトランジスタＱ２と、トランジスタＱ２に並列接続された低耐圧、高ＧｍのトランジスタＱ３とを含む。トランジスタＱ２をオンさせるとトランジスタＱ１がオンし、さらにトランジスタＱ３をオンさせるとノードＮ１，Ｎ２間が導通状態になる。したがって、低耐圧のトランジスタＱ２をオンさせて高耐圧のトランジスタＱ１をオンさせるので、ターンオン時間のばらつきが小さくなる。 （もっと読む）

【課題】部品コストおよび実装面積を低減しつつリカバリ電流の発生を抑制することができるスイッチング電源装置を提供することである。
【解決手段】本発明にかかるスイッチング電源装置は、電源Ｐ_ＩＮとノードＬＸとの間に接続された主スイッチ素子ＳＷ１と、電源Ｐ_ＩＮとノードＬＸとの間に接続された補助スイッチ素子ＳＷ２と、補助スイッチ素子ＳＷ２を介してノードＬＸに流れる電流を制限する電流制限手段Ｒ１と、接地電源とノードＬＸとの間に接続されたスイッチ素子ＳＷ３と、ノードＬＸと出力端子Ｐ_ＯＵＴとの間に設けられた平滑回路３と、制御回路４とを備える。制御回路４は、主スイッチ素子ＳＷ１をオン状態とする前に、補助スイッチ素子ＳＷ２をオン状態とすることでスイッチ素子ＳＷ３と並列に生成された寄生ダイオードＤ３のノードＬＸ側をプルアップする。 （もっと読む）

【課題】 高圧バッテリ２００と電磁サスペンション装置の電動モータ４０とを接続する双方向性のＤＣ／ＤＣコンバータ１００の過熱を防止する。
【解決手段】 ＤＣ／ＤＣコンバータ１００の１次側スイッチング回路１１０および２次側スイッチング回路１２０は、それぞれスイッチングする部位に、２つのスイッチング素子Ｓを並列に接続したスイッチング素子対ＳＰを備えている。スイッチ制御部１４０は、各スイッチング素子対ＳＰの片側のスイッチング素子Ｓに流れる電流と、１次側トータル電流ｉ１と、２次側トータル電流ｉ２とに基づいて、スイッチング素子対ＳＰの故障を検出する。 （もっと読む）

【課題】ショットキーバリアダイオードを使用することなく、デッドタイムによる効率低下を改善したレギュレータ回路を提供する。
【解決手段】電源線とインダクタとの間に接続される第１のトランジスタと、第１のトランジスタのソースと基準電圧線との間に接続される第２のトランジスタと、第１のトランジスタのソースと負荷との間に接続される第３のトランジスタとを備え、デッドタイムにおいて第３のトランジスタのゲートにしきい値電圧未満であってかつ略しきい値電圧である電圧をゲート電圧として供給することで、デッドタイムに、インダクタ、負荷、及び第３のトランジスタによる電流経路で電流を流し続け、デッドタイムによる効率低下を改善する。 （もっと読む）

【課題】温度依存性をもたない基準電圧を発生させる。
【解決手段】ＳＯＩ層膜厚のみが異なることで互いにしきい値電圧が異なる２つの完全空乏型ＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴＭＮ１，ＭＮ２について、ソース及びボディを接地し、ゲート及びドレインを定電流源ＣＣＳ１，ＣＣＳ２とボルテージフォロア回路Ａｍｐ１−１，１−２の入力端子に接続し、ボルテージフォロア回路Ａｍｐ１−１，１−２の出力端子に第１抵抗Ｒ１−１，Ｒ１−２と第２抵抗Ｒ２−１，Ｒ２−２を直列に接続する。第２抵抗Ｒ１−２を接地し、第１抵抗Ｒ２−１と第２抵抗Ｒ２−１の間の端子を差動増幅器Ａｍｐ２の非反転入力端子に接続する。第２抵抗Ｒ２−２を差動増幅器Ａｍｐ２の出力端子に接続し、第１抵抗Ｒ１−２と第２抵抗Ｒ２−２の間の端子を差動増幅器Ａｍｐの反転入力端子に接続する。差動増幅器Ａｍｐ２の出力電圧を基準電圧Ｖｒｅｆとして出力する。 （もっと読む）