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Fターム[5H740BB10]の内容

電力変換一般 (12,896) | 主回路スイッチング素子の接続と負荷態様 (2,347) | 誘導性負荷 (269)

Fターム[5H740BB10]に分類される特許

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【課題】簡素な構成で、出力電圧の過渡的な変動の検出を抑え、安定して制御できるとともに、応答性が低下しない電力変換装置を提供する。
【解決手段】昇圧コンバータ装置は、デューティ指令を対称三角信号と比較することでPWM信号を生成している。そのため、対称三角波信号の山谷の頂点のタイミングは、電力変換回路をなす全てのIGBTがオン又はオフのいずれかの状態となるタイミングである。従って、このタイミングで電力変換回路の出力電圧を保持することで、全てのIGBTがオン又はオフのいずれかの状態であるときに出力電圧を検出することができる。これにより、IGBTのオン、オフの状態が切替わることで発生する出力電圧の過渡的な変動の検出を抑えることができ、安定して制御できる。しかも、フィルタ回路を設ける必要もない。そのため、簡素な構成で電力変換回路の出力電圧を検出できる。また、フィルタ回路による遅れもないことから、応答性も低下しない。 (もっと読む)


【課題】高耐圧回路および絶縁デバイスを追加せずに、簡素で低コストで小形な回路でデッドタイムを補償電力変換装置とデッドタイム補償方法を提供する。
【解決手段】第1スイッチング素子と第2スイッチング素子を交互に駆動するPWM信号にオンディレイ時間を設けて第1ゲート信号と第2ゲート信号を生成するゲート信号生成部(26)と、第1スイッチング素子を駆動する第1ゲートドライブ(23)と、第2スイッチング素子を駆動する第2ゲートドライブ(24)と、を備えた電力変換装置において、第2スイッチング素子のゲート電圧に基づいて、第2スイッチング素子がオフしてから第1スイッチング素子がオンするまでの第1デッドタイムと、第1スイッチング素子がオフしてから第2スイッチング素子がオンするまでの第2デッドタイムを生成するデッドタイム生成部(25)を備え、ゲート信号生成部は、第1デッドタイムと第2デッドタイムに基づいて第1スイッチング素子のオンディレイ時間、および第2スイッチング素子のオンディレイ時間を可変する。 (もっと読む)


【課題】インバータ回路のスイッチング損失の増大を抑制しつつ、インバータ回路のスイッチング速度を調整する際のパラメータの値を取得するための検出回路を不要とする。
【解決手段】車両用インバータ装置は、IGBT11a〜11fを3相ブリッジ接続したインバータ回路を備えたインバータ部1と、インバータ部1の各IGBTのゲート端子を制御する駆動指令回路2とを備える。駆動指令回路2は、モータ5に印加すべき要求トルクに基づいて、インバータ部1に備えられたIGBT11a〜11fのオン・オフ期間およびIGBT11a〜11fのスイッチング速度をスイッチ制御回路13a〜13fを介して制御する。 (もっと読む)


【課題】ノイズの影響を抑制したい周波数帯域を変更しても迅速にノイズレベルを低減することができる電力変換装置の制御装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置2の制御装置1は、電力変換装置のスイッチング素子を開閉するための制御信号の周波数であるキャリア周波数を時間と共に変化させるキャリア周波数可変部9と、キャリア周波数の高調波に対応する所望周波数帯域を決定し、該帯域をキャリア周波数可変部9へ指令するEMI抑制帯域決定部11とを備える。キャリア周波数可変部9は、複数の所望周波数帯域に基づいてそれぞれ選択されたキャリア周波数値の集合であるキャリア周波数群を複数有し、EMI抑制帯域決定部11が指令した帯域に対応したキャリア周波数群を選択し、選択したキャリア周波数群の平均値又は中央値の周波数以下の周波数を該キャリア周波数群の中から選択して使用開始する。 (もっと読む)


【課題】還流ダイオードが小電流で逆回復する時のサ−ジ電圧や振動電圧を抑制するために、対向アームのIGBTのゲートオン抵抗を大きくする方法があるが、定常時の損失が大きくなる課題がある。
【解決手段】ターンオフ時におけるゲート閾値電圧を検出し、この電圧値が所定値に対して高いか低いかを判定し、次のターンオン時のゲートオン抵抗、オン用ゲート電源電圧などのゲート駆動条件を切替える。従って、還流ダイオードの順方向電流が小さい時だけ、ゲート条件を切替えるので、定常時の損失は大きくならない。 (もっと読む)


【課題】制御周期中にキャリア周期を変更しても、各キャリア周期に応じたデューティ指令値のレベル値を正確に決定し、電力変換装置の出力変動を防止する。
【解決手段】PWMインバータ2の制御装置は、PWM制御部5と、キャリア周期変更部10と、電流指令生成部11を備える。PWM制御部5は、制御周期毎にPWMインバータ2の出力または負荷装置である三相モータ3の状態の計測結果に基づいて、デューティ指令値を算出して出力する。キャリア信号生成部7は、PWM制御部5がデューティ指令値と比較するキャリア波の周期であるキャリア信号を生成する。キャリア周期変更部10は、制御周期とキャリア周期を同期させながら、キャリア周期を時間とともに変化させる。 (もっと読む)


【課題】
本発明の課題は、スイッチング素子の駆動回路及び電力変換装置の発熱抑制及びスイッチング時の信頼性の両立を実現することである。
【解決手段】
電圧駆動型のスイッチング素子用駆動装置であって、前記スイッチング素子のゲート電極に電気的に接続され、かつ該ゲート電極にゲート電圧を印加するための駆動回路部と、前記ゲート電極に印加されたゲート電圧を検出する電圧検出部と、前記ゲート電極に印加されたゲート電圧の変化率を検出する電圧変化率検出部と、前記電圧検出部の検出結果及び前記電圧変化率検出部による検出結果に基づいて、前記駆動回路部を制御し、前記ゲート電極に印加されるゲート電圧を変化させるように前記駆動回路部を制御する制御回路部と、を備えるスイッチング素子用駆動装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】逆起電圧を吸収させるに際して所望の還元電流特性を得つつ、過度な発熱が生じるのを防止できるような誘導性負荷の駆動装置を提供する。
【解決手段】第1のスイッチング素子28と、第2のスイッチング素子30と、外部供給電源12に接続される電路44を有すると共に、第1のスイッチング素子がオフ、第2のスイッチング素子がオンされるとき、誘導性負荷の逆起電圧によって生じる逆起電流をアースに還流させる還流回路18と、第1、第2のスイッチング素子28,30がオフされるとき、逆起電圧を外部供給電源12に吸収させると共に、逆起電圧を吸収する逆起電圧吸収回路20と、逆起電圧吸収回路20に介挿されると共に、逆起電圧吸収回路20に吸収される逆起電圧の電圧量を切り換える切換手段52を備えるように構成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、コストの低減や信頼性の向上を実現することが可能なスイッチ制御装置、及び、これを用いたモータ駆動装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るスイッチ制御装置1は、入力信号INに基づいてスイッチ制御信号を生成するコントローラが集積化された第1半導体チップ10と、前記スイッチ制御信号に基づいてスイッチNUの駆動制御を行うドライバが集積化された第2半導体チップ20と、第1半導体チップ10と第2半導体チップ20との間を直流的に絶縁しながら前記スイッチ制御信号などの受け渡しを行う直流絶縁素子が集積化された第3半導体チップ30と、を一のパッケージに封止して成る構成とされている。 (もっと読む)


【課題】
電力変換装置において、ICチップ内部に設けられた低電位系から高電位系への信号伝達手段の絶縁劣化を低減する。
【解決手段】
マイコン10からの制御信号をICチップ内部に設けられたパルストランス22,23を介して伝達し、パルストランス22,23を介して伝達された制御信号を下アームIGBT1へ出力する下アーム側回路14と、下アーム側回路14のパルストランス22を介して伝達された上アームIGBT3の制御信号の電位変換を行う高耐圧nMOS30と、高耐圧nMOS30で電位変換された制御信号を上アームIGBT3へ出力する上アーム側回路15と、を有する電力変換装置。 (もっと読む)


【課題】 電力変換装置3のインバータ7におけるスイッチング素子8における高速スイッチングに起因する電動機10から大地12に流れる漏洩電流を低減する。
【解決手段】 インバータ7から電動機10への電力線路9のコモンモード電流を抽出するコモンモード電流抽出回路14と、相間コンデンサ15と、コモンモードチョークコイル17との漏洩電流低減装置において、漏洩電流の増大をコモンモード電流の増加で検出して、エレベータのかごの各階での待機時間の延長、インバータのスイッチング周波数の低下、インバータのPWM制御の変調モードの三相変調モードへの変更、電動機に供給する交流電力の低電圧化及び低周波数化等の各対策を自動実施する。 (もっと読む)


【課題】MERS内のオフセット異常を迅速に検出することができる。
【解決手段】蛍光灯2及び交流電源3間に接続され、蛍光灯を点灯する負荷電圧を電源電圧から調整出力するMERS4と、MERSを駆動制御する制御装置13とを備え、制御装置は、ON/OFFタイミングに応じたMOSのON/OFF動作及び、ON/OFF動作に伴うコンデンサ25の充放電動作に応じて、電源電圧から所望の負荷電圧を調整出力すべく、MERSを駆動制御する蛍光灯システム1であって、制御装置は、MOSのON継続期間内のコンデンサのコンデンサ電圧を継続検出するコンデンサ電圧継続監視部44と、この検出結果に基づき、同ON継続期間内に継続検出したコンデンサ電圧内に零ボルト区間があるか否かを判定し、零ボルト区間がない場合、オフセット異常と判断する零ボルト区間有無判定部45とを有している。 (もっと読む)


【課題】 電力変換用スイッチング素子を異常電流から保護する際、当該スイッチング素子の制御端子に印加する電圧制御信号のレベルを下げることなく、またバラつきも少ないスイッチング素子を保護する機能を有する電力変換装置を提供する。
【解決手段】 本発明の電力変換装置1は、一対の主端子と主端子対に流れる電流を制御する制御端子とをもち、主端子の低電位側端子が低電位側に接続される電力変換用スイッチング素子134〜139と、主端子対に流れる主電流を検出する電流検出回路4と、制御端子と低電位側との間に位置する主コンデンサ5と、電流検出回路4によって検出された主電流がスイッチング素子134〜139の所定値を超えた場合に、制御端子と低電位側との間に主コンデンサ5が電気的に接続されるようにスイッチング動作する保護用スイッチング素子6と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】コンデンサの配線に寄生するインダクタンスをより小さくすることができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】基板22に半導体チップ23が実装され、正極用配線部材27及び負極用配線部材28での平板状の本体部27a,28aが基板22の上方において基板22と平行に、かつ相互に電気的に絶縁された状態で近接して重なるように配置されている。コンデンサ17が負極用配線部材28の本体部28a上に配置されている。正極用配線部材27及び負極用配線部材28は、本体部27a,28aから基板22に向かって延びる垂下部27b,28bが平板状に形成され、かつ、垂下部27b,28bは基板22との接合部の直近まで平行状態で互いに近接した状態に保持されている。 (もっと読む)


【課題】基板が熱により伸縮することで正極用配線部材及び負極用配線部材と基板との接合部に加わる応力を低減することができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】基板に半導体チップが実装され、正極用配線部材27及び負極用配線部材28での平板状の本体部27a,28aが基板の上方において基板と平行に、かつ相互に電気的に絶縁された状態で近接して重なるように配置されている。コンデンサ17が負極用配線部材28の本体部28a上に配置されている。正極用配線部材27及び負極用配線部材28は、本体部27a,28aから基板に向かって延びる垂下部27b,28bが平板状に形成され、かつ、端子部27c,28cにて基板に接合され、垂下部27b,28bには切り欠き部27d,28dが垂下部27b,28bの下端から上端まで延設されている。 (もっと読む)


【課題】簡単で安価な装置により、電力変換装置での高調波の増大を抑制し、高調波の外部電力系統への流出を抑制することができる高調波抑制装置を提供するものである。
【解決手段】高圧受電盤2に接続された高調波フィルタ3に、高周波インバータ5を介して、加熱コイル7に接続し、前記高圧受電盤2に高調波計測器10を接続し、この高調波計測器10からの高調波割合の信号を受けて、高周波インバータ5から加熱コイル7の出力の調整を行う制御装置8を設け、この制御装置8に、設定したしきい値と前記高調波割合とを比較する高調波比較手段11を設け、しきい値以下の場合に初期設定値での運転継続信号を出力する初期設定値制御手段12を設け、しきい値を超過した場合に、高周波インバータ5から負荷への出力を初期設定値より低下させて運転継続信号を出力する出力低下制御手段14を設けたものである。 (もっと読む)


【課題】
昇圧チョッパ回路を用いた力率改善もしくは高調波抑制回路において、部分スイッチング動作によるスイッチング損失の低減と直流電圧の安定制御化(適用システムの安定制御化)の両立である。
【解決手段】
平滑回路に接続された負荷の状態を示す負荷状態情報を生成する負荷状態生成手段と、負荷状態情報を用いて第1の係数を補正する係数補正手段とを備えた昇圧比一定制御方式を用いた電源回路において、電源電圧や負荷の変化に応じて、昇圧比を補正もしくは変更することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】誘導性負荷のフライホイル電流が流れる接合ダイオードの逆回復電流を実質的に低減するパワースイッチング回路を提供すること。
【解決手段】たとえばMOSFET41hの寄生ダイオードからなる第1ダイオード42hからなる第1転流経路と並列に、第2ダイオード43hとインダクタンス素子44hとを直列接続してなる第2転流経路を設ける。フライホイル電流によりインダクタンス素子44hに蓄積された磁気エネルギーにより、第1ダイオード42hを流れる逆回復電流を吸収する。これにより、下アームスイッチのMOSFET41lに流れ込む逆回復電流を低減することができる。 (もっと読む)


第1の動作モードにおいて、少なくとも一方向に実質的な電圧を阻止し、第2の動作モードにおいて、チャネルを介して一方向に実質的な電流を流し、第3の動作モードにおいて、チャネルを介して反対方向に実質的な電流を流すチャネルを有する少なくとも1つのトランジスタを備えるハーフブリッジを開示する。ハーフブリッジは、このようなトランジスタを含む2つの回路を有することができる。 (もっと読む)


【課題】ソフトシャットダウン機能を有するパワーデバイスドライブ装置の出力端子とパワーデバイスを接続する信号線を短縮化する。
【解決手段】パワーデバイスドライブ装置50には、光結合部1とパワーデバイスドライブ回路部2が設けられる。パワーデバイスドライブ回路部2には、ドライバ部21、ディセイブル回路22、I/V変換回路23、サンプルホールド回路24、ソフトシャットダウン回路25、制御端子PDisb、Vcc端子PVcc、Vo端子PVo、及びVss端子PVssが設けられる。IGBT4の短絡等の異常事態が発生したとき、制御信号Ssetがディセイブル状態となる。ディセイブル状態の制御信号Ssetがディセイブル回路22に入力され、出力部から出力される信号がHz状態となり、ソフトシャットダウン回路25のNch MOSトランジスタNMT3が“ON”しIGBT4をソフトシャットダウン状態にする。 (もっと読む)


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