【課題】オーバーシュート電圧の低減および出力回路の貫通電流の低減を図る。
【解決手段】中間電圧生成回路６〜８、１６〜１８を設け、出力回路５のｐＭＯＳトランジスタＴｒ９のゲートに対し高い電位から低い電位にかけて段階的に変化させて印加すると同時に、出力回路５のｎＭＯＳトランジスタＴｒ１０のゲートに対しても高い電位から低い電位にかけて段階的に変化させて印加する。 （もっと読む）

【課題】ＰＷＭ駆動モータのスイッチング素子から発生するＥＭＩノイズを、キャリア周波数を時間的に変化させることで平均化し、抑圧する方法が知られている。この方法ではノイズの発生、受信およびＥＭＩノイズ伝達系周波数特性の影響を抑圧することはできない。本発明は、このノイズ伝達系周波数特性の影響を抑圧する装置の提供を目的とした。
【解決手段】本発明による電力変換装置の制御装置は、複数の離散的な値のキャリア周波数を時間的に変化させ、この複数の離散的なキャリア周波数は、所定の周波数帯域内で前記ＥＭＩノイズの発生、受信およびＥＭＩノイズ伝達系の周波数特性と逆特性となるように決定するキャリア周波数変更手段を有する構成とした。 （もっと読む）

【課題】パワー素子とその制御ＩＣとを備えた半導体装置において、端子数を増加させることなく、パワー素子の電流によってワイヤー、フレーム、パターンの配線インダクタンスに発生するノイズの影響をなくすことができ、制御部の誤動作を防止することができるようにする。
【解決手段】制御ＩＣ２は、ＭＯＳＦＥＴチップＭ１の駆動信号を出力する出力部のＯＵＴ端子とその出力部のＰＧＮＤ端子（接地端子）とを有するとともに、ＭＯＳＦＥＴチップＭ１を制御する制御部のＳＧＮＤ端子（接地端子）を有し、ＭＯＳＦＥＴチップＭ１のゲート端子（Ｇ）と上記ＯＵＴ端子とが接続され、上記出力部のＰＧＮＤ端子がＭＯＳＦＥＴチップＭ１のソース端子（Ｓ）と接続されて外部に導出されている。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の端子とゲート抵抗との接続の誤配線や熱による素子等の破損を防止するとともに、接続のための作業時間を短縮し、かつゲート抵抗値の変更を容易にする。
【解決手段】スナバ回路１２とゲート抵抗回路１３とスイッチング素子８，９の端子との接続端子１４とをモジュールにより一体化してスナバモジュール１７を形成するとともに、このスナバモジュール１７を複数のスイッチング素子８，９からなるスイッチングモジュール７に取り付け、かつゲート抵抗回路１３ではゲート接続端子１４に複数のゲート抵抗１５をスナバモジュール１７外に配置したジャンパ線１６を介して並列に接続し、使用するゲート抵抗１５以外のゲート抵抗１５に接続されたジャンパ線１６を切断する。 （もっと読む）

【課題】誤ったゲートパルスによる短絡故障を防ぐインタロック機能を有し、且つ直流短絡の被害拡大を防止する半導体電力変換装置を提供する。
【解決手段】互いに排反関係を持ってオンオフ制御される一対のスイッチング素子を各相に有する半導体電力変換装置において、ゲート基準信号を生成するゲート制御信号発生回路１１と、ゲート基準信号４１がオフからオンになり且つゲートフィードバック信号５３がオフのときだけスイッチング素子３１をオフからオンに遷移させ、一旦オンとなった後はゲート基準信号４１がオフになるまでスイッチング素子３１のオン状態を保持するゲート制御信号４６を出力するゲートインタロック手段１０１と、ゲートインタロック手段１０１の動作状態を監視してスイッチング素子の異常を検出するゲートインタロック監視手段１０２を具備し、ゲートインタロック監視手段１０２が異常を検出したとき、ゲート基準信号をゲートブロックする。 （もっと読む）

【課題】３相モータの駆動に利用されるインバータの発熱を抑制するモータ制御装置を提供する。
【解決手段】３相モータ７の駆動に利用されるインバータ６を構成する半導体パワースイッチ素子の温度に応じて、３相モータ７の駆動を制御してインバータ６の発熱を抑制するモータ制御装置１００は、３相モータ７のロック時に３相モータ７が備える各相のコイルに流れるコイル電流に基づいて、各相の半導体パワースイッチ素子の温度推定値を演算する素子温度推定部１０と、温度推定値の中から最高温度値を抽出する最高温度抽出部１１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 コストを抑制しつつ、フィードバックにより波形生成を安定させ、良好なノイズ特性と損失特性を実現することができるスイッチング回路を提供すること。
【解決手段】 規範電圧波形追従駆動部４によりスイッチング素子４４を駆動して負荷を作動させるスイッチング回路１において、規範電圧波形追従駆動部４へ入力する信号波形を、予めノイズ特性と損失特性を設定した波形にして出力する規範電圧波形生成部３を備え、規範電圧波形追従駆動部４は、カレントミラーの回路構成によりフィードバックの差動処理を行う比較部４１を備えた。 （もっと読む）

【課題】信頼性があり維持管理がしやすく費用効率のよい電流変換又は電圧形成のための装置を提供する。
【解決手段】本発明は、少なくとも１つの制御可能なパワー半導体素子（３）を有する直列接続された半導体モジュール（１）と、半導体モジュールの１つの電位にある高電圧制御ユニットと、少なくとも１つの光ファイバケーブル（１７、１８）により高電圧制御ユニットに接続されている接地電位近傍の低電圧制御ユニットとを備えた電流変換又は電圧形成のための装置に関する。本発明によれば、高電圧制御ユニットが高電圧インターフェース（７）を有し、高電圧インターフェースが半導体モジュールの１つの電位にあってかつ信号線（１１、１２、１３、１４）を介して少なくとも２つの制御可能なパワー半導体素子に接続されていて、高電圧インターフェースが前記光ファイバケーブルの少なくとも１つを介して低電圧制御ユニットに接続されている。 （もっと読む）

【課題】ハイサイド側パワー素子を制御する制御部に発生する寄生電流による誤動作を防止する。
【解決手段】モータドライバ３０のハイサイド側の制御部１には、増幅部１１、ドライブ部１２、及びＰｃｈ ＭＯＳトランジスタＰＭ６が設けられる。Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタＰＭ６は、増幅部１１とドライブ部１２の間に設けられ、ソースが高電位側電源Ｖｄｄに接続され、ゲートがノードＮ３に接続され、ドレインがノードＮ１及びＰｃｈ ＭＯＳトランジスタＰＭ３のゲートに接続される。Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタＰＭ６は、制御部１に入力される相補信号Ｓｉｎａ及びＳｉｎｂの信号レベルが変化するときに制御部１で発生する寄生電流を吸収する寄生電流吸収手段として機能する。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチ素子だけではなく、半導体スイッチ素子に並列に接続される保護回路の異常を検出できる半導体スイッチ素子の制御回路を得る。
【解決手段】ゲート端子に電圧を供給することでオン・オフを制御する半導体スイッチの駆動回路において、駆動回路３の出力ゲート電圧を検出するゲート電圧検出手段５と、半導体スイッチ４の主端子電圧を検出する主電圧検出手段９と、ゲート電圧状態を光絶縁して低圧回路に伝達する第一の信号絶縁手段６と、半導体スイッチの主電圧状態を光絶縁して低圧回路に伝達する第二の信号絶縁手段１０と、第一の信号絶縁手段の信号と半導体スイッチの駆動指令、第二の信号絶縁手段の信号と半導体スイッチの駆動指令とを各々比較し、正常又は異常を判別する判別手段７、１１とを備える。 （もっと読む）

【目的】高電圧電源端子に過大な負電圧やＥＳＤサージが印加された場合でも破壊や誤 動作を起こさないレベルシフト回路と半導体装置を提供すること。
【解決手段】レベルシフト抵抗７１と、このレベルシフト抵抗７１と接続する電流制限 抵抗７３と、この電流制限抵抗７３とドレインが接続するｎチャネルＭＯＳＦＥＴ４１ とで構成され、レベルシフト抵抗７１と電流制限抵抗７３の間をレベルアップ回路の出 力部１０１とする。この電流制限抵抗７３を設けることで過大な負電圧やＥＳＤサージ で流れる電流を制限してレベルシフト回路の破壊や誤動作を防止する。
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【課題】誘導起電力の影響を低減する。
【解決手段】第１，第２半導体素子の基準電位電極と、第１，第２駆動回路の基準電位端子とが結合される。第１，第２駆動回路は第１，第２半導体素子をそれぞれ駆動する。第１バイパス回路は第１，第２ノードを有し、入力バッファの出力信号を受けて第１ノードから信号を出力する。第１負荷回路は第１ノードおよび第２駆動回路の信号入力端子間に接続される。第２負荷回路は第１負荷回路と略同じインピーダンスを有し、第２ノードおよび第２駆動回路の基準電位端子間に接続される。第１駆動回路は入力バッファ８と基準電位が共通であり、第１バイパス回路は第１負荷回路および第２駆動回路の信号入力端子間の電流経路と第２負荷回路および第２駆動回路の基準電位端子間の電流経路との間で、第１バイパス回路は第１，第２ノード間で、それぞれ所定周波数以上の信号を通過させる。 （もっと読む）

【課題】ノイズが連続して到来した場合においても、入力信号に重畳されるノイズの影響を低減しつつ、低圧側と高圧側とを電気的に絶縁しながら信号の授受を行えるようにする。
【解決手段】ノイズ除去回路ＮＵ１、ＮＤ１は、各ゲートドライブ用ＰＷＭ信号ＳＵ０、ＳＤ０のパルス幅が所定値以下の場合、各ノイズ除去回路ＮＵ１、ＮＤ１は、現在の出力状態をハイレベルまたはロウレベルにそのまま維持し、ゲートドライブ用ＰＷＭ信号ＳＵ０、ＳＤ０のパルス幅が所定値を越えると、ゲートドライブ用ＰＷＭ信号ＳＵ０、ＳＤ０の立ち上がりおよび立ち下がりに基づいて出力状態をハイレベルとロウレベルとの間で遷移させることで、ゲートドライブ用ＰＷＭ信号ＳＵ０、ＳＤ０に重畳されたノイズを除去する。 （もっと読む）

【課題】シュートスルー電流を防止してスイッチングノイズを低減し得るＨブリッジ駆動回路を提供すること。
【解決手段】Ｈブリッジ駆動回路１０は、第１電源ＶＭと、第１電源ＶＭよりも低い第２電源ＰＧＮＤとにより負荷１１０を駆動するための第１〜第４トランジスタＴ１〜Ｔ４を含む。第１及び第３トランジスタＴ１，Ｔ３は第１電源ＶＭに接続されている。第２トランジスタＴ２は第１トランジスタＴ１と第２電源ＰＧＮＤとの間に直列に接続され、第４トランジスタＴ４は第３トランジスタＴ３と第２電源ＰＧＮＤとの間に直列に接続されている。Ｈブリッジ駆動回路１０に設けられた制御回路１４は、第２及び第４トランジスタＴ２，Ｔ４の少なくとも何れか一方を実質的にオン状態に維持するように第１〜第４トランジスタＴ１〜Ｔ４のオンオフの切り替えを制御する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子をパルス制御する場合に、パルス幅低減の要請を緩和できる半導体回路を提供する。
【解決手段】インバータ装置を駆動する半導体回路であって、インバータ装置の高圧側スイッチング素子を制御する入力信号を受けてパルス信号を発生するパルス発生回路３１と、高圧側スイッチング素子を駆動する駆動回路３８と、パルス発生回路３１で発生したパルス信号を駆動回路３８へ伝達する伝達回路２３と、を含み、この伝達回路２３においてワイドギャップ半導体を使用した。 （もっと読む）

【課題】結合係数の温度依存性を低減しつつ、外部磁束に起因するノイズの影響を軽減するとともに、低圧側と高圧側とを電気的に絶縁しながら信号の授受を行う。
【解決手段】ゲートドライブ用ＰＷＭ信号ＳＵ１の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジに応じたパルス信号ＳＵ１´をそれぞれ生成する変換回路ＫＵ１および空芯型絶縁トランスＴＵ１の２次巻線に発生する電圧パルスのレベルに基づいてゲートドライブ用ＰＷＭ信号ＳＵ１を復元する復元回路を設け、空芯型絶縁トランスＴＵ１には、ゲートドライブ用ＰＷＭ信号ＳＵ１の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジに応じたパルス信号ＳＵ１´をそれぞれ別個に伝送するセット用絶縁トランスとリセット用絶縁トランスとを設ける。 （もっと読む）

【課題】フォトカプラを介してＰＷＭ信号の伝送を行いながら、フォトカプラの寿命を予測できるようにする。
【解決手段】ゲート信号発生器５にて生成されたゲートドライブ用ＰＭＷ信号ＳＵ１、ＳＤ１をフォトカプラＦＵ１、ＦＵ２をそれぞれ介してゲートドライバ９、１１にそれぞれ絶縁伝送するとともに、寿命予測装置２１、２２にそれぞれ入力し、フォトカプラＦＵ１、ＦＵ２の出力信号ＳＵ２、ＳＤ２の立ち下がりの傾きに基づいて、フォトカプラＦＵ１、ＦＵ２の電流変換効率を寿命予測装置２１、２２にてそれぞれ推定し、フォトカプラＦＵ１、ＦＵ２が寿命限界に到達する時期を予測する。 （もっと読む）

【課題】２つのスイッチを同時にオン、オフさせる電気電子回路において、２つのスイッチングのずれをより確実に、精度よく検出できる電気電子回路を提供する。
【解決手段】電気電子回路は、第一スイッチング素子１に並列接続される第一コンデンサ６１と、第二スイッチング素子２に並列接続される第二コンデンサ６２と、第一スイッチング素子１に並列、第一コンデンサ６１に直列接続され、第一スイッチング素子１のオン又はオフ直後に磁束を発生する一次側第一コイル６３と、第二スイッチング素子２に並列、第二コンデンサ６２に直列接続され、一次側第一コイル６３と磁気結合され、第二スイッチング素子２のオン又はオフ直後に第一スイッチング素子１のオン又はオフ直後に発生する磁束を相殺する方向および磁束量をもつ磁束を発生する一次側第二コイル６４と、一次側第一コイル６３および一次側第二コイル６４に磁気結合される二次側検出コイル６５を備える。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳゲート構造を有するスイッチング素子のゲート駆動回路において、入力容量に起因する不要振動を防止し、高周波化に伴う駆動損失の低減を可能とするスイッチング素子のゲート駆動回路を絶縁型にて構成すること。
【解決手段】コンバータ駆動第１回路１４ａは、所定の直流電圧を出力する直流電圧源Ｖｃｃ１と、一次巻線Ｗ１と一次巻線に磁気結合される二次巻線Ｗ２ａ、二次巻線Ｗ２ｂを有するトランスＴ１と、所定の制御信号に基づいてトランスＴ１の一次巻線に印加する直流電圧の極性を周期的に切り換えるフルブリッジ回路２８と、二次巻線Ｗ２ａに接続されるダイオードＤ５〜Ｄ７を有する共振防止用クランプ回路３０ａと、共振防止用クランプ回路および二次巻線Ｗ２ｂから流入する電力を受け入れる補助電源部３４ａと、補助電源部に蓄積された電力を二次巻線Ｗ２ｂに帰還するための電力回収経路を形成する電力回収経路形成部３２ａと、を備える。 （もっと読む）

【課題】簡単かつ信号の減衰を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ構造の半導体基板２１として、絶縁膜２３，２４，２５を積層形成し、低容量化、高抵抗化を図る。半導体層２６を分離して形成した素子形成領域２６ａと上面に形成するシリコン酸化膜２８を挟んで設けた導体膜２９とでコンデンサＣａを形成し、導体膜２９とシリコン酸化膜３１を挟んで設けた電極３３とでコンデンサＣｂを形成し、これらを並列に接続し、それぞれのコンデンサとする。これらを直列に接続して各コンデンサの分担電圧を積算した高電圧を得る。各コンデンサＣ１〜Ｃｎはシリコン基板２２との間で寄生容量を持つことになるが、石英ガラス層２４を設けているので、低容量化および高抵抗化を図れ、信号のグランド端子への漏れによる減衰を防止できる。 （もっと読む）