【課題】ノイズ対策部品の大型化を伴わず、小型かつ安価な方式でノイズ電流を低減する電力変換装置。
【解決手段】整流回路１と、整流回路の直流出力側に設けた平滑コンデンサ２と、平滑コンデンサの後流側に接続されたインバータ回路３と、を備えた電力変換装置において、電力変換装置をアースする第１のアース端子Ｇ１と、モータへのシールドケーブルのシールド被覆又はモータアース線を接続する第２のアース端子Ｇ２と、を有し、第１のアース端子Ｇ１と第２のアース端子Ｇ２は配線で電気的に接続され、第１のアース端子Ｇ１と整流回路１の交流入力側は第１のコンデンサＣｘ，Ｃｙを介した配線で接続され、第２のアース端子Ｇ２とインバータ回路３は、第２のコンデンサＣｎと抵抗Ｒｎとを介した配線で接続され、第２のコンデンサＣｎの容量は第１のコンデンサＣｘ，Ｃｙの容量より小さく構成する。 （もっと読む）

【課題】インバータのスイッチング素子の短絡判定装置において、簡便な構成によってモータジェネレータの回転中でも各スイッチング素子の短絡判定を行う。
【解決手段】インバータ１００とモータジェネレータ３１の各相とを接続する各相接続線３５，３６，３７の内のいずれか２つの相の接続線に取付けられるＶ相、Ｗ相電流センサ４１，４２と、制御部５０を備え、制御部５０は、各電流センサ４１，４２によって検出した電流の方向が同一である場合には、各電流センサ４１，４２の設けられていない相のスイッチング素子が短絡し、各電流センサ４１，４２によって検出した電流の方向が異なる場合には、検出した電流値の絶対値の大きい方の相のスイッチング素子が短絡していると判定する。 （もっと読む）

【課題】出力トランジスタを負荷逆起電圧から保護すると共に、ダンプサージ電圧に対しても保護し、さらには、エネルギーは小さいがダンプサージ電圧よりも高い正電源サージに対しても出力トランジスタを保護する保護機能を備えた電力供給制御回路を提供する。
【解決手段】電源ライン１０１と出力端子１０６との間に接続される電力用半導体（出力ＭＯＳトランジスタ）１０９と、出力端子１０６に接続される負荷１１２と、第１の電源１０１と出力端子１０６との間の電圧差を制限する第１のダイナミッククランプ回路１１１と、このクランプ回路１１１と出力トランジスタ１０９との間に接続され基準電圧１０３と出力端子１０６の電圧との比較結果に基づいて導通状態が決定される第１のスイッチ１１０とを有する。さらに、電源ライン１０１と出力端子１０６との間の電圧差を制限して出力トランジスタ１０９を保護する第２のダイナミッククランプ回路１１４を設る。 （もっと読む）

【課題】小容量の電源平滑コンデンサを用いた場合でも、電源投入直後の電源電圧変動によりインバータ動作が不安定となることを防止し、サイズ、コスト、信頼性を向上させたインバータ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】直流電源１を投入した直後の擬似交流波形出力する前に少なくとも一つのスイッチング素子でデューティ比を制御し、その他のスイッチング素子はＯＦＦ状態として抑制充電することで駆動回路用電源平滑コンデンサ９の容量を大きくすることなく、電源電圧の変動を抑えるとともに、チャージポンプ回路のコンデンサを実用範囲内の時間で充電出来る （もっと読む）

【課題】出力信号の電圧レベルをシフトすることのできない期間をより短縮することのできるレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】レベルシフト回路１は、所定電位ＶＣＣ１が「１２００［Ｖ］」から「１５［Ｖ］」へ変化するレベルシフト時に、最もＶＣＣ１側に位置するトランジスタＴｒ１ｎ１及びＴｒ２ｎ１の各ゲート並びに最もＬＧＮＤ電位側に位置するトランジスタＴｒ１１２及びＴｒ２１２の各ゲートに蓄積されている電荷を、当該レベルシフト回路１外へ放出するための引き抜き用の抵抗素子ＲＨ及び引き抜き用の抵抗素子Ｒｌを備える。そして、引き抜き用の抵抗素子ＲＨは、出力信号作成回路部７０の基準電位であるＨＧＮＤ電位に接続されており、引き抜き用の抵抗素子Ｒｌは、ＮＯＴゲート２０の駆動電位である所定電位ＶＣＣ３に接続されている。 （もっと読む）

【課題】回路サイズを極力小さく抑えつつスルーレートを容易に制御可能なドライブ回路を提供する。
【解決手段】電流値制御回路３１は、電源電圧ＶＢを検出してβ（一定値）×ＶＢなる電流ＩＨを出力するように電流出力回路２１に指令する。駆動指令信号Ｓd1がＨレベル、駆動指令信号Ｓd2がＬレベルに変化すると、ＭＯＳＦＥＴ２０がオンとなりＭＯＳＦＥＴ１４、１６をオフさせるとともに、ＭＯＳＦＥＴ１３にミラー比ｍ×ＩＨなる電流が流れる。このとき、電源線４からＭＯＳＦＥＴ１３、ＭＯＳＦＥＴ１３のゲート・ドレイン間容量ＣgdおよびＭＯＳＦＥＴ２４を介して電源線５に至る経路で電荷引き抜き電流ＩＨが流れ、電源電圧ＶＢによらず一定時間でＭＯＳＦＥＴ１３のゲート・ドレイン間容量Ｃgdの放電が行われる。 （もっと読む）

【課題】低電位系のMOSFETのドレイン−基板間に存在する寄生容量の影響により高電位系のラッチ回路が誤動作してしまうことを防止するレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】本実施形態では、容量(C)５１，５２を配することにより、ノイズを吸収してラッチ回路１００の誤動作を防止している。即ち、ラッチ回路１００のインバータ(U1)４１，インバータ(U2)４２の入力端子と、高電位系であるラッチ回路１００の基準電圧となる端子(V2L)６との間に、容量(C) ５１，５２を接続しているので、ノイズを容量(C)５１，５２に吸収させることが可能となり、ラッチ回路１００の誤動作を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】電圧制御形スイッチングデバイスに過電流異常時に、迅速に定電流パルス出力、定電圧パルス出力を停止できる電圧制御形スイッチングデバイスのゲート駆動装置を提案する。
【解決手段】定電流パルス出力または定電圧パルス出力を発生する電流出力トランジスタまたは電圧出力トランジスタを含む定電流駆動回路または定電圧駆動回路を用い、定電流パルス出力または定電圧パルス出力を電圧制御形スイッチングデバイスのゲートに供給して、それを駆動する電圧制御形スイッチングデバイスのゲート駆動装置である。閾値電圧を持った半導体スイッチ素子を有し、スイッチングデバイスの出力電流に応じて大きさが変化する検出電圧が、半導体スイッチ素子の閾値電圧を越えたときにスイッチ出力を発生するスイッチ回路を備え、このスイッチ出力に基づいて、電流出力トランジスタまたは電圧出力トランジスタの制御端子に、オフ制御電圧を供給する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界効果トランジスタのソース・ドレインいずれが高電位となるか不定であるシステムにも好適に用いることが可能なバックゲート切替回路、並びに、これを用いた充電制御装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るバックゲート切替回路２０は、端子Ｔ２から電力供給を受けて電圧Ｖａ、Ｖｂの比較信号を生成する比較部（ＣＭＰ、Ｒ１〜Ｒ５、Ｎ１）と；端子Ｔ３から電力供給を受けて反転比較信号を生成するインバータＩＮＶと；トランジスタ１４のバックゲートと端子Ｔ２との間に接続され、反転比較信号に応じてオン／オフ制御されるトランジスタＰ１と；トランジスタ１４のバックゲートと端子Ｔ３との間に接続され、比較信号に応じてオン／オフ制御されるトランジスタＰ２と；インバータＩＮＶの入力端及びトランジスタＰ２のゲートをプルダウンする抵抗（Ｒ６、Ｒ７）と；を有して成る。 （もっと読む）

【課題】直列接続ＩＧＢＴ３，４の接続点７のｄＶ／ｄｔによる誤動作発生時に、上下アーム短絡などの事故を回避できる高信頼性ＩＧＢＴ駆動装置を提供する。
【解決手段】高低圧側ＩＧＢＴ３，４は、デッドタイムを挟み相補的にオン／オフ制御される。これらデッドタイム期間中に、高圧側ＩＧＢＴ３をオフさせるリセットパルスＲＳを、例えば、次のような要領で発生させる。（１）低圧側ＩＧＢＴ４のオン指令ＬＤの直前に、（２）低圧側ＩＧＢＴ４のオン指令ＬＤの直前から、このオン指令ＬＤと重なる期間ｔｄをもつように、（３）デッドタイムＤＴ期間中、継続して、（４）低圧側ＩＧＢＴ４がオンとなる直前のデッドタイム期間中、継続して、（５）高圧側ＩＧＢＴ３のオン状態を観測したとき、低圧側ＩＧＢＴのオン指令を無効とするように、リセットパルスを生成する。 （もっと読む）

【課題】大電力用主電源スイッチングについて、ワイドバンドギャップ半導体スイッチング素子の誤作動を防ぐ技術を提供する。
【解決手段】スイッチング回路１００は、ゲート電極、接地に接続されるソース電極、及び電源電位Ｖ_ｄｄに接続されるドレイン電極を有するノーマリーオフ型のスイッチング素子１３０と、スイッチング素子１３０のゲート電極及びソース電極に、それぞれ接続される、ドレイン電極及びソース電極、並びに、ゲート電極を有するノーマリーオン型ＦＥＴ１３２とを含む。本回路１００を駆動するための電源供給が無い場合、ノーマリーオン型ＦＥＴ１３２はオン状態となる。その結果、スイッチング素子１３０のゲート／ソース間電位は０Ｖとなり、スイッチング素子１３０はオフ状態を保つ。本回路１００は、雑音電圧によるスイッチング素子１３０の誤作動を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】サイリスタ素子がターンオフ時に故障しないようにする。
【解決手段】サイリスタ素子２の制御電極３のゲート電圧を正電位にする順バイアス電圧手段５と、負電位にする逆バイアス電圧手段６とを具備したサイリスタ用ゲート駆動装置において、サイリスタ素子の主電極に流れる陽極電流又は陰極電流の電流値を監視する電流監視手段１０と、この電流監視手段で検出された電流値が入力され、この入力された電流のサイリスタ素子がターンオフ開始直前の電流値が、サイリスタ素子のオン電流最大定格値に対してどのくらいの割合であるかを演算する電流演算手段１１と、この電流演算手段の出力値に対応して、サイリスタ素子の制御電極に印加するゲート電圧の逆バイアス定常値を制御する逆バイアス定常値制御手段１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 片側からだけ端子が出ていて片持ち支持になるスナバモジュールの耐振性を向上させ、取付け取外しが容易にできる電力変換装置を提供する。
【解決手段】 スイッチング素子を樹脂モールドしたＩＧＢＴモジュールと、ＩＧＢＴモジュールの端子に接続している入力ブスバーと出力ブスバーと、スイッチング素子を冷却するための放熱器と冷却ファンと、ＩＧＢＴモジュールの入力側にＡＣフィルタを構成するＡＣリアクトルおよびＡＣコンデンサと、入力ブスバーあるいは出力ブスバーに接続された自身の端子で支持されたスナバモジュールとを備えた電力変換装置において、スナバモジュールの本体に、ネジ通し穴を設け、本体を、接続された前記入力ブスバーあるいは出力ブスバーにネジ固定する。 （もっと読む）

【課題】 IC化を容易にでき、特性を安定化させることができるスイッチング回路を提供すること。
【解決手段】 制御信号生成する構成は、スイッチング素子Ｍ１の制御信号のターンオン時の作動閾値電圧近傍までの昇圧を、電源Ｖ２からの注入で早めるパルス発振器Ｐ２、トランジスタＱ１、電源Ｖ２と、スイッチング素子Ｍ１の制御信号のターンオフ時の作動閾値電圧近傍までの降圧を、電流経路１０１と別の電流経路１０２，１０３で電流を流すことで早めるダイオードＤ２、トランジスタＱ２、電源Ｖ３を備えた。 （もっと読む）

【課題】 定常状態での不必要なターンオフ損失を低減し、装置の大型化を抑制する。
【解決手段】ＩＧＢＴ等の電圧駆動型素子のゲート駆動回路に、素子４のターンオフ時のサージ電圧を低減させるべく、素子４のコレクタ・ゲート間にツェナーダイオード１４を接続すると、そのツェナー電圧特性によっては定常状態でも動作するおそれがあるので、主回路直流電圧（実測値）とターンオフ電流（実測値）が或る設定値以下の場合には、ＦＥＴ等からなるスイッチ２０をオフ状態としてツェナーダイオード１４が動作しないようにすることで、不必要なターンオフ損失を阻止する。 （もっと読む）

【課題】複数の電源回路について行う起動順序の制御を、より確実な条件で進行させることができる電源制御装置を提供する。
【解決手段】マイコン１７は、起動信号出力回路１６に対し、起動トリガ信号として、レベル信号ＩＮ１，ＩＮ２とパターン信号ＩＮ３とを出力し、起動信号出力回路１６は、各電源回路１２〜１５を所定のシーケンスで起動並びに停止するように制御信号を出力する条件の一部を、信号ＩＮ１〜ＩＮ３の組合せで設定する。 （もっと読む）

【課題】ブリッジ方式回路において互いに直列接続される２つのスイッチング素子が同時にオンしないようにそれらスイッチング素子を駆動することが可能なドライブ回路を提供することを目的とする。
【解決手段】互いに直列接続されるＭＯＳＦＥＴ３２、３３及びＭＯＳＦＥＴ３４、３５がそれぞれ直流電源３６に並列接続されるブリッジ方式回路３１のＭＯＳＦＥＴ３２〜３５をオン、オフさせるためのドライブ回路１において、出力端子２４の電位を上昇させてＭＯＳＦＥＴ３２をオンさせるｎｐｎバイポーラトランジスタ２２をオンさせるための電荷を蓄積するコンデンサ１２と、ＭＯＳＦＥＴ３２がオンしたときＭＯＳＦＥＴ３３のドレイン−ゲート間の寄生容量に蓄積される電荷を引き抜くｐｎｐバイポーラトランジスタ２３をオンさせるための電荷を蓄積するコンデンサ１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、直流電源の出力電圧の変動による半導体素子の導通を防止して、意図しない負荷電流による誤動作を防止する負荷駆動回路を提供する。
【解決手段】電源２から負荷１への電力供給経路に直列に接続されオン／オフ動作により負荷１に流れる電流を制御する半導体素子３を有する負荷駆動回路において、半導体素子３のオン／オフを制御する制御部４と、電源２の出力電圧の変動を検出して検出信号を生成する電圧変動検出部５と、電圧変動検出部５により生成された検出信号が入力された場合に、電源２の出力電圧の変動により半導体素子３がオンする前に半導体素子３を強制的にオフさせる遮断部６とを備える。 （もっと読む）

【課題】電力用変換器の過電流においてオン抵抗損失の著しい増大を抑制して、電力用変換器の小型・軽量化および低価格化をはかる。
【解決手段】定格電流容量の５倍ないし２０倍のサージ電流が流れる電力用変換器に炭化ケイ素を素材とした静電誘導トランジスタを適用するにあたり、該静電誘導トランジスタのオン時のゲート電圧を定格電流以下の正常動作時にはゲート接合のビルトイン電圧以下として高速、低損失、高効率の電力変換を行い、定格を超える過電流が流れた場合にかぎりゲート電圧をビルトイン電圧以上に昇圧することにより過電流による素子破壊を防止する制御方法によって変換器に使用される炭化ケイ素静電誘導トランジスタの電流容量を変換のそれを大幅に超えない小容量とする。 （もっと読む）

【目的】低コストで過熱検出温度のバラツキ範囲や過電流検出値のバラツキ範囲を低減できるマルチチップ型半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１ウェハ４１内に形成された第１の半導体チップの特性（検知電圧線や検知電流線）と第２ウェハ４２内に形成された第２の半導体チップの特性（検出電圧レベルや検出電流レベル）をクラス別にグループ分けする。このグループ分けを第１の半導体チップが形成されている第１ウェハ４１内の領域（Ａ，Ｂ，Ｃ）と第２の半導体チップが形成されている第２ウェハ４２内の領域（ａ、ｂ、ｃ）で行う。領域でクラス別にグループ分けされた第１の半導体チップと第２の半導体チップを、特性バラツキが相殺される領域にあるもの同士で組み合わせる。 （もっと読む）