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Fターム[5H740BB10]の内容

電力変換一般 (12,896) | 主回路スイッチング素子の接続と負荷態様 (2,347) | 誘導性負荷 (269)

Fターム[5H740BB10]に分類される特許

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【課題】ソレノイド等のインダクタンス負荷電流をON/OFF制御して駆動する負荷駆動診断装置であって、負荷電流をOFFする際に生じる逆起電力を電源電圧よりも高い電圧で保持して負荷電流を短時間で減衰させる構成において、電源等へのショート発生により負荷駆動診断装置に過電流状態が生じた場合、同様に電源電圧以上の電圧で保持すると、端子コンデンサと寄生インダクタンスによってLC発振が生じ、逆電流が発生して負荷駆動診断装置の出力電圧がマイナス電圧に低下する等により回路の誤動作や破壊が発生することがあった。
【解決手段】
スイッチ回路出力電圧29を所定電圧に保持する電圧保持手段において、さらに別の所定電圧を持つもう一つの電圧保持手段を持ち、過電流状態の検出に応じて、これら所定の保持電圧を切替えるような電圧保持手段を備えることによって実現される。 (もっと読む)


【課題】 帰還ダイオードにワイドバンドギャップ半導体によるものを使用しても、該ダイオードの接合容量と浮遊インダクタンスによるリンギングを抑制しつつ、スイッチング素子のターンオン損失も低減できるワイドバンドギャップショットキバリアダイオードを用いたスイッチング回路を提供する。
【解決手段】ワイドバンドギャップショットキバリアダイオード1およびスイッチング素子2を使用したスイッチング回路において、該スイッチング素子をターンオンさせ、スイッチング素子がオフしている期間に前記ダイオードに流れていた還流電流をゼロにした後、該ダイオードの接合容量と配線インダクタンスによる振動(リンギング)が過度にならないように、該スイッチング素子に印加される電圧の降下率を該スイッチング素子にて制御する制御回路を備えてあることを特徴とするワイドバンドギャップショットキバリアダイオードを用いたスイッチング回路。 (もっと読む)


【課題】電力変換装置によって発生されるEMIノイズに対して十分な抑制効果を有し、且つ漏れ電流を大幅に低減できるノイズフィルタを提供する。
【解決手段】電力変換装置で発生されるEMIノイズを抑制するノイズフィルタであって、電力変換装置の出力側の電源ラインに接続されたコモンモード電流に対して低インピーダンスのコモンモード電流抽出回路9と、電力変換装置の入力側の電源ラインに接続された相間コンデンサ7a、7bおよび7cと、相間コンデンサから電力変換装置を経由してコモンモード電流抽出回路に至る経路の任意の位置に直列に挿入されたコモンモードチョークコイル6とを備え、コモンモード電流抽出回路に形成されたコモンモード電流抽出点は相間コンデンサにより形成された中性点に接続され、コモンモード電流抽出回路は、単相リアクト19と、2個のコンデンサ20a,20bとを備える。 (もっと読む)


【課題】インバータのスイッチング素子の短絡判定装置において、簡便な構成によってモータジェネレータの回転中でも各スイッチング素子の短絡判定を行う。
【解決手段】インバータ100とモータジェネレータ31の各相とを接続する各相接続線35,36,37の内のいずれか2つの相の接続線に取付けられるV相、W相電流センサ41,42と、制御部50を備え、制御部50は、各電流センサ41,42によって検出した電流の方向が同一である場合には、各電流センサ41,42の設けられていない相のスイッチング素子が短絡し、各電流センサ41,42によって検出した電流の方向が異なる場合には、検出した電流値の絶対値の大きい方の相のスイッチング素子が短絡していると判定する。 (もっと読む)


【課題】スイッチング特性の異なる2種類の素子を並列接続する構成においても、ターンオン損失のみならずターンオフ損失も低減し、大幅な低損失化を図る。
【解決手段】ターンオフ時には、ターンオフ特性の遅い方の素子8をまずターンオフさせた後、その動作に起因して素子8に流れる電流が設定値以下になったことが、コンパレータ回路10などにより検出されたら、ターンオフ特性の速い方の素子9をターンオフさせることで、ターンオフ損失の低減化を図る。 (もっと読む)


【課題】ノーマルモード用リアクトルの機能とコモンモード用リアクトルの機能を併せ持つリアクトルを提供する。
【解決手段】ギャップ(24,25)を形成したコア(2)と、コア(2)に磁路を形成するように配置された単相あるいは多相の導線(3,4,5)とを備えるリアクトルであって、コア(2)のギャップ(24,25)は、少なくとも1つのコモンモード電流で生成される磁路に対しては、コア(2)が閉磁路コアとしての機能を持つように、全相において少なくとも1つのノーマルモード電流で生成される磁路に対しては、コア(2)が開磁路コアとしての機能を持つように形成される。 (もっと読む)


【課題】 実装面積が小さいサージ吸収保護回路の提供。
【解決手段】 インダクタ負荷(R)を駆動するバイポーラトランジスタ(TR)のサージ吸収保護回路(100)において、前記インダクタ負荷はバイポーラトランジスタのコレクタ(C)に接続され、前記バイポーラトランジスタに対して双方向ツェナーダイオード(ZD)と第一抵抗(R)を導線(104)により並列に設け、前記バイポーラトランジスタのエミッタ(E)により導線(103)をアース(GND)し、前記第一抵抗(R)の他端側は導線(105)により導線(103)に接続し、双方向ツェナーダイオードと第一抵抗間の導線(104)にバイポーラトランジスタのベース(B)に接続する導線(106)を分岐させ、この導線(106)の他端に第二抵抗(R)を設けた構造のインダクタ負荷ドライブ回路の逆起電力吸収回路。 (もっと読む)


【課題】半導体スイッチング素子のターンオン時、ターンオフ時に発生するEMIノイズを、スイッチング速度を不要に遅くすることなく確実に低減し、EMIノイズとスイッチング損失との双方が低減可能な電力変換装置を得る。
【解決手段】スイッチ素子1aのターンオン時、ターンオフ時のそれぞれについて、ノイズモード判定回路4を備えて、コモンモード、ディファレンシャルモードの各ノイズの低減要否を負荷電流に応じて判定させる。またスイッチング時間調整回路5を備えて、コモンモードノイズを低減するために、スイッチ素子1aのコレクタ・エミッタ間の電圧変化率を小さくし、ディファレンシャルモードノイズを低減するため、スイッチ素子1aの電流変化率を小さくするように、ゲート電極の充放電速度を遅くする。 (もっと読む)


【課題】実装面積が小さいサージ吸収保護回路の提供。
【解決手段】インダクタ負荷Rは導線101に接続され、他端は導線102により電界効果トランジスタFETのドレインDに接続され、電界効果トランジスタに対して双方向ツェナーダイオードZDと第一抵抗RGSを導線104により並列に設け、電界効果トランジスタのソースSより導線103をアースし、第一抵抗RGSの他端側は導線105により前記導線103に接続し、双方向ツェナーダイオードと第一抵抗RGS間の導線104に電界効果トランジスタのゲートGに接続する導線106を分岐させ、この導線106の他端に第二抵抗Rを設けたインダクタ負荷ドライブ回路の逆起電力吸収回路100。 (もっと読む)


【課題】振動に強く、インダクタンスが低い接続部構造を備えたコンデンサモジュールの提供を課題とする。
【解決手段】上記課題は、複数のコンデンサを有するコンデンサモジュールにおいて、第1の幅広導体と第2の幅広導体を絶縁シートを介して積層した積層体を備え、この積層体を、前記複数のコンデンサを載置するとともに、電気的に接続される第1の平面部と、この第1の平面部に対して折り曲げられた第2の平面部と、前記第1の平面部及び第2の平面部の端部にそれぞれ設けられ、外部と接続される接続部とをもって構成することにより、解決できる。 (もっと読む)


【課題】直列接続IGBT3,4の接続点7のdV/dtによる誤動作発生時に、上下アーム短絡などの事故を回避できる高信頼性IGBT駆動装置を提供する。
【解決手段】高低圧側IGBT3,4は、デッドタイムを挟み相補的にオン/オフ制御される。これらデッドタイム期間中に、高圧側IGBT3をオフさせるリセットパルスRSを、例えば、次のような要領で発生させる。(1)低圧側IGBT4のオン指令LDの直前に、(2)低圧側IGBT4のオン指令LDの直前から、このオン指令LDと重なる期間tdをもつように、(3)デッドタイムDT期間中、継続して、(4)低圧側IGBT4がオンとなる直前のデッドタイム期間中、継続して、(5)高圧側IGBT3のオン状態を観測したとき、低圧側IGBTのオン指令を無効とするように、リセットパルスを生成する。 (もっと読む)


【課題】 定常状態での不必要なターンオフ損失を低減し、装置の大型化を抑制する。
【解決手段】IGBT等の電圧駆動型素子のゲート駆動回路に、素子4のターンオフ時のサージ電圧を低減させるべく、素子4のコレクタ・ゲート間にツェナーダイオード14を接続すると、そのツェナー電圧特性によっては定常状態でも動作するおそれがあるので、主回路直流電圧(実測値)とターンオフ電流(実測値)が或る設定値以下の場合には、FET等からなるスイッチ20をオフ状態としてツェナーダイオード14が動作しないようにすることで、不必要なターンオフ損失を阻止する。 (もっと読む)


【課題】電圧駆動型のパワースイッチング素子のスイッチング損失の増大を抑制することと、サージを抑制することとの両立が困難なこと。
【解決手段】スイッチング素子SWのゲートと、スイッチング素子SWをオン状態とするための電荷を充電するための電源30とは、充電経路を構成するスイッチング素子32及びトランジスタ34によって接続されている。また、スイッチング素子SWのゲートと、スイッチング素子SWをオン状態とするために充電された電荷を放電する接地36とは、放電経路を構成するスイッチング素子38及びトランジスタ40によって接続されている。これらトランジスタ34,40のベース電流を調節することで、充電経路や放電経路を介して流れる電流量を連続的に可変とする。 (もっと読む)


【課題】 コストを抑制しつつ、高調波を充分に除去でき、任意の折線波形及びそれに近似の曲線波形を生成することができ、良好なノイズ特性と損失特性を実現することができるスイッチング回路を提供すること。
【解決手段】 パワートランジスタM1を駆動する制御パルスを生成する制御パルス生成部2と、規範電圧波形追従駆動部4へ入力する信号波形を、予めノイズ特性と損失特性を設定した波形にして出力する規範電圧波形生成部3を備え、規範電圧波形生成部3は、制御パルスから複数段で折った波形を生成する折線波形生成部31と、折線波形生成部31の出力波形のノイズ成分を除去するRCローパスフィルタ32を備えた。 (もっと読む)


【課題】半導体パワーモジュールの内部配線による劣化を、効率よく正確に検出できるようにする。
【解決手段】半導体パワーモジュールの上下アーム素子(IGBT)3a,3bに、制御回路10から短絡耐量を超えない極めて短時間の短絡パルス15a,15bを入力し、そのときのワイヤ配線9a,9bにおける電圧降下を基準値7a,7bとそれぞれ比較し、基準値7a,7b以上になったとき素子劣化と検出することで、素子劣化を効果的かつ正確に検出できるようにする。 (もっと読む)


【課題】インバータの出力性能の低下を抑止するためにコンデンサの過熱を防ぎ、安定した性能を発揮することのできるハイブリッド車両用駆動装置及び制御方法を提供する。
【解決手段】ハイブリッド自動車100は、エンジンとインバータの冷却系を有し、エンジン冷却系は、エンジン用ラジエータ11と、ポンプ62と、によりエンジンを冷却し、インバータ冷却系は、インバータ用ラジエータ10と、ポンプ61と、によりインバータ33、34と、モータ32を冷却する。制御系は、ハイブリッドECU21と、エンジンECU22と、モータECU24と、過熱保護ECU23と、を有し、過熱保護ECU23は、エンジン水温度、インバータ33,34の雰囲気温度、インバータ水温度を測定し、各ECUより、車両の各種情報を取得すると共に、インバータ33,34の出力値を取得してコンデンサの温度を推定する。 (もっと読む)


【課題】供給電圧の変更に柔軟に対応可能なドライバ回路を提供する
【解決手段】ドライバ回路(250)は、ブリッジ回路(251〜254)と、駆動信号の電圧値を調整することによって、ブリッジ回路に含まれる各トランジスタのゲートに供給するためのゲート駆動信号(DH1,DL2,DH2,DL1)を生成するレベルシフタ回路(311,313)とを備える。レベルシフタ回路(311,313)は、上アームトランジスタ(251)に供給される上アーム用ゲート駆動信号(DH1,DH2)のレベルを、可変供給電圧(VSUP)の電圧値に応じて調整する。 (もっと読む)


【課題】電力ロスを低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、直列接続され、第1のモードおよび第2のモードにおいて各々に対してオン指令およびオフ指令が排他的に出力され、かつ誘導性負荷に結合される第1パワー半導体素子TUPおよび第2パワー半導体素子TUNを備え、第1のモードにおいて第1パワー半導体素子TUPがオン状態の場合には、第1パワー半導体素子TUPと誘導性負荷とを通して電流を流すための電流経路が形成され、第2のモードにおいて第1パワー半導体素子TUPがオン状態の場合には、第1パワー半導体素子TUPと誘導性負荷とを通して電流を流すための電流経路が遮断され、さらに、第2のモードにおいては、第1パワー半導体素子TUPに対するオン指令に関わらず第1パワー半導体素子TUPをオフ状態とする制御を行なう駆動制御回路GUPを備える。 (もっと読む)


【課題】電力変換装置と電源との間の電力線に流れる電磁ノイズを低減することができる電力変換装置を提供すること。
【解決手段】電力変換装置1は、一対の電極板42を両主面に配設してなる複数の半導体モジュール4と、半導体モジュールの両主面から挟持するように配された冷却管6を有する冷却器60と、冷却管と半導体モジュールの両主面との間に介設される絶縁板51とを有する。上アーム側の半導体モジュール4tは、電源のP極に接続される第1電極板と、負荷に接続される第2電極板とを有し、下アーム側の半導体モジュール4bは、負荷に接続される第3電極板と、電源のN極に接続される第4電極板とを有する。第1電極板〜第4電極板にそれぞれ対向配置された第1絶縁板〜第4絶縁板の配置部分の静電容量をそれぞれC1、C2、C3、C4としたとき、C1>C2、C4>C3の関係を満たす。 (もっと読む)


【課題】
デッドビート制御を用いて低パスフィルタRLCフィルタの出力フィルタ出力電圧Ucまたは出力電流Ilを調整する。
【解決手段】
時刻tと時刻ti+1の間でフィルタの第1出力点を通して流れるDC電流Iの平均強度<I>に対する電流設定Iucを計算するデッドビート制御であって、電流設定Iucは、フィルタ出力電圧Ucが時刻ti+1で予め決められた電圧設定Uccと同一になるようにフィルタの離散化状態方程式から決定され、離散化状態方程式は、時刻tおよびti+1における、ライン電流Iの強度Ili及びIl,i+1、フィルタの出力点の間の電圧Uc、Uc,i+1、及び平均ライン電圧<U>、平均強度<I>の間に成立し、フィルタを通して流れるDC電流Iを制御する電力変換器を有し、時刻tおよびti+1の間の平均強度<I>は電流設定Iucと等しく、時刻tおよびti+1の間の間隔Tは5τより小さいことを特徴とする。 (もっと読む)


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