【課題】スイッチ素子の耐圧保護回路について、損失を抑制しつつ、設計容易性を向上させること。
【解決手段】耐圧保護回路１は、キャパシタＣ１、Ｃ３と、インダクタＬ１、Ｌ２と、スイッチ素子Ｑ３と、制御回路１０と、を備える。キャパシタＣ１の他方の電極には、直流電源Ｖｉｎの正極が接続され、キャパシタＣ１はサージ電圧を吸収する。キャパシタＣ３の一方の電極には、ダイオードＤ４を介して直流電源Ｖｉｎの正極が接続される。キャパシタＣ１の一方の電極には、インダクタＬ１を介してキャパシタＣ３の他方の電極が接続されるとともに、スイッチ素子Ｑ３のドレインが接続される。スイッチ素子Ｑ３のソースには、直流電源Ｖｉｎの負極が接続され、スイッチ素子Ｑ３のゲートには、制御回路１０が接続される。制御回路１０は、キャパシタＣ１の端子間電圧が閾値電圧以上であれば、スイッチ素子Ｑ３をスイッチングさせる。 （もっと読む）

【課題】ターンオン時のスイッチング特性が変動せず、電力損失を発生せずにスイッチング素子を安定してターンオンさせることができるゲートドライブ回路。
【解決手段】ワイドバンドギャップ半導体かなるスイッチング素子Ｑ１のゲートに制御回路からの制御信号を印加することによりスイッチング素子をオンオフ駆動させるゲートドライブ回路であって、制御回路とスイッチング素子のゲートとの間に接続されたコンデンサＣ１と抵抗Ｒ１とからなる並列回路と、並列回路にコンデンサＣ２とスイッチング素子Ｑ２と抵抗Ｒ２からなる直列回路がさらに並列接続され、コンデンサＣ２とスイッチング素子Ｑ２との接続点にダイオードＤ１のアノードが接続され、ダイオードＤ１のカソードとスイッチング素子Ｑ２のゲートはスイッチング素子Ｑ１のソースに接続され、制御信号のオフ信号に対してスイッチング素子Ｑ１ゲートを負電位にバイアスする。 （もっと読む）

【課題】スイッチング損失を低減した、ＤＣ入力電圧をＤＣ出力電圧またはＡＣ出力電圧に変換するコンバータを提供する。
【解決手段】コンバータは、入力端子１０１と出力端子１０３に電圧を供給するスイッチング素子１０４を備え、スイッチング素子１０４をオフしたとき、寄生インダクタンスＬｐａｒａｓｉｔｉｃによって誘導されるエネルギをキャパシタＣ１１０に一時的に蓄えるために、ダイオードＤ１１０およびキャパシタＣ１１０の第１の直列回路１１０が設けられている。ダイオードＤ１１０は一方の入力端子１０１に結合され、並列に結合されている能動回路１２０によって、第１の直列回路１１０のキャパシタＣ１１０に一時的に蓄えられているエネルギを解放制御する。 （もっと読む）

【課題】蓄電池のような電源から任意の大きさの交流電圧を作り出す電源装置において、起動時や蓄電池の充電時までも含めて電力変換部を駆動することが可能な電源装置を提供する。
【解決手段】この電源装置１００は、入力側に蓄電池５が接続され、出力側に負荷７または商用電源６が選択して接続され、双方向に電力変換が可能な電力変換部８と、ダイオード９１ａ〜９１ｆ、ダイオード９２ａ〜９２ｄおよびコンデンサ９３を含み、ダイオード９１ａ〜９１ｆ、ダイオード９２ａ〜９２ｄにより出力交流電圧を整流してコンデンサ９３を充電し、電力変換部８の動作時に生じるサージ電圧を吸収するスナバ回路９と、主制御電源３１と、蓄電池５に基づく直流電圧と、コンデンサ９３に充電された直流充電電圧との高い方の電圧を選択して主制御電源３１に供給するダイオード３３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】初期充電回路が不要な自己給電形のゲート駆動回路の電源装置を提供することである。
【解決手段】電力用半導体スイッチ素子（３）に並列接続された、スナバダイオード（３５）とスナバコンデンサ（３７）とからなる直列回路と、端子電圧をゲート駆動回路（１１）に電源電圧として印加する電源用コンデンサ（５１）と、スナバコンデンサ（３７）の正電位側端子と電源用コンデンサの正電位側端子間に介在されて、電源用コンデンサ（５１）に充電電流を流すノーマリオンタイプのスイッチ素子（４３）と、 ノーマリオンタイプのスイッチ素子（４３）を制御するスイッチ制御回路と、を備える。スイッチ制御回路は、電源用コンデンサ（５１）の端子電圧が所定値以上になったときにノーマリオンタイプのスイッチ素子（４３）をオフさせるように構成される。 （もっと読む）

【課題】電源と出力との間に接続されたＭＯＳトランジスタにおいても、ＭＯＳトランジスタ駆動時のゲートの放電エネルギーを電源に回生させて、ゲート駆動回路の消費電力を低減することが可能なゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】ゲート駆動回路は、第１電源ＶＣＣ１と出力ＯＵＴとの間に接続されたＭＯＳトランジスタＱ１のゲートＨＶＧに所定電圧を付与可能なＨ側駆動回路ＤＨと、スイッチＳ１〜Ｓ３と、インダクタＬ１と、ダイオードＤ１と、制御部ＣＬとを備える。制御部ＣＬは、Ｈ側駆動回路ＤによりＭＯＳトランジスタＱ１のゲートに所定電圧が付与されるときは、スイッチＳ１，Ｓ２，Ｓ３の全てをオフとし、ＭＯＳトランジスタＱ１のゲートＨＶＧへの所定電圧の付与が解除されたときに、スイッチＳ１，Ｓ３をオンとし、ＭＯＳトランジスタＱ１のゲートＨＶＧの電圧がローレベルに達した後、スイッチＳ２をオンとするとともに、スイッチＳ３をオフとする。 （もっと読む）

【課題】並列接続された各半導体素子をスイッチング素子とする電力変換装置において、配線の長短により電流アンバランスが生じる場合でも、各半導体素子のターンオフ損失のアンバランスを抑制し損失を低減できるようにする。
【解決手段】２つの半導体素子11，12を並列接続した上アームのみについて、配線インダクタンス５を等価回路で表わした図示のような電力変換装置では、配線の長短によりインダクタンスが異なることで電流アンバランスが生じるので、配線長の長くなる方のスナバコンデンサ（同図ではＣ_ｓ２）の容量よりも、短くなる方のスナバコンデンサの容量を大きくすることにより、掲記課題の解決を図る。 （もっと読む）

【課題】電力損失の少ない磁気エネルギー回生スイッチ装置、磁気エネルギー回生スイッチ制御方法、及び、プログラムを提供する。
【解決手段】磁気エネルギー回生スイッチ装置１は、フルブリッジ型ＭＥＲＳ１００と、制御回路２００と、コンデンサＣＭと、から構成される。フルブリッジ型ＭＥＲＳ１００は逆導通型半導体スイッチＳＷ１〜ＳＷ４がブリッジ接続され、直流端子ＤＣ間にコンデンサＣＭが接続される。逆導通型半導体スイッチＳＷ１乃至４は制御回路２００によってＯＮ・ＯＦＦを制御される。制御回路２００は、逆導通型半導体スイッチＳＷ２，３をＯＮし、逆導通型半導体スイッチＳＷ２，３をＯＮした後に逆導通型半導体スイッチＳＷ１，４をＯＮする。また、制御回路２００は逆導通型半導体スイッチＳＷ２，３をＯＦＦし、逆導通型半導体スイッチＳＷ２，３をＯＦＦした後に逆導通型半導体スイッチＳＷ１，４をＯＦＦする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、トランスへの入力電圧のデューティ比が略５０％でなくても不具合が生じず、また小規模で小型な構成で実現できるゲート駆動回路、電力変換回路及びゲート駆動方法を提供することを課題とする。
【解決手段】トランス２の二次側に前記スイッチング素子と直列にコンデンサ１３を設ける。またトランス２の二次側に並列にスイッチング素子４に印加される電圧がトランス２の二次側の電圧よりも低い値になるよう電圧を制限するツェナーダイオード１６を設ける。そしてまたトランス２の二次側の電圧が０Ｖになる、若しくはスイッチング素子４が逆極性となったとき、ＰＮＰトランジスタ７によってコンデンサ１３を短絡する。 （もっと読む）

【課題】サージ吸収機能と電力消費機能とを併せ持つ廉価な電力変換回路用のスナバ回路を提供する。
【解決手段】電力変換回路用のスナバ回路Ｓが、三相交流の入力電圧を所定の単相交流の出力電圧に変換するマトリックスコンバータ３の入力側に接続される入力側ダイオードブリッジ回路４及び出力側に接続される出力側ダイオードブリッジ回路５と、入力側ダイオードブリッジ回路４及び出力側ダイオードブリッジ回路５の間に接続されるスナバ用コンデンサ１１を有する直流回路部１０と、直流回路部１０の作動を制御する直流回路制御部Ｃとを備え、直流回路部１０はスイッチング回路１２と抵抗回路１３とを互いに直列に有し、直流回路制御部Ｃは、単相交流の出力電圧の所定タイミングに同期してスイッチング回路１２をオン状態に制御する。 （もっと読む）

【課題】交流配電システム及び直流配電システムのいずれにも使用可能であり、直流配電システムに使用された場合に、アークを発弧させることなく開閉が可能であり、且つ、容易に既存の交流配電システム用スイッチとの置き換えが可能な交流・直流両用スイッチを提供する。
【解決手段】電源２，３に接続される入力側の第１端子２１と負荷４に接続される出力側の第１端子４１との間に直列接続されたトランジスタ構造の双方向半導体スイッチ素子５１と、第１端子２１と入力側の第２端子２２の間に並列に接続された整流部６と、整流部６からの出力電圧を安定した所定の電圧に変換ための電源部７と、電源部７から供給される電力によってこの交流・直流両用スイッチの全体を制御する制御部８と、制御部８からの制御信号に応じて双方向半導体スイッチ素子５１を導通させる駆動部９とを備える。 （もっと読む）

【課題】還流ダイオードの導通時の損失並びに過渡動作時の損失は抑えつつ、逆回復動作時に生じる電流・電圧の振動現象を抑制することが容易に可能な電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】ユニポーラ動作をする還流ダイオードと、キャパシタと抵抗との直列接続からなり、還流ダイオードに並列接続された半導体回路とを備え、半導体回路２００は、抵抗２２０の少なくとも一部として機能する半導体基体１１と、半導体基体の上面に接して設けられた容量低下防止領域１００１と、容量低下防止領域１００１上に設けられ、キャパシタ２１０の少なくとも一部として機能するキャパシタ誘電体膜１２とを備え、容量低下防止領域１００１が、還流ダイオードに逆バイアス電圧が印加された際に半導体基体１１中への空乏層の伸張を緩和する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング回路や電力変換回路について、単アーム構造の場合でも導通制御端子電源の自給化を可能とする。
【解決手段】スイッチ素子１７と制御端子電源用コンデンサ２１を備え、制御端子電源用コンデンサの放電によりスイッチ素子のゲート端子に電圧を印加するようにされているスイッチング回路について、制御端子電源用コンデンサの負側端子は、主電源５の基準電圧端子１８に接続するとともに、ハーフブリッジ回路２２を介してゲート端子に選択的に接続できるようにし、制御端子電源用コンデンサの正側端子は、ハーフブリッジ回路２４を介して主電源の正側端子１５とスイッチ素子のソース端子に対して選択的に接続できるようにする。そして制御端子電源用コンデンサは、正側端子が主電源に接続することで充電がなされる一方で、負側端子がゲート端子に接続し、正側端子がソース端子に接続することで放電する。 （もっと読む）

【課題】高周波化にも対応可能であり、簡易な回路構成にて簡易な制御を可能とするゲート駆動回路を絶縁型の回路として構成すること。
【解決手段】一次側回路２５は、スイッチング素子Ｓ１，Ｓ２をオンすることにより、直流電源Ｅ１からのエネルギーをトランスＴ１を介して二次側回路３０に生じさせ、二次側回路３０は、トランスＴ１を介し一次側回路２５から得たエネルギーを利用して被駆動素子２を充電すると共に、スイッチング素子Ｓ３をオンすることにより、被駆動素子２に蓄積されたエネルギーを放電し、トランスＴ１を介して一次側回路２５に生じさせ、一次側回路２５は、二次側回路３０から得たエネルギーを直流電源Ｅ１に返還する。 （もっと読む）

【課題】昇圧チョッパ回路を用いた力率改善もしくは高調波抑制回路において、部分スイッチング動作によるスイッチング損失の低減と直流電圧の安定制御化（適用システムの安定制御化）の両立である。
【解決手段】平滑回路に接続された負荷の状態を示す負荷状態情報を生成する負荷状態生成手段と、負荷状態情報を用いて第１の係数を補正する係数補正手段とを備えた昇圧比一定制御方式を用いた電源回路において、電源電圧や負荷の変化に応じて、昇圧比を補正もしくは変更することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な構造の電力変換装置を提供すること。
【解決手段】ＩＧＢＴ１２に並列接続されたスナバモジュール６４のスナバコンデンサ６４とスナバダイオード７４の接続点９６と、ＩＧＢＴ１６に並列接続されたスナバモジュール６８のスナバコンデンサ８４とスナバダイオード８６の接続点９８とを互いに接続し、互いに接続しスナバ抵抗１０２，１０４を挿入し、スナバ抵抗１０２，１０４の一端とＩＧＢＴ１２の負極側の回路との間にスナバ共通抵抗１０６を接続する。 （もっと読む）

【課題】単一の発電機のみを備えた構成であっても、エンジン回転数が低い状態において、エンジン回転数を上げることなく、被電力供給系の稼動に必要な電圧の電力を確保することが可能な車両の電源供給制御装置及び電源供給制御方法を提供する。
【解決手段】左右後輪１０Ｌ、１０Ｒへの駆動力要求が無く、発電機４の発電電圧ＶＤＣが被電力供給系１２の稼動電圧未満である場合に、上アーム側スイッチング素子２８ｃと発電機４との電気的な接続を遮断し、上アーム側スイッチング素子２８ｃと被電力供給系１２とを電気的に接続し、発電機４と被電力供給系１２とを電機子コイル３６を介して接続し、電機子コイル３６と、下アーム側スイッチング素子３０ｃと、上アーム側スイッチング素子２８ｃとから、昇圧型のＤＣ−ＤＣコンバータを形成する。 （もっと読む）

【課題】
昇圧チョッパ回路を用いた力率改善もしくは高調波抑制回路において、部分スイッチング動作によるスイッチング損失の低減と直流電圧の安定制御化（適用システムの安定制御化）の両立である。
【解決手段】
平滑回路に接続された負荷の状態を示す負荷状態情報を生成する負荷状態生成手段と、負荷状態情報を用いて第１の係数を補正する係数補正手段とを備えた昇圧比一定制御方式を用いた電源回路において、電源電圧や負荷の変化に応じて、昇圧比を補正もしくは変更することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 帰還ダイオードにワイドバンドギャップ半導体によるものを使用しても、該ダイオードの接合容量と浮遊インダクタンスによるリンギングを抑制しつつ、スイッチング素子のターンオン損失も低減できるワイドバンドギャップショットキバリアダイオードを用いたスイッチング回路を提供する。
【解決手段】ワイドバンドギャップショットキバリアダイオード１およびスイッチング素子２を使用したスイッチング回路において、該スイッチング素子をターンオンさせ、スイッチング素子がオフしている期間に前記ダイオードに流れていた還流電流をゼロにした後、該ダイオードの接合容量と配線インダクタンスによる振動（リンギング）が過度にならないように、該スイッチング素子に印加される電圧の降下率を該スイッチング素子にて制御する制御回路を備えてあることを特徴とするワイドバンドギャップショットキバリアダイオードを用いたスイッチング回路。 （もっと読む）

【課題】簡単な回路でありながら電圧抑制効果が高く、電力損失が少ないだけでなくスナバエネルギーの回生先となる直流電圧源が存在しない回路部分にも適用可能なスナバ回路を提供する。
【解決手段】保護対象の半導体素子と並列に接続されて、過電圧から該半導体素子を保護するスナバ回路であって、このスナバ回路は、所定電圧の直流電圧源と、その両端に印加される電圧が高くなるとその静電容量が減少する一方、印加される電圧が低くなると静電容量が増加する可変容量コンデンサとが直列に接続された直列回路を備える。 （もっと読む）