【課題】電圧駆動素子のスイッチ時のサージ電圧とリンギングを抑制して、ノイズ放射による誤動作を防止する。
【解決手段】電圧駆動素子であるＩＧＢＴ（Ｑ１１）に、誘導性負荷Ｌ１１とユニポーラ型の還流ダイオードＤ１２が接続されている。Ｑ１１のターンオフ時に、Ｑ１１のコレクタからコンデンサＣ１１とダイオードＤ１１及び抵抗Ｒ１９を介して、ベース抵抗Ｒ１２へ電流が流れ、ベース抵抗Ｒ１２で電圧が発生し、ＰＮＰトランジスタＱ１２のベース電圧Ｖｂは上昇する。この電圧上昇速度は、コンデンサＣ１１とベース抵抗Ｒ１２及び抵抗Ｒ１９によって決まる時定数により決定され、上昇電圧はベース抵抗Ｒ１２と抵抗Ｒ１９で分圧される。これによりＱ１２のベース電圧Ｖｂの変化速度、即ちＱ１１のゲート電圧Ｖｇの変化速度を制御する。 （もっと読む）

【課題】貫通電流を防止する。
【解決手段】ローサイドオフ検出回路１０は、ローサイドトランジスタＭ２のゲート信号ＳＧ_Ｌを所定の第１レベルＴＨ_Ｌと比較することによって、ローサイドトランジスタＭ２がオフしたことを示すローサイドオフ検出信号Ｓ１を生成する。ローサイド検出トランジスタＭＳ_Ｌは、ローサイドトランジスタＭ２と同型であり、そのソースが接地端子１０８に接続され、そのゲートにローサイドトランジスタＭ２のゲート信号ＳＧ_Ｌを受ける。第１抵抗Ｒ１１は、ローサイド検出トランジスタＭＳ_Ｌのドレインと電源端子１０６の間に設けられる。第１バイパス回路１２は、第１抵抗Ｒ１１と並列に設けられ、制御信号Ｓ_ＩＮがローサイドトランジスタＭ２のオフを指示するレベルをとるときに導通し、オンを指示するレベルをとるとき遮断する。ローサイド検出トランジスタＭＳ_Ｌのドレインの信号が、ローサイドオフ検出信号Ｓ１として出力される。 （もっと読む）

【課題】ターンオフサイリスタのゲート・カソード電圧が負になった場合でもターンオン電流が増大するのを防止することのできる半導体電力変換装置のゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】エネルギー蓄積手段１２の正極から第１のスイッチ１０を介してターンオフサイリスタ１４のゲートにリアクトル１３を、ターンオフサイリスタのカソードとエネルギー蓄積手段の負極間に第２のスイッチ８を設ける。環流ループを得るためにフライホイールダイオード７及び９を設ける。
スイッチ１０、８をオンオフさせるためのターンオン制御手段５を設ける。ターンオン制御手段５は、スイッチ８がオンで且つターンオフサイリスタ１４のゲート・カソード電圧が負になったとき、スイッチ８、１０をオフさせるように制御する。 （もっと読む）

【課題】第１のスイッチング素子と第２のスイッチング素子との接続部に負電圧が発生することを防止し、絶縁を不要としパワーモジュールへの適用を可能にしてインバータ回路を構成する部品点数の削減、基板実装面積の低減を図ることのできる電力変換装置を提供する。
【解決手段】上相スイッチング素子２と下相スイッチング素子３とからなる半導体スイッチ１を備える電力変換装置Ｓであり、下相スイッチング素子３は第１のスイッチング素子４と第２のスイッチング素子５とからなり、両者の負極を接続し、前者の正極を正極端子８、後者の正極を負極端子９とし、正極端子８と負極端子９との間に並列に接続される高速環流ダイオード７と、上相スイッチング素子２がオン中に第２のスイッチング素子５をオンさせ、上相スイッチング素子２のオフ中は第２のスイッチング素子５のオンを継続させる駆動信号を出力するロジック回路１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチング損失低減のためにゲート抵抗を小さくすると、ゲート・ソース間電圧が振動しスイッチング素子が誤動作すること、ゲート駆動回路用電源が大型になることなどが問題となる。
【解決手段】トランス６ａとコンデンサ７の直列回路をスイッチング素子と並列に接続し、前記トランスと磁気結合した第１の巻線を第１のダイオード８を介して前記スイッチング素子の正極端子とゲート端子との間に、前記トランスと磁気結合した第２の巻線を第２のダイオード９を介して前記スイッチング素子の負側端子とゲート端子との間に、各々接続する。 （もっと読む）

【課題】 ノイズによる誤動作や短絡を防止して安全に駆動できるゲート駆動回路を有する電力変換装置をより少ない部品と簡単な構成で実現する。
【解決手段】 上側スイッチング素子（１−ＳＷ２）を駆動する上側ゲート駆動回路（１−Ｇ２）と、下側スイッチング素子（１−ＳＷ１）を駆動する下側ゲート駆動回路（１−Ｇ１）と、を有する電力変換装置に、前記上側ゲート駆動回路については負電圧電源回路（１−Ｅ３）を備え、前記下側ゲート駆動回路については負電圧電源を作り出す下側ブートストラップ回路（１−Ｂ２）を備えた。 （もっと読む）

【課題】センス電流にスイッチングノイズが乗った場合などにおいても、過電流や短絡を誤検知することのない高信頼な短絡保護を実現する。
【解決手段】半導体素子制御装置は、ＩＧＢＴ３３０のスイッチング動作を制御するための駆動信号をＩＧＢＴ３３０のゲート端子に出力する駆動部８０５と、ゲート端子の電圧に基づいてＩＧＢＴ３３０の短絡を検知し、短絡検知信号を出力する短絡検知部８０６と、短絡検知部８０６から出力された短絡検知信号に基づいてＩＧＢＴ３３０に流れる電流を遮断する駆動遮断部８０４とを備える。 （もっと読む）

【課題】電力変換器を構成する電力半導体スイッチ素子のスイッチング損失を大幅に増加させることなく、その過電圧保護が可能なスナバ回路を提供する。
【解決手段】電力変換器を構成する電力半導体スイッチ素子4に対し、逆直列接続したツェナーダイオード91,92とコンデンサ10との直列接続回路を並列に接続することにより、素子4のターンオフ時のサージのみならずダイオード5の逆回復時のサージをも抑制可能にする。これにより、小型で低損失のシステムが構築可能となる。 （もっと読む）

【課題】１個のスイッチング素子を制御して負荷に電流を供給する場合でも、スイッチングノイズおよびスイッチング損失を低減する。
【解決手段】スイッチング素子制御装置（１）は、第１の信号を受けて、低電圧でスイッチング素子（ＳＷ１）をオン制御する第１の制御回路（１１）と、スイッチング素子（ＳＷ１）が低電圧でオン制御されてから第２の信号を出力するオンタイミング制御回路（１２）と、第２の信号を受けて、低電圧よりも高い電圧でスイッチング素子（ＳＷ１）を引き続きオン制御する第２の制御回路（１３）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】サージ吸収機能と電力消費機能とを併せ持つ廉価な電力変換回路用のスナバ回路を提供する。
【解決手段】電力変換回路用のスナバ回路Ｓが、三相交流の入力電圧を所定の単相交流の出力電圧に変換するマトリックスコンバータ３の入力側に接続される入力側ダイオードブリッジ回路４及び出力側に接続される出力側ダイオードブリッジ回路５と、入力側ダイオードブリッジ回路４及び出力側ダイオードブリッジ回路５の間に接続されるスナバ用コンデンサ１１を有する直流回路部１０と、直流回路部１０の作動を制御する直流回路制御部Ｃとを備え、直流回路部１０はスイッチング回路１２と抵抗回路１３とを互いに直列に有し、直流回路制御部Ｃは、単相交流の出力電圧の所定タイミングに同期してスイッチング回路１２をオン状態に制御する。 （もっと読む）

【課題】 電源装置に内蔵されているインバータ回路の導通時間が最少近傍のとき、出力電流の制御が不安定になる。
【解決手段】 商用交流電源を整流・平滑して直流電圧を出力する直流変換回路と、直流電圧を高周波交流電圧に変換するインバータ回路と、高周波交流電圧を負荷に適した電圧に変換する変圧器と、インバータ回路を制御する出力制御信号を出力する出力制御回路と、出力制御信号に応じてインバータ回路を駆動するスイッチング素子駆動回路と、を備えた電源装置において、スイッチング素子駆動回路は、出力制御信号のオンデューチイが予め定めた基準値未満のとき予め定めた第１の駆動電圧を供給し、出力制御信号のオンデューチイが前記基準値を超えたときから第１の駆動電圧を高くし予め定めた第２の駆動電圧として供給し、インバータ回路を駆動すること、を特徴とする電源装置である。 （もっと読む）

【課題】新たな部品追加や駆動方式を変更することなく、セルフターンオン現象を防止することができるＤＣ／ＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】非絶縁型のＤＣ／ＤＣコンバータにおいて、ローサイドＭＯＳＦＥＴ３のゲートを駆動するローサイド用のプリドライバ５の基準電位は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ２とローサイドＭＯＳＦＥＴ３とを通る主回路以外から印加されていることで、主回路の寄生インダクタンスの合計は大きくすることなく、ローサイドＭＯＳＦＥＴ３のソースとプリドライバ５の基準電位の間の寄生インダクタンスが大きくなり、部品追加や駆動方式の変更をせずに、ローサイドＭＯＳＦＥＴ３のゲートの負電位駆動ができ、セルフターンオン現象を防止できる。 （もっと読む）

【課題】電力変換器の始動時または電力変換器の故障時にノーマリオン型トランジスタを使用する整流器が変換器の入力およびバスキャパシタを短絡させることができない。
【解決手段】直列に接続される２つのトランジスタ（Ｔ１，Ｔ２）が設けられる少なくとも１つのスイッチレッグを備える整流器を備えた電力変換器に関する。トランジスタは、ノーマリオン電界効果型、例えばＪＦＥＴであり、それぞれがゲート制御装置（ＣＴ１，ＣＴ２）によって制御される。各ゲート制御装置は、特に、制御トランジスタのゲートＧに接続される出力と、制御装置の出力と変換器の入力ｉｎ１との間に接続される電圧整流素子と、トランジスタのソースＳと、制御装置の出力と電圧整流素子との間に位置する点との間に接続されるキャパシタＣ１１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】広バンドギャップの半導体デバイス及び／または非絶縁入力を有する半導体デバイス向けにカスタマイズした効率がよくかつ費用対効果がよいゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】非絶縁入力を有する半導体デバイス（６２）をスイッチングするゲート駆動回路（６０）は、半導体デバイス（６２）の本来性寄生ダイオードを順バイアスするように半導体デバイス（６２）のゲート上に電流を印加することによって半導体デバイス（６２）をターンオンする第１の回路（６４）を有する。半導体デバイス（６２）の寄生ダイオードを逆バイアスするように半導体デバイス（６２）のゲート上に電流を印加することによって半導体デバイス（６２）をターンオフする第２の回路（６６）を存在させており該第１の回路（６４）及び第２の回路（６６）はそれぞれ第１のスイッチ及び第２のスイッチを通して半導体デバイス（６２）に結合されている。 （もっと読む）

【課題】発熱がダイオードに集中することを抑制できるスイッチング制御回路を提供する。
【解決手段】スイッチング素子の順方向導通時に流れる電流の向きと逆方向で、スイッチング素子に並列接続されるダイオードと、スイッチング素子又はダイオードの少なくとも一方の温度を検出する温度検出手段と、温度検出手段の検出温度に応じて、スイッチング素子の逆方向導通時に流れる電流を制御する制御手段を有する。 （もっと読む）

【課題】磁界変化に伴うノイズの影響を除去し伝送信号の伝送精度を向上させる。
【解決手段】セット信号Ｓ１０２のパルスが通過した時点から規定時間閉状態となるセットパルスゲート回路１２ａを設けて、規定時間よりも短い間隔でセット信号Ｓ１０２のパルスがＮチャンネル電界効果トランジスタＴｒ１に伝達されることを回避してセット用絶縁トランスＴＬ１の励磁コイルの励磁間隔を制限する。セット信号Ｓ１０２のパルスが通過した直後から、リセット信号Ｓ１０３のパルスが通過するまでの間、開状態となるリセットパルスゲート回路１２ｃを設け、セット信号Ｓ１０２に対応するリセット信号Ｓ１０３のパルスを確実に通過させつつ、リセット信号Ｓ１０３のパルスが通過した後、ノイズ等が、誤ってリセット信号Ｓ１０３のパルスとしてＮチャンネル電界効果トランジスタＴｒ２に伝達されることを回避する。 （もっと読む）

【課題】１相分の１モジュール当たり２個必要であったスナバ抵抗を、１個にすることで体積を低減しコストの低減を図る。
【解決手段】図は直流を交流に変換するインバータの１相分を示し、主スイッチ素子T1に対しては、コンデンサ22とダイオード23との直列回路を並列接続するとともに、主スイッチ素子T2に対しては、ダイオード26とコンデンサ25との直列回路を並列接続し、コンデンサ22とダイオード23との接続点と、ダイオード26とコンデンサ25との接続点間には抵抗28を接続する。 （もっと読む）

【課題】電力変換器の主回路の駆動動作をフィードバックし、制御指令信号と比較して主回路素子の動作の不一致を監視する異常検出方式では不一致検出信号に対し所定猶予時間以内は検知マスクしていたが、主回路またはこれを駆動するドライブ回路などで異常が生じた場合に猶予時間の分の検出遅れが生ずるとともに、発振的な動作の異常が生じて猶予時間内の短時間で異常を繰り返す動作を行った場合の異常の検知ができないケースがあった。
【解決手段】電力変換器において、正常状態でフィードバック信号が遅延により不一致になるのは、制御指令信号が変化した直後の所定の時間範囲のみであることに注目し、制御指令信号が変化した直後のみ検出猶予時間を持つようにすることにより、発振動作等の異常に対しても検出が可能となるとともに、異常検出出力の遅れ時間を大幅に短縮する異常検出方式とした。 （もっと読む）

【課題】低歪み特性、低消費電流のスイッチ回路を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの第１の端子、複数の第２の端子及び前記第１の端子を前記第２の端子のいずれか１つと接続させるスイッチ素子を有するスイッチ部と、外部からの端子切替信号により前記スイッチ素子を駆動するドライバ部と、負荷変動に対する応答特性が第１の状態と、負荷変動に対する応答特性が前記第１の状態よりも遅い第２の状態とを有し、前記ドライバ部に電源を供給するＤＣ−ＤＣ変換部と、前記端子切替信号の変化に対応した第１の時間は前記ＤＣ−ＤＣ変換部を前記第１の状態に制御し、前記第１の時間以外の第２の時間は前記ＤＣ−ＤＣ変換部を前記第２の状態に制御することにより前記ＤＣ−ＤＣ変換部の前記第２の状態を定常状態とするように制御する電源制御部と、を備えることを特徴とするスイッチ回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】ブートストラップ回路を用いたインバータ装置において、スイッチング素子の駆動ＩＣの誤動作を防止するインバータ装置を提供する。
【解決手段】インバータ装置１では、上アーム側のＩＧＢＴ２１，２２，２３の低電位側と駆動ＩＣ５の端子Ｖｓとを結ぶ第１ラインと、下アーム側ＩＧＢＴ３１，３２，３３の低電位側と駆動ＩＣ５の端子ＣＯＭとを結ぶ第２ラインと、の間にダイオード９１，９２，９３が設けられている。第１ラインにダイオード９１，９２，９３のカソードが接続され、第２ラインにダイオード９１，９２，９３のアノードが接続されている。 （もっと読む）