【課題】開放状態において印加される電圧よりも低い耐圧のスイッチング素子を用いて、開放または短絡することができる。
【解決手段】第１端子と第２端子との間を制御信号に応じて開放または短絡するスイッチ回路であって、第１端子と第２端子との間に直列に接続され、それぞれが与えられた制御電圧に応じて開放または短絡する複数のスイッチング素子と、複数のスイッチング素子に一対一に対応して設けられ、それぞれが制御信号に応じた制御電圧を対応するスイッチング素子に与え、複数のスイッチング素子を互いに同期して開放および短絡させる複数の制御回路とを備えるスイッチ回路を提供する。 （もっと読む）

【課題】電圧駆動型半導体素子を用いた電力変換装置において、確実に短絡保護を行なうことが可能な電力変換装置のゲート制御回路及びゲート制御方法を提供する。
【解決手段】電圧駆動型半導体素子１Ａ、１Ｂとこれと逆並列に接続されたフライホールダイオード２Ａ、２Ｂによって電力変換装置のアームを構成する。ゲート制御回路は、各アーム共通に設けられ、各電圧駆動型半導体素子１Ａ、１Ｂのゲート基準信号を出力するゲート制御手段５と、ゲート制御手段５とは電気的に絶縁されゲート基準信号から各々の電圧駆動型半導体素子１Ａ、１Ｂにゲートパルスを供給するためのゲート駆動手段１０Ａ、１０Ｂを具備する。ゲート駆動手段１０Ａ、１０Ｂは、夫々が駆動する電圧駆動型半導体素子１Ａ、１Ｂのアーム電流が所定値を超えたとき、ゲート駆動手段１０Ａ、１０Ｂ内のローカル処理によりゲート駆動手段１０Ａ、１０Ｂが出力するゲートパルスをオフする。 （もっと読む）

【課題】駆動素子が多直列・多並列された自己消弧型素子のゲート出力回路において、任意の１個の駆動素子が短絡故障した場合でも回路機能を維持可能な自己消弧型素子のゲート出力回路を提供する。
【解決手段】電力変換器を構成する自己消弧型素子１のカソード・ゲート間にゲートパルスを供給するためのゲート出力回路２において、ゲート基準信号に従ってゲート信号を出力するゲート信号回路１０と、主回路が駆動素子２０から成る単位駆動回路を多直列接続した複数個の直列回路と、自己消弧型素子１のカソードとゲート電源間に設けられたゲート出力用のコンデンサ１３と、ゲート信号回路の出力電圧を変換して前記駆動素子のゲートに供給するための電圧レベル変換回路１５、１６、２１ａ、２１ｂとで構成し、直列回路の一端をゲート電源に接続し、他端を自己消弧型素子１のゲートに接続する。 （もっと読む）

【課題】モータの目標回転速度に応じてスイッチング素子のターンオフ速度を変更することができ、モータを高速低トルクで駆動するときにはターンオン時に高いサージ電圧を発生させることなく高速でスイッチング素子をターンオフさせることができるゲート電圧制御回路を提供する。
【解決手段】本発明のゲート電圧制御回路は、キャリア周波数決定手段と、デューティ比算出手段と、パルス電圧出力手段と、ゲート電圧源とゲート付きスイッチング素子のゲートをターンオン用スイッチとゲートオン抵抗を介して接続しているターンオン用回路と、ゲート付きスイッチング素子のゲートと基準電位点をターンオフ用スイッチとゲートオフ抵抗を介して接続しているターンオフ用回路と、キャリア周波数が高いときに前記ターンオフ用回路のゲート付きスイッチング素子のゲートと基準電位点の間の抵抗を低く調整する抵抗変更手段を有する。 （もっと読む）

【課題】冷却媒体の温度の検出精度に優れた温度検出器を備えた電力変換装置を提供すること。
【解決手段】半導体素子を内蔵する半導体モジュール２と半導体モジュール２を冷却するための冷却器３とを備えた電力変換装置１。冷却器３は、内側に冷却媒体Ｗを流通させる冷媒流路を設けてなる。冷却媒体Ｗの温度を検出するための温度検出器４が、冷却器３の一部に面接触する金属プレート５に取り付けてある。或いは、冷却媒体Ｗの温度を検出するための温度検出器４が、冷却器３の一部に取り付けてあってもよい。 （もっと読む）

【課題】冷却体上に配置される半導体素子間の熱的な干渉を抑制しつつ、冷却体上に配置される半導体素子間の間隔を小さくする。
【解決手段】半導体素子１が配置された冷却体２には、半導体素子１間に配置された溝４を形成するとともに、溝４の位置には、半導体素子１間で干渉する熱を放散させる補助フィン５を設ける。 （もっと読む）

【課題】
小型で、組立性を向上させ、電子部品冷却の自由度を高めた電力変換装置を提供する。
【解決手段】
本発明の電力変換装置１００は、複数のスイッチング素子を備えた少なくとも２つのパワー半導体モジュール１０１と、複数のパワー半導体モジュール１０１を冷却するための冷媒通路を備え、パワー半導体モジュール１０１が搭載された少なくとも２つの冷却ジャケット２０５と、少なくとも２つの冷却ジャケット２０５の間に挟まれて配置されたコンデンサモジュール１０２と、少なくとも２つの冷却ジャケット２０５に設けられた冷媒通路を接続するための通路接続部材２４０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】主回路スイッチング素子に還流ダイオードが逆並列接続された電力変換回路において、損失を更に低減し回路構成の単純化を図った半導体スイッチを提供する。
【解決手段】半導体スイッチ１Ａは、逆導通性能を有し高耐圧な電圧駆動型スイッチング素子である主素子２と、主素子２に比べ耐圧が低い電圧駆動型スイッチング素子である補助素子３と、主素子２と同等の耐圧を有する高速還流ダイオード４とを備え、主素子２の負極と補助素子３の負極とを接続して主素子２の正極を正極端子７とし、補助素子３の正極を負極端子８とし、正極端子７と負極端子８との間に負極端子８から正極端子７に向かう方向が順方向となるように高速還流ダイオード４を並列接続して構成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオンタイプのＪＦＥＴ電力用電子スイッチのゲート制御装置を提供する。
【解決手段】制御装置はＪＦＥＴスイッチ１５のゲートを制御するために、主電源によって給電されるゲート制御の主回路３０と、二つの状態の間で切替可能な保護用スイッチング装置４１と、スイッチング装置を制御する補助制御回路４０と、スイッチング装置の二つの状態のうち一つの状態では、プラス端子がＪＦＥＴスイッチ１５のソースに接続され、マイナス端子がゲート制御の主回路３０を介さずにＪＦＥＴスイッチ１５のゲートＧに接続される補助電源２５とを備える。スイッチング装置４１は電磁または電子のスイッチである。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイスの高温時のスイッチング損失を低減する。
【解決手段】パワーデバイスのチップ温度または周辺温度に応じて、パワーデバイスのスイッチング速度を切換える電流値を示す電流しきい値を、高温時に低い方に設定する。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体スイッチング素子の発熱とスイッチングサージとをバランス良く低減した電力用半導体スイッチング回路を提供すること。
【解決手段】パワー半導体スイッチング素子の温度を検出し（S１０２）、この温度が上昇したら（S１０４）、パワー半導体スイッチング素子を駆動するドライブ回路へ印加する電源電圧を増大させ（S１１０）、パワー半導体スイッチング素子の抵抗損失を低減する。この温度が低下したらパワー半導体スイッチング素子を駆動するドライブ回路へ印加する電源電圧を低下させ（S１０６）、パワー半導体スイッチング素子のスイッチングサージ電圧を低減する。 （もっと読む）

【課題】本発明は上記課題に鑑み、インバータ回路におけるスイッチング素子の出力電流に発生するノイズを同期的に低減させ、インバータ回路によって駆動される制御モータの誤作動を有効に防止し得る制御モータ駆動装置の提供を目的とする。
【解決手段】制御モータ駆動装置１００を構成するインバータ回路２４０は、ドライブ回路１４１と複数のスイッチ回路２４２ａ〜２４２ｆと電流検出回路１４３とを備えている。そして、インバータ回路２４０に配備されるそれぞれのスイッチ回路２４２ａ〜２４２ｆは、ゲートＧに接続される調整抵抗Ｒｇａ〜Ｒｇｆと、エミッタＥ−コレクタＣ間に接続される帰還ダイオードＤ１ａ〜Ｄ１ｆと、ゲートＧ−エミッタＥ間に接続される吸収ダイオードＤ２ａ〜Ｄ２ｆとを備えるスイッチング素子Ｔｒａ〜Ｔｒｆから構成されている。 （もっと読む）

【課題】電源電圧低下時であっても、出力トランジスタの発熱による破壊を防ぐこと。
【解決手段】本発明の電力用半導体装置（１）は、出力トランジスタ（Ｍ０）と、負荷制御回路（３）と、電源プルアップ回路（７）とを具備している。出力トランジスタ（Ｍ０）は、電源電圧が供給される電源端子（Ｖｃｃ）と、負荷（１２）に接続された出力端子（ＯＵＴ）との間に接続されている。負荷制御回路（３）は、制御信号に応じて、出力トランジスタ（Ｍ０）をオンするための負荷制御用ゲート電圧を出力トランジスタ（Ｍ０）のゲート（Ｇ１）に出力する。電源プルアップ回路（７）は、電源端子（Ｖｃｃ）と、出力トランジスタ（Ｍ０）のゲート（Ｇ１）との間に接続され、負荷（１２）が短絡し、電源端子（Ｖｃｃ）に供給される電圧が電源電圧よりも低いときに、出力トランジスタ（Ｍ０）のゲート（Ｇ１）に蓄積された電荷を電源端子（Ｖｃｃ）に放電する。 （もっと読む）

【課題】漏洩電流を低減するインバータ圧縮機の運転方法及び圧縮機駆動装置を提供する。
【解決手段】インバータ（３）に設けられたハイアーム側トランジスタ（３０１）の動作電源として機能するブートコンデンサ（３０７）は、モータ（２）の通常運転前に充電される必要がある。このブートコンデンサ（３０７）の充電動作を通常運転時のキャリア周波数よりも低いキャリア周波数で実行する。よって、ブートコンデンサの充電動作で生じる漏洩電流を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチング素子の発熱による瞬間的な温度変化によらず、半導体スイッチング素子が形成されたチップの実際の緩やかな温度変化となる素子全体の温度に基づいてパワー素子を駆動できるようにする。
【解決手段】温度センサ６を制御ＩＣ３に内蔵し、スイッチＩＣ５には備えない構造とする。そして、スイッチＩＣ５と制御ＩＣ３とが金属もしくはセラミックスにて構成される基板８を介して機械的に接続された構造とする。このような構造の場合、温度センサ６は、スイッチＩＣ５の温度を直接検出することができないが、スイッチＩＣ５の温度が上昇すると、それが基板８を通じて制御ＩＣ３に伝わり、制御ＩＣ３の温度が上昇するため、制御ＩＣ３に内蔵された温度センサ６によって制御ＩＣ３の温度変化を間接的に検出することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】スイッチングトランジスタの電流リーク故障の故障判定について、その判定の精度を向上するための技術を提案するものであり、この技術により、例えば、自動車のブレーキ制御装置への適用においては、より確実な故障判定を実現可能とするものである。
【解決手段】スイッチングトランジスタＴｒ１のリーク電流を電流モニタ回路５（電圧モニタ回路６）にてモニタして前記スイッチングトランジスタの故障を検出する方法であって、前記電流モニタ回路５（電圧モニタ回路６）にて検出した前記スイッチングトランジスタＴｒ１のリーク電流に相当する電圧値から、前記電流モニタ回路５（電圧モニタ回路６）が有する検出誤差に相当する電圧値を差し引いた値を求めることとする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのベースの電位が不安定になることで、寄生動作により保護回路が誤作動することを防止する。
【解決手段】保護回路７を逆トランジスタ方式で構成すると共に、各トランジスタ１０〜１２のベースをコレクタに接続することで、ベースの電位がコレクタの電位に固定できるようにする。これにより、従来のようにベースを開放した場合と比べて、ベースの電位を安定させられ、寄生ベースに対してノイズ的に電位が印加されても、寄生動作によりトランジスタがＯＮしてしまう等の誤動作を防止することが可能となる。また、ベースの電位を安定させられることにより、サージ電流が発生したときに確実に保護回路７のトランジスタ１０〜１２をＯＮさせられるため、保護回路７にてサージ電流を吸収してＧＮＤに流れさせることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】電気回路モジュールの温度計算点における温度を迅速かつ高精度に取得することが可能な装置および方法を提供する。
【解決手段】 自己温度関数に基づく値を入力イミタンスとして有する自己関数回路と、温度計算点に与えられる熱エネルギーを等価的に示す電力を自己関数回路の入力端子に出力する自己電力源と、温度計算点から隔てられた隔離点に与えられた熱エネルギーに対する温度計算点の応答特性を示す相互温度関数に基づく値を入力イミタンスとして有する相互関数回路と、隔離点に与えられる熱エネルギーを等価的に示す電力を相互関数回路の入力端子に出力する相互電力源と、自己関数回路の入力端子に現れる電気物理量の値と、相互関数回路の入力端子に現れる電気物理量の値とを合成して得られる合成値に基づいて温度計算点における温度を求める温度計算部とを備える。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイスを駆動するドライブ基板内に設け、ドライブ基板につながるパワーデバイスのゲート・エミッタ間電圧の変化を利用して短絡故障を検出することができるパワーデバイス短絡検出回路を得る。
【解決手段】パワーデバイス１と、パワーデバイスを駆動するドライブ基板２に設けられたゲート抵抗４と、パワーデバイスのゲート・エミッタ間に設けられ、必要なゲート電圧の変動を利用してパワーデバイスが短絡故障を起こしたことを検出する短絡検出回路５とを備える。 （もっと読む）

【課題】インテリジェントパワーモジュール周辺回路のブートストラップダイオードが短絡破壊に至った場合、高圧側駆動回路の制御電源端子および低圧側駆動回路の制御電源端子に過電圧が印加され、電源電位とＧＮＤ電位で短絡電流が流れる。この時、短絡電流検出回路を有する低圧側駆動回路が破壊しているため、シャント抵抗を含むインバータ回路の広範囲な連鎖破壊に繋がるという課題があった。
【解決手段】インテリジェントパワーモジュール１の周辺回路のブートストラップダイオード１０３、１０４が短絡破壊に至った場合においても、高圧側制御電源端子７および低圧側制御電源端子８とＧＮＤ間に過電圧保護用ツェナーダイオード１０５を挿入することによりに過電圧が印加されず、インバータ回路の広範囲な連鎖破壊を防ぐことができる。 （もっと読む）