【課題】ゲート信号のオン状態が所定期間以上継続することを防止すること。
【解決手段】電力変換器（３）のスイッチング素子（３０１〜３０４）のオン期間を規定するパルス信号（Ｓ１〜Ｓ４）を絶縁用のトランス（２０１）に入力し、トランス（２０１）から出力される信号を用いてスイッチング素子（３０１〜３０４）のゲートに与えるゲート信号を形成するゲート駆動回路である。トランス（２０１）から出力される信号を整形する整形手段（２０２）と、整形手段（２０２）によって整形された信号が所定期間オン状態を継続した場合に前記ゲート信号をオフ状態にさせる信号オフ手段（２０３、２０４、２０５）とを備える。 （もっと読む）

【課題】駆動信号の伝達抜けを抑制すること。
【解決手段】第１及び第２のパルストランス、所定のデューティ比をもったデューティ信号を生成するデューティ信号生成手段、スイッチング素子駆動信号及びデューティ信号が入力され、スイッチング素子駆動信号の状態により選択される第１又は第２のパルストランスをデューティ信号に応じて駆動するパルストランス駆動手段、第１及び第２のパルストランスの出力を整流した電力によって作動する第１及び第２のエッジ検出手段及び制御駆動手段であって、第１のパルストランスの整流前出力におけるエッジに応じたオンオフ信号を出力する第１のエッジ検出手段、第２のパルストランスの整流前出力におけるエッジに応じたオンオフ信号を出力する第２のエッジ検出手段、及び第１及び第２のエッジ検出手段の出力に基づいて駆動対象スイッチング素子を駆動する制御駆動手段、を備える電気絶縁型スイッチング素子駆動装置。 （もっと読む）

【課題】パワースイッチング素子１６，１８のゲート電位をソース電位に対して上昇及び低下させるべく、ゲートに正電圧及び負電圧を印加するものの場合、消費電力の増大やコスト高が生じること。
【解決手段】パルストランス３０によってパワースイッチング素子１６，１８のゲートに正電圧が印加される際、パルストランス３０からゲートに流れる電荷は、コンデンサ４６ｕ、４６ｄに充電される。そして、パワースイッチング素子１６，１８をオフ操作する場合、パワースイッチング素子１６，１８のソースとコンデンサ４６ｕ，４６ｄとを接続することで、ゲートに負電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】 ゲート電圧の逆バイアス電源を持たず、ゲート電流を増幅するバッファトランジスタを持ち、およびターンオン・ターンオフ時のゲート抵抗を切り替える電圧駆動型のゲート端子を持つスイッチ素子のゲート駆動装置において、スイッチングに伴う電圧変化による誤点呼を防止できるようにする。
【解決手段】 ゲート駆動装置において、ゲート電流を増幅するＮＰＮおよびＰＮＰトランジスタと、各々のベース−エミッタ間の保護ダイオードおよび各々のベース抵抗とスイッチ素子のターンオン用ゲート抵抗、およびターンオフ用ゲート抵抗とを備えた。 （もっと読む）

【課題】電力変換回路を構成する半導体素子の電圧、電流の利用率を向上させ、装置の小型、低価格化を図る。
【解決手段】電力変換回路を構成する半導体素子１ａをオン・オフ制御するとともに、これに過電圧が印加されたときは定電圧ダイオード４ａを用いて過電圧保護を行なうゲート駆動回路において、定電圧ダイオード４ａの定電圧レベルを電力変換回路を構成する直流コンデンサの直流電圧よりも低く設定するとともに、この定電圧ダイオード４ａと直列に定電圧ダイオード４ｂと電流制限コンデンサ１３との並列回路を接続し、半導体素子１ａの過電圧保護を可能にする。 （もっと読む）

【課題】損失が少なく且つ適切なゲート電圧得ることが可能な電力用半導体素子のゲート回路を提供する。
【解決手段】電力用半導体素子１用のゲート駆動回路３と、ゲート駆動回路３の制御電源と並列に接続された入力コンデンサ４と、入力コンデンサ４と電力用半導体素子１の正極間に接続された可変抵抗器１０と、入力コンデンサ４と並列に接続された電圧安定化回路５と、入力コンデンサ４の電圧を検出する電圧検出器８と、可変抵抗器１０及び電圧安定化回路５を制御するための電圧制御手段２０とで構成する。電圧制御手段２０は、起動時には可変抵抗器１０が第１の抵抗値となるように制御し、定常運転時には、制御電源電圧が所定の電圧範囲となるように可変抵抗器１０を平均して前記第１の抵抗値より大きい第２の抵抗値となるように制御し、制御電源電圧が過電圧レベルを超えたとき、電圧安定化回路５を投入する。 （もっと読む）

【課題】大型化を招くことなく損失を低減できるスイッチング回路を提供する。
【解決手段】主及び従ＭＯＳＦＥＴ１ａ，３ａはソース端子ｓ同士、ゲート端子ｇ同士が接続され、ボディダイオード２ａと同極性に外付けダイオード５が接続されるとともに、駆動回路６ａにより主及び従ＭＯＳＦＥＴ１ａ，３ａが同時にスイッチング制御される。主ボディダイオード２ａに環流する電流は従ボディダイオード４ａによって遮断されるので、環流電流及びリカバリ電流はともに外付けダイオード５に流れることになり、全体の損失を低減できる。また、従ＭＯＳＦＥＴ３ａには電圧吸収手段が施されているので、外付けダイオード５の導通直後に従ＭＯＳＦＥＴ３ａに印加されるサージ電圧を吸収でき、従ＭＯＳＦＥＴ３ａのドレイン端子ｄ、ソース端子ｓ間の耐電圧を低くできるので、従ＭＯＳＦＥＴ３ａの損失を軽減できる。 （もっと読む）

【課題】浮遊容量の存在に起因する現象を回避することが可能な負荷駆動装置を提供すること。
【解決手段】電位差検知回路９は、負荷駆動電圧ＶＢＰから制御電圧ＶＢＢを減じたものを両者の電位差として演算し、その電位差が所定の閾値を超えるとき、Ｈレベルの信号をスイッチング素子８のゲート端子に出力する。前記所定の閾値は、負荷駆動用電源３が定格出力電圧の最大値（上限値）を出力する場合の負荷駆動電圧ＶＢＰの測定値から、制御用電源２が定格出力電圧の最小値（下限値）を出力する場合の制御電圧ＶＢＢの測定値を減じたものに設定されている。電位差検知回路９からスイッチング素子８のゲート端子にＨレベルの信号が入力されたとき、同スイッチング素子８がＯＮ作動し、これによりスイッチング素子４のゲート端子の電位がＧＮＤに近いレベルに固定される。 （もっと読む）

【課題】ハイサイドドライバ用の費用効率の良い保護回路であって、必要コンポーネント数を最小限化し、ソフトウェア介入を必要としない保護回路の提供。
【解決手段】ハイサイドドライバ用保護回路は、第１の入力および第２の入力を受信し、該入力の各々を分析し、該入力の分析に応じて出力を伝送するように構成される排他的ＯＲゲートであって、第１の入力はハイサイドドライバの電力出力を表し、第２の入力は前記ハイサイドドライバの作動のための制御信号を表す、排他的ＯＲゲートと、排他的ＯＲゲートの出力に応答してハイサイドドライバの電気出力を制御するよう構成されるスイッチングデバイスとを含む。 （もっと読む）

【課題】ｄｖ／ｄｔ耐量を満足するレベルシフト回路を提供し、高信頼性のインバータ回路を提供すること。
【解決手段】主電源２３の両端に、上アーム２３２のスイッチング素子ＩＧＢＴ２４及び下アーム２３３のスイッチング素子であるＩＧＢＴ２５が、トーテムポール接続され、ハーフブリッジを構成している。上アーム２３２のＩＧＢＴ２４を駆動制御する駆動回路のパルス発生回路３１はパルス状のオン、オフ信号を発生させ、レベルシフト用の高耐圧ｎＭＯＳ３２、及び高耐圧ｎＭＯＳ３３のゲート電極に与えられる。高耐圧ｎＭＯＳ３２、及び高耐圧ｎＭＯＳ３３のドレイン電極はそれぞれレベルシフト用抵抗３４及び３５の一方端に接続されるとともに、抵抗３４と高耐圧ｎＭＯＳ３３，抵抗３５と高耐圧ｎＭＯＳ３２の接続点の電位は、それぞれセット用の差分回路１１及びリセット用の差分回路１２に入力され正規の信号レベルか否かを判断される。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチの寄生キャパシタンス充電による過電圧等を抑制する。
【解決手段】ダイオードブリッジ５〜８の交流入力の一端と他端との間に、半導体スイッチ素子３，4を逆方向に直列に接続するとともに、素子３，4の両端にスナバダイオード201，202とスナバコンデンサ204との直列回路をそれぞれ接続し、スナバダイオードとスナバコンデンサとの接続点と前記ダイオードブリッジの直流出力の一端との間には抵抗205を接続し、素子どうしの接続点と前記ダイオードブリッジの直流出力の他端との間にはダイオード203を接続することで、素子３，4の電圧がスナバ電圧を超えて上昇することがないようにする。 （もっと読む）

【課題】急激な入力電圧上昇がある場合や高入力電圧が長時間続く場合においても、素子破壊することなく、安定した直流電力供給が可能なＤＣ−ＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】主スイッチ素子Ｑ１と整流スイッチ素子Ｑ２を有してなる同期整流型のＤＣ−ＤＣコンバータであって、整流スイッチ素子Ｑ２が、整流トランジスタ素子Ｔｒ２と整流ダイオード素子Ｄｉ２とで構成されてなり、入力電圧Ｖｉまたは入力電圧の上昇率ｄＶｉ／ｄｔを判定して、該判定値が所定の基準値を越えた時、主スイッチ素子Ｑ１と整流トランジスタ素子Ｔｒ２の相補的なオン・オフ動作を解除し、デッドタイムＴＤより長い時間、主スイッチ素子Ｑ１と整流トランジスタ素子Ｔｒ２が共にオフとなる状態が設定されてなるＤＣ−ＤＣコンバータとする。 （もっと読む）

【課題】部品点数が少ない回路構成で、制御用電源電圧よりもオン電圧が高いパワートランジスタを確実に駆動することのできるゲート駆動回路を提供すること。
【解決手段】ゲート駆動回路１０は、ダイオード２１とコンデンサ２２とを備えたチャージポンプ回路２０で入力信号を昇圧することによりスイッチング素子１のゲートを駆動する。ゲート駆動回路１０は、ダイオード２１のカソードとコンデンサ２２の一端とを直列接続し、コンデンサ２２の他端から入力されるパルス信号Ｐｉｎを、ダイオード２１のアノードに入力された制御電源Ｖｉｎの電圧値だけオフセットしたオフセットパルス信号を出力するチャージポンプ回路２０と、ダイオード２１およびコンデンサ２２の接続点とスイッチング素子１との間に配設され、パルス信号Ｐｉｎに同期して開閉動作することでオフセットパルス信号を昇圧パルス信号に変換する第１スイッチ３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】レベルシフト回路のｄｖ／ｄｔ等に起因するコモンモードノイズによる誤判定を抑制し、ロバスト性の高いスイッチング素子駆動回路及びインバータ装置を提供する。
【解決手段】レベルシフト回路のオフセットが設けられたセット用負荷の信号レベルとリセット用負荷との信号レベルとを比較し、セット用負荷のレベルがリセット用負荷のレベルに比べ前記オフセットより低くなったことを判定して前記セットパルスを検出する （もっと読む）

【課題】１つの直流電源でスイッチング素子を駆動するゲート駆動装置において、上下アームのドライブ回路に最適な駆動電圧を供給できるようにする。
【解決手段】上アーム側には、上アーム側スイッチング素子（11）と上アーム側ドライブ回路（12）とブートコンデンサ（C1）とダイオード（D1）とが設けられ、下アーム側には、下アーム側スイッチング素子（21）と下アーム側ドライブ回路（22）と直流電源（23）とが設けられる。下アーム側には、上アーム側のダイオード（D1）の電圧降下Ｖｆを補償するように、直流電源からの供給電圧に電圧降下Ｖｆを付与するダイオード（D2）が設けられる。 （もっと読む）

【課題】電圧制御形のパワースイッチング素子Ｓに過度の電流が流れることを回避する処理を行う場合、サージが大きくなるおそれがあること。
【解決手段】パワースイッチング素子Ｓのセンス端子ＳＴから出力される電流による抵抗体５２での電圧降下量は、コンパレータ５４によって、閾値電圧Ｖｒｅｆと大小関係が比較される。これにより、パワースイッチング素子Ｓを流れる電流（コレクタ電流）が閾値を超えるか否かを判断する。そして、閾値を超えると判断される場合、スイッチング素子５６をオンすることで、パワースイッチング素子Ｓのゲートの電圧をツェナーダイオード５８のブレークダウン電圧程度に制限する。ツェナーダイオード５８のカソード及びパワースイッチング素子Ｓのゲート間には、放電用抵抗体４２が接続されている。 （もっと読む）

【課題】ブートストラップ回路によって正及び負の電源電圧を供給できるようにして、正及び負の電源電圧が必要なスイッチング素子を駆動できるようにする。
【解決手段】上アーム正側及び負側駆動電圧（Vuh,Vul）の何れかを、前記上アーム側スイッチング素子（10）のゲート電圧として印加する上アーム側ドライブ回路（20）と、下アーム正側及び負側の駆動電圧（Vxh,Vxl）の何れかを、前記下アーム側スイッチング素子（11）にゲート電圧として印加する下アーム側ドライブ回路（21）とを設ける。また、上アーム側ドライブ回路（20）に上アーム正側駆動電圧（Vuh）を供給する正側電圧用コンデンサ（C1）と、上アーム側ドライブ回路（20）に上アーム負側駆動電圧（Vul）を供給する負側電圧用コンデンサ（C2）とを設ける。 （もっと読む）

【課題】磁気結合手段を備えた直列接続用ゲート駆動回路で、磁気結合手段の磁気リセットを行う回路は、従来制御回路が必要で複雑であった。
【解決手段】ＩＧＢＴのゲート端子とゲート駆動用順バイアス用電源の正極との間、及びゲート駆動用逆バイアス用電源の負極との間にダイオードを接続する。 （もっと読む）

【課題】２つのスイッチング素子が直列に接続された上下アームを並列に接続してなる主回路と、該各スイッチング素子を駆動させるためのゲート駆動回路と、を備えた電力変換装置において、上アームのスイッチング素子におけるゲート駆動回路の電源を構成するコンデンサに対し、急速充電及び放電を抑制できるような構成を得る。
【解決手段】交流電源（2）によって充電されたコンデンサ（21）と、上アームのスイッチング素子（Su,Sv,Sw）と、そのゲート駆動回路（20）に対し、該スイッチング素子（Su,Sv,Sw）のソース側よりも低い電圧を供給可能な上アーム用コンデンサ（23）と、によって充電回路（24）を構成する。制御用電源回路（40）が交流電源（2）に接続され状態で且つインバータ回路（13）側に電力が供給されていない状態で、上記スイッチング素子（Su,Sv,Sw）をオンオフ動作させる。 （もっと読む）

【課題】外部に放熱抵抗を備えるモータ駆動集積回路において、電源電圧が低下する場合に、モータコイルを駆動するとともに、前記モータコイルからの電流が供給されるトランジスタに対して供給される制御電流が不足することを防止する。
【解決手段】モータ駆動集積回路は、モータコイルを駆動するとともに、前記モータコイルからの電流が供給される第１トランジスタの制御電極に対して制御電流を供給する制御電流供給回路と、前記制御電流供給回路に対して、外部接続される放熱抵抗を介して電源電圧に応じた第１電流を供給する第１電流供給回路と、前記制御電流供給回路に対して、前記電源電圧が所定値未満であるとき、前記電源電圧が低下するにつれて増加する第２電流を供給する第２電流供給回路と、を備え、前記制御電流は、前記電源電圧が前記所定値以上であるとき、前記第１電流に応じた値となり、前記電源電圧が前記所定値未満であるとき、前記第１電流及び前記第２電流に応じた値となる。 （もっと読む）