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Fターム[5H740AA04]の内容

電力変換一般 (12,896) | 目的 (1,317) | スイッチング素子の誤点弧防止 (444)

Fターム[5H740AA04]に分類される特許

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【課題】 電力変換装置の各アームを構成する半導体素子に対して設けられるフリーホイーリングダイオードのサージ電圧を抑制し、半導体素子のターンオン損失を低減する。
【解決手段】従来のゲート駆動装置に対し、抵抗R,コンデンサCからなる遅延回路、抵抗Rg(on)1およびトランジスタTR10を接続することにより、フリーホイーリングダイオード逆回復時の低電流域では、半導体素子IGBTを抵抗Rg(on)により、また高電流域では抵抗Rg(on)と抵抗Rg(on)1との並列抵抗により、それぞれターンオンさせることで掲記課題の解決を図る。 (もっと読む)


【課題】高耐圧回路および絶縁デバイスを追加せずに、簡素で低コストで小形な回路でデッドタイムを補償電力変換装置とデッドタイム補償方法を提供する。
【解決手段】第1スイッチング素子と第2スイッチング素子を交互に駆動するPWM信号にオンディレイ時間を設けて第1ゲート信号と第2ゲート信号を生成するゲート信号生成部(26)と、第1スイッチング素子を駆動する第1ゲートドライブ(23)と、第2スイッチング素子を駆動する第2ゲートドライブ(24)と、を備えた電力変換装置において、第2スイッチング素子のゲート電圧に基づいて、第2スイッチング素子がオフしてから第1スイッチング素子がオンするまでの第1デッドタイムと、第1スイッチング素子がオフしてから第2スイッチング素子がオンするまでの第2デッドタイムを生成するデッドタイム生成部(25)を備え、ゲート信号生成部は、第1デッドタイムと第2デッドタイムに基づいて第1スイッチング素子のオンディレイ時間、および第2スイッチング素子のオンディレイ時間を可変する。 (もっと読む)


【課題】制御出力信号が制御入力信号を忠実に復元しているか否かを検出、監視する自己診断機能を備えたパワー半導体の駆動回路装置および信号伝達回路装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
パワー半導体の駆動回路装置30は、制御入力信号Sinを生成する電子制御装置32と、主経路34と自己診断機能38を有する信号伝達回路装置300と、信号伝達回路装置300からの制御出力信号Soutで駆動されるパワー半導体40とを備える。自己診断機能38は帰還パルス送信回路360、第2信号伝達回路370および第2受信回路380を有する。第2受信回路380では制御出力信号Soutが制御入力信号Sinに一致しているか、または不一致であるかを比較し、比較した結果を比較信号出力端子390に出力する。比較信号出力端子390に出力された信号は電子制御装置32に伝達される。 (もっと読む)


【課題】電力変換装置の小型化に適した半導体モジュールの実装構造を提供する。
【解決手段】同一構成の半導体モジュール11,12を互いに並列接続してなり、半導体モジュール11,12は、直列接続された一対の半導体スイッチング素子と、各半導体モジュールの縁部に設けられ一対の半導体スイッチング素子に接続された正極端子11P、12P及び負極端子12N,12Nと、対向する縁部に設けられた正極制御端子11GP、11GN及び負極制御端子12GP,12GNとを有し、各スイッチング素子を制御する制御回路基板2を、一方の半導体モジュール12の投影領域内に配置し、正極側のスイッチング素子を制御する正極制御回路20P1,20P2は半導体モジュール12の負極制御端子12GN側に、負極側のスイッチング素子を制御する負極制御回路20N1,20N2は正極制御端子12GP側に配置する。 (もっと読む)


【課題】保護対象の半導体チップの過熱状態に応じて、過熱保護温度と動作復帰温度との間のヒステリシス幅を変化させることのできる過熱保護回路を提供する。
【解決手段】過熱保護回路1は、半導体チップ100の温度が過熱保護温度を超えたときに過熱検出信号Vbの出力を開始し、過熱保護温度との間にヒステリシスを有する動作復帰温度まで半導体チップ100の温度が下がったときに、過熱検出信号Vbの出力を終了する過熱状態検出部11と、半導体チップ100の過熱状態の監視が可能な信号の入力を受けて、半導体チップ100が異常な過熱状態であるかどうかを判定する異常過熱判定部12と、異常過熱判定部12により異常な過熱状態と判定されたときに、過熱状態検出部11における動作復帰温度の設定値を下げる方向へヒステリシスの幅を拡大するヒステリシス制御部13と、を有する。 (もっと読む)


【課題】コンバータ等に適用される半導体デバイスとして2つのゲート端子を有する双方向デバイスを適用した場合に、誘導負荷からの還流電流を通流する制御をおこないかつ制御の簡素化、および低コスト化を実現させる。
【解決手段】第一ゲート端子2、第二ゲート端子3、ドレイン端子4、ソース端子5を備え、第一ゲート端子2、第二ゲート端子3を各オンオフすることで4つの動作モードを有する双方向スイッチ1に適用する駆動方法であり、第一ゲート端子2あるいは第二ゲート端子3の何れか一方を常時オン状態となるように制御し、還流電流を流す経路を確保しつつ、ダイオード損失を低減し、かつ2つのゲート信号数を減らし、簡易な回路構成、かつ低コストにコンバータ回路を実現することができる。 (もっと読む)


【課題】インバータ等に適用される半導体デバイスは、寄生ダイオードにより誘導負荷からの還流電流を通流する場合、ダイオードの順方向電圧による損失が大きくなることが懸念され、また双方向デバイスを適用した場合には、2つのゲート端子を駆動する必要があり、制御の複雑化、かつ高コストになるという課題があった。
【解決手段】第一ゲート端子2、第二ゲート端子3、ドレイン端子4、ソース端子5を備え、第一ゲート端子2、第二ゲート端子3を各オンオフすることで4つの動作モードを有する双方向スイッチ1に適用する駆動方法であり、第一ゲート端子2あるいは第二ゲート端子3の何れか一方を常時オン状態となるように制御し、還流電流を流す経路を確保しつつ、ダイオード損失を低減し、かつ2つのゲート信号数を減らし、簡易な回路構成、かつ低コストに実現することができる。 (もっと読む)


【課題】当該半導体スイッチモジュールが適用された機器の誤動作や自己の故障を防止できる半導体スイッチモジュールを提供する。
【解決手段】外部からの駆動信号に含まれる所定幅以下のパルスを除去するフィルタ回路12〜16、と、フィルタ回路で所定幅以下のパルスが除去された駆動信号をゲート信号としてオン/オフする半導体スイッチ19とを備える。 (もっと読む)


【課題】本発明の課題は、光エネルギおよび光信号の授受に用いるライトガイドの絶縁性能および長期信頼性を向上し得る半導体電力変換装置を提供することにある。
【解決手段】本発明の半導体電力変換装置Sは、オン・オフ動作する複数の半導体素子を接続した半導体スタック9を含むモジュールMが、互いに絶縁され多段積みされる半導体電力変換装置Sであって、アース電位に設置される制御装置とモジュールMとの間で授受される光を伝送するためのライトガイド部材1gと、ライトガイド部材1gの周囲を覆うとともに、ライトガイド部材1gが密着され固定される内面2a1を有する絶縁ダクト部材2、3とを備えている。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子による放射ノイズの抑制と発熱抑制とを両立させると共に、その両立用機能の追加と削除を容易にする。
【解決手段】燃料噴射制御装置1において、インジェクタ101のコイル101aへ放電されるコンデンサC0を充電する昇圧回路20は、一端に電源電圧VBが供給されるインダクタL0の他端とグランド電位との間を断続させるFETからなる昇圧用トランジスタT0を、繰り返しオン/オフさせることでコンデンサC0を充電するが、そのトランジスタT0に制御電圧を出力する駆動制御回路30の出力端子P1と、該トランジスタT0のゲート端子との間に設けられたゲート抵抗としての抵抗器Raと並列に、抵抗器Rbとスイッチ22との直列回路が設けられている。そして、マイコン40が、エンジン回転数が閾値以上になるとスイッチ22をオンしてゲート抵抗値を低下させ、トランジスタT0の発熱を抑制する。 (もっと読む)


【課題】従来のアーム短絡防止回路では、アーム短絡状態でIGBTがオフされるために過大な電流を遮断する事になり、電流の急激な変化に伴い配線の寄生インダクタンスに発生する過電圧によりIGBTが破壊するという問題があった。
【解決手段】2個直列に接続されたIGBTと、各々のIGBTを駆動するゲートドライバと、IGBTの駆動信号を生成し、駆動信号をゲートドライバに出力する指令部と、ゲートドライバに設けられ、IGBTのスイッチング速度を制御するゲート抵抗と、一方のゲートドライバは他方のゲートドライバからの制御信号を入力され、IGBTが2個同時にオンした場合に、制御信号に従いIGBTの少なくとも1個をオフする同時オン防止回路を持ち、この同時オン防止回路が、駆動指令と制御信号の各々の状態の組み合わせにより、ゲート抵抗値を変化させる機能をもつ。 (もっと読む)


【課題】トランジスタのゲート電位をスレショルド電位未満に維持するための構成を備えるスイッチング回路において、ゲート電位の立ち上がりの遅延を抑制すること等。
【解決手段】電圧制御される主トランジスタと、グランド端子に接続され、前記主トランジスタのゲートスレショルド電圧よりもオン時ドレインーソース間電圧が低い副トランジスタと、第1の抵抗が設けられ、電源装置に接続される端子と前記主トランジスタのゲートとを接続する第1の電力ラインと、前記主トランジスタのゲートから前記副トランジスタへ流れる電流を選択的に許容する第2の電力ラインと、第2の抵抗が設けられ、前記端子と前記副トランジスタとを接続する第3の電力ラインと、を有し、前記第2の抵抗の抵抗値は、前記主トランジスタの容量と前記第1の抵抗の抵抗値の積を前記副トランジスタの容量で除した値よりも小さい値である、スイッチング回路。 (もっと読む)


【課題】ゲート用電源の構成を改善し、インバータ等を構成する複数の半導体スイッチのスイッチング周波数とスイッチング電圧を向上できる高周波交流電源装置を提供する。
【解決手段】直流電圧を高速でスイッチングする複数の半導体スイッチ20と、これらの半導体スイッチをそれぞれ駆動する複数のゲートドライブ回路19と、これらのゲートドライブ回路に整流回路27を介してそれぞれ駆動用電力を供給するゲート用電源7とで構成された高周波交流電源装置において、ゲート用電源7は、少なくとも閉じた磁路を形成する複数のトランスコア18、これらのトランスコアを貫通する共通の1次巻線16、及びこの1次巻線と空間距離を設けてトランスコアに巻回され、各ゲートドライブ回路にそれぞれ接続された複数の2次巻線17とを有する複数のトランス15と、直流電圧をスイッチングし、共通の1次巻線に交流電圧を供給するトランスドライブ回路14とを備えた。 (もっと読む)


【課題】本発明は、外付け部品を要することなく、出力トランジスタのゲート電圧を適切にクランプすることが可能なゲート駆動装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るゲート駆動装置は、出力トランジスタTrのゲート電圧VGを駆動するものであって、ゲート電圧VG(図1ではゲート電圧VGの分圧電圧Va)と所定の閾値電圧Vbとの高低関係を検出する電圧検出回路41と、電圧検出回路41の検出結果に基づいて出力トランジスタTrのゲートと電源電圧VCCの印加端との間を導通/遮断するスイッチ51と、を有して成る構成とされている。 (もっと読む)


【課題】還流ダイオードが小電流で逆回復する時のサ−ジ電圧や振動電圧を抑制するために、対向アームのIGBTのゲートオン抵抗を大きくする方法があるが、定常時の損失が大きくなる課題がある。
【解決手段】ターンオフ時におけるゲート閾値電圧を検出し、この電圧値が所定値に対して高いか低いかを判定し、次のターンオン時のゲートオン抵抗、オン用ゲート電源電圧などのゲート駆動条件を切替える。従って、還流ダイオードの順方向電流が小さい時だけ、ゲート条件を切替えるので、定常時の損失は大きくならない。 (もっと読む)


【課題】リカバリーサージ電圧を抑制したスイッチング回路を提供する。
【解決手段】負荷に電力を供給するスイッチング回路であって、制御信号によって端子間の開閉状態を制御可能なスイッチング素子10と、スイッチング素子10に直列に接続され、スイッチング素子10が開状態となった場合に負荷からの電流を帰還させるフライホイールダイオード14と、スイッチング素子10を閉状態にする際に端子間(コレクタ−エミッタ間)の電圧の時間的変化に応じてスイッチング素子10の制御信号(ゲート電圧)を調整する調整回路22と、を備える。 (もっと読む)


【課題】
本発明の課題は、スイッチング素子の駆動回路及び電力変換装置の発熱抑制及びスイッチング時の信頼性の両立を実現することである。
【解決手段】
電圧駆動型のスイッチング素子用駆動装置であって、前記スイッチング素子のゲート電極に電気的に接続され、かつ該ゲート電極にゲート電圧を印加するための駆動回路部と、前記ゲート電極に印加されたゲート電圧を検出する電圧検出部と、前記ゲート電極に印加されたゲート電圧の変化率を検出する電圧変化率検出部と、前記電圧検出部の検出結果及び前記電圧変化率検出部による検出結果に基づいて、前記駆動回路部を制御し、前記ゲート電極に印加されるゲート電圧を変化させるように前記駆動回路部を制御する制御回路部と、を備えるスイッチング素子用駆動装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】ダイオード内蔵IGBTを備えた半導体装置において、ダイオード素子とIGBT素子のゲート信号との干渉を回避してダイオードの順方向損失増加を防止する。
【解決手段】メイン用のダイオード素子22aに流れる電流を電流検出用のダイオードセンス素子22bおよびセンス抵抗30にて検出する。他方、フィードバック回路部40にてセンス抵抗30の両端の電位差Vsがモニタされると共に、当該電位差Vsに基づいてダイオード素子22aに電流が流れているか否かが判定される。そして、ダイオード素子22aに電流が流れていると判定された場合、フィードバック回路部40からIGBT素子21aの駆動を停止させる停止信号がAND回路10に入力され、AND回路10にてIGBT素子21aの駆動が停止される。 (もっと読む)


【課題】逆起電圧を吸収させるに際して所望の還元電流特性を得つつ、過度な発熱が生じるのを防止できるような誘導性負荷の駆動装置を提供する。
【解決手段】第1のスイッチング素子28と、第2のスイッチング素子30と、外部供給電源12に接続される電路44を有すると共に、第1のスイッチング素子がオフ、第2のスイッチング素子がオンされるとき、誘導性負荷の逆起電圧によって生じる逆起電流をアースに還流させる還流回路18と、第1、第2のスイッチング素子28,30がオフされるとき、逆起電圧を外部供給電源12に吸収させると共に、逆起電圧を吸収する逆起電圧吸収回路20と、逆起電圧吸収回路20に介挿されると共に、逆起電圧吸収回路20に吸収される逆起電圧の電圧量を切り換える切換手段52を備えるように構成する。 (もっと読む)


【課題】駆動トランスに発生するリンギングに起因して生じる主発振素子の誤動作を、簡単な回路構成で、大きな損失を伴うことなく防止可能なスイッチング電源装置を提供する。
【解決手段】入力電圧をオン・オフして交流電圧を発生させる主発振素子Q1,Q1と、所定のパルス幅変調された制御パルスを生成する制御パルス生成部16を有する。制御パルスと同位相の駆動パルスを出力して、主発振素子Q1,Q2を駆動する駆動回路18を備える。駆動回路18は、駆動トランスT2の1次側巻線に交流電圧を発生させる主スイッチ素子Q3を有する。駆動トランスT2の2次側巻線に接続され、主スイッチ素子Q3のオン・オフによって、主発振素子Q1,Q2を駆動する駆動パルスを出力する主発振素子駆動部26a,26bを備える。主スイッチ素子Q3がオフの期間中に、駆動トランスT2の1次側巻線における正方向の電圧発生を抑制する巻線クランプ部24を備える。 (もっと読む)


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